JP2014027319A - 基板処理装置および検査周辺露光システム - Google Patents

Abstract

【課題】液浸法による露光処理時に露光装置に不具合が生じることが防止された基板処理装置および検査周辺露光システムを提供する。
【解決手段】エッジ露光部ＥＥＷは、投光部５１０、投光部保持ユニット５２０、基板回転ユニット５４０、外周端部検出ユニット５５０および表面検査処理ユニット５８０を備える。投光部保持ユニット５２０の各部の動作により投光部５１０がＸ方向およびＹ方向に移動する。投光部５１０はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Ｗの周縁部に照射する。外周端部検出ユニット５５０のＣＣＤラインセンサ５５３の受光量分布に基づいて、エッジサンプリング処理が行われる。表面検査処理ユニット５８０のＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、表面検査処理が行われる。
【選択図】図８

Description

本発明は、基板処理装置および検査周辺露光システムに関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

例えば、特許文献１に記載された基板処理装置は、複数の処理ブロックを備えている。各処理ブロックには、複数の熱処理部、複数の薬液処理部および搬送機構が設けられている。各処理ブロック内においては、搬送機構により基板が熱処理部および薬液処理部に搬送される。そして、熱処理部および薬液処理部において基板に所定の処理が行われる。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。

特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

露光処理前には、上記特許文献１に示されるような基板処理装置によって、基板に対して種々の成膜処理が施される。この成膜処理の過程で、基板に形成される膜の表面が不均一な状態になる場合がある。

上記特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が供給されるが、ここで、基板の表面が不均一な状態であると、投影光学系と基板との間で液体が保持されず、液体が基板の外方に流出することがある。

液体が基板の外方に流出した場合、流出した液体により露光装置の故障または動作不良が発生することがある。また、露光装置内の温度が変化することもある。その場合、露光装置の復旧に多大な労力および時間が必要になる。

また、液浸法を用いない露光装置においても、基板の表面が不均一な状態であると、基板の部分によって露光処理後の状態にばらつきが生じる。それにより、基板の処理不良が発生する。したがって、基板処理装置における処理が終了した後に、このような基板を回収するための煩雑な作業が必要になる。

本発明の目的は、基板の表面状態が正常でないことに起因する不具合を防止することが可能な基板処理装置および検査周辺露光システムを提供することである。

第１の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像ユニットと、膜形成ユニットによる感光性膜の形成後で露光装置による露光処理前に、基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理を行う検査周辺露光ユニットと、検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定する制御部と、膜形成ユニット、現像ユニット、検査周辺露光ユニットおよび露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、検査周辺露光ユニットは、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、基板保持回転装置により回転される基板の表面状態を検出する表面状態検出部と、基板保持回転装置により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する露光用光照射部とを含み、表面状態検出部は、基板保持回転装置により回転される基板の表面の半径方向に沿った帯状の半径領域の全体に光を照射する光照射部と、基板の半径領域で反射された光を受ける受光部とを有し、制御部は、受光部による受光量分布に基づいて、基板の表面全体での反射光の明るさの分布を表す表面画像データを作成し、作成された表面画像データに基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定するものである。

光照射部は、基板保持回転装置により保持される基板の上方で一方向に延びるように設けられ、半径領域は、一方向に平行であってもよい。

光照射部の一方向における長さは、基板の半径よりも大きくてもよい。

受光部は、電荷結合素子ラインセンサを含んでもよい。

表面画像データは矩形状を有し、表面画像データの縦軸は、基板保持回転装置により保持される基板の半径方向に対応し、表面画像データの横軸は、基板保持回転装置により回転される基板の回転方向に対応してもよい。

制御部は、矩形状の表面画像データを円形状に補正し、基板処理装置は、円形状に補正された表面画像データを表示する表示部をさらに備えてもよい。

制御部は、表面状態が正常であると判定された場合に、当該基板の周縁部に露光用の光を照射するように露光用光照射部を制御してもよい。

検査周辺露光ユニットは、基板保持回転装置により回転される基板の外周端部の位置を検出する外周端部検出部をさらに含み、露光用光照射部は、外周端部検出部により検出された外周端部の位置に基づいて基板保持回転装置により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射してもよい。

第２の発明に係る検査周辺露光システムは、基板の表面状態の検査および基板の周縁部の露光処理を行う検査周辺露光ユニットと、検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定する制御部とを備え、検査周辺露光ユニットは、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、基板保持回転装置により回転される基板の表面状態を検出する表面状態検出部と、基板保持回転装置により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する露光用光照射部とを備え、表面状態検出部は、基板保持回転装置により回転される基板の表面の半径方向に沿った帯状の半径領域の全体に光を照射する光照射部と、基板の半径領域で反射された光を受ける受光部とを含み、制御部は、受光部による受光量分布に基づいて、基板の表面全体での反射光の明るさの分布を表す表面画像データを作成し、作成された表面画像データに基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定するものである。

