TW202335751A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置(100)具備：腔室(112)；基板保持部(120)，其於腔室(112)內保持基板(W)，並使基板(W)旋轉；處理液供給部(130)，其向基板(W)之上表面(Wt)供給處理液；近紅外線光源(140)，其向腔室(112)內照射近紅外線；近紅外攝像部(150)，其拍攝被來自近紅外線光源(140)之近紅外線照射之腔室(112)內之處理液而生成攝像圖像；及控制部(102)，其基於攝像圖像而特定出腔室(112)內之處理液之外緣。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
已知有處理基板之基板處理裝置。基板處理裝置適宜用於半導體基板之處理。典型而言，基板處理裝置使用處理液來處理基板。
已研究了在洗淨、乾燥基板時抑制於基板外周部殘存微粒之基板乾燥方法(專利文獻1)。根據專利文獻1中之記載，乾燥基板之沖洗液時，使用CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)相機來計測自沖洗液之薄膜產生之干擾條紋，根據干擾條紋之變化來計測沖洗液之液厚。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-335542號公報
[發明所欲解決之問題]
一般而言，基板處理中使用之處理液為透明，因此一般之CCD相機無法檢測基板上之處理液。故而，於專利文獻1之基板乾燥方法中，使用CCD相機來計測條紋狀之干擾條紋。但於專利文獻1之基板乾燥方法中，無法高精度地特定出腔室內之處理液。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種能高精度地特定出腔室內之處理液之基板處理裝置及基板處理方法。  [解決問題之技術手段]
根據本發明之一形態，基板處理裝置具備：腔室；基板保持部，其於上述腔室內保持基板且使上述基板旋轉；處理液供給部，其向上述基板之上表面供給處理液；近紅外線光源，其向上述腔室內照射近紅外線；近紅外攝像部，其生成拍攝被來自上述近紅外線光源之上述近紅外線照射之上述腔室內之上述處理液而得之攝像圖像；及控制部，其基於上述攝像圖像而特定出上述腔室內之上述處理液之外緣。
某實施方式中，上述控制部基於上述攝像圖像而特定出上述處理液之種類。
某實施方式中，上述近紅外攝像部拍攝自上述處理液供給部供給至上述基板之上述上表面之上述處理液。
某實施方式中，上述控制部基於上述攝像圖像，對上述處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
某實施方式中，上述處理液供給部包含：第1處理液供給部，其向上述基板供給第1處理液；及第2處理液供給部，其向上述基板供給第2處理液；且在停止自上述第1處理液供給部供給至上述基板之上述第1處理液之供給之後開始自上述第2處理液供給部向上述基板供給上述第2處理液後，上述控制部基於上述攝像圖像，對上述第2處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
某實施方式中，上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於上述腔室之外部。
某實施方式中，上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於隔著上述腔室而對向之位置。
某實施方式中，上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於上述腔室之內部。
某實施方式中，上述處理液供給部包含配管及噴嘴，且上述近紅外攝像部拍攝位於上述配管及上述噴嘴中之至少一者之上述處理液。
根據本發明之另一形態，基板處理方法包含如下步驟：於腔室內保持基板且使上述基板旋轉；於上述腔室內向上述基板之上表面供給處理液；向上述腔室內照射近紅外線；生成拍攝被上述近紅外線照射之上述腔室內之上述處理液而得之攝像圖像；及基於上述攝像圖像而特定出上述腔室內之上述處理液之外緣。
某實施方式中，上述基板處理方法進而包含如下步驟：基於上述攝像圖像而特定出上述處理液之種類。
某實施方式中，於生成上述攝像圖像之步驟中，拍攝供給至上述基板之上述上表面之上述處理液。
某實施方式中，上述基板處理方法進而包含如下步驟：對上述處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
某實施方式中，供給上述處理液之步驟包含如下步驟：向上述基板供給第1處理液；及向上述基板供給第2處理液；且上述基板處理方法進而包含如下步驟：在停止供給至上述基板之上述第1處理液之供給之後開始向上述基板供給上述第2處理液起，基於上述攝像圖像，對上述第2處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
某實施方式中，於生成上述攝像圖像之步驟中，拍攝位於用以供上述處理液流通之配管及噴嘴中之至少一者之上述處理液。  [發明之效果]
根據本發明，能高精度地特定出腔室內之處理液。
以下，參照圖式對本發明之基板處理裝置及基板處理方法之實施方式進行說明。再者，圖中對相同或相當部分標註相同之參照符號而不重複說明。再者，於本案說明書中，為了使發明容易理解，記載了相互正交之X軸、Y軸及Z軸。典型而言，X軸及Y軸與水平方向平行，Z軸與鉛直方向平行。
首先，參照圖1，對本實施方式之基板處理裝置100進行說明。圖1係基板處理裝置100之模式性俯視圖。
如圖1所示，基板處理裝置100處理基板W。基板處理裝置100係以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜之至少一部分之去除及洗淨中至少一項之方式處理基板W。
基板W用作半導體基板。基板W包含半導體晶圓。例如，基板W為大致圓板狀。此處，基板處理裝置100逐片處理基板W。
如圖1所示，基板處理裝置100具備複數個基板處理單元110、流體櫃10A、流體箱10B、複數個裝載埠LP、傳載機器人IR、中央機器人CR及控制裝置101。控制裝置101控制裝載埠LP、傳載機器人IR、中央機器人CR及基板處理單元110。
裝載埠LP各自以積層方式收容複數片基板W。傳載機器人IR於裝載埠LP與中央機器人CR之間搬送基板W。再者，亦可採用如下裝置構成：於傳載機器人IR與中央機器人CR之間設置臨時載置基板W之設置台(路徑)，而於傳載機器人IR與中央機器人CR之間經由設置台間接地交接基板W。中央機器人CR於傳載機器人IR與基板處理單元110之間搬送基板W。基板處理單元110各自向基板W噴出處理液來處理基板W。流體櫃10A收容處理液。再者，流體櫃10A亦可收容氣體。
複數個基板處理單元110形成以俯視下包圍中央機器人CR之方式配置之複數個塔TW(圖1中為4個塔TW)。各塔TW包含上下積層之基板處理單元110(圖1中為3個基板處理單元110)。流體箱10B分別與複數個塔TW對應。流體櫃10A內之處理液經由任一流體箱10B，供給至與流體箱10B對應之塔TW內所含之所有基板處理單元110。又，流體櫃10A內之氣體經由任一流體箱10B，供給至與流體箱10B對應之塔TW內所含之所有基板處理單元110。
控制裝置101控制基板處理裝置100之各種動作。控制裝置101包含控制部102及記憶部104。控制部102具有處理器。控制部102例如具有中央處理運算器(Central Processing Unit：CPU)。或者，控制部102亦可具有通用運算器。
