TW202345254A - 攝像裝置、檢查裝置、檢查方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之攝像裝置具備：光源，其自遠離被攝像物之位置朝向拍攝被攝像物之周緣部之攝像位置照射照明光；頭部，其具有：漫射照明部，其於攝像位置，藉由使來自光源之照明光漫反射而產生之漫射光，對周緣部進行照明；及導引部，其將由漫射光所照明之周緣部反射之反射光向遠離被攝像物之位置引導；以及攝像部，其在遠離被攝像物之位置，接收由導引部引導之反射光而取得周緣部之像。因此，可提供能夠良好地拍攝半導體晶圓等被攝像物之周緣部且具有優異之泛用性之攝像裝置，可使用該攝像裝置檢查被攝像物之周緣部。

Description

攝像裝置、檢查裝置、檢查方法及基板處理裝置
本發明係關於一種拍攝半導體晶圓等被攝像物之周緣部之攝像裝置、基於由該攝像裝置所拍攝之周緣部圖像來檢查被攝像物之檢查技術、以及裝備該攝像裝置之基板處理裝置。
以下所示之日本申請案之說明書、附圖及申請專利範圍中之揭示內容藉由參照而將其所有內容併入本說明書中： 日本專利特願2022-62763(2022年4月5日申請)。
已知有對半導體晶圓等被攝像物之周緣部實施各種處理之處理系統。例如，於日本專利特開2017-139492號公報中，於基板將塗佈材塗開之後，將基板之斜面部清洗。又，於斜面清洗步序後，執行檢查斜面部之表面狀態來判定斜面部中有無塗佈材之檢查步序。該檢查步序於與執行斜面清洗步序之裝置不同之裝置中執行。
於上述日本專利特開2017-139492號公報中所記載之系統中，執行斜面清洗步序之基板處理裝置、與執行檢查步序之檢查裝置相互分離。因此，基板處理裝置中之不良產生時與檢查裝置中之不良發現產生時間差。該情況有時成為良率降低之因素。
因此，為了消除上述問題，考慮於基板處理裝置中組裝檢查裝置。然而，檢查裝置將CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)相機配置於基板之周緣部，利用該相機來拍攝基板之周緣部。又，於檢查斜面部之表面狀態之情形時，需要用以自各種方向觀察斜面部之相機、及用以與相機對應地自各種方向照明斜面部之光源。即，於先前之檢查裝置中，配置於基板之周緣部附近之構成要素相對較大，檢查裝置向基板處理裝置之組裝困難。
本發明係鑒於上述問題而完成者，目的在於提供一種能夠良好地拍攝半導體晶圓等被攝像物之周緣部且具有優異之泛用性之攝像裝置、能夠使用該攝像裝置來檢查被攝像物之周緣部之檢查技術、以及裝備該攝像裝置之基板處理裝置。
本發明之第1形態係一種攝像裝置，其特徵在於，拍攝被攝像物之周緣部，且具備：光源，其自遠離被攝像物之位置朝向拍攝被攝像物之周緣部之攝像位置照射照明光；頭部，其具有：漫射照明部，其於攝像位置處利用藉由使來自光源之照明光漫反射而產生之漫射光來對周緣部進行照明；及導引部，其將由利用漫射光照明之周緣部反射之反射光向遠離被攝像物之位置引導；以及攝像部，其於遠離被攝像物之位置處接收由導引部引導之反射光且取得周緣部之像。
又，本發明之第2形態係一種檢查裝置，其特徵在於，檢查被攝像物之周緣部，且具備：上述攝像裝置；移動部，其於將頭部定位於攝像位置之狀態下，使被攝像物相對於頭部向固定方向相對移動；圖像取得部，其根據於利用移動部使被攝像物相對於頭部相對地移動之期間攝像部所取得之複數個周緣部之像來取得沿著固定方向之被攝像物之周緣部圖像；及檢查部，其基於周緣部圖像來檢查周緣部。
又，本發明之第3形態係一種檢查方法，其特徵在於，檢查被攝像物之周緣部，且具備以下步序：一面將上述攝像裝置之頭部定位於攝像位置一面使被攝像物相對於頭部向固定方向相對地移動；將於使被攝像物相對於頭部相對地移動之期間攝像部所取得之周緣部之複數個像合成，取得沿著固定方向之被攝像物之周緣部圖像；及基於周緣部圖像來檢查周緣部。
進而，本發明之第4形態係一種基板處理裝置，其特徵在於具備：旋轉機構，其保持並旋轉基板；處理機構，其對利用旋轉機構而旋轉之基板之周緣部供給處理液來處理基板之周緣部；及攝像裝置，其於處理周緣部之前或處理之後拍攝周緣部；攝像裝置具備：光源，其自遠離基板之周緣部之位置朝向拍攝基板之周緣部之攝像位置照射照明光；頭部，其具有：漫射照明部，其於攝像位置處利用藉由使來自光源之照明光漫反射而產生之漫射光來對周緣部進行照明；及導引部，其將由利用漫射光照明之周緣部反射之反射光向遠離基板之離開位置引導；以及攝像部，其於遠離基板之周緣部之位置處接收由導引部引導之反射光且取得周緣部之像。
於如此構成之發明中，光源及攝像部配置於遠離基板等被攝像物之位置，另一方面，頭部配置於攝像位置。而且，藉由使來自光源之照明光利用漫射照明部漫反射而產生之漫射光對周緣部進行照明。又，將由利用漫射光照明之周緣部反射之反射光利用導引部向攝像部引導。如此一來，利用攝像部拍攝周緣部。
根據本發明，獲得能夠良好地拍攝半導體晶圓等被攝像物之周緣部，而且具有優異之泛用性之攝像裝置。又，藉由使用該攝像裝置亦能夠實現檢查裝置之小型化，且向基板處理裝置之組裝亦變得容易。
上述本發明之各形態所具有之複數個構成要素並非全部為必需的，為了解決上述問題之一部分或全部，或者，為了達成本說明書中所記載之效果之一部分或全部，能夠適當對上述複數個構成要素之一部分之構成要素進行其變更、刪除、與新的其他構成要素之替換、限定內容之一部分刪除。又，為了解決上述問題之一部分或全部，或者，為了達成本說明書中所記載之效果之一部分或全部，亦能夠將上述本發明之一形態中所包含之技術性特徵之一部分或全部與上述本發明之其他形態中所包含之技術性特徵之一部分或全部組合，而形成本發明之獨立之一形態。