参考形態に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像ユニットと、膜形成ユニットによる感光性膜の形成後で露光装置による露光処理前に、基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理を行う検査周辺露光ユニットと、膜形成ユニット、現像ユニット、検査周辺露光ユニットおよび露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備えたものである。

その基板処理装置においては、膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成され、検査周辺露光ユニットにより基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理が行われる。露光装置において基板上の感光性膜に露光処理が行われた後、現像ユニットにより基板上の感光性膜に現像処理が行われる。

この場合、検査周辺露光ユニットにおける検査結果に基づいて、搬送装置による基板の搬送経路を制御することができる。それにより、表面状態が正常でない基板を露光装置に搬送せず、表面状態が正常である基板のみを露光装置に搬送することができる。

したがって、露光装置において基板上に液体が供給される場合に、その液体が基板上に保持されずに基板の外方に流出することを防止することができる。その結果、流出した液体による露光装置の故障および動作不良を防止することができる。また、流出した液体による露光装置内の温度変化を防止することができる。

また、表面状態が正常でない基板を表面状態が正常な基板と区別して回収することができる。表面状態が正常でない基板は処理不良が発生しやすい。そこで、そのような基板を表面状態が正常な基板と区別して回収することにより、露光処理後に処理不良が発生した基板を検出して回収する場合に比べて、回収作業が容易になる。

また、基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理が共通の検査周辺露光ユニットにおいて行われるため、基板処理装置の大型化および製造コストの増大が抑制される。また、基板の搬送工程が増加しないので、基板処理装置におけるスループットの低下を防止することができる。

基板処理装置は、検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定し、正常であると判定された基板を露光装置に搬送し、正常でないと判定された基板を露光装置に搬送しないように搬送装置を制御する制御部をさらに備えてもよい。

この場合、表面状態が正常であると判定された基板のみが搬送装置により露光装置に搬送されるので、露光装置において、基板上に供給される液体が基板上に保持されずに基板の外方に流出することが防止される。したがって、流出した液体による露光装置の故障および動作不良が防止される。また、流出した液体による露光装置内の温度変化が防止される。

基板処理装置は、制御部により正常でないと判定された基板を収容する収容部をさらに備えてもよい。

この場合、正常でないと判定された基板を収容部において待機させることができる。それにより、正常でないと判定された基板の搬送のタイミングを調整することができる。

基板処理装置は、収容容器が載置される容器載置部をさらに備え、制御部は、収容容器から基板を順に取り出すように搬送装置を制御するとともに、露光装置による露光処理および現像ユニットによる現像処理が行われた基板および収容部に収容された基板を取り出しの順序と同じ順序で収容容器に収容するように搬送装置を制御してもよい。

この場合、表面状態が正常でない基板が露光装置に搬送されることを防止しつつ、複数の基板の処理履歴を容易に管理することが可能になる。

基板処理装置は、処理部と、処理部と露光装置との間に配置され、露光装置に対して基板を搬入および搬出する受け渡し部とをさらに備え、膜形成ユニットおよび現像ユニットは処理部に設けられ、検査周辺露光ユニットは処理部および受け渡し部の少なくとも一方に設けられ、搬送装置は、処理部において基板を搬送する処理部用搬送機構と、受け渡し部において基板を搬送する受け渡し部用搬送機構とを含んでもよい。

この場合、処理部用搬送機構および受け渡し部用搬送機構が互いに並行して基板の搬送動作を行うことができる。それにより、基板処理装置におけるスループットの向上が可能になる。

処理部は、第１の階層および第２の階層を含み、膜形成ユニットは、第１の階層に設けられる第１の膜形成ユニットと、第２の階層に設けられる第２の膜形成ユニットとを含み、現像ユニットは、第１の階層に設けられる第１の現像ユニットと、第２の階層に設けられる第２の現像ユニットとを含み、検査周辺露光ユニットは、第１の階層に設けられる第１の検査周辺露光ユニットと、第２の階層に設けられる第２の検査周辺露光ユニットとを含み、処理部用搬送機構は、第１の階層に設けられ、第１の階層において基板を搬送する第１の搬送機構と、第２の階層に設けられ、第２の階層において基板を搬送する第２の搬送機構とを含んでもよい。

この場合、第１の階層の第１の膜形成ユニット、第１の現像ユニット、第１の検査周辺露光ユニットおよび第１の搬送機構による基板の処理および搬送と、第２の階層の第２の膜形成ユニット、第２の現像ユニット、第２の検査周辺露光ユニットおよび第２の搬送機構による基板の処理および搬送とを並行して行うことができる。それにより、基板処理装置におけるスループットのさらなる向上が可能となる。

また、第１および第２の検査周辺露光ユニットの一方において表面状態が正常でない基板が発生した場合に、第１および第２の階層の一方の動作を停止してメンテナンスを行いつつ、他方の動作を継続させて基板の処理を行うことができる。