記憶部104包含主記憶裝置及輔助記憶裝置。主記憶裝置例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置例如為半導體記憶體及/或硬碟驅動器。記憶部104亦可包含可移媒體。控制部102執行記憶部104所記憶之電腦程式而執行基板處理動作。
記憶部104記憶資料。資料包含配方資料。配方資料包含表示複數個配方之資訊。複數個配方各自規定基板W之處理內容及處理順序。
又，記憶部104亦可記憶基準處理液之亮度值。或者，記憶部104亦可記憶拍攝基準處理液所得之基準圖像。
其次，參照圖2，對本實施方式之基板處理裝置100中之基板處理單元110進行說明。圖2係基板處理裝置100中之基板處理單元110之模式圖。
基板處理單元110具備腔室112、基板保持部120、處理液供給部130、近紅外線光源140及近紅外攝像部150。腔室112收容基板保持部120、處理液供給部130、近紅外線光源140及近紅外攝像部150各者之至少一部分。
腔室112為具有內部空間之大致箱狀。腔室112收容基板W。此處，基板處理單元110為逐片處理基板W之單片式，將基板W逐片收容於腔室112。將基板W收容於腔室112內而於腔室112內進行處理。
基板保持部120保持基板W。基板保持部120係以使基板W之上表面(正面)Wt朝向上方，且使基板W之背面(下表面)Wr朝向鉛直下方之方式，將基板W水平地保持。又，基板保持部120於保持著基板W之狀態下使基板W旋轉。基板W之上表面Wt亦可加以平坦化。或者，於基板W之上表面Wt可設置器件面，亦可設置設有凹槽之柱狀之積層體。基板保持部120於保持著基板W之狀態下使基板W旋轉。
例如，基板保持部120可為夾持基板W之端部之夾持式。或者，基板保持部120亦可具有自背面Wr保持基板W之任意機構。例如，基板保持部120亦可為真空式。該情形時，基板保持部120藉由使上表面吸附作為非器件形成面之基板W之背面Wr之中央部而將基板W水平地保持。或者，基板保持部120亦可將使複數個夾固銷接觸於基板W之周端面之夾持式與真空式組合起來。
例如，基板保持部120包含旋轉基座121、夾固構件122、軸123、電動馬達124及殼體125。夾固構件122設置於旋轉基座121。夾固構件122夾固基板W。典型而言，於旋轉基座121設置有複數個夾固構件122。
軸123為中空軸。軸123沿著旋轉軸Ax於鉛直方向上延伸。於軸123之上端結合有旋轉基座121。基板W載置於旋轉基座121之上方。
旋轉基座121為圓板狀。夾固構件122將基板W水平地支持。軸123自旋轉基座121之中央部向下方延伸。電動馬達124給軸123提供旋轉力。電動馬達124藉由使軸123沿著旋轉方向旋轉，而使基板W及旋轉基座121以旋轉軸Ax為中心旋轉。殼體125包圍軸123及電動馬達124。
處理液供給部130向基板W供給處理液。典型而言，處理液供給部130向保持於基板保持部120之基板W之上表面Wt供給處理液。再者，處理液供給部130亦可向基板W供給複數種處理液。
處理液可為蝕刻基板W之蝕刻液。作為蝕刻液，例如可例舉氟硝酸(氫氟酸(HF)與硝酸(HNO 3)之混合液)、氫氟酸、緩衝氫氟酸(BHF)、氟化銨、HFEG(氫氟酸與乙二醇之混合液)及磷酸(H 3PO 4)。蝕刻液之種類並不特別限定，例如可為酸性，亦可為鹼性。
或者，處理液亦可為沖洗液。作為沖洗液，例如可例舉去離子水(Deionized Water：DIW)、碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、濃度經過稀釋(例如，10 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水、及還原水(氫水)。
或者，處理液亦可為有機溶劑。典型而言，有機溶劑之揮發性高於沖洗液之揮發性。作為有機溶劑，例如可例舉異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)、甲醇、乙醇、丙酮、氫氟醚(hydrofluoro ether：HFE)、丙二醇單乙醚(propylene glycol ethyl ether：PGEE)及丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate：PGMEA)。
處理液供給部130包含配管132、閥134、噴嘴136及移動機構138。處理液自供給源流通至配管132。閥134打開或關閉配管132內之流路。噴嘴136連接於配管132。於噴嘴136流通處理液，藉此噴嘴136向基板W之上表面Wt噴出處理液。噴嘴136較佳為以能夠相對於基板W而移動之方式構成。
配管132及噴嘴136由樹脂構成。該情形時，自近紅外線光源140出射之近紅外線能透過配管132及噴嘴136。
移動機構138使噴嘴136沿著水平方向及鉛直方向移動。詳細而言，移動機構138使噴嘴136以於鉛直方向上延伸之旋轉軸線為中心沿著圓周方向移動。又，移動機構138使噴嘴136沿著鉛直方向升降。
移動機構138具有臂138a、軸部138b及驅動部138c。臂138a沿著水平方向延伸。噴嘴136配置於臂138a之前端部。噴嘴136係以能向保持於夾固構件122之基板W之上表面Wt供給處理液之姿勢配置於臂138a之前端部。詳細而言，噴嘴136結合於臂138a之前端部，且自臂138a向下方突出。臂138a之基端部結合於軸部138b。軸部138b沿著鉛直方向延伸。
驅動部138c具有旋轉驅動機構及升降驅動機構。驅動部138c之旋轉驅動機構使軸部138b以旋轉軸線為中心旋轉，使臂138a以軸部138b為中心沿著水平面回旋。其結果，噴嘴136沿著水平面移動。詳細而言，噴嘴136繞軸部138b沿著圓周方向移動。驅動部138c之旋轉驅動機構例如包含可正反旋轉之馬達。
驅動部138c之升降驅動機構使軸部138b沿著鉛直方向升降。藉由驅動部138c之升降驅動機構使軸部138b升降，而噴嘴136沿著鉛直方向升降。驅動部138c之升降驅動機構具有馬達等驅動源及升降機構，藉由驅動源來驅動升降機構而使軸部138b上升或下降。升降機構例如包含齒條與小齒輪機構或滾珠螺桿。
近紅外線光源140至少出射近紅外線。近紅外線光源140向腔室112內照射近紅外線。詳細而言，近紅外線光源140照射腔室112內之至少一部分。此處，近紅外線光源140向基板W出射近紅外線。
例如，近紅外線光源140至少出射波長800 nm以上2.5 μm以下之範圍所含之波長之近紅外線。典型而言，近紅外線光源140至少出射波長800 nm以上1.5 μm以下之範圍所含之波長之近紅外線。
再者，近紅外線光源140亦可將可見光與近紅外線一起出射。或者，近紅外線光源140亦可切換出射近紅外線與可見光。例如，近紅外線光源140出射可見光之情形時，作為可見光，較佳為出射紅色波長之光。藉此，能容易地特定出腔室112內之基板W等。
例如，自近紅外線光源140出射之近紅外線沿著光軸呈直線狀行進。或者，自近紅外線光源140出射之近紅外線一面以光軸為中心擴散一面行進。較佳為以近紅外線光源140之光軸通過基板W之中心之方式配置近紅外線光源140。
近紅外攝像部150具有複數個像素。近紅外攝像部150至少對近紅外線具有感度。近紅外攝像部150藉由接收自近紅外線光源140出射之近紅外線中透過腔室112內之構件之分量、及/或反射之分量，而對腔室112內進行拍攝，由此生成攝像圖像。此處，近紅外攝像部150接收自近紅外線光源140出射之近紅外線中於基板W反射之分量。