圖1係表示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施方式之基板處理系統之圖。基板處理系統200具備對基板S實施處理之基板處理部210、及耦合於該基板處理部210之移載傳送部220。移載傳送部220具備：容器保持部221，其能夠保持複數個用以收容基板S之容器C(於將複數個基板S密閉之狀態下收容之FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)、SMIF(Standard Mechanical Interface，標準機械接口)盒、OC(Open Cassette，開放式卡匣)等)；及移載傳送機器人222，其進出由該容器保持部221保持之容器C，用以將未處理之基板S自容器C取出，或者將處理完之基板S收納於容器C中。於各容器C中，以大致水平之姿勢收容有複數片基板S。於本說明書中，將基板S之兩個主面中形成有圖案之圖案形成面(一個主面)稱為「正面」，將其相反側之未形成圖案之另一個主面稱為「背面」。又，將朝向下方之面稱為「下表面」，將朝向上方之面稱為「上表面」。又，於本說明書中所謂「圖案形成面」，係指於基板中於任意之區域形成有凹凸圖案之面。
移載傳送機器人222具備：基底部222a，其固定於裝置殼體；多關節臂222b，其相對於基底部222a能夠圍繞鉛直軸旋動地設置；及手部222c，其安裝於多關節臂222b之前端。手部222c成為能夠於其上表面載置並保持基板S之構造。具有此種多關節臂及基板保持用之手部之移載傳送機器人由於係公知的，故而省略詳細之說明。
基板處理部210具備：基板搬送機器人211，其於俯視時配置於大致中央；及複數個處理單元1，其等以包圍該基板搬送機器人211之方式配置。具體而言，與配置有基板搬送機器人211之空間面對而配置複數個處理單元1。基板搬送機器人211相對於該等處理單元1隨機地進出而交接基板S。另一方面，各處理單元1對基板S執行規定之處理。於本實施方式中，該等處理單元1之一個相當於本發明之基板處理裝置。
圖2係概略性地表示基板處理裝置之第1實施方式之構成之圖。圖3係自上方觀察基板處理裝置之一部分之俯視圖。圖4係表示圖2及圖3所示之基板處理裝置之電性構成之方塊圖。於圖2、圖3及以下將參照之各圖中，為了容易理解，存在將各部之尺寸或數量誇張或簡化地圖示之情況。又，為了於各圖中明確方向關係，而適當標註以Z軸為鉛直方向且以XY平面為水平面之座標系統。
基板處理裝置(處理單元)1具備旋轉機構2、防飛散機構3、處理機構4、周緣加熱機構5及攝像機構6。該等各部2～6於收容於處理腔室100之內部空間101中之狀態下，與控制裝置整體之控制單元9電性連接。而且，各部2～6根據來自控制單元9之指示來動作。
作為控制單元9，例如，能夠採用與一般性之電腦相同之電腦。即，於控制單元9中，藉由根據記述於程式中之順序而作為主控制部之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)進行運算處理，來控制基板處理裝置1之各部。藉此，基板處理裝置1於處理腔室內對基板S之上表面之周緣部供給處理液而執行斜面蝕刻處理作為本發明之「處理」之一例。再者，關於控制單元9之詳細之構成及動作，將於之後詳細敍述。又，於本實施方式中，對各基板處理裝置1設置控制單元9，但亦可構成為利用1台控制單元來控制複數個基板處理裝置1。又，亦可構成為利用控制基板處理系統200整體之控制單元(省略圖示)來控制基板處理裝置1。
旋轉機構2使基板S於使其表面朝向上方之狀態下保持為大致水平姿勢且向旋轉方向AR1(圖3)旋轉。旋轉機構2圍繞通過基板S之主面中心之鉛直之旋轉軸AX而旋轉。旋轉機構2具備作為小於基板S之圓板狀之構件之旋轉夾頭21。旋轉夾頭21以其上表面大致水平且其中心軸與旋轉軸AX一致之方式設置。於旋轉夾頭21之下表面連結有旋轉軸部22。旋轉軸部22於使其軸線與旋轉軸AX一致之狀態下，沿著鉛直方向延伸設置。又，於旋轉軸部22連接有旋轉驅動部(例如，馬達)23。旋轉驅動部23根據來自控制單元9之旋轉指令使旋轉軸部22圍繞其軸線旋轉驅動。因此，旋轉夾頭21能夠與旋轉軸部22一起圍繞旋轉軸AX旋轉。旋轉驅動部23與旋轉軸部22承擔使旋轉夾頭21以旋轉軸AX為中心旋轉之功能。
於旋轉夾頭21之中央部設置有省略圖示之貫通孔，與旋轉軸部22之內部空間連通。於內部空間經由介裝有閥(省略圖示)之配管而連接有泵24(圖4)。泵24及閥電性連接於控制單元9，且根據來自控制單元9之指令來進行動作。藉此，將負壓與正壓選擇性地賦予至旋轉夾頭21。例如，若於基板S以大致水平姿勢放置於旋轉夾頭21之上表面之狀態下泵24將負壓賦予至旋轉夾頭21，則旋轉夾頭21自下方吸附保持基板S。另一方面，若泵24將正壓賦予至旋轉夾頭21，則基板S能夠自旋轉夾頭21之上表面卸除。又，若停止泵24之吸引，則於旋轉夾頭21之上表面上基板S能夠水平移動。
如圖3所示，防飛散機構3具有：概略筒狀之護罩31，其以包圍由旋轉夾頭21保持之基板S之外周之方式設置；及液體承接部32，其設置於護罩31之外周部之下方。藉由防護驅動部33(圖4)根據來自控制單元9之控制指令來工作，而護罩31升降。若護罩31定位於下方位置，則如圖2所示，護罩31之上端部位於較由旋轉夾頭21保持之基板S之周緣部Ss靠下方。相反，若護罩31定位於上方位置，則護罩31之上端部位於較基板S之周緣部Ss靠上方。
於護罩31處於下方位置時，如圖2所示，由旋轉夾頭21保持之基板S成為露出於護罩31外之狀態。因此，例如，於向旋轉夾頭21搬入基板S及自旋轉夾頭21搬出基板S時可防止護罩31成為障礙。
另一方面，於護罩31處於上方位置時，護罩31之內周面包圍由旋轉夾頭21保持之基板S之外周。藉此，能夠防止於下述斜面蝕刻處理時自基板S之周緣部Ss甩出之處理液之液滴向處理腔室100內飛散。又，能夠確實地回收處理液。即，藉由基板S旋轉而自基板S之周緣部Ss甩出之處理液之液滴附著於護罩31之內周面向下方流下，由配置於護罩31之下方之液體承接部32收集並回收。