制御部は、第１の検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定し、正常であると判定された基板を受け渡し部に搬送するように第１の搬送機構を制御し、正常でないと判定された基板を受け渡し部に搬送しないように第１の搬送機構を制御し、第２の検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定し、正常であると判定された基板を受け渡し部に搬送するように第２の搬送機構を制御し、正常でないと判定された基板を受け渡し部に搬送しないように第２の搬送機構を制御してもよい。

この場合、第１の検査周辺露光ユニットにおいて表面状態が正常であると判定された基板のみが第１の搬送機構により受け渡し部に搬送され、第２の検査周辺露光ユニットにおいて表面状態が正常であると判定された基板のみが第２の搬送機構により受け渡し部に搬送される。それにより、表面状態が正常であると判定された基板のみが受け渡し部により露光装置に渡される。

それにより、露光装置において基板上に液体が供給される場合に、その液体が基板上に保持されずに基板の外方に流出することが防止される。したがって、流出した液体による露光装置の故障および動作不良が防止される。また、流出した液体による露光装置内の温度変化が確実に防止される。

また、表面状態が正常でない基板を表面状態が正常な基板と区別して回収することができる。それにより、露光処理後に処理不良が発生した基板を検出して回収する場合に比べて、回収作業が容易になる。

検査周辺露光ユニットは、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、基板保持回転装置により回転される基板の外周端部の位置を検出する外周端部検出部と、基板保持回転装置により回転される基板の表面状態を検出する表面状態検出部と、外周端部検出部により検出された外周端部の位置に基づいて基板保持回転装置により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する露光用光照射部とを備えてもよい。

この場合、共通の基板保持回転装置により基板が回転される状態で、外周端部検出部による基板の外周端部の位置の検出、表面状態検出部による基板の表面状態の検出、および露光用光照射部による基板の周縁部への露光用の光の照射が行われる。それにより、簡単な構成で基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理を行うことができる。

表面状態検出部は、外周端部検出部により外周端部の位置が検出されているときに基板の表面状態を検出するように構成されてもよい。

この場合、検査周辺露光ユニットにおける検査および処理にかかる時間を短くすることができる。それにより、基板処理装置におけるスループットの向上が可能となる。

参考形態に係る基板処理システムは、１または複数の上記基板処理装置と、１または複数の基板処理装置に接続されるホストコンピュータとを備え、１または複数の基板処理装置の各々における検査周辺露光ユニットの検査結果をホストコンピュータに送信するように構成されたものである。

その基板処理システムの各基板処理装置においては、膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成され、検査周辺露光ユニットにより基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理が行われる。露光装置において基板上の感光性膜に露光処理が行われた後、現像ユニットにより基板上の感光性膜に現像処理が行われる。

この場合、検査周辺露光ユニットにおける検査結果に基づいて、搬送装置による基板の搬送経路を制御することができる。それにより、表面状態が正常でない基板を露光装置に搬送せず、表面状態が正常である基板のみを露光装置に搬送することができる。

したがって、露光装置において基板上に液体が供給される場合に、その液体が基板上に保持されずに基板の外方に流出することを防止することができる。その結果、流出した液体による露光装置の故障および動作不良を防止することができる。また、流出した液体による露光装置内の温度変化を防止することができる。

また、表面状態が正常でない基板を表面状態が正常な基板と区別して回収することができる。表面状態が正常でない基板は処理不良が発生しやすい。そこで、そのような基板を表面状態が正常な基板と区別して回収することにより、露光処理後に処理不良が発生した基板を検出して回収する場合に比べて、回収作業が容易になる。

また、基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理が共通の検査周辺露光ユニットにおいて行われるため、基板処理装置の大型化および製造コストの増大が抑制される。また、基板の搬送工程が増加しないので、基板処理装置におけるスループットの低下を防止することができる。

また、各基板処理装置の検査周辺露光ユニットにおける検査結果がホストコンピュータに送信される。それにより、ユーザが各基板処理装置の検査周辺露光ユニットにおける検査結果を容易に確認することが可能になるとともに、各基板処理装置の検査結果を集中的に管理することが可能になる。

参考形態に係る検査周辺露光装置は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、基板保持回転装置により回転される基板の外周端部の位置を検出する外周端部検出部と、基板保持回転装置により回転される基板の表面状態を検出する表面状態検出部と、外周端部検出部により検出された外周端部の位置に基づいて基板保持回転装置により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する露光用光照射部とを備えるものである。

その検査周辺露光装置においては、基板保持回転装置により基板が保持されつつ回転される。その状態で、外周端部検出部により基板の外周端部の位置が検出され、表面状態検出部により基板の表面状態が検出される。また、外周端部検出部により検出された外周端部の位置に基づいて露光用光照射部により基板の周縁部に露光用の光が照射される。