近紅外攝像部150對腔室112內進行拍攝。近紅外攝像部150可拍攝整個腔室112內。或者，近紅外攝像部150亦可拍攝腔室112內之一部分區域。該情形時，近紅外攝像部150亦可切換對腔室112內拍攝之攝像區域而進行拍攝。或者，近紅外攝像部150亦可於整個腔室112內與腔室112內之一部分區域之間切換攝像區域而進行拍攝。
於近紅外攝像部150中，幀頻可為30 fps，亦可為60 fps。或者，幀頻亦可為120 fps。
近紅外攝像部150亦可包含SWIR(Short Wavelength Infra-Red，短波紅外)影像感測器。該情形時，近紅外攝像部150至少檢測波長800 nm以上2.5 μm以下之範圍所含之波長之近紅外線。
再者，近紅外攝像部150亦可不僅對近紅外線具有感度，而且對可見光亦具有感度。或者，近紅外攝像部150亦可切換接收近紅外線與可見光。
近紅外攝像部150拍攝以攝像光軸為中心之周圍。典型而言，攝像光軸位於攝像圖像之中心。例如，近紅外攝像部150之攝像圖像之中心位於基板W之中心。該情形時，近紅外攝像部150之攝像光軸位於基板W之中心。或者，近紅外攝像部150之攝像圖像之中心亦可位於配管132及/或噴嘴136。
近紅外攝像部150拍攝腔室112內之存在處理液之構件而生成攝像圖像。較佳為藉由攝像圖像能特定出處理液供給部130之處理液。例如，較佳為藉由攝像圖像能特定出自處理液供給部130供給至基板W之處理液之外緣。或者，較佳為藉由攝像圖像能特定出自處理液供給部130向基板W供給前之配管132及/或噴嘴136內之處理液之外緣。
俯視基板處理單元110之情形時，近紅外線光源140之光軸及近紅外攝像部150之攝像光軸位於通過基板W之中心之直線上。如此，近紅外線光源140及近紅外攝像部150可配置於投影至通過基板W之中心之水平線上之位置上。
或者，俯視基板處理單元110之情形時，亦可近紅外線光源140之光軸與近紅外攝像部150之攝像中心於基板W之中心正交。如此，近紅外線光源140及近紅外攝像部150亦可配置於與基板W之中心正交之位置。
此處，近紅外線光源140及近紅外攝像部150配置於腔室112之內部。近紅外線光源140及近紅外攝像部150可相互固定地配置。
近紅外線光源140及近紅外攝像部150亦可為能夠相對於基板W而移動。例如，近紅外線光源140及近紅外攝像部150較佳為能夠隨著由控制部102控制之移動機構而沿著水平方向及/或鉛直方向移動。近紅外線光源140及近紅外攝像部150移動之情形時，近紅外線光源140及近紅外攝像部150可為能夠相互獨立地移動。或者，近紅外線光源140及近紅外攝像部150亦可為能夠一體地移動。
處理液亦可包含有機物。例如，於有機物中，C-H、C-O、C-N、C-F等鍵吸收近紅外線所含之特定波長。近紅外線之特定波長之吸收量與具有特定結合基之成分之量成比例，因此基於自基板W反射之近紅外線，能測定出基板W之特定成分之存在量。
基板處理裝置100進而具備杯體180。杯體180回收自基板W飛散之處理液。杯體180可升降。例如，杯體180於處理液供給部130向基板W供給處理液之期間向鉛直上方上升至基板W之側方為止。該情形時，杯體180回收因基板W之旋轉而自基板W飛散之處理液。又，一旦處理液供給部130向基板W供給處理液之期間結束，杯體180便會自基板W之側方朝鉛直下方下降。
如上所述，控制裝置101包含控制部102及記憶部104。控制部102控制基板保持部120、處理液供給部130、近紅外線光源140、近紅外攝像部150及/或杯體180。於一例中，控制部102控制電動馬達124、閥134、移動機構138、近紅外線光源140、近紅外攝像部150及/或杯體180。
根據本實施方式之基板處理裝置100，藉由近紅外攝像部150拍攝被來自近紅外線光源140之近紅外線照射之腔室112內之處理液。典型而言，處理液透明，且可透過可見光。另一方面，處理液大多於近紅外區域顯示出相對較強之吸收。因此，能於藉由近紅外攝像部150拍攝腔室112內之處理液所得之攝像圖像中特定出處理液之外緣。
再者，處理液對近紅外線之吸光度相當高之情形時，近紅外線光源140較佳為將可見光與近紅外線一起出射。藉此，攝像圖像能以相對較高之亮度顯示腔室112內之處理液。
又，處理液根據種類來說大多於近紅外區域顯示出特有之吸收。因此，能於藉由近紅外攝像部150拍攝腔室112內之處理液所得之攝像圖像中特定出處理液之種類。
或者，由於顯示出較強吸收之波長因處理液而異，故而近紅外線光源140亦可使出射之近紅外線之波長變化。藉此，能容易地特定出處理液之外緣及液種。
本實施方式之基板處理裝置100適宜用於設置有半導體之半導體元件之製作。典型而言，在半導體元件中，於基材之上積層導電層及絕緣層。基板處理裝置100在製造半導體元件時，適宜用於導電層及/或絕緣層之洗淨及/或加工(例如蝕刻、特性變化等)。
其次，參照圖1～圖3，對本實施方式之基板處理裝置100進行說明。圖3係基板處理裝置100之方塊圖。
如圖3所示，控制裝置101控制基板處理裝置100之各種動作。控制裝置101控制傳載機器人IR、中央機器人CR、基板保持部120、處理液供給部130、近紅外線光源140、近紅外攝像部150及杯體180。具體而言，控制裝置101藉由向傳載機器人IR、中央機器人CR、基板保持部120、處理液供給部130、近紅外線光源140、近紅外攝像部150及杯體180發送控制信號，而控制傳載機器人IR、中央機器人CR、基板保持部120、處理液供給部130、近紅外線光源140、近紅外攝像部150及杯體180。
又，記憶部104記憶電腦程式及資料。資料包含配方資料。配方資料包含表示複數個配方之資訊。複數個配方各自規定基板W之處理內容、處理順序及基板處理條件。控制部102執行記憶部104所記憶之電腦程式而執行基板處理動作。
控制部102控制傳載機器人IR，藉由傳載機器人IR而交接基板W。
控制部102控制中央機器人CR，藉由中央機器人CR而交接基板W。例如，中央機器人CR接收未處理之基板W，將基板W搬入至複數個腔室112中之任一者。又，中央機器人CR自腔室112接收經處理後之基板W，將基板W搬出。
控制部102控制基板保持部120而控制基板W之旋轉之開始、旋轉速度之變更及基板W之旋轉之停止。例如，控制部102控制基板保持部120而能變更基板保持部120之旋轉速度。具體而言，控制部102藉由變更基板保持部120之電動馬達124之旋轉速度而能變更基板W之旋轉速度。
控制部102控制處理液供給部130之閥134，而能使閥134之狀態於打開狀態與關閉狀態之間切換。具體而言，控制部102藉由控制處理液供給部130之閥134使閥134成為打開狀態，而能使於配管132內朝向噴嘴136流動之處理液通過。又，控制部102藉由控制處理液供給部130之閥134使閥134成為關閉狀態，而能使於配管132內朝向噴嘴136流動之處理液之供給停止。
控制部102控制處理液供給部130之移動機構138而能使噴嘴136移動。具體而言，控制部102控制處理液供給部130之移動機構138而能使噴嘴136移動至基板W之上表面Wt之上方。又，控制部102控制處理液供給部130之移動機構138而能使噴嘴136移動至自基板W之上表面Wt之上方離開之退避位置。
控制部102控制近紅外線光源140及近紅外攝像部150拍攝腔室112內之至少一部分區域而生成攝像圖像。控制部102控制近紅外線光源140向腔室112內之至少一部分區域照射近紅外線。又，控制部102控制近紅外攝像部150拍攝腔室112內之至少一部分區域而生成攝像圖像。近紅外攝像部150拍攝自處理液供給部130供給之處理液及/或處理液供給部130內之存在處理液之區域。