處理機構4具有基底41、旋動支軸42、臂43、及處理液噴嘴44。基底41固定於處理腔室100。相對於該基底41，而旋動支軸42旋動自如地設置。臂43自旋動支軸42水平地延伸，且於其前端安裝有處理液噴嘴44。藉由旋動支軸42根據來自控制單元9之控制指令旋動而臂43揺動，臂43前端之處理液噴嘴44如圖3所示，於自基板S之上方向側方退避之退避位置(圖3中之雙點鏈線位置)與基板S之周緣部上方之處理位置(圖3中之實線位置)之間移動。
處理液噴嘴44連接於處理液供給部45(圖4)。而且，若處理液供給部45根據來自控制單元9之供給指令將處理液朝向處理液噴嘴44供給，則自處理液噴嘴44向處理開始位置Ps噴出處理液。該處理開始位置Ps係基板S之周緣部Ss移動之路徑上之1個點。因此，藉由處理液噴嘴44噴出處理液且旋轉夾頭21旋轉，而基板S之周緣部Ss之各部於通過處理開始位置Ps之期間接收處理液之供給。其結果，對基板S之周緣部Ss整體，執行利用處理液之斜面蝕刻處理。
周緣加熱機構5由環狀之加熱器51構成。加熱器51內置有沿著基板S之下表面周緣部於基板S之圓周方向延伸之發熱體。若自控制單元9對該加熱器51賦予加熱指令，則利用自發熱體釋放之熱自下方來加熱基板S之周緣部Ss。藉此，周緣部Ss之溫度升溫至適合於斜面蝕刻處理之值。
攝像機構6相當於本發明之「攝像裝置」之第1實施方式。攝像機構6具有基底6A、旋動支軸6B、臂6C、頭驅動部6D、光源6E、攝像部6F、及頭部6G。基底6A固定於處理腔室100。相對於該基底6A，而旋動支軸6B旋動自如地設置。臂6C自旋動支軸6B水平地延伸，且於其前端安裝有頭部6G。而且，若自控制單元9對驅動臂6C之頭驅動部6D(圖4)賦予控制指令，則頭驅動部6D根據該指令如圖3中之單點鏈線所示來揺動臂6C。藉此，安裝於臂6C前端之頭部6G於自基板S之上方向側方退避之退避位置P1(圖3中之實線位置)與拍攝基板S之周緣部Ss之攝像位置P2(圖3中之單點鏈線位置)之間往返移動。
如圖3所示，於自攝像位置P2於X方向上離開之離開位置P3設置有光源6E及攝像部6F。該離開位置P3自進行基板S或護罩31等之斜面蝕刻處理之各部(旋轉機構2、防飛散機構3、處理機構4、周緣加熱機構5)離開。光源6E自護罩31之外側向攝像位置P2照射照明光L1。此時，護罩31定位於下方位置，並且頭部6G定位於攝像位置P2，照明光L1入射至頭部6G。該照明光L1由頭部6G漫反射。由如此產生之漫射光來對基板S之周緣部Ss進行照明。而且，由基板S之周緣部Ss反射之反射光L2進而由頭部6G反射。反射光L2自頭部6G向離開位置P3引導，入射至攝像部6F。藉此，攝像部6F取得基板S之周緣部Ss之像，且將該圖像資料發送至控制單元9。
如上所述，頭部6G兼備：接收來自光源6E之照明光L1產生漫射光，利用該漫射光來對基板S之周緣部Ss進行照明之漫射照明功能；及將由周緣部Ss反射之反射光L2向攝像部6F導引之導引功能。以下，參照圖5至圖8對頭部6G之構成及動作進行說明。
圖5係表示攝像機構之頭部之立體圖。圖6係圖5所示之頭部之分解組裝立體圖。頭部6G具有：漫射照明部61，其具有3個漫射面61a～61c；導引部62，其由3片鏡構件62a～62c構成；保持部63，其具有2個漫射面63a、63b；及支持部64。再者，於圖5(及之後將說明之圖7A、圖7C至圖7D)中，為了明示保持部63，而於相當於保持部63之區域標註點。又，圖5(及之後將說明之圖7A、圖7C至圖7D)中之粗虛線區域表示由照明光L1照明之範圍，即利用光源6E之照明區域。
保持部63例如由PEEK(聚醚醚酮：polyetheretherketone)構成，如圖6所示，具有：板部位631，其沿著與X方向正交之水平方向Y延伸設置；及突出部位632，其於板部位631之(+Y)方向側，即基板側向(+X)方向突出。如圖5及圖6所示，於保持部63中，設置有自突出部位632之(+Y)方向側之端面朝向板部位631之一部分區域於Y方向延伸之切口部636。切口部636之鉛直方向尺寸較基板S之厚度寬，如圖5所示，若將頭部6G定位於攝像位置P2，則切口部636進入至基板S之周緣部Ss及自周緣部Ss進而向徑向內側(該圖之右手側)進入之區域。於如此定位之狀態下，板部位631中切口部636之鉛直上方區域、(-Y)方向側之區域及鉛直下方區域分別與基板S之周緣部Ss之上表面Ssu、側面Sse及下表面Ssd對向。於切口部636之鉛直上方區域、(-Y)方向側之區域及鉛直下方區域中，分別設置有鏡安裝部位633～635。而且，於鏡安裝部位633～635分別安裝有鏡構件62a～62c。再者，於本實施方式中，考慮到耐化學性或耐熱性等，而鏡構件62a～62c由Si(矽)構成。
另一方面，於突出部位632中，於切口部636之鉛直上方區域中形成有朝向鏡構件62a傾斜之傾斜面，該傾斜面作為漫射面63a而發揮功能。即，漫射面63a藉由使照明光L1之一部分漫反射來產生朝向基板S之周緣部Ss之上表面Ssu之上表面漫射光，相當於本發明之「第2上方漫射面」之一例。再者，關於於漫射面63a中產生之漫射光，與於作為本發明之「第1上方漫射面」而發揮功能之漫射面61a中產生之漫射光一起於之後參照圖7A進行說明。
又，於切口部636之鉛直下方區域中形成有朝向鏡構件62c傾斜之傾斜面，該傾斜面作為漫射面63b而發揮功能。即，漫射面63b藉由使照明光L1之一部分漫反射而產生朝向基板S之周緣部Ss之下表面Ssd之下表面漫射光，相當於本發明之「第2下方漫射面」之一例。再者，關於於漫射面63b中產生之漫射光，與於作為本發明之「第1下方漫射面」而發揮功能之漫射面61c中產生之漫射光一起於之後參照圖7C(相對於周緣部Ss於徑向內側鄰接之上表面區域)進行說明。
如此安裝有鏡構件62a～62c之保持部63以被配置於其(+X)方向側之漫射照明部61與配置於其(-X)方向側之支持部64夾入之狀態一體化。
