JPH02164442A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH02164442A JPH02164442A JP63320285A JP32028588A JPH02164442A JP H02164442 A JPH02164442 A JP H02164442A JP 63320285 A JP63320285 A JP 63320285A JP 32028588 A JP32028588 A JP 32028588A JP H02164442 A JPH02164442 A JP H02164442A
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- aluminum nitride
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Links
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、プラズマ装置に関する。
(従来の技術)
一般に、プラズマ装置は、電極間に所望の気体を供給す
るとともに、この電極間に電力を供給し、上記気体分子
にエネルギーを与えてプラズマ化するよう構成されてい
る。
るとともに、この電極間に電力を供給し、上記気体分子
にエネルギーを与えてプラズマ化するよう構成されてい
る。
例えばオゾン発生装置では、表面に例えば硝子あるいは
アルミナ系セラミックス等からなる誘電体層を形成され
た接地電極と、高圧電極とを放電ギャップを隔てて対向
する如く設け、この放電ギャップに少なくとも酸素を含
むガスを流通させるとともに、高圧電極と接地電極との
間に高周波を印加し、例えば無声放電を生じさせ、酸素
分子にエネルギーを与えて、一部の酸素分子を解離させ
てプラズマ化し、酸素3原子のオゾンを生成させる。そ
して、このオゾンを所望部位に導出して例えばアッシン
グ等の処理に使用するよう構成されている。
アルミナ系セラミックス等からなる誘電体層を形成され
た接地電極と、高圧電極とを放電ギャップを隔てて対向
する如く設け、この放電ギャップに少なくとも酸素を含
むガスを流通させるとともに、高圧電極と接地電極との
間に高周波を印加し、例えば無声放電を生じさせ、酸素
分子にエネルギーを与えて、一部の酸素分子を解離させ
てプラズマ化し、酸素3原子のオゾンを生成させる。そ
して、このオゾンを所望部位に導出して例えばアッシン
グ等の処理に使用するよう構成されている。
なお、オゾンは高温では分解され易いので、放電セルに
は、内部の温度上昇を防止するため、冷却機構として例
えば冷却配管等が設けられているものが多い。
は、内部の温度上昇を防止するため、冷却機構として例
えば冷却配管等が設けられているものが多い。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、本発明者等が詳査したところ、上述した
従来のプラズマ装置では、例えば冷却配管等の冷却機構
が設けられているプラズマ装置であっても、放電によっ
て電極部、特に誘電体層の温度がかなり上昇し、例えば
高温で分解され易いオゾン等を生成させるプラズマ装置
の場合は、−旦生成したプラズマ(オゾン)が、高温の
ために直ちに分解してしまい、効率が悪化していること
が判明した。
従来のプラズマ装置では、例えば冷却配管等の冷却機構
が設けられているプラズマ装置であっても、放電によっ
て電極部、特に誘電体層の温度がかなり上昇し、例えば
高温で分解され易いオゾン等を生成させるプラズマ装置
の場合は、−旦生成したプラズマ(オゾン)が、高温の
ために直ちに分解してしまい、効率が悪化していること
が判明した。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて少ない電力で効率的にプラズマを生成す
ることのできるプラズマ装置を提供しようとするもので
ある。
、従来に較べて少ない電力で効率的にプラズマを生成す
ることのできるプラズマ装置を提供しようとするもので
ある。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち、本発明は、電極間に所望の気体を供給すると
ともに、該電極間に電力を供給し、前記気体をプラズマ
化するプラズマ装置において、前記電極の少なくとも一
方に、窒化アルミニウム系セラミックスまたは炭化ケイ
素系セラミックスからなる誘電体層を設けたことを特徴
とする。
ともに、該電極間に電力を供給し、前記気体をプラズマ
化するプラズマ装置において、前記電極の少なくとも一
方に、窒化アルミニウム系セラミックスまたは炭化ケイ
素系セラミックスからなる誘電体層を設けたことを特徴
とする。
(作 用)