例如，控制部102控制近紅外線光源140及近紅外攝像部150，以自近紅外線光源140向基板W出射近紅外線，且於近紅外攝像部150接收於基板W反射之近紅外線而測定亮度值。再者，控制部102亦可控制近紅外線光源140及近紅外攝像部150使近紅外線光源140及近紅外攝像部150相對於基板W移動。
控制部102於攝像圖像中特定出處理液之外緣。例如，控制部102基於攝像圖像內之亮度值而特定出攝像圖像中之處理液之外緣。於一例中，控制部102基於攝像圖像內之亮度值、及記憶部104中記憶之基準處理液之亮度值，而特定出攝像圖像中之處理液之外緣。或者，控制部102基於攝像圖像及基準圖像而特定出攝像圖像中之處理液之外緣。
又，控制部102基於攝像圖像內之亮度值而特定出攝像圖像中之處理液之種類。基於攝像圖像內之亮度值、及記憶部104中記憶之基準處理液之亮度值，而特定出攝像圖像中之處理液之種類。或者，控制部102基於攝像圖像及基準圖像而特定出攝像圖像中之處理液之種類。
控制部102亦可控制杯體180，使杯體180相對於基板W移動。具體而言，控制部102於處理液供給部130向基板W供給處理液之期間，使杯體180向鉛直上方上升至基板W之側方為止。又，一旦處理液供給部130向基板W供給處理液之期間結束，控制部102便會使杯體180自基板W之側方朝鉛直下方下降。
本實施方式之基板處理裝置100適宜用以形成半導體元件。例如，基板處理裝置100適宜用以處理用作積層構造之半導體元件之基板W。半導體元件為所謂3D(three dimension，三維)構造之記憶體(記憶裝置)。作為一例，基板W適宜用作NAND(Not And，反及)型快閃記憶體。
其次，參照圖1～圖4，對本實施方式之基板處理方法進行說明。圖4係基板處理方法之流程圖。
如圖4所示，於步驟SA中，將基板W搬入至基板處理裝置100。具體而言，經由傳載機器人IR及中央機器人CR將基板W搬入至基板處理單元110之腔室112。
於步驟SB中，保持基板W。具體而言，基板保持部120保持基板W。將基板W搬入至腔室112後，將基板W保持於基板保持部120。
於步驟SC中，處理基板W。於基板處理單元110中處理基板W。典型而言，基板保持部120保持著基板W而使其旋轉，處理液供給部130向基板W供給處理液。
本實施方式中，近紅外線光源140出射近紅外線。利用自近紅外線光源140出射之近紅外線照射腔室112之至少一部分。例如，利用自近紅外線光源140出射之近紅外線照射腔室112內之基板W。近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之腔室112。例如，近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之基板W。藉由拍攝被自近紅外攝像部150照射近紅外線之腔室112，即便腔室112內之處理液實質上透明，亦能高精度地拍攝處理液。
於步驟SD中，解除對基板W之保持。具體而言，基板保持部120解除對基板W之保持。
於步驟SE中，搬出基板W。自基板處理裝置100搬出基板W。具體而言，經由中央機器人CR及傳載機器人IR自基板處理單元110之腔室112搬出基板W。
根據本實施方式，藉由近紅外攝像部150拍攝被來自近紅外線光源140之近紅外線照射之處理液。處理液相對較強地吸收近紅外線，因此能高精度地特定出處理液之外緣。
其次，參照圖1～圖5，對本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟進行說明。圖5係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。
如圖5所示，於步驟S110中，基板W於被保持著之狀態下旋轉。具體而言，基板保持部120於保持著基板W之狀態下使基板W旋轉。例如，基板W之旋轉速度為10 rpm～1500 rpm。
於步驟S120中，近紅外線光源140向基板W照射近紅外線，近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之基板W。近紅外線光源140向基板W照射近紅外線，並且近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之基板W而生成攝像圖像。控制部102控制近紅外線光源140及近紅外攝像部150，使近紅外線光源140向基板W出射近紅外線，並使近紅外攝像部150拍攝基板W。再者，近紅外線光源140開始出射近紅外線之時序與近紅外攝像部150開始拍攝基板W之時序既可相同亦可不同。又，近紅外線光源140開始出射近紅外線之時序既可早於亦可晚於近紅外攝像部150開始拍攝基板W之時序。
於步驟S130中，向基板W供給處理液。具體而言，控制部102控制處理液供給部130，使處理液供給部130開始向基板W供給處理液。
再者，步驟S130中之處理液之供給既可於步驟S120中之近紅外線之照射及/或近紅外攝像部150之攝像之前開始，亦可於之後開始。
於步驟S140中，基於藉由近紅外攝像部150而生成之攝像圖像，特定出攝像圖像內之處理液。控制部102基於攝像圖像而特定出攝像圖像內之處理液。例如，控制部102基於攝像圖像而特定出攝像圖像中之處理液之外緣。又，控制部102亦可基於攝像圖像而特定出攝像圖像中之處理液之種類。
例如，控制部102基於攝像圖像內之亮度值而特定出攝像圖像中之處理液之外緣。例如，控制部102基於攝像圖像內之亮度值、及記憶部104中記憶之基準處理液之亮度值，而特定出攝像圖像中之處理液之外緣。或者，控制部102基於攝像圖像及基準圖像而特定出攝像圖像中之處理液之外緣。
又，控制部102基於攝像圖像內之亮度值而特定出攝像圖像中之處理液之種類。基於攝像圖像內之亮度值、及記憶部104中記憶之基準處理液之亮度值，而特定出攝像圖像中之處理液之種類。或者，控制部102基於攝像圖像及基準圖像而特定出攝像圖像中之處理液之種類。
於步驟S150中，基於處理液之特定結果而控制基板處理單元110。具體而言，控制部102基於特定出處理液之外緣之結果而控制處理液供給部130。
例如，控制部102控制處理液供給部130以變更處理液之供給。於一例中，控制部102控制處理液供給部130以變更處理液之流量。或者，控制部102控制處理液供給部130以變更向基板W供給之處理液。
於步驟S160中，停止處理液之供給。具體而言，控制部102控制處理液供給部130，使處理液供給部130停止向基板W供給處理液。
於步驟S170中，停止基板W之旋轉。具體而言，控制部102控制基板保持部120，使基板保持部120停止基板W之旋轉。
本實施方式中，拍攝被來自近紅外攝像部150之近紅外線照射之基板W。近紅外線會被處理液選擇性地吸收。因此，能高精度地拍攝基板W之上表面Wt之處理液。從而，控制部102能根據基板W之上表面Wt之處理液之狀態來控制基板W之處理。
如上所述，近紅外線光源140亦可切換出射可見光與近紅外線。又，近紅外攝像部150亦可切換拍攝可視區域與近紅外區域。
其次，參照圖6，對本實施方式之基板處理裝置100進行說明。圖6(a)係於可視區域拍攝已被供給處理液L1之基板W所得之攝像圖像之模式圖，圖6(b)係於近紅外區域拍攝已被供給處理液L1之基板W所得之攝像圖像之模式圖，圖6(c)係於近紅外區域拍攝已被供給處理液L2之基板W所得之攝像圖像之模式圖。
如圖6(a)所示，噴嘴136向基板W之上表面Wt噴出處理液L1。此處，噴嘴136向基板W之上表面Wt之中心噴出處理液L1。由於基板W正在旋轉，故而處理液L1自基板W之上表面Wt之中心沿著徑向擴散，從而處理液L1被覆基板W之整個上表面Wt。再者，到達基板W之上表面Wt之徑向端部之處理液自基板W向徑向外側飛散。