漫射照明部61例如由PTFE(聚四氟乙烯：polytetrafluoroethylene)構成。如圖5及圖6所示，漫射照明部61具有沿著水平方向Y延伸設置之板形狀，且於(+Y)方向側之端部形成有切口部611。該切口部611具有自(+X)方向側觀察使U字向順時針方向旋轉90°所成之形狀。又，於漫射照明部61中，沿著切口部611設置有傾斜面。傾斜面係以隨著接近切口部611而朝照明光L1前進之方向(-X)方向傾斜之方式加工出之錐形面。尤其，該錐形面中切口部611之鉛直上方區域、(-Y)方向側之區域及鉛直下方區域分別作為漫射面61a～61c而發揮功能。而且，如圖5所示，以漫射面61a～61c位於光源6E之照明區域(圖5之粗虛線區域)、並且漫射面61a、61c分別與漫射面63a、63b鄰接之方式，將漫射照明部61相對於保持部63定位。
圖7A係模式性地表示有助於上表面攝像之光之前進方式之圖。圖7B係圖7A之局部剖面放大圖。漫射面61a及漫射面63a如圖7A及圖7B所示，藉由使照明光L1之一部分漫反射而產生朝向包含周緣部Ss之基板S之上表面之上表面漫射光La，相當於本發明之「第1上方漫射面」之一例。又，漫射面63a亦與漫射面61a同樣地，產生上表面漫射光La。而且，該等上表面漫射光La之一部分由周緣部Ss之上表面及周緣部Ss之鄰接區域(相對於周緣部Ss於徑向內側鄰接之上表面區域)反射，產生反射光L2。於該反射光L2中，包含由周緣部Ss之上表面Ssu反射之反射光(參照圖7A中之點線箭頭)、及由周緣部Ss之鄰接區域之上表面反射之反射光(參照圖7A中之虛線箭頭)，該等反射光L2進而由鏡構件62a之反射面62a1反射之後，被導向離開位置P3。即，再者，反射面62a1作為本發明之「上方反射面」而發揮功能。而且，反射光由攝像部6F接收。其結果，能夠藉由攝像部6F拍攝周緣部Ss及鄰接區域之上表面之像(以下稱為「上表面圖像」)。
圖7C係模式性地表示有助於下表面攝像之光之前進方式之圖。漫射面61c及漫射面63b隔著基板S，位於漫射面61a及漫射面63a之下方側，以下表面漫射光對周緣部Ss及鄰接區域之下表面進行照明。即，漫射面61c相當於本發明之「第1下方漫射面」之一例，如圖7C所示，藉由使照明光L1之一部分漫反射而產生朝向包含周緣部Ss之基板S之下表面之下表面漫射光Lc。產生下表面漫射光Lc之點於漫射面63b亦相同。而且，該等下表面漫射光Lc之一部分由基板S之周緣部Ss及上述鄰接區域之下表面反射，而產生反射光L2。於該反射光L2中，包含由周緣部Ss之下表面Ssd反射之反射光(參照圖7C中之點線箭頭)、及由周緣部Ss之鄰接區域之下表面反射之反射光(參照圖7C中之虛線箭頭)，該等反射光L2進而由鏡構件62c之反射面62c1反射之後，被導向離開位置P3。即，再者，反射面62c1作為本發明之「下方反射面」而發揮功能。而且，反射光L2由攝像部6F接收。其結果，能夠藉由攝像部6F拍攝周緣部Ss及鄰接區域之下表面之像(以下稱為「下表面圖像」)。
圖7D係模式性地表示有助於側面攝像之光之前進方式之圖。漫射面61b如圖7D所示，藉由使照明光L1之一部分漫反射而產生朝向基板S之側面Sse(圖5)之側面漫射光Lb，相當於本發明之「側方漫射面」之一例。而且，側面漫射光Lb之一部分由基板S之側面Sse反射，而產生反射光L2。於該反射光L2中，包含由基板S之側面Sse反射之反射光(參照圖7D中之點線箭頭)，該反射光於進而由鏡構件62b之反射面62b1反射之後，被導向離開位置P3。如此，反射面62b1作為本發明之「側方反射面」而發揮功能。
攝像部6F具有由物體側遠心透鏡構成之觀察透鏡系統及CMOS相機。因此，上述反射光L2中僅與觀察透鏡系統之光軸平行之光線會入射至CMOS相機之感測器面，而於感測器面上成像出基板S之周緣部Ss及鄰接區域之像。如此一來，攝像部6F拍攝基板S之周緣部Ss及鄰接區域，取得例如圖8所示之圖像(＝上表面圖像Ma＋側面圖像Mb＋下表面圖像Mc)。而且，攝像部6F將表示該圖像之圖像資料發送至控制單元9。圖8係模式性地表示由攝像部拍攝之基板之周緣部及鄰接區域之圖像之圖，(a)表示斜面蝕刻處理前之圖像，(b)表示斜面蝕刻處理後之圖像。根據該等圖像明確，藉由對該圖像進行解析，能夠取得表示圓周方向上之基板S之周緣部之形狀或蝕刻情況等之資訊。而且，能夠根據該等資訊，來檢查載置於旋轉夾頭21之基板S相對於旋轉軸AX之偏心量、基板S之翹曲量或斜面蝕刻結果(蝕刻寬度)等。
因此，於裝備以上述方式構成之攝像機構6之基板處理裝置1中，控制單元9控制裝置各部，執行(A)斜面蝕刻處理前之基板檢查、(B)對準處理、(C)對準處理後之斜面蝕刻處理及(D)斜面蝕刻處理後之基板檢查。如圖4所示，該控制單元9具有：運算處理部91，其進行各種運算處理；記憶部92，其記憶基本程式或圖像資料；及輸入顯示部93，其顯示各種資訊並且受理來自操作者之輸入。而且，於控制單元9中，藉由作為主控制部之運算處理部91根據記述於程式中之順序來進行運算處理，而按照以下之方式控制基板處理裝置1之各部。即，如圖4所示，運算處理部91作為以下各部而發揮功能：進行頭部6G之定位之定位控制部，取得整個周緣圖像之整個周緣圖像取得部，根據斜面蝕刻處理前之整個周緣圖像導出基板S之偏心量之偏心量導出部，根據斜面蝕刻處理前之整個周緣圖像導出基板S之翹曲量之翹曲量導出部，根據斜面蝕刻處理後之整個周緣圖像導出蝕刻寬度之蝕刻寬度導出部，及根據將整個周緣圖像進行圖像處理所得之殘渣增強圖像來分析殘渣之殘渣分析部。
再者，圖4中之符號7為使基板S移動上述偏心量而修正基板S相對於旋轉軸AX之偏心之偏心修正機構。關於偏心修正機構，由於能夠使用先前周知之機構，故而此處關於偏心修正機構7之詳細構成則省略說明。
圖9係表示由圖1所示之基板處理裝置執行之基板處理之流程圖。於利用基板處理裝置1對基板S實施斜面蝕刻處理時，運算處理部91利用防護驅動部33將護罩31定位於下方位置，防止照明光L1及反射光L2由護罩31遮光，所謂遮蔽產生。又，運算處理部91利用頭驅動部6D將頭部6G定位於退避位置P1(圖3中之單點鏈線位置)。藉此，於旋轉夾頭21之上方形成足以供基板搬送機器人211之手部進入之搬送空間。而且，若確認搬送空間之形成完成，則運算處理部91對基板搬送機器人211進行基板S之裝載請求，如圖1所示等待將未處理之基板S搬入到基板處理裝置1後載置於旋轉夾頭21之上表面。然後，於旋轉夾頭21上載置基板S(步驟S1)。接著，泵24工作而將基板S吸附保持於旋轉夾頭21。
