JP6472859B1 - 位置検出装置、および、蒸着装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wの平坦部Wp1で反射された光による第1像と、平坦部Wp1につながるベベル部Wp2で反射された光による第2像とを撮影する撮影部11と、第1像と第2像とのコントラストに基づく平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を基板Wの外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部から基板Wの位置を特定する画像処理部12と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板の位置について検出精度を向上可能とした位置検出装置、および、蒸着装置を提供することを目的とする。
[位置検出装置]
図1が示すように、基板Wは、表面WFと裏面WRとを備える。表面WFの外周部Wpは、平坦部Wp1とベベル部Wp2とを備え、裏面WRの外周部Wpもまた、平坦部Wp1とベベル部Wp2とを備える。
外形用カメラ11は、例えば、CCDカメラであって、撮影部の一例である。外形用カメラ11の撮影範囲11Zは、平坦部Wp1の一部と、該一部につながるベベル部Wp2とを含む大きさである。なお、基板Wの搬送に際しては、搬送後の位置とその目標位置との差異である搬送精度が、所定の範囲内に設定されている。外形用カメラ11の撮影範囲11Zは、こうした範囲よりも十分に大きい。
図2が示すように、画像PICは、基板Wの像PICWと、基板Wの背景像PICBとを含む。基板Wの像PICWのなかで、相対的に明度の高い部分が、平坦部Wp1の像、すなわち、第1像PIC1である。これに対して、基板Wの像PICWのなかで、相対的に明度の低い部分が、ベベル部Wp2の像、すなわち、第2像PIC2である。基板Wの背景像PICBにおける明度は、第1像PIC1の明度よりも低く、かつ、第2像PIC2の明度よりも高い。
図3を参照して、上記位置検出装置を搭載した蒸着装置20を説明する。なお、蒸着装置20は一例であり、搬送部の一例であるEFEM23と蒸着チャンバー24とを備えていればよい。また、以下の例では、EFEM23は、表面位置特定処理、および、裏面位置特定処理に用いられる。蒸着チャンバー24は、別の裏面位置特定処理に用いられる。
図4、および、図5を参照して、EFEM23の構成を説明する。以下では、EFEM23の構成のなかで、検出機構30の構成を主に説明する。
図4が示すように、検出機構30は、ステージ31、複数のマークカメラ11M、および、複数のロードカメラ11Lを備える。以下では、3台のマークカメラ11M、および、3台のロードカメラ11Lを備える例を説明する。
図6、および、図7を参照して、蒸着チャンバー24の構成を説明する。以下では、蒸着チャンバー24の構成のなかで、基板Wに蒸着を行うための機構である蒸着機構の構成を主に説明する。
図8を参照して、制御装置20Cが行う表面位置特定処理、裏面位置特定処理、および、位置合わせ処理を説明する。
[表面位置特定処理]
まず、制御装置20Cは、表面位置特定処理において、ステージ31の定める配置領域WAに基板Wを配置させる。次いで、図8が示すように、制御装置20Cは、基板マークWmを含む表面WFの画像PICMを各マークカメラ11Mに撮影させる。そして、制御装置20Cは、各マークカメラ11Mが撮影した画像PICMをEFEM23から取得する。制御装置20Cは、各マークカメラ11Mが撮影した画像PICMを用い、例えば、パターン中心を中心とする仮想円が各基板マークWmを通るように、パターン中心の位置を算出する。
まず、制御装置20Cは、EFEM23での裏面位置特定処理において、ステージ31に載置された基板Wの裏面WRに光を照射し、平坦部Wp1で反射した光による第1像PIC1と、ベベル部Wp2で反射した光による第2像PIC2とを含む画像PICLをロードカメラ11Lに撮影させる。次いで、制御装置20Cは、ロードカメラ11Lが撮影した画像PICLをEFEM23から取得する。
まず、制御装置20Cは、蒸着チャンバー24での裏面位置特定処理において、基板ホルダー42の定める配置領域WAに基板Wを配置させる。次いで、制御装置20Cは、基板Wの裏面WRに光を照射し、平坦部Wp1で反射した光による第1像PIC1と、ベベル部Wp2で反射した光による第2像PIC2とを含む画像PICVを蒸着カメラ11Vに撮影させる。
まず、制御装置20Cは、例えば、1枚目の基板Wについて、EFEM23での撮影によるパターン中心と第1基板中心とを用い、パターン中心と第1基板中心とのずれ量(Δx,Δy,Δθ)を算出する。