處理液L1對可見光透明。因此，即便於可視區域拍攝已被供給處理液L1之基板W，亦無法特定出基板W之上表面Wt之處理液L1之外緣。
詳細而言，處理液L1之液膜變薄，從而於處理液L1產生干擾條紋之情形時，自於可視區域拍攝所得之攝像圖像，能特定出處理液L1上離散產生之干擾條紋。或者，於處理液L1之上表面Wt上，液膜之厚度存在不均之情形時，自於可視區域拍攝所得之攝像圖像，基於處理液L1上離散產生之處理液L1之厚度不均而能部分地特定出處理液L1。但一般而言，於可視區域拍攝已被供給處理液L1之基板W之情形時，無法特定出基板W之上表面Wt之處理液L1之外緣。
如圖6(b)所示，於近紅外區域拍攝已被供給處理液L1之基板W之情形時，處理液L1會有效地吸收近紅外線，因此自攝像圖像能高精度地特定出基板W之上表面Wt之處理液L1。該情形時，自攝像圖像能特定出處理液L1之外緣。
又，如圖6(c)所示，噴嘴136向基板W之上表面Wt噴出處理液L2時，亦同樣地，於近紅外區域拍攝基板W之情形時，處理液L2會以與處理液L1不同之形態有效地吸收近紅外線，因此能高精度地特定出基板W之上表面Wt之處理液L2。
如此，根據本實施方式，藉由近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之處理液L1、L2。處理液L1、L2會相對較強地吸收近紅外線，因此能高精度地特定出處理液L1、L2之外緣。又，處理液L1、L2會以不同之形態吸收近紅外線，因此能高精度地特定出處理液L1、L2之種類。
再者，根據本實施方式，由於能高精度地特定出處理液之外緣，因此能特定出基板W之上表面Wt之處理液之變化。
其次，參照圖7，對本實施方式之基板處理裝置100進行說明。圖7(a)係於本實施方式之基板處理裝置100中，拍攝已開始於上表面Wt噴出有處理液L1之基板W所得之攝像圖像之模式圖，圖7(b)係於本實施方式之基板處理裝置100中，拍攝處理液L1於上表面Wt擴散之基板W所得之攝像圖像之模式圖，圖7(c)係於本實施方式之基板處理裝置100中，拍攝基板W之整個上表面Wt被處理液L1被覆之基板W所得之攝像圖像之模式圖。
如圖7(a)所示，噴嘴136開始向基板W之上表面Wt噴出處理液L1。具體而言，噴嘴136向基板W之上表面Wt之中心噴出處理液L1。此處，基板W以規定之旋轉速度旋轉。
此處，基板W之上表面Wt乾燥，未被處理液被覆。典型而言，基板W之上表面Wt未被處理液被覆之情形時，若向基板W之上表面Wt照射自近紅外線光源140出射之近紅外線，則近紅外線會被強烈反射。因此，於攝像圖像中，未被處理液L1被覆之基板W之上表面Wt顯示出較高之亮度值。
如圖7(b)所示，若噴嘴136持續向基板W之上表面Wt噴出處理液L1，則處理液L1會於基板W之上表面Wt擴散。詳細而言，若自噴嘴136持續向基板W之上表面Wt之中心噴出處理液L1，則處理液L1會自基板W之上表面Wt之中心沿著徑向擴散。
如上所述，基板W之上表面Wt未被處理液L1被覆之情形時，於攝像圖像中，基板W之上表面Wt中未被處理液L1被覆之區域顯示出相對較高之亮度值。另一方面，關於基板W之上表面Wt中被處理液L1被覆之區域，若向基板W之上表面Wt照射自近紅外線光源140出射之近紅外線，則近紅外線會被處理液L1強烈吸收。因此，於攝像圖像中，基板W之上表面Wt中被處理液L1被覆之區域顯示出相對較低之亮度值。
如圖7(c)所示，若噴嘴136持續向基板W之上表面Wt噴出處理液L1，則處理液L1會擴散至基板W之整個上表面Wt，從而處理液L1被覆基板W之整個上表面Wt。詳細而言，若自噴嘴136持續向基板W之上表面Wt之中心噴出處理液L1，則處理液L1會自基板W之上表面Wt之中心沿著徑向擴散，從而處理液L1被覆基板W之整個上表面Wt。再者，到達基板W之上表面Wt之徑向端部之處理液L1自基板W向徑向外側飛散。
處理液L1被覆基板W之整個上表面Wt之情形時，若向基板W之上表面Wt照射自近紅外線光源140出射之近紅外線，則近紅外線會被處理液L1強烈吸收。因此，於攝像圖像中，基板W之上表面Wt中被處理液L1被覆之區域顯示出相對較低之亮度值。
本實施方式中，向供給有處理液L1之基板W照射來自近紅外線光源140之近紅外線，並藉由近紅外攝像部150進行拍攝。因此，能高精度地特定出處理液L1之外緣之變化。
再者，雖然參照圖7說明了對如下過程進行拍攝所得之攝像圖像，該過程係開始自噴嘴136噴出處理液L1後，處理液L1自基板W之上表面Wt之中心沿著徑向擴散；但本實施方式並不限定於此。近紅外攝像部150亦可拍攝處理液L1因乾燥而自基板W之上表面Wt消失之過程。
於本實施方式之基板處理方法中，亦可基於特定出處理液之外緣之結果，而變更自處理液供給部130向基板W之上表面Wt供給之處理液之流量。
其次，參照圖1～圖8，對本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟進行說明。圖8係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。圖8之流程圖除了基於特定出處理液之外緣之結果而對處理液是否被覆基板W之上表面Wt進行判定，且變更自處理液供給部130向基板W之上表面Wt供給之處理液之流量之點以外，與圖5之流程圖相同，為了避免冗長，省略重複說明。
如圖8所示，步驟S110及步驟S120與圖5之步驟S110及步驟S120相同。
於步驟S130中，向基板W供給處理液。控制部102控制處理液供給部130，使處理液供給部130開始向基板W供給處理液。此處，對乾燥狀態之基板W供給處理液。該情形時，處理液之流量設定為相對較大之值。
於步驟S140中，基於藉由近紅外攝像部150而生成之攝像圖像，特定出攝像圖像內之處理液。控制部102基於攝像圖像而特定出攝像圖像內之處理液之外緣。又，控制部102亦可基於攝像圖像而特定出攝像圖像中之處理液之種類。
於步驟S150a中，對處理液是否被覆基板W之整個上表面Wt進行判定。具體而言，控制部102基於特定出處理液之外緣之結果，對處理液是否被覆基板W之整個上表面Wt進行判定。
處理液未被覆基板W之整個上表面Wt之情形時(步驟S150a中為否)，處理返回步驟S140。藉此，重複處理液外緣之特定及整面被覆之判定，直至處理液被覆基板W之整個上表面Wt為止。另一方面，處理液被覆基板W之整個上表面Wt之情形時(步驟S150a中為是)，處理進入步驟S150b。
於步驟S150b中，減少向基板W供給之處理液之流量。控制部102控制處理液供給部130，使處理液供給部130向基板W供給之處理液之流量減少。
例如，控制部102可使處理液之流量減少至預先設定之流量為止。或者，控制部102亦可一面特定基板W之上表面Wt之處理液之外緣，一面減少處理液之流量。該情形時，處理液供給部130於規定期間持續供給處理液。其後，處理進入步驟S160。再者，步驟S160及步驟S170與圖5之步驟S160及步驟S170相同。
根據本實施方式，基於特定出處理液之外緣之結果，減少自處理液供給部130向基板W之上表面Wt供給之處理液之流量。因此，無需為切實被覆基板W之整個上表面Wt而使用多餘流量之處理液。
再者，於圖8之流程圖中，處理液供給部130先供給相對較多之流量之處理液，在處理液被覆基板W之整個上表面Wt後，使自處理液供給部130供給之處理液之流量減少，但本實施方式並不限定於此。處理液供給部130亦可先供給相對較少之流量之處理液，當於規定期間內處理液仍未被覆基板W之整個上表面Wt時，使自處理液供給部130供給之處理液之流量增加。
再者，於參照圖8所述之說明中，基於特定出處理液之外緣之結果來變更處理液之流量，但本實施方式並不限定於此。亦可基於特定出處理液之外緣之結果，停止自處理液供給部130向基板W之上表面Wt供給處理液。