上記構成の本発明のプラズマ装置では、電極の少なくと
も一方に形成された誘電体層が、窒化アルミニウム系セ
ラミックスまたは炭化ケイ素系セラミックスから構成さ
れている。これらの窒化アルミニウム系セラミックスま
たは炭化ケイ素系セラミックスは、従来用いられていた
硝子あるいはアルミナ系セラミックス等に較べて一桁程
度熱伝導率が高い。したがって、誘電体層の部位に熱が
蓄積して温度が上昇することを防止することができ、従
来に較べて少ない電力で効率的にプラズマを生成するこ
とができる。
も一方に形成された誘電体層が、窒化アルミニウム系セ
ラミックスまたは炭化ケイ素系セラミックスから構成さ
れている。これらの窒化アルミニウム系セラミックスま
たは炭化ケイ素系セラミックスは、従来用いられていた
硝子あるいはアルミナ系セラミックス等に較べて一桁程
度熱伝導率が高い。したがって、誘電体層の部位に熱が
蓄積して温度が上昇することを防止することができ、従
来に較べて少ない電力で効率的にプラズマを生成するこ
とができる。
(実施例)
以下、本発明をオゾン発生装置に適用した実施例を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
オゾン発生装置1には、容器状に形成された放電セル2
が設けられており、この放電セル2内には、例えば平板
状に形成され高圧電源装置3に接続された高圧電極4と
、この高圧電極4と放電ギャップ5を隔てて対向する如
く平板状に形成された接地電極6が設けられている。
が設けられており、この放電セル2内には、例えば平板
状に形成され高圧電源装置3に接続された高圧電極4と
、この高圧電極4と放電ギャップ5を隔てて対向する如
く平板状に形成された接地電極6が設けられている。
また、この接地電極6の表面には、熱伝導率の高い窒化
アルミニウム系セラミックスまたは炭化ケイ素系セラミ
ックスからなる厚さ例えば0.5〜1im程度の誘電体
層7が形成されている。
アルミニウム系セラミックスまたは炭化ケイ素系セラミ
ックスからなる厚さ例えば0.5〜1im程度の誘電体
層7が形成されている。
さらに、上記放電セル2には、冷却機構として例えば外
側に冷却水循環用配管8が設けられている。また、上記
放電セル2の一方の端部には、入口配管9が接続されて
おり、この入口配管9は、ガス流量調節器10を介して
酸素供給源11に接続されており、放電ギャップ5に所
定流量で少なくとも酸素を含むガスを供給することがで
きるよう構成されている。そして、上記放電セル2の他
方の端部には、導出用配管12が接続されており、この
導出用配管12により放電セル2内で発生したオゾンを
例えば図示しないアッシング装置、成膜装置、殺菌装置
等に導出して所望の処理を行うことができるよう構成さ
れている。
側に冷却水循環用配管8が設けられている。また、上記
放電セル2の一方の端部には、入口配管9が接続されて
おり、この入口配管9は、ガス流量調節器10を介して
酸素供給源11に接続されており、放電ギャップ5に所
定流量で少なくとも酸素を含むガスを供給することがで
きるよう構成されている。そして、上記放電セル2の他
方の端部には、導出用配管12が接続されており、この
導出用配管12により放電セル2内で発生したオゾンを
例えば図示しないアッシング装置、成膜装置、殺菌装置
等に導出して所望の処理を行うことができるよう構成さ
れている。
上記構成のこの実施例のオゾン発生装置1では、ガス流
量調節器10によって所定の流量例えば2〜40SJ2
/a+in (S、gは常温常圧換算での流量)に流
ffi調節しながら酸素供給源11から酸素ガス(少な
くとも酸素を含むガス)を放電セル2内の放電ギャップ
5に導入するとともに、高圧電源装置3によって高圧電
極4と接地電極6との間に、周波数例えば10〜15K
Hzの交流電圧を印加する。
量調節器10によって所定の流量例えば2〜40SJ2
/a+in (S、gは常温常圧換算での流量)に流
ffi調節しながら酸素供給源11から酸素ガス(少な
くとも酸素を含むガス)を放電セル2内の放電ギャップ
5に導入するとともに、高圧電源装置3によって高圧電
極4と接地電極6との間に、周波数例えば10〜15K
Hzの交流電圧を印加する。
そして、高圧電極4と接地電極6との間に無声放電を生
じさせることによって酸素からオゾンを生成し、このオ
ゾンを含むガスを導出用配管12により所望部位、例え
ばア・ソシング装置等に導出し、例えば半導体ウェハや
LCD基板上に被着されたフォトレジストの除去、イン
クの除去、各種溶剤の除去等のアッシング処理を行う。
じさせることによって酸素からオゾンを生成し、このオ
ゾンを含むガスを導出用配管12により所望部位、例え
ばア・ソシング装置等に導出し、例えば半導体ウェハや
LCD基板上に被着されたフォトレジストの除去、イン