露光装置による露光処理の前にこの検査周辺露光装置を用いた場合、表面状態の検出結果に基づいて、表面状態が正常でない基板を露光装置に搬送せず、表面状態が正常である基板のみを露光装置に搬送することができる。

それにより、露光装置において基板上に液体が供給される場合に、その液体が基板上に保持されずに基板の外方に流出することを防止することができる。その結果、流出した液体による露光装置の故障および動作不良を防止することができる。また、流出した液体による露光装置内の温度変化を防止することができる。

また、表面状態が正常でない基板を表面状態が正常な基板と区別して回収することができる。表面状態が正常でない基板は処理不良が発生しやすい。そこで、そのような基板を表面状態が正常な基板と区別して回収することにより、露光処理後に処理不良が発生した基板を検出して回収する場合に比べて、回収作業が容易になる。

また、基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理が共通の検査周辺露光装置において行われるため、各々の処理が別個の装置において行われる場合に比べて、処理コストの増大および設置スペースの増大が防止される。

また、共通の基板保持回転装置により基板が回転される状態で、外周端部検出部による基板の外周端部の位置の検出、表面状態検出部による基板の表面状態の検出、および露光用光照射部による基板の周縁部への露光用の光の照射が行われる。それにより、簡単な構成で基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理を行うことができる。

表面状態検出部は、外周端部検出部により外周端部の位置が検出されているときに基板の表面状態を検出するように構成されてもよい。

この場合、検査周辺露光ユニットにおける基板の検査および処理にかかる時間を短くすることができる。

本発明によれば、露光装置において、基板上に供給される液体が基板上に保持されずに基板の外方に流出することを防止することができる。その結果、流出した液体による露光装置の故障および動作不良を防止することができる。また、流出した液体による露光装置内の温度変化を防止することができる。

また、表面状態が正常でない基板を表面状態が正常な基板と区別して回収することができるので、露光処理後に処理不良が発生した基板を検出して回収する場合に比べて、回収作業が容易になる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。 図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 搬送部を−Ｙ方向側から見た図である。 搬送機構を示す斜視図である。 洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。 エッジ露光部の一側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の他の側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の模式的平面図である。 エッジ露光部の各構成要素と制御部との関係を示すブロック図である。 表面画像データの作成方法について説明するための図である。 エッジ露光部における制御部の動作を示すフローチャートである。 インターフェイスブロックの他の例を示す模式的側面図である。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および検査周辺露光システムについて図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理システムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を含む基板処理システムの模式的平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００およびホストコンピュータ８００を備える。

基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。また、制御部１１４は、有線通信または無線通信によりホストコンピュータ８００に接続されている。制御部１１４とホストコンピュータ８００との間で種々のデータの送受信が行われる。

搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。

搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、制御部１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。

メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部（後述の図１１参照）が設けられている。ユーザは、操作部を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図５参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。第２の処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。なお、露光装置１５の基板搬入部１５ａおよび基板搬出部１５ｂは、水平方向に隣接するように配置されてもよく、または上下に配置されてもよい。

ここで、搬入搬出ブロック１４Ｂは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに対して＋Ｙ方向および−Ｙ方向に移動可能に設けられる。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時には、搬入搬出ブロック１４Ｂを＋Ｙ方向または−Ｙ方向に移動させることにより、作業スペースを確保することができる。なお、搬入搬出ブロック１４Ｂは、他のブロックに比べて軽量であり、容易に移動させることができる。

なお、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａでは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２において多量の液体（例えば洗浄液およびリンス液）を用いる。そのため、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、液体を供給するための用力設備に確実に接続する必要がある。一方、搬入搬出ブロック１４Ｂでは、液体をほとんど使用しない。そのため、搬入搬出ブロック１４Ｂは、用力設備に簡易的に接続することができる。すなわち、搬入搬出ブロック１４Ｂは、用力設備に対する切り離しおよび再接続を容易に行うことができる。

これらにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時に、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを移動させずに搬入搬出ブロック１４Ｂのみを移動させることで、作業者の労力および作業時間を大幅に軽減することができる。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を＋Ｙ方向側から見た図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、レジストカバー膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

なお、図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２つのカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３つのカップ３７を有するが、塗布処理ユニット１２９が３つのカップ２７を有してもよく、または現像処理ユニット１３９が２つのカップ３７を有してもよい。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

なお、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および基板Ｗの端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。ここで、基板Ｗの裏面とは、回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面の反対側の面をいう。

図２に示すように、塗布処理室２１〜２４，３２，３４において塗布処理ユニット１２９の上方には、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の上方には、現像処理室３１，３３内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４７が設けられる。

また、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の下部には、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４８が設けられる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。

（３）熱処理部の構成
図３は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を−Ｙ方向側から見た図である。

図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの表面状態の検査が行われ、その検査で表面状態が正常であると判定された基板Ｗについて、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの表面において基板Ｗの外周端部に沿った一定幅の領域をいう。