若基板S之裝載完成，則基板搬送機器人211自基板處理裝置1退避。接著，運算處理部91取得基板S之整個周緣圖像(步驟S2)。圖10係表示使用攝像部之基板之整個周緣圖像之取得動作之流程圖。運算處理部91根據預先記憶於記憶部92中之偏心量取得程式來控制攝像部6F之各部及旋轉夾頭21。
運算處理部91藉由使吸附保持有基板S之旋轉夾頭21旋轉，而將基板S定位於基準位置(旋轉角度為零之位置)(步驟S201)。運算處理部91利用頭驅動部6D使頭部6G自退避位置P1向攝像位置P2移動、定位(步驟S202)。藉此，如圖5所示，頭部6G之切口部636以夾入基板S之周緣部Ss及鄰接區域之方式定位。藉此，攝像準備完成。
於接下來之步驟S203中，運算處理部91使光源6E點亮，利用頭部6G開始基板S之周緣部Ss及鄰接區域之漫射照明。接著，運算處理部91對旋轉驅動部23賦予旋轉指令，開始由旋轉夾頭21保持之基板S之旋轉(步驟S204)。然後，每當基板S旋轉規定角度時，執行步驟S205～S207。即，利用攝像部6F例如取得如圖8(a)所示之圖像(步驟S205)。於該圖像中，包含上表面圖像Ma、側面圖像Mb及下表面圖像Mc，運算處理部91提取各圖像Ma～Mc(步驟S206)。然後，運算處理部91針對提取之每個圖像一面施加旋轉等圖像處理一面使圖像拼接(步驟S207)。此種處理執行到基板S圍繞旋轉軸AX旋轉1圈為止之期間，即於步驟S208中判定為「是」為止。藉此，獲得基板S之整個周緣圖像IM，該基板S之整個周緣圖像IM包含將基板S之周緣部Ss之上表面Ssu於圓周方向展開而成之上表面整個周緣圖像IMa、將側面Sse於圓周方向展開而成之側面整個周緣圖像IMb及將下表面Ssd於圓周方向展開而成之下表面整個周緣圖像IMc。
運算處理部91於保存整個周緣圖像IM(步驟S209)之同時，對旋轉驅動部23賦予旋轉停止指令，停止由旋轉夾頭21保持之基板S之旋轉，並且使光源6E熄滅，停止照明(步驟S210)。接著，運算處理部91利用頭驅動部6D使頭部6G自攝像位置P2向退避位置P1移動、定位(步驟S211)。
於如此取得之整個周緣圖像IM中之上表面整個周緣圖像IMa或下表面整個周緣圖像IMc中，包含反映基板S相對於旋轉軸AX之偏心之資訊。又，於側面整個周緣圖像IMb中，包含反映基板S之翹曲之資訊。
因此，於本實施方式中，運算處理部91根據整個周緣圖像IM計算基板S之偏心量及翹曲量(步驟S3)，並判定該等計算值(＝偏心量及翹曲量)之至少一個是否為容許值以內(步驟S4)。再者，關於偏心量及翹曲量之計算方法，由於能夠使用先前以來多用之方法，故而此處省略關於該等計算方法之說明。
於步驟S4中判定為計算值超過容許值之情形時(步驟S4中「否」)，運算處理部91將基板S為不良品之旨意顯示於輸入顯示部93中(步驟S5)，並中止對基板S之斜面蝕刻處理。另一方面，若確認偏心量及翹曲量為容許值以內，基板S為良品，則運算處理部91執行修正基板S之偏心之所謂對準處理(步驟S6)。更具體而言，運算處理部91藉由使旋轉夾頭21旋轉，於能夠執行利用偏心修正機構7之對準修正之旋轉位置定位基板S之後，停止泵24之吸引而於旋轉夾頭21之上表面上使基板S能夠水平移動。然後，運算處理部91於利用偏心修正機構7執行對準修正之後，再次開始泵24之吸引而用旋轉夾頭21吸附保持對準修正後之基板S。藉此，基板S之主面中心位於鉛直之旋轉軸AX上，偏心消除。
接下來，運算處理部91利用防護驅動部33使護罩31上升至上方位置。藉此，護罩31之內周面包圍由旋轉夾頭21保持之基板S之外周。如此一來，若向基板S之處理液之供給準備完成，則運算處理部91對旋轉驅動部23賦予旋轉指令，開始保持基板S之旋轉夾頭21之旋轉。又，運算處理部91使周緣加熱機構5之加熱器51工作。接著，運算處理部91於將處理液噴嘴44定位於處理開始位置Ps之後，控制處理液供給部45而供給處理液。藉此，於基板S之周緣部Ss之各部通過處理開始位置Ps之期間，接收處理液之供給。其結果，對基板S之周緣部Ss整體，執行利用處理液之斜面蝕刻處理(步驟S7)。而且，運算處理部91若檢測基板S之斜面蝕刻處理所需要之處理時間經過等，則對處理液供給部45賦予供給停止指令，停止處理液之噴出。接著，運算處理部91對旋轉驅動部23賦予旋轉停止指令，使旋轉夾頭21之旋轉停止，並且亦停止利用加熱器51之加熱。
如此一來，若斜面蝕刻處理完成，則運算處理部91與步驟S2同樣地，利用攝像機構6，例如取得如圖11所示之斜面蝕刻處理後之整個周緣圖像IM(步驟S8)。該整個周緣圖像IM包含上表面整個周緣圖像IMa、側面整個周緣圖像IMb、及下表面整個周緣圖像IMc。尤其，於上表面整個周緣圖像IMa中，包含斜面蝕刻處理後之區域之像。因此，於本實施方式中，運算處理部91基於整個周緣圖像IM之上表面整個周緣圖像IMa來檢查基板S(步驟S9)。即，檢查基板S之周緣部Ss是否以所期望之蝕刻寬度被斜面蝕刻，並將其檢查結果顯示於輸入顯示部93中，並且記憶於記憶部92中。又，藉由對該整個周緣圖像IM施加增強殘渣之圖像處理，而運算處理部91例如取得如圖12所示之殘渣增強圖像IMr。而且，運算處理部91基於殘渣增強圖像IMr來檢測殘留於基板S之周緣部Ss及鄰接區域之殘渣R，測量每個尺寸之殘渣數後作為斜面蝕刻結果之一來進行報告(殘渣分析)。
檢查後，運算處理部91對基板搬送機器人211進行基板S之卸載請求，將處理完之基板S自基板處理裝置1搬出(步驟S10)。再者，該等一系列之步序重複執行。