其次，參照圖1～圖9，對本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟進行說明。圖9係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。圖9之流程圖除了基於特定出處理液之外緣之結果而停止處理液之供給之點以外，與圖5之流程圖相同，為了避免冗長，省略重複說明。
如圖9所示，步驟S110及步驟S120與圖5之步驟S110及步驟S120相同。
於步驟S130中，向基板W供給處理液。控制部102控制處理液供給部130，使處理液供給部130開始向基板W供給處理液。此處，對乾燥狀態之基板W供給處理液。
於步驟S140中，基於藉由近紅外攝像部150而生成之攝像圖像，特定出攝像圖像內之處理液。控制部102基於攝像圖像而特定出攝像圖像內之處理液之外緣。又，控制部102亦可基於攝像圖像而特定出攝像圖像中之處理液之種類。
於步驟S150c中，對處理液是否被覆基板W之整個上表面Wt進行判定。具體而言，控制部102基於處理液之外緣之特定結果，對處理液是否被覆基板W之整個上表面Wt進行判定。
基板W之整個上表面Wt未被處理液被覆之情形時(步驟S150c中為否)，處理返回步驟S140。藉此，重複處理液外緣之特定及整面被覆之判定，直至處理液被覆基板W之整個上表面Wt為止。另一方面，處理液被覆基板W之整個上表面Wt之情形時(步驟S150c中為是)，處理進入步驟S150d。
於步驟S150d中，開始時間之計測。控制部102控制處理液供給部130，使其持續向基板W供給處理液，於此狀態下，計測處理液被覆基板W之整個上表面Wt後所經過之時間。
於步驟S150e中，對開始時間之計測後是否已經過規定時間進行判定。未經過規定時間之情形時(步驟S150e中為否)，處理返回步驟S150e。藉此，重複作出判定，直至開始時間之計測後經過規定時間為止。另一方面，已經過規定時間之情形時(步驟S150e中為是)，處理進入步驟S160。再者，步驟S160及步驟S170與圖5之步驟S160及步驟S170相同。
根據本實施方式，基於特定出處理液之外緣之結果，計測自處理液供給部130向基板W之上表面Wt供給處理液之時間。藉此，即便於直至處理液被覆基板W之上表面Wt為止之過程中產生偏差，亦能抑制每一基板W之處理之變動。
再者，於參照圖1～圖9所述之說明中，近紅外線光源140及近紅外攝像部150配置於腔室112內，但本實施方式並不限定於此。近紅外線光源140及近紅外攝像部150亦可配置於腔室112之外部。
其次，參照圖1～圖10，對本實施方式之基板處理裝置100中之基板處理單元110進行說明。圖10係本實施方式之基板處理裝置100中之基板處理單元110之模式圖。圖10之基板處理單元110除了近紅外線光源140及近紅外攝像部150配置於腔室112之窗部112a、112b之外部之點以外，具有與圖2之基板處理單元110相同之構成，為了避免冗長，省略重複說明。
如圖10所示，近紅外線光源140及近紅外攝像部150配置於腔室112之外部。例如，近紅外線光源140及近紅外攝像部150配置於隔著腔室112而對向之位置。藉由將近紅外線光源140及近紅外攝像部150配置於腔室112之外部，能抑制處理液附著於近紅外線光源140及近紅外攝像部150。
再者，腔室112較佳為具有窗部112a、112b。例如，窗部112a、112b至少透過近紅外線。窗部112a、112b較佳為分別配置於腔室112之對向之側面。例如，近紅外線光源140經由窗部112a向基板W出射近紅外線。又，近紅外攝像部150經由窗部112b拍攝基板W。
俯視基板處理單元110之情形時，近紅外線光源140之光軸及近紅外攝像部150之攝像光軸位於通過基板W之中心之直線上。如此，近紅外線光源140及近紅外攝像部150可配置於投影至通過基板W之中心之水平線上之位置上。
或者，俯視基板處理單元110之情形時，亦可近紅外線光源140之光軸與近紅外攝像部150之攝像光軸於基板W之中心正交。如此，近紅外線光源140及近紅外攝像部150亦可配置於與基板W之中心正交之位置。
再者，於圖2及圖10所示之基板處理裝置100中，處理液供給部130向基板W供給1種處理液，但本實施方式並不限定於此。處理液供給部130亦可向基板W供給複數種處理液。
其次，參照圖1～圖11，對本實施方式之基板處理裝置100中之基板處理單元110進行說明。圖11係本實施方式之基板處理裝置100中之基板處理單元110之模式圖。圖11之基板處理單元110除了處理液供給部130具有供給第1處理液之第1處理液供給部130a、及供給第2處理液之第2處理液供給部130b之點以外，具有與參照圖2所述之基板處理單元110相同之構成，為了避免冗長，省略重複說明。
如圖11所示，處理液供給部130包含第1處理液供給部130a及第2處理液供給部130b。第1處理液供給部130a向基板W供給第1處理液。第2處理液供給部130b向基板W供給與第1處理液不同之第2處理液。
第1處理液供給部130a包含配管132a、閥134a及噴嘴136a。自供給源向配管132a供給第1處理液。閥134a打開或關閉配管132a內之流路。噴嘴136a連接於配管132a。噴嘴136a向基板W之上表面Wt噴出第1處理液。
第2處理液供給部130b包含配管132b、閥134b及噴嘴136b。自供給源向配管132b供給第2處理液。閥134b打開或關閉配管132b內之流路。噴嘴136b連接於配管132b。噴嘴136b向基板W之上表面Wt噴出第2處理液。
其次，參照圖1～圖12，對本實施方式之基板處理方法進行說明。圖12(a)係於本實施方式之基板處理裝置100中，拍攝被供給第1處理液La之基板W所得之攝像圖像之模式圖，圖12(b)係於本實施方式之基板處理裝置100中，拍攝已停止第1處理液La之供給而開始第2處理液Lb之供給的基板W所得之攝像圖像之模式圖，圖12(c)係於本實施方式之基板處理裝置100中，拍攝被供給第2處理液Lb之基板W所得之攝像圖像之模式圖。
如圖12(a)所示，噴嘴136a向基板W之上表面Wt噴出第1處理液La。此處，噴嘴136a向基板W之上表面Wt之中心噴出第1處理液La。由於基板W正在旋轉，故而第1處理液La自基板W之上表面Wt之中心沿著徑向擴散，從而第1處理液La被覆基板W之整個上表面Wt。再者，到達基板W之上表面Wt之徑向端部之第1處理液La自基板W向徑向外側飛散。此時，自攝像圖像能特定出被覆基板W之整個上表面Wt之第1處理液La之外緣。
如圖12(b)所示，噴嘴136a停止向基板W之上表面Wt噴出第1處理液La，繼而，噴嘴136b開始向基板W之上表面Wt噴出第2處理液Lb。繼噴出第1處理液La之後噴出第2處理液Lb之情形時，第1處理液La與第2處理液Lb之交界自基板W之上表面Wt之中心沿著徑向擴展。此時，自攝像圖像能分別特定出被覆基板W之上表面Wt之第1處理液La之外緣及第2處理液Lb之外緣。
又，如圖12(c)所示，噴嘴136b向基板W之上表面Wt噴出第2處理液Lb。此處，噴嘴136b向基板W之上表面Wt之中心噴出第2處理液Lb。由於基板W正在旋轉，故而第2處理液Lb自基板W之上表面Wt之中心沿著徑向擴散，從而第2處理液Lb被覆基板W之整個上表面Wt。再者，到達基板W之上表面Wt之徑向端部之第2處理液Lb自基板W向徑向外側飛散。此時，自攝像圖像能特定出被覆基板W之整個上表面Wt之第2處理液Lb之外緣。