基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

エッジ露光部ＥＥＷにおいて、表面状態が正常でないと判定された基板Ｗには、エッジ露光処理が行われない。エッジ露光部ＥＥＷの詳細については後述する。

なお、本実施の形態において、基板Ｗの表面状態とは、基板Ｗ上に形成されるレジストカバー膜の状態を意味する。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（４）搬送部の構成
（４−１）概略構成
図４は、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。図５は、搬送部１２２，１３２，１６３を−Ｙ方向側から見た図である。

図４および図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図４に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。

図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

なお、図５の例では、基板載置部ＰＡＳＳ９が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ９を用いてもよい。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。

また、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方に上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方に下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

同様に、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方に上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方に下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

これにより、上段搬送室１２５，１３５および下段搬送室１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの搬送部１６３内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂ内の上部には、給気ユニット４６が設けられる。給気ユニット４５，４６には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。それにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂ内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（４−２）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図６は、搬送機構１２７を示す斜視図である。

図５および図６に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図５に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図５および図６に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図５）および上段熱処理部３０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、図５に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

（５）洗浄乾燥処理ブロックの構成
図７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。

図７に示すように、搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３，Ｈ４を有し、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ５，Ｈ６を有する。

搬送機構１４１の＋Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が階層的に設けられ、
搬送機構１４２の−Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が階層的に設けられる。搬送機構１４１，１４２の間において、−Ｘ側には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が上下に設けられる。

また、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。

（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図５を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図５）に搬送する。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。

（６−２）第１の処理ブロック１２の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第１の処理ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７，１２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）から密着強化処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている密着強化処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置する。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に搬送する。

搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による
基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処
理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、塗布処理室２２における反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、反射防止膜の形成前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（６−３）第２の処理ブロック１３の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第２の処理ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７，１３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジストカバー膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているレジストカバー膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ（図３）からエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。上記のように、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの表面状態の検査が行われ、その検査で表面状態が正常であると判定された基板Ｗに対してのみエッジ露光処理が行われる。

ここで、本実施の形態では、エッジ露光部ＥＥＷにおける検査で表面状態が正常であると判定された基板Ｗに対する各構成要素の動作と、表面状態が正常でないと判定された基板Ｗに対する各構成要素の動作とが、互いに異なる。

ここでは、表面状態が正常であると判定された基板Ｗ、すなわち、エッジ露光処理が行われる基板Ｗに対する各構成要素の動作が示される。表面状態が正常でないと判定された基板Ｗに対する各構成要素の動作については後述する。

搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する上段熱処理部３０１（図４）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）に載置する。

搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８，載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５）、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２
の処理ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、現像処理室３１における基板Ｗの現像処理の前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に現像処理を行うことが可能であれば、現像処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（６−４）洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作
以下、図５および図７を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図７）は、搬送機構１３７（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。

このように、搬送機構１４１は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに交互に搬送する。

ここで、キャリア１１３（図５）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図５）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理速度と、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。

また、搬送機構１２７（図５）の動作速度と搬送機構１２８（図５）の動作速度とは略等しい。また、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２（図２）および上段熱処理部３０３（図３）における基板Ｗの処理速度と、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１３７（図５）の動作速度と搬送機構１３８（図５）の動作速度とは略等しい。

したがって、上記のように、搬送機構１４１（図７）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図５）から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。

搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

次に、搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ＰＥＢ処理が行われる。

このように、搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図５）は、ハンドＨ７により、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、搬送機構１４６は、ハンドＨ８により、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。

ここで、上述したように、搬送機構１４１（図７）によって載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図５）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２（図７）により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１４１（図７）により、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１３７，１３８（図５）により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。

（７）エッジ露光部の詳細
次に、エッジ露光部ＥＥＷの詳細について説明する。図８はエッジ露光部ＥＥＷの一側面を模式的に示す図であり、図９はエッジ露光部ＥＥＷの他の側面を模式的に示す図である。また、図１０はエッジ露光部ＥＥＷの模式的平面図である。

図８および図９に示すように、エッジ露光部ＥＥＷは、投光部５１０、投光部保持ユニット５２０、基板回転ユニット５４０、外周端部検出ユニット５５０および表面検査処理ユニット５８０を備える。

投光部５１０は、光ファイバケーブル等からなるライトガイドを介して図示しない後述の露光用光源と接続されている。これにより、投光部５１０はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Ｗの周縁部に照射する。以下、基板Ｗ上のレジスト膜を露光するために投光部５１０により基板Ｗに照射される光を露光用光と呼ぶ。

投光部保持ユニット５２０は、Ｘ方向駆動モータ５２１、Ｘ方向ボールネジ５２２、投光部保持ガイド５２３、支柱５２４、Ｙ方向駆動モータ５３１、支柱保持ガイド５３２およびＹ方向ボールネジ５３３を備える。