如以上所述，根據本實施方式，光源6E及攝像部6F配置於遠離進行斜面蝕刻處理之裝置各部之離開位置P3，另一方面，僅頭部6G配置於攝像位置P2。而且，光源6E使照明光L1朝向頭部6G之照明區域照射，並且將由基板S之周緣部Ss及鄰接區域反射之反射光L2向攝像部6F引導，藉此拍攝周緣部Ss之圖像。因此，能夠良好地拍攝周緣部Ss。
又，僅將頭部6G配置於攝像位置P2，除此以外之光源6E及攝像部6F能夠以遠離進行斜面蝕刻處理之裝置各部(＝旋轉機構2＋防飛散機構3＋處理機構4＋周緣加熱機構5)之方式配置。因此，能夠一面避免與裝置各部之干涉一面於狹窄區域組裝攝像機構6，從而獲得優異之泛用性。
又，攝像位置P2處於進行斜面蝕刻處理之處理液之環境下及利用加熱器51之加熱環境下。考慮該點，頭部6G由PEEK、PTFE、Si等具有耐化學性及耐熱性之材料構成。因此，於基板處理裝置1中，能夠穩定地拍攝基板S之周緣部Ss之圖像。其結果，能夠高精度地檢測基板S之偏心量、翹曲量、蝕刻寬度等，從而獲得優異之檢查精度。又，能夠高精度地進行殘渣分析。
進而，藉由使用頭部6G，能夠對基板S之周緣部Ss之上表面Ssu、側面Sse及下表面Ssd漫射照明，並且將上表面圖像、側面圖像及下表面圖像一起拍攝。因此，能夠以優異之效率多面地拍攝基板S之周緣部Ss。
圖13係表示裝備於本發明之攝像裝置之第2實施方式之頭部之立體圖。圖14係圖13所示之頭部之分解組裝立體圖。圖15係模式性地表示圖13所示之頭部向臂之安裝狀態之圖。該第2實施方式與第1實施方式較大之差異為2點。第一點在於，相當於設置於保持部63之漫射面63a、63b之漫射面61d、61e設置於漫射照明部61，另一方面，自保持部63去除漫射面63a、63b。第二點在於，漫射照明部61與保持部63相互嵌合而能夠一體化地構成，另一方面，省略了支持部64。再者，其他構成基本上與第1實施方式相同。因此，關於相同構成，標註相同符號且省略說明。
於第2實施方式中，如圖13所示，(+Y)方向側之端部自(+X)方向側觀察形成有大致C字狀之切口部611。又，於漫射照明部61中，沿著切口部611設置有傾斜面。傾斜面係以隨著接近切口部611而向照明光L1前進之方向(-X)方向傾斜之方式加工之錐形面。尤其，該錐形面中切口部611之鉛直上方區域、(-Y)方向側之區域及鉛直下方區域分別作為漫射面61a～61c而發揮功能。又，(+Y)方向之傾斜上方區域及傾斜下方區域作為漫射面61d、61e而發揮功能。即，漫射面61d、61e與第1實施方式中之漫射面63a，63b同樣地發揮功能，漫射面集中於漫射照明部61。
根據該漫射面之集中，自保持部63去除突出部位632。又，保持部63被加工為與漫射照明部61能夠相互嵌合之形狀。即，藉由漫射照明部61與保持部63相互嵌合，而一面保持鏡構件62a～62c一面一體化。如此一來，以較第1實施方式更少之零件個數構成頭部6G。該頭部6G如圖15所示於將(-Y)方向側之端部安裝於臂6C之狀態下，定位於攝像位置P2。而且，於斜面蝕刻處理前(步驟S2)及處理後(步驟S8)，頭部6G之漫射照明部61使來自光源6E之照明光L1漫反射，利用漫射光La～Lc來對基板S之周緣部Ss及鄰接區域進行照明。又，頭部6G之導引部62將由周緣部Ss及鄰接區域反射之反射光L2進一步反射後向攝像部6F引導。而且，攝像部6F拍攝周緣部Ss及鄰接區域之像。
如以上所述，於第2實施方式中，亦獲得與第1實施方式相同之作用效果。又，於第2實施方式中，以較第1實施方式更少之零件個數構成頭部6G。因此，能夠降低攝像機構6之製造成本。
又，分別相當於本發明之「第1上方漫射面」及「第2上方漫射面」之漫射面61a、61d由於存在相同之錐形面，故而獲得較第1實施方式更有利之作用效果。即，於第1實施方式中，漫射面61a、63a分別相當於本發明之「第1上方漫射面」及「第2上方漫射面」，為互不相同之材質(PTFE與PEEK)，而且設置於相互獨立之零件(漫射照明部61、保持部63)。因此，有時於基板S之周緣部Ss之上表面Ssu中產生相對較大之照度分佈。相對於此，於第2實施方式中，為相同部分材(PTFE)，而且設置於連續之錐形面，故而能夠抑制照度分佈，能夠更良好地取得上表面整個周緣圖像IMa。關於該點，於下表面側亦相同。
於上述實施方式中，半導體晶圓等基板S相當於本發明之「被攝像物」之一例。離開位置P3相當於本發明之「遠離被攝像物之位置」之一例。旋轉方向AR1相當於本發明之「固定方向」之一例。旋轉機構2作為本發明之「移動部」而發揮功能。整個周緣圖像取得部作為本發明之「圖像取得部」而發揮功能。偏心量導出部、翹曲量導出部、蝕刻寬度導出部及殘渣分析部作為本發明之「檢查部」而發揮功能。如此，於本實施方式中，旋轉機構2、攝像機構6及運算處理部91之組合作為本發明之「檢查裝置」而發揮功能。
再者，本發明並不限定於上述實施方式，只要不脫離其主旨則除了上述內容以外能夠進行各種變更。例如，於實施方式中，與基板S之斜面蝕刻寬度對應，設定Y方向上之上方漫射面61a、61d、63a、下方漫射面61c、61e、63b、鏡構件62a、62c之長度，但是例如亦可如圖15所示，根據應利用攝像機構6拍攝之範圍來變更各部之長度。又，亦可構成為準備如此漫射面及鏡構件之Y方向長度互不相同之頭部6G，根據攝像對象範圍來選擇使用頭部6G。又，於準備漫射面之Y方向長度互不相同之頭部6G之情形時，頭部6G之漫射面亦可由連續之曲面構成。又，於準備漫射面之Y方向長度互不相同之頭部6G之情形時，頭部6G之漫射面亦可一部分由平面構成。
又，於上述實施方式中，攝像部6F之觀察透鏡系統由物體側遠心透鏡構成，但是攝像部6F之觀察透鏡系統之構成並不限定於此。攝像部6F之觀察透鏡系統亦可由其他透鏡構成。