根據本實施方式，藉由近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之第1處理液La及第2處理液Lb。第1處理液La及第2處理液Lb會相對較強地吸收近紅外線，因此能高精度地特定出第1處理液La及第2處理液Lb之外緣。又，第1處理液La及第2處理液Lb以不同之形態吸收近紅外線，因此能高精度地特定出第1處理液La及第2處理液Lb之種類。
其次，參照圖1～圖13，對本實施方式之基板處理方法進行說明。圖13係基板處理方法之流程圖。圖13之流程圖除了自第1處理液供給部130a及第2處理液供給部130b分別供給第1處理液及第2處理液之點以外，與參照圖5所述之流程圖相同，為了避免冗長，省略重複說明。
如圖13所示，步驟S110及步驟S120與圖5相同，因此省略說明。於步驟S120之後，處理進入步驟S130a。
於步驟S130a中，向基板W之上表面Wt供給第1處理液La。詳細而言，第1處理液供給部130a開始向基板W之上表面Wt供給第1處理液La。具體而言，控制部102控制第1處理液供給部130a，使其開始向基板W之上表面Wt供給第1處理液La。處理進入步驟S160a。
於步驟S160a中，停止第1處理液之供給。詳細而言，第1處理液供給部130a停止向基板W之上表面Wt供給第1處理液。具體而言，控制部102控制第1處理液供給部130a，使其於開始第1處理液La之供給後經過規定期間之後，停止第1處理液La之供給。處理進入步驟S130b。
於步驟S130b中，向基板W之上表面Wt供給第2處理液Lb。詳細而言，第2處理液供給部130b開始向基板W之上表面Wt供給第2處理液Lb。此處，第2處理液之供給係於停止向基板W供給第1處理液La之同時開始。處理進入步驟S140。
於步驟S140中，基於藉由近紅外攝像部150而生成之攝像圖像，特定出攝像圖像內之第2處理液Lb。控制部102基於攝像圖像，特定出攝像圖像內之第2處理液Lb之外緣。又，控制部102亦可基於攝像圖像，特定出攝像圖像中之第2處理液Lb之種類。處理進入步驟S150f。
於步驟S150f中，對第2處理液Lb是否被覆基板W之整個上表面Wt進行判定。具體而言，控制部102基於特定出第2處理液Lb之外緣之結果，對第2處理液Lb是否被覆基板W之整個上表面Wt進行判定。
第2處理液Lb未被覆基板W之整個上表面Wt之情形時(步驟S150f中為否)，處理返回步驟S140。藉此，重複第2處理液Lb之外緣之特定及第2處理液Lb之整面被覆判定，直至第2處理液Lb被覆基板W之整個上表面Wt為止。另一方面，第2處理液Lb被覆基板W之整個上表面Wt之情形時(步驟S150f中為是)，處理進入步驟S150g。
於步驟S150g中，減少向基板W供給之第2處理液Lb之流量。控制部102控制第2處理液供給部130b，使第2處理液供給部130b向基板W供給之第2處理液Lb之流量減少。其後，處理進入步驟S160b。
於步驟S160b中，停止第2處理液Lb之供給。詳細而言，第2處理液供給部130b停止向基板W供給第2處理液Lb。具體而言，控制部102控制第2處理液供給部130b，使其於基板W之整個上表面Wt被置換成第2處理液Lb後經過規定期間之後，停止第2處理液Lb之供給。處理進入步驟S170。再者，步驟S170與圖5之步驟S170相同。
根據本實施方式，藉由近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之第1處理液La及第2處理液Lb。第1處理液La及第2處理液Lb會相對較強地吸收近紅外線，因此能高精度地特定出第1處理液La及第2處理液Lb之外緣。又，第1處理液La及第2處理液Lb以不同之形態吸收近紅外線，因此能高精度地特定出第1處理液La及第2處理液Lb之種類。
再者，於參照圖5～圖13所述之說明中，近紅外攝像部150拍攝已被供給處理液之基板W，且近紅外線照射及攝像係於向基板W供給處理液之期間進行，但本實施方式並不限定於此。近紅外攝像部150可拍攝腔室112內之任意區域，近紅外線照射及攝像亦可於將處理液供給至基板W後進行。
其次，參照圖1～圖14，對本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟進行說明。圖14係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。圖14之流程圖除了於步驟S160中停止處理液之供給後進行回吸，並且於步驟S160之後執行步驟S120(近紅外線照射/攝像)及步驟S150(控制)之點以外，其他與參照圖5所述之流程圖相同，為了避免冗長，省略重複說明。
於步驟S110中，以保持著基板W之狀態使基板W旋轉。具體而言，基板保持部120於保持著基板W之狀態下使基板W旋轉。此時，基板W之旋轉速度例如為10 rpm～1500 rpm。
於步驟S130中，向基板W供給處理液。具體而言，控制部102控制處理液供給部130，使處理液供給部130開始向基板W供給處理液。
於步驟S160中，停止處理液之供給。具體而言，控制部102使處理液供給部130停止向基板W供給處理液。此處，停止處理液之供給後，抽吸處理液，將處理液吸回至配管132。處理進入步驟S170。
於步驟S170中，停止基板W之旋轉。具體而言，控制部102使基板保持部120停止基板W之旋轉。處理進入步驟S120。
於步驟S120中，近紅外線光源140向配管132及噴嘴136照射近紅外線，同時近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之配管132及噴嘴136而生成攝像圖像。控制部102控制近紅外線光源140及近紅外攝像部150，使近紅外線光源140向配管132及噴嘴136出射近紅外線，並使近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之配管132及噴嘴136。再者，亦可為近紅外攝像部150拍攝配管132及噴嘴136中之至少一者，且近紅外線光源140照射由近紅外攝像部150所拍攝之配管132及噴嘴136中之至少一者。
於步驟S140中，基於藉由近紅外攝像部150而生成之攝像圖像，特定出攝像圖像內之處理液。控制部102基於攝像圖像而特定出攝像圖像內之處理液。例如，控制部102基於攝像圖像而特定出攝像圖像中之處理液之外緣。藉此，能於配管132及噴嘴136內特定出被回吸之處理液之位置。又，控制部102亦可基於攝像圖像而特定出攝像圖像中之處理液之種類。處理進入步驟S150。
於步驟S150中，控制部102控制腔室112內之處理液。於步驟S140中，近紅外攝像部150拍攝被近紅外線照射之配管132及噴嘴136，因此能高精度地拍攝配管132及噴嘴136內之處理液。例如，步驟S160中之處理液之回吸不充分之情形時，控制部102會再次回吸處理液。
根據本實施方式，藉由近紅外攝像部150拍攝被來自近紅外線光源140之近紅外線照射之配管132及噴嘴136，因此能高精度地特定出配管132及噴嘴136內之處理液。例如，根據近紅外攝像部150拍攝所得之攝像圖像，檢測出處理液未被充分回吸，由此能再次執行處理液之回吸處理。
以上，參照圖式對本發明之實施方式進行了說明。但本發明並不限於上述實施方式，可於不脫離其主旨之範圍內以各種實施方式來實施。又，藉由使上述實施方式中揭示之複數個構成要素適當組合，能形成各種發明。例如，亦可自實施方式所示之全部構成要素中刪除若干構成要素。進而，亦可使不同實施方式中之構成要素適當組合。為了便於理解，圖式於主體上模式性地表示各個構成要素，圖示之各構成要素之厚度、長度、個數、間隔等亦有時會與實際不同以便製作圖式。又，上述實施方式所示之各構成要素之材質、形狀、尺寸等僅為一例，並不特別限定，可於實質上不偏離本發明之效果之範圍施以各種變更。  [產業上之可利用性]