投光部保持ガイド５２３は、投光部５１０をＸ方向に移動可能に保持する。また、Ｘ方向ボールネジ５２２は、投光部５１０に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｘ方向ボールネジ５２２は、Ｘ方向に延びるように設けられており、Ｘ方向駆動モータ５２１の動作に伴って矢印Ｒ１の方向に回転する。Ｘ方向ボールネジ５２２が回転することにより、投光部５１０がＸ方向に移動する。

Ｘ方向駆動モータ５２１および投光部保持ガイド５２３は、支柱５２４により所定の高さに支持されている。支柱５２４の下端部は支柱保持ガイド５３２により保持されている。支柱保持ガイド５３２は、支柱５２４をＹ方向に移動可能に保持する。また、Ｙ方向ボールネジ５３３は、支柱５２４に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｙ方向ボールネジ５３３は、Ｙ方向に延びるように設けられており、Ｙ方向駆動モータ５３１の動作に伴って矢印Ｒ３の方向に回転する。Ｙ方向ボールネジ５３３が回転することにより、支柱５２４がＹ方向に移動する。

このように、投光部保持ユニット５２０の各部の動作により、投光部５１０がＸ方向およびＹ方向に移動する。

基板回転ユニット５４０は、基板回転モータ５４１、基板回転軸５４２およびスピンチャック５４３を備える。基板回転軸５４２は、基板回転モータ５４１から上方に突出する。スピンチャック５４３は、基板回転軸５４２の上端に接続されている。エッジ露光処理時には、スピンチャック５４３上に基板Ｗが載置される。スピンチャック５４３は、載置された基板Ｗを吸着保持する。

基板回転モータ５４１は、基板回転軸５４２を矢印Ｒ２の方向に回転させる。それにより、スピンチャック５４３が回転し、スピンチャック５４３により吸着保持された基板Ｗが回転する。

外周端部検出ユニット５５０は、センサ光源５５１、レンズ５５２およびＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサ５５３（図９）を備える。

図９および図１０に示すように、センサ光源５５１およびレンズ５５２は、スピンチャック５４３により吸着保持された基板Ｗの周縁部の上方に配置される。また、基板Ｗの外周端部を挟んでセンサ光源５５１およびレンズ５５２と対向する位置にＣＣＤラインセンサ５５３が配置される。

センサ光源５５１から基板Ｗの外周端部の形状を得るための光（以下、センサ用光と呼ぶ。）が発生される。センサ用光は、レンズ５５２を通過することにより整形され、ＣＣＤラインセンサ５５３に投射される。

ここで、図９および図１０に示すように、ＣＣＤラインセンサ５５３は、基板Ｗの外周端部がＣＣＤラインセンサ５５３の有効画素領域内に位置するように配置されている。これにより、ＣＣＤラインセンサ５５３に投射されるセンサ用光の一部が基板Ｗにより遮られる。したがって、ＣＣＤラインセンサ５５３の受光量分布に基づいて、ＣＣＤラインセンサ５５３上にある基板Ｗの外周端部を検出することができる。本実施の形態では、ＣＣＤラインセンサ５５３の受光量分布に基づいて、後述のエッジサンプリング処理が行われる。

表面検査処理ユニット５８０は、照明部５８１、反射ミラー５８２およびＣＣＤラインセンサ５８３を備える。

図１０に示すように、照明部５８１はＹ方向に沿うように基板Ｗの上方に配置される。なお、照明部５８１のＹ方向の長さは基板Ｗの半径よりも大きく設定される。

反射ミラー５８２は、照明部５８１と対向するように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー５８２の上方にＣＣＤラインセンサ５８３が配置される。ＣＣＤラインセンサ５８３は、画素の配列方向がＹ方向に沿うように配置される。

照明部５８１から基板Ｗの表面状態を検査するための帯状の光（以下、照明光と呼ぶ。）が発生される。照明光は、基板Ｗの半径方向に沿った基板Ｗの表面の帯状の領域（以下、半径領域と呼ぶ）に照射される。照射された照明光は、基板Ｗ上で反射され、さらに反射ミラー５８２上で反射され、ＣＣＤラインセンサ５８３に投射される。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布は、半径領域での反射光の明るさの分布に対応する。

ここで、基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布は、基板Ｗの表面状態によって異なる。具体的には、基板Ｗ上にレジストカバー膜が平坦に形成されていれば、基板Ｗの表面での反射光がほぼ一定の明るさになる。一方、レジストカバー膜に凹凸がある場合、またはレジストカバー膜に孔部（ピンホール）が形成されている場合には、基板Ｗの表面での反射光の明るさに大きなばらつきが生じる。