又，於上述實施方式中，漫射照明部61及保持部63由於處於進行斜面蝕刻處理之處理液之環境下及利用加熱器51之加熱環境下，故而由具有耐化學性及耐熱性之材料構成。將漫射照明部61及保持部63分別由PTFE及PEEK構成，但是構成材料並不限定於該等。漫射照明部61亦可由PTFE以外之具有耐化學性及耐熱性之材料構成。保持部63亦可由PEEK以外之具有耐化學性及耐熱性之材料構成。漫射照明部61及保持部63例如亦可為於金屬材料、樹脂材料、或陶瓷材料等之表面塗佈PFA等氟樹脂材料之構成。又，漫射照明部61及保持部63由互不相同之材料構成，但亦可由相同材料構成。又，漫射照明部61及保持部63於不要求耐化學性及耐熱性之環境下使用之情形時，構成材料並不限定。漫射照明部61及保持部63亦可由不具有耐化學性及耐熱性之材料構成。
又，漫射照明部61之漫射面61a～61c、漫射面61d、61e、及保持部63之漫射面63a、63b之構成並不限定。例如，於漫射照明部61或保持部63之至少一部分由金屬材料構成之情形時，漫射面61a～61c、漫射面61d、61e、或漫射面63a、63b亦可為對金屬材料之表面實施噴丸加工之面。
又，關於鏡構件62a～62c，亦並不限定為Si(矽)。即，只要為對處理液具有耐化學性及對處理溫度具有耐熱性之材料，則亦可使用其他材料。鏡構件62a～62c例如亦可為於具有耐化學性及耐熱性之材料之表面蒸鍍金屬材料之構成。又，鏡構件62a～62c於不要求耐化學性及耐熱性之環境下使用之情形時，構成材料並不限定。鏡構件62a～62c亦可由不具有耐化學性及耐熱性之材料構成。鏡構件62a～62c例如亦可為於不具有耐化學性及耐熱性之材料之表面蒸鍍金屬材料之構成。
又，於上述實施方式中，始終取得整個周緣圖像IM(圖11)，但是亦可根據檢查內容而選擇應取得之圖像。例如，若要檢查基板S之偏心，亦可構成為僅取得上表面整個周緣圖像IMa。又，若要檢查基板S之翹曲，亦可構成為僅取得側面整個周緣圖像IMb。又，雖然是取得基板S旋轉1圈之周緣圖像，但並不限定於整個周緣，亦可構成為例如根據檢查內容而取得旋轉未達1圈或者旋轉複數圈之周緣圖像。
又，於上述實施方式中，乃相對於將攝像機構6固定配置，使作為被攝像物之基板S移動而拍攝周緣部，但是亦可構成為將基板S固定並且使攝像機構6移動。又，亦可使基板S及攝像機構6兩者移動。即，亦可構成為一面使被攝像物(基板S)相對於攝像裝置(攝像機構6)相對移動，一面藉由攝像裝置來拍攝被攝像物之周緣部。
又，於上述實施方式中，於將基板S之周緣部Ss斜面蝕刻之基板處理裝置1中組入相當於本發明之攝像裝置之攝像機構6，但是攝像裝置(攝像機構6)之應用對象並不限定於此。對於拍攝被攝像物之周緣部之攝像裝置、基於由該攝像裝置所拍攝之周緣部圖像來檢查被攝像物之檢查技術等，亦能夠應用本發明。又，相當於本發明之攝像裝置之攝像機構6與檢查裝置，例如亦能夠應用於對形成有塗佈膜之基板S之周緣部供給塗佈膜之去除液、而將基板S之周緣部之塗佈膜去除之基板處理裝置。
以上，根據特定之實施例對發明進行了說明，但是該說明並不意圖以限定性之含意做解釋。若參照發明之說明，則與本發明之其他實施方式同樣地，對精通該技術者而言當明瞭實施方式之各種變化例。因此，當認為隨附之申請專利範圍於不脫離發明之真實範圍之範圍內，包含該變化例或實施方式。
本發明能夠應用於拍攝半導體晶圓等被攝像物之周緣部之攝像裝置總體、基於由該攝像裝置拍攝之周緣部圖像而檢查被攝像物之檢查技術總體、以及裝備該攝像裝置之基板處理裝置總體。
1:基板處理裝置 2:旋轉機構(移動部) 3:防飛散機構 4:處理機構 5:周緣加熱機構 6:攝像機構(攝像裝置) 6A:基底 6B:旋動支軸 6C:臂 6D:頭驅動部 6E:光源 6F:攝像部 6G:頭部 7:偏心修正機構 9:控制單元 21:旋轉夾頭 22:旋轉軸部 23:旋轉驅動部 24:泵 31:護罩 32:液體承接部 33:防護驅動部 41:基底 42:旋動支軸 43:臂 44:處理液噴嘴 61:漫射照明部 61a:第1上方漫射面 61b:側方漫射面 61c:第1下方漫射面 61d:第2上方漫射面 61e:第2下方漫射面 62:導引部 62a～62c:鏡構件 62a1:上方反射面 62b1:側方反射面 62c1:下方反射面 63:保持部 63a:第2上方漫射面 63b:第2下方漫射面 64:支持部 91:運算處理部 92:記憶部 93:輸入顯示部 100:處理腔室 101:內部空間 200:基板處理系統 210:基板處理部 211:基板搬送機器人 220:移載傳送部 221:容器保持部 222:移載傳送機器人 222a:基底部 222b:多關節臂 222c:手部 611:切口部 631:板部位 632:突出部位 633～635:鏡安裝部位 636:切口部 AR1:旋轉方向(固定方向) AX:旋轉軸 C:容器 IMa:上表面整個周緣圖像 IMb:側面整個周緣圖像 IMc:下表面整個周緣圖像 IMr:殘渣增強圖像 L1:照明光 L2:反射光 La:上表面漫射光 Lb:側面漫射光 Lc:下表面漫射光 Ma:上表面圖像 Mb:側面圖像 Mc:下表面圖像 P1:退避位置 P2:攝像位置 P3:離開位置 R:殘渣 S:基板 S1～S10:步驟 S201～S211:步驟 Ss:(基板之)周緣部 Ssd:(周緣部之)下表面 Sse:(周緣部之)側面 Ssu:(周緣部之)上表面
圖1係表示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施方式之基板處理系統之圖。 圖2係概略性地表示基板處理裝置之第1實施方式之構成之圖。 圖3係自上方觀察基板處理裝置之一部分之俯視圖。 圖4係表示圖2及圖3所示之基板處理裝置之電性構成之方塊圖。 圖5係表示攝像機構之頭部之立體圖。 圖6係圖5所示之頭部之分解組裝立體圖。 圖7A係模式性地表示有助於上表面攝像之光之前進方式之圖。 圖7B係圖7A之局部剖面放大圖。 圖7C係模式性地表示有助於下表面攝像之光之前進方式之圖。 圖7D係模式性地表示有助於側面攝像之光之前進方式之圖。 圖8(a)、(b)係模式性地表示由攝像部所拍攝之基板之周緣部及鄰接區域之圖像之圖。 圖9係表示由圖1所示之基板處理裝置執行之基板處理之流程圖。 圖10係表示使用了攝像部之基板之整個周緣圖像之取得動作之流程圖。 圖11係表示根據圖10所示之整個周緣圖像之取得動作所取得之斜面蝕刻處理後之整個周緣圖像之一例之模式圖。 圖12係表示對整個周緣圖像實施增強殘渣之圖像處理所取得之殘渣增強圖像之一例之模式圖。 圖13係表示本發明之攝像裝置之第2實施方式中裝備之頭部之立體圖。 圖14係圖13所示之頭部之分解組裝立體圖。 圖15係模式性地表示圖13所示之頭部向臂之安裝狀態之圖。