クの除去、各種溶剤の除去等のアッシング処理を行う。
また、この時同時に冷却水循環用配管8に冷却水を循環
させ、放電セル2の冷却を行う。
させ、放電セル2の冷却を行う。
すなわち、上記説明のこの実施例のオゾン発生装置1で
は、接地電極6の表面に形成された誘電体層7が従来用
いられていた硝子あるいはアルミナ系セラミックス等に
較べて一桁程度熱伝導率が高い窒化アルミニウム系セラ
ミックスまたは炭化ケイ素系セラミックスから構成され
ている。例えば、アルミナの熱伝導率が20W/m−に
であるのに対して、例えば窒化アルミニウム系セラミッ
クスであるシェイバル(商品名:徳山曹達社製)では1
70W / m−K 、同じくスーパーシェイパル(商
品名:徳山曹達社製)では260W / m−にである
。
は、接地電極6の表面に形成された誘電体層7が従来用
いられていた硝子あるいはアルミナ系セラミックス等に
較べて一桁程度熱伝導率が高い窒化アルミニウム系セラ
ミックスまたは炭化ケイ素系セラミックスから構成され
ている。例えば、アルミナの熱伝導率が20W/m−に
であるのに対して、例えば窒化アルミニウム系セラミッ
クスであるシェイバル(商品名:徳山曹達社製)では1
70W / m−K 、同じくスーパーシェイパル(商
品名:徳山曹達社製)では260W / m−にである
。
したがって、誘電体層7の部位で発生した熱を、接地電
極6を介して冷却水循環用配管8によって効率良く冷却
することができる。このため、誘電体層7に熱が蓄積し
て温度が上昇することを防止することができ、従来に較
べて少ない電力で効率的にオゾン(プラズマ)を生成す
ることができる。
極6を介して冷却水循環用配管8によって効率良く冷却
することができる。このため、誘電体層7に熱が蓄積し
て温度が上昇することを防止することができ、従来に較
べて少ない電力で効率的にオゾン(プラズマ)を生成す
ることができる。
なお、誘電体層7は、溶射または爆射によって接地電極
6に形成することが好ましい。すなわち、溶射または爆
射によって接地電極6に形成すると、例えば板状の誘電
体層7を接地電極6に接着する場合に較べて、誘電体層
7と接地電極6との接合部分の熱的なギャップを小さく
することができ、冷却水循環用配管8による誘電体層7
の冷却効率を向上させることができる。
6に形成することが好ましい。すなわち、溶射または爆
射によって接地電極6に形成すると、例えば板状の誘電
体層7を接地電極6に接着する場合に較べて、誘電体層
7と接地電極6との接合部分の熱的なギャップを小さく
することができ、冷却水循環用配管8による誘電体層7
の冷却効率を向上させることができる。
さらに、誘電体層7を構成する材料としては、銹電体損
の少ない材料を選び、この誘電体層7における発熱量を
少なくすることも有益である。このような材料としては
、例えばアルミナ含を量が99.9%程度とされた高純
度の透光性アルミナセラミックス、例えばTPA−10
(商品名:東芝セラミックス社製)等を用いることが好
ましい。
の少ない材料を選び、この誘電体層7における発熱量を
少なくすることも有益である。このような材料としては
、例えばアルミナ含を量が99.9%程度とされた高純
度の透光性アルミナセラミックス、例えばTPA−10
(商品名:東芝セラミックス社製)等を用いることが好
ましい。
なお、上記実施例では本発明をオゾン発生装置に適用し
た実施例について説明したが、本発明は、かかる実施例
に限定されるものではなく、例えばイオン注入装置等の
イオン源で注入イオン発生効率を改善し、エックス線ス
テッパのエックス線源でX線発生効率を改善し、プラズ
マCVD装置で反応プラズマを多量に発生し、プラズマ
エツチング装置ではエツチングガスを多量に発生する等
のあらゆるプラズマ装置に適用するこかできることはも
ちろんである。
た実施例について説明したが、本発明は、かかる実施例
に限定されるものではなく、例えばイオン注入装置等の
イオン源で注入イオン発生効率を改善し、エックス線ス
テッパのエックス線源でX線発生効率を改善し、プラズ
マCVD装置で反応プラズマを多量に発生し、プラズマ
エツチング装置ではエツチングガスを多量に発生する等
のあらゆるプラズマ装置に適用するこかできることはも
ちろんである。
[発明の効果]
上述のように、本発明のプラズマ装置によれば、従来に
較べて少ない電力で効率的にプラズマを生成することが
できる。
較べて少ない電力で効率的にプラズマを生成することが
できる。
第1図は本発明をオゾン発生装置に適用した一実施例の
構成を示す図である。 1・・・・・・オゾン発生装置、2・・・・・・放電セ
ル、3・・・・・・高圧電源装置、4・・・・・・高圧
電極、5・・・・・・放電ギャップ、6・・・・・・接
地電極、7・・・・・・誘電体層、8・・・・・冷却水
循環用配管、9・・・・・・人口配管、10・・・・・