本実施の形態では、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、後述の表面検査処理が行われる。

図１１は、エッジ露光部ＥＥＷの各構成要素と図１の制御部１１４との関係を示すブロック図である。

図１１に示すように、ＣＣＤラインセンサ５５３，５８３、基板回転モータ５４１、Ｘ方向駆動モータ５２１、Ｙ方向駆動モータ５３１、露光用光源５７０、メインパネルＰＮおよび操作部９０は、制御部１１４にそれぞれ接続されている。

制御部１１４により、ＣＣＤラインセンサ５５３，５８３、基板回転モータ５４１、Ｘ方向駆動モータ５２１、Ｙ方向駆動モータ５３１、露光用光源５７０およびメインパネルＰＮの動作が制御される。また、ＣＣＤラインセンサ５５３，５８３の受光量分布が制御部１１４にそれぞれ与えられる。また、ユーザによる操作部９０の操作情報が制御部１１４に与えられる。

ここで、エッジサンプリング処理および表面検査処理について説明する。

エッジサンプリング処理では、ＣＣＤラインセンサ５５３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの外周端部に形成された位置決め用の切り欠き（オリエンテーションフラットまたはノッチ）および基板Ｗの偏心量が検出される。

上記のように、ＣＣＤラインセンサ５５３の受光量分布に基づいて、ＣＣＤラインセンサ５５３上にある基板Ｗの外周端部の位置を検出することができる。基板Ｗが１回転することにより、基板Ｗの外周端部の全体がＣＣＤラインセンサ５５３上を通過する。基板Ｗが１回転する期間に、ＣＣＤラインセンサ５５３の受光量分布が連続的に制御部１１４に与えられる。これにより、制御部１１４は、基板Ｗの外周端部の形状および基板Ｗの回転中心から基板Ｗの外周端部までの距離を検出することができる。したがって、制御部１１４は、基板Ｗの外周端部の切り欠きおよび基板Ｗの偏心量を検出することができる。

表面検査処理では、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの表面状態（レジストカバー膜の状態）の検査が行われる。

上記のように、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布は、基板Ｗの半径領域での反射光の明るさの分布に対応する。

基板Ｗが１回転することにより、基板Ｗの全体に照明光が照射される。基板Ｗが１回転する期間に、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布が連続的に制御部１１４に与えられる。制御部１１４は、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの表面全体での反射光の明るさの分布を示す表面画像データを作成する。

図１２は、表面画像データの作成方法について説明するための図である。図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）には、基板Ｗ上における照明光の照射状態が順に示され、図１２（ｄ），（ｅ），（ｆ）には、図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）の状態で作成される表面画像データがそれぞれ示される。なお、図１２（ａ）〜（ｃ）において、照明光が照射された基板Ｗ上の領域にハッチングが付される。

図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板Ｗ上の半径領域Ｔ１に継続的に照明光が照射されつつ基板Ｗが回転する。それにより、基板Ｗの周方向に連続的に照明光が照射される。基板Ｗが１回転すると、基板Ｗの表面の全体に照明光が照射される。

基板Ｗが１回転する期間に連続的に得られるＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、図１２（ｄ）〜（ｆ）に示すように、矩形の表面画像データＤ１が作成される。

表面画像データＤ１の縦軸は、ＣＣＤラインセンサ５８３の各画素の位置に対応し、表面画像データＤ１の横軸は、基板Ｗの回転角度に対応する。

この場合、一時点でのＣＣＤラインセンサ５８３の各画素の受光量が表面画像データＤ１の縦軸に沿って表される。すなわち、基板Ｗの半径領域Ｔ１での反射光の明るさの分布が表面画像データＤ１の縦軸に沿って表される。

また、基板Ｗの回転に伴うＣＣＤラインセンサ５８３の各画素の受光量の変化が表面画像データＤ１の横軸に沿って表される。すなわち、基板Ｗの周方向における基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布が表面画像データＤ１の横軸に沿って表される。

基板Ｗが１回転した時点で、基板Ｗの表面全体での反射光の明るさの分布が１つの矩形の表面画像データＤ１として得られる。

図１３は、エッジ露光部ＥＥＷにおける制御部１１４の動作を示すフローチャートである。ここでは、上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷにおける制御部１１４の動作について説明する。

まず、制御部１１４は、搬送機構１３７（図１）によりスピンチャック５４３上に基板Ｗを載置し、スピンチャック５４３によりその基板Ｗを吸着保持する（ステップＳ１）。

次に、制御部１１４は、スピンチャック５４３により基板Ｗを１回転させる（ステップＳ２）。基板Ｗが１回転する期間に、制御部１１４は、上記のエッジサンプリング処理および表面検査処理を行う（ステップＳ３，Ｓ４）。

次に、制御部１１４は、作成した表面画像データＤ１を図１のホストコンピュータ８００に送信する（ステップＳ５）。ホストコンピュータ８００は、制御部１１４からの表面画像データＤ１を記憶する。ユーザは、ホストコンピュータ８００またはそのホストコンピュータ８００に接続された端末装置により、必要に応じて表面画像データを確認することができる。