(1)平坦部Wp1で反射された光による第1像PIC1と、ベベル部Wp2で反射された光による第2像PIC2とのコントラストに基づくこれらの境界から、基板Wの位置を検出するため、基板Wの位置を検出する精度を向上することが可能となる。
・位置検出装置は、抽出された平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の位置のみから基板Wの位置を特定する。これを変更して、位置検出装置は、抽出された平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の位置と、基板Wの位置を特定するための他の情報とを用い、基板Wの位置を特定することも可能である。基板Wの位置を特定するための他の情報は、基板Wが備えるノッチなどの特徴点の位置や、基板Wの回転角度などである。
例えば、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状は、微視的には、ベベル部Wp2の加工ごと、すなわち、基板Wごとに異なり、各基板Wにおいて固有の形状である場合がある。外周部Wpのなかの1箇所の境界から基板Wの位置を特定する構成では、まず、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状を、基板Wの全体にわたり、全周形状として予め収集する。そして、抽出された平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状が、全周形状のなかのどの部位であるかを特定することによって、基板Wの位置を特定する。
Claims (3)
- 基板の平坦部で反射された光による第1像と、前記平坦部につながるベベル部で反射された光による第2像とを撮影する撮影部と、
前記第1像と前記第2像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部から前記基板の位置を特定する画像処理部と、を備え、
前記撮影部は第1撮影部であり、
前記基板は、基板マークを含む表面と、裏面とを含み、
前記表面と対向して前記基板マークを撮影する第2撮影部をさらに備え、
前記第1撮影部は、前記裏面と対向して前記第1像および前記第2像を撮影し、前記外形の一部から特定された前記基板の位置が、裏面位置であり、
前記画像処理部は、前記第2撮影部の撮影した基板マークの位置から前記基板の位置である表面位置を特定し、前記表面位置と前記裏面位置とのずれ量を算出する
位置検出装置。 - 基板の位置を検出する位置検出装置と、
前記基板の表面と対向する蒸着源と、
前記表面と前記蒸着源との間に位置する蒸着マスクと、を備え、
前記位置検出装置は、
前記基板の裏面での平坦部で反射された光による第1像と、前記平坦部につながるベベル部で反射された光による第2像とを撮影する撮影部と、
前記第1像と前記第2像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部から前記基板の位置を特定する画像処理部と、を備え、
前記撮影部は第1撮影部であり、
前記基板は、基板マークを含む表面と、前記裏面とを含み、
前記表面と対向して前記基板マークを撮影する第2撮影部をさらに備え、
前記第1撮影部は、前記裏面と対向して前記第1像および前記第2像を撮影し、前記外形の一部から特定された前記基板の位置が、裏面位置であり、
前記画像処理部は、前記第2撮影部の撮影した基板マークの位置から前記基板の位置で
ある表面位置を特定し、前記表面位置と前記裏面位置とのずれ量を算出する
蒸着装置。 - 前記位置検出装置である第1位置検出装置を備える搬送部と、
第2位置検出装置を搭載した蒸着チャンバーと、を備え、
前記裏面位置は、第1裏面位置であり、
前記第2位置検出装置は、
前記裏面の平坦部で反射された光による第3像と、前記裏面の平坦部につながるベベル部で反射された光による第4像とを撮影する第2撮影部と、
前記第3像と前記第4像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部から前記基板の位置である第2裏面位置を特定し、かつ、前記第2裏面位置と前記ずれ量とから、前記蒸着チャンバーでの前記表面位置を推定する第2画像処理部と、を備え、
前記蒸着マスクは、前記表面と対向する側面にマスクマークを備え、
前記第2撮影部は、前記裏面と対向する方向から前記マスクマークを撮影し、
前記第2画像処理部は、前記第2撮影部の撮影したマスクマークの位置から前記蒸着マスクの位置を特定し、該蒸着マスクの位置に対する、前記第2画像処理部で推定された前記表面位置の相対位置を算出する
請求項2に記載の蒸着装置。
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