・ガス流量調節器、11・・・・・・酸素供給源、12
・・・・・・導出用配管。 出願人 チル九州株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − (ほか1名) 第 1 ワ
構成を示す図である。 1・・・・・・オゾン発生装置、2・・・・・・放電セ
ル、3・・・・・・高圧電源装置、4・・・・・・高圧
電極、5・・・・・・放電ギャップ、6・・・・・・接
地電極、7・・・・・・誘電体層、8・・・・・冷却水
循環用配管、9・・・・・・人口配管、10・・・・・
・ガス流量調節器、11・・・・・・酸素供給源、12
・・・・・・導出用配管。 出願人 チル九州株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − (ほか1名) 第 1 ワ
Claims (1)
- (1)電極間に所望の気体を供給するとともに、該電極
間に電力を供給し、前記気体をプラズマ化するプラズマ
装置において、 前記電極の少なくとも一方に、窒化アルミニウム系セラ
ミックスまたは炭化ケイ素系セラミックスからなる誘電
体層を設けたことを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63320285A JPH02164442A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63320285A JPH02164442A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | プラズマ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02164442A true JPH02164442A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18119800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63320285A Pending JPH02164442A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02164442A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011082073A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Satoshi Anzai | プラズマ発生装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140085A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-11 | Kyocera Corp | 成膜装置 |
JPS63184378A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-07-29 | Nec Corp | イオンレ−ザ管 |
JPS63260091A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-10-27 | Osaka Pref Gov | 金属蒸気レ−ザ−発振装置 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP63320285A patent/JPH02164442A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63184378A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-07-29 | Nec Corp | イオンレ−ザ管 |
JPS63140085A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-11 | Kyocera Corp | 成膜装置 |
JPS63260091A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-10-27 | Osaka Pref Gov | 金属蒸気レ−ザ−発振装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011082073A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Satoshi Anzai | プラズマ発生装置 |
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