1:基板處理裝置
5:周緣加熱機構
6:攝像機構
6E:光源
6F:攝像部
6G:頭部
21:旋轉夾頭
31:護罩
44:處理液噴嘴
51:加熱器
AR1:旋轉方向
L1:照明光
L2:反射光
P1:退避位置
P2:攝像位置
P3:離開位置
Ps:處理開始位置
S:基板
X,Y:水平方向
Z:鉛直方向

Claims (17)

  1. 一種攝像裝置，其特徵在於，其係拍攝被攝像物之周緣部者，且具備： 光源，其自遠離上述被攝像物之位置向拍攝上述被攝像物之周緣部之攝像位置照射照明光； 頭部，其具有：漫射照明部，其於上述攝像位置，藉由使來自上述光源之上述照明光漫反射而產生之漫射光，對上述周緣部進行照明；及導引部，其將由上述漫射光所照明之上述周緣部反射之反射光向遠離上述被攝像物之位置引導；以及 攝像部，其在遠離上述被攝像物之位置，接收由上述導引部引導之上述反射光而取得上述周緣部之像。
  2. 如請求項1之攝像裝置，其中 上述漫射照明部具有第1上方漫射面，該第1上方漫射面藉由使上述照明光漫反射而產生朝向上述周緣部之上表面之上表面漫射光作為上述漫射光。
  3. 如請求項2之攝像裝置，其中 上述第1上方漫射面係隨著接近上述周緣部之上表面而朝上述照明光前進之方向傾斜之傾斜面。
  4. 如請求項3之攝像裝置，其中 上述導引部具有上方反射面，該上方反射面藉由使在接收到上述上表面漫射光之上述周緣部之上表面反射之光進一步反射而作為上述反射光向上述攝像部引導。
  5. 如請求項1之攝像裝置，其中 上述漫射照明部具有側方漫射面，該側方漫射面藉由使上述照明光漫反射，而產生朝向上述周緣部之側面之側面漫射光作為上述漫射光。
  6. 如請求項5之攝像裝置，其中 上述側方漫射面係隨著接近上述周緣部之側面而朝上述照明光前進之方向傾斜之傾斜面。
  7. 如請求項6之攝像裝置，其中 上述導引部具有側方反射面，該側方反射面藉由使由接收到上述側面漫射光之上述周緣部之側面反射之光進一步反射而作為上述反射光向上述攝像部引導。
  8. 如請求項1之攝像裝置，其中 上述漫射照明部具有第1下方漫射面，該第1下方漫射面藉由使上述照明光漫反射，而產生朝向上述周緣部之下表面之下表面漫射光作為上述漫射光。
  9. 如請求項8之攝像裝置，其中 上述第1下方漫射面係隨著接近上述周緣部之下表面而朝上述照明光前進之方向傾斜之傾斜面。
  10. 如請求項9之攝像裝置，其中 上述導引部具有下方反射面，該下方反射面藉由使由接收到上述下表面漫射光之上述周緣部之下表面反射之光進一步反射而作為上述反射光向上述攝像部引導。
  11. 如請求項1之攝像裝置，其中 上述頭部具有一體地保持上述漫射照明部及上述導引部之保持部。
  12. 如請求項11之攝像裝置，其中 上述保持部具有第2上方漫射面，該第2上方漫射面藉由使上述照明光漫反射而產生朝向上述周緣部之上表面之上表面漫射光作為上述漫射光。
  13. 如請求項12之攝像裝置，其中 上述保持部具有第2下方漫射面，該第2下方漫射面藉由使上述照明光漫反射而產生朝向上述周緣部之下表面之下表面漫射光作為上述漫射光。
  14. 如請求項1之攝像裝置，其進而具備： 頭驅動部，其於上述攝像位置與自上述被攝像物退避之退避位置之間，使上述頭部移動而定位於上述攝像位置或上述退避位置；及 定位控制部，其以如下方式控制上述頭驅動部，即，於不拍攝上述被攝像物之周緣部之期間將上述頭部定位於上述退避位置，另一方面，於拍攝上述被攝像物之周緣部時將上述頭部定位於上述攝像位置。
  15. 一種檢查裝置，其特徵在於，其係檢查被攝像物之周緣部者，且具備： 如請求項14之攝像裝置； 移動部，其於將上述頭部定位於上述攝像位置之狀態下，使上述被攝像物相對於上述頭部朝固定方向移動； 圖像取得部，其從上述被攝像物藉由上述移動部相對於上述頭部相對移動之期間、上述攝像部所取得之上述複數個周緣部之像中，取得沿著上述固定方向之上述被攝像物之周緣部圖像；及 檢查部，其基於上述周緣部圖像。檢查上述周緣部。
  16. 一種檢查方法，其特徵在於，其係檢查被攝像物之周緣部者，且具備以下步序： 一面將如請求項1至14中任一項之攝像裝置之上述頭部定位於上述攝像位置，一面使上述被攝像物相對於上述頭部朝固定方向相對移動； 將上述被攝像物相對於上述頭部相對地移動之期間、上述攝像部所取得之上述周緣部之複數個像合成，而取得沿著上述固定方向之上述被攝像物之周緣部圖像；及 基於上述周緣部圖像，檢查上述周緣部。
  17. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備： 旋轉機構，其保持基板並使其旋轉； 處理機構，其對藉由上述旋轉機構而旋轉之上述基板之周緣部供給處理液而處理上述基板之周緣部；及 攝像裝置，其於處理上述周緣部之前或處理之後拍攝上述周緣部； 上述攝像裝置具備： 光源，其自遠離上述基板之周緣部之位置朝向拍攝上述基板之周緣部之攝像位置照射照明光； 頭部，其具有：漫射照明部，其於上述攝像位置，藉由使來自上述光源之上述照明光漫反射而產生之漫射光，對上述周緣部進行照明；及導引部，其將由上述漫射光所照明之上述周緣部反射之反射光向遠離上述基板之離開位置引導；以及 攝像部，其在遠離上述基板之周緣部之位置，接收由上述導引部引導之上述反射光而取得上述周緣部之像。
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