本發明適宜用於基板處理裝置及基板處理方法。
10A:流體櫃 10B:流體箱 100:基板處理裝置 101:控制裝置 102:控制部 104:記憶部 110:基板處理單元 112:腔室 112a:腔室之窗部 112b:腔室之窗部 120:基板保持部 121:旋轉基座 122:夾固構件 123:軸 124:電動馬達 125:殼體 130:處理液供給部 130a:第1處理液供給部 130b:第2處理液供給部 132:配管 132a:配管 132b:配管 134:閥 134a:閥 134b:閥 136:噴嘴 136a:噴嘴 136b:噴嘴 138:移動機構 138a:臂 138b:軸部 138c:驅動部 140:近紅外線光源 150:近紅外攝像部 180:杯體 Ax:旋轉軸 CR:中央機器人 L1:處理液 L2:處理液 La:第1處理液 Lb:第2處理液 LP:裝載埠 IR:傳載機器人 TW:塔 W:基板 Wr:基板之背面(下表面) Wt:基板之正面(上表面)
圖1係本實施方式之基板處理裝置之模式圖。  圖2係本實施方式之基板處理裝置中之基板處理單元之模式圖。  圖3係本實施方式之基板處理裝置之方塊圖。  圖4係本實施方式之基板處理方法之流程圖。  圖5係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。  圖6(a)係本實施方式之基板處理裝置中，於可視區域拍攝已被供給處理液之基板所得之攝像圖像之模式圖，(b)係本實施方式之基板處理裝置中，於近紅外區域拍攝已被供給處理液之基板所得之攝像圖像之模式圖，(c)係本實施方式之基板處理裝置中，於近紅外區域拍攝已被供給不同處理液之基板所得之攝像圖像之模式圖。  圖7(a)係本實施方式之基板處理裝置中，於近紅外區域拍攝剛開始被供給處理液之基板所得之攝像圖像之模式圖，(b)係本實施方式之基板處理裝置中，於近紅外區域拍攝處理液在上表面擴散之基板所得之攝像圖像之模式圖，(c)係本實施方式之基板處理裝置中，於近紅外區域拍攝整個上表面被處理液被覆之基板所得之攝像圖像之模式圖。  圖8係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。  圖9係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。  圖10係本實施方式之基板處理裝置中之基板處理單元之模式圖。  圖11係本實施方式之基板處理裝置中之基板處理單元之模式圖。  圖12(a)係本實施方式之基板處理裝置中，拍攝被供給第1處理液之基板所得之攝像圖像之模式圖，(b)係本實施方式之基板處理裝置中，拍攝已停止第1處理液之供給而開始第2處理液之供給的基板所得之攝像圖像之模式圖，(c)係本實施方式之基板處理裝置中，拍攝被供給第2處理液之基板所得之攝像圖像之模式圖。  圖13係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。  圖14係本實施方式之基板處理方法中之基板處理步驟之流程圖。
101:控制裝置
102:控制部
104:記憶部
110:基板處理單元
112:腔室
120:基板保持部
121:旋轉基座
122:夾固構件
123:軸
124:電動馬達
125:殼體
130:處理液供給部
132:配管
134:閥
136:噴嘴
138:移動機構
138a:臂
138b:軸部
138c:驅動部
140:近紅外線光源
150:近紅外攝像部
180:杯體
Ax:旋轉軸
W:基板
Wr:基板之背面(下表面)
Wt:基板之正面(上表面)

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：  腔室；  基板保持部，其於上述腔室內保持基板且使上述基板旋轉；  處理液供給部，其向上述基板之上表面供給處理液；  近紅外線光源，其向上述腔室內照射近紅外線；  近紅外攝像部，其生成拍攝被來自上述近紅外線光源之上述近紅外線照射之上述腔室內之上述處理液而得之攝像圖像；及  控制部，其基於上述攝像圖像而特定出上述腔室內之上述處理液之外緣。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述控制部基於上述攝像圖像而特定出上述處理液之種類。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述近紅外攝像部拍攝自上述處理液供給部供給至上述基板之上述上表面之上述處理液。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述控制部基於上述攝像圖像，而對上述處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述處理液供給部包含：  第1處理液供給部，其向上述基板供給第1處理液；及  第2處理液供給部，其向上述基板供給第2處理液；且  在停止自上述第1處理液供給部供給至上述基板之上述第1處理液之供給之後開始自上述第2處理液供給部向上述基板供給上述第2處理液後，上述控制部基於上述攝像圖像而對上述第2處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於上述腔室之外部。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於隔著上述腔室而對向之位置。
  8. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於上述腔室之內部。
  9. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述處理液供給部包含配管及噴嘴，且  上述近紅外攝像部拍攝位於上述配管及上述噴嘴中之至少一者之上述處理液。
  10. 一種基板處理方法，其包含如下步驟：  於腔室內保持基板且使上述基板旋轉；  於上述腔室內向上述基板之上表面供給處理液；  向上述腔室內照射近紅外線；  生成拍攝被上述近紅外線照射之上述腔室內之上述處理液而得之攝像圖像；及  基於上述攝像圖像而特定出上述腔室內之上述處理液之外緣。
  11. 如請求項10之基板處理方法，其進而包含如下步驟：基於上述攝像圖像而特定出上述處理液之種類。
  12. 如請求項10或11之基板處理方法，其中於生成上述攝像圖像之步驟中，拍攝供給至上述基板之上述上表面之上述處理液。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其進而包含如下步驟：對上述處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
  14. 如請求項10或11之基板處理方法，其中供給上述處理液之步驟包含如下步驟：  向上述基板供給第1處理液；及  向上述基板供給第2處理液；且  上述基板處理方法進而包含如下步驟：在停止供給至上述基板之上述第1處理液之供給之後開始向上述基板供給上述第2處理液後，基於上述攝像圖像而對上述第2處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
  15. 如請求項10或11之基板處理方法，其中於生成上述攝像圖像之步驟中，拍攝位於用以供上述處理液流通之配管及噴嘴中之至少一者之上述處理液。
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