なお、制御部１１４が表面画像データＤ１を記憶してもよい。その場合、ユーザが必要に応じてメインパネルＰＮにより表面画像データＤ１を確認することができる。また、任意のタイミングで制御部１１４からホストコンピュータ８００に表面画像データＤ１を送信することができる。

次に、制御部１１４は、作成した表面画像データＤ１に基づいて、基板Ｗの表面状態が正常であるか否かを判定する（ステップＳ６）。

具体的には、制御部１１４は、表面画像データＤ１の全体が予め定められた規定範囲内の明るさであるか否かを判定する。表面画像データＤ１の全体が規定範囲内の明るさである場合、制御部１１４は、基板Ｗの表面状態が正常であると判定する。

一方、表面画像データＤ１の少なくとも一部が規定範囲内の明るさでない場合、制御部１１４は、基板Ｗの表面状態が正常でないと判定する。

基板Ｗの表面状態が正常であると判定された場合、制御部１１４は、スピンチャック５４３により基板Ｗを回転させつつ投光部５１０により基板Ｗの周縁部に露光用光を照射することにより、基板Ｗにエッジ露光処理を行う（ステップＳ７）。

エッジ露光処理時には、エッジサンプリング処理で検出された基板Ｗの切り欠きに基づいて基板Ｗの位置決めが行われるとともに、エッジサンプリング処理で検出された基板Ｗの偏心量に基づいて、投光部保持ユニット５２０による投光部５１０の位置補正が行われる。

エッジ露光処理が終了した後、搬送機構１３７（図１）により基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷから搬出し（ステップＳ８）、ステップＳ１の処理に戻る。

一方、基板Ｗの表面状態が正常でないと判定された場合、制御部１１４は、作成した矩形の表面画像データＤ１を基板Ｗの形状（円形）に補正してメインパネルＰＮに表示する（ステップＳ９）。なお、制御部１１４は、円形に補正した表面画像データＤ１を図１のホストコンピュータ８００に送信してもよい。

ユーザは、メインパネルＰＮに表示された表面画像データＤ１に基づいて、その基板Ｗの処理を継続すべき否かを操作部９０に入力する。この場合、表面画像データＤ１が基板Ｗの形状に補正されているので、ユーザが直感的に基板Ｗの表面状態を認識することができる。

ユーザによる操作部９０の操作に基づいて、制御部１１４は、基板Ｗの処理を継続することができるか否かを判定する（ステップＳ１０）。

基板Ｗの処理を継続することができる場合、制御部１１４は、上記のステップＳ７の処理に進む。

一方、基板Ｗの処理を継続することができない場合、制御部１１４は、後述のリジェクト処理を行い（ステップＳ１１）、ステップＳ１の処理に戻る。

なお、下段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷにおいては、搬送機構１３８が基板Ｗの搬入および搬出を行う点を除いて、上記と同様に基板Ｗの処理が行われる。

また、基板Ｗの表面状態の検査方法は、上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの表面状態が正常な場合の表面画像データＤ１を制御部１１４が予め記憶する。制御部１１４は、予め記憶した表面画像データＤ１とＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて作成した表面画像データＤ１との近似率を算出する。算出された近似率が閾値以上であれば制御部１１４は基板Ｗの表面状態が正常であると判定し、近似率が閾値よりも低ければ制御部１１４は表面状態が正常でないと判定する。

（８）リジェクト処理
エッジ露光部ＥＥＷにおいて表面状態が正常であると判定された基板Ｗは、上記のように、エッジ露光部ＥＥＷにおけるエッジ露光処理、露光装置１５における露光処理、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４におけるＰＥＢ処理、ならびに現像処理室３１，３３における現像処理が順に行われた後、キャリア１１３に搬送される。

これに対して、表面状態が正常でないと判定された基板Ｗは、その後の処理が行われることなく、キャリア１１３に搬送される。以下、表面状態が正常でないと判定された基板Ｗに対するリジェクト処理について説明する。なお、以下の説明においては、表面状態が正常であると判定された基板Ｗを正常基板Ｗと呼び、表面状態が正常でないと判定された基板Ｗを不良基板Ｗと呼ぶ。

上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷにおいて発生した不良基板Ｗは、搬送機構１３７によりエッジ露光部ＥＥＷから取り出され、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

所定時間後、搬送機構１３７により不良基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。続いて、搬送機構１２７により不良基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。次に、搬送機構１１５により不良基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ２から取り出され、キャリア１１３に搬送される。

同様に、下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷにおいて発生した不良基板Ｗは、搬送機構１３８によりエッジ露光部ＥＥＷから取り出され、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置される。

所定時間後、搬送機構１３８により不良基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。続いて、搬送機構１２８により不良基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。次に、搬送機構１１５により不良基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ４から取り出され、キャリア１１３に搬送される。

ここで、本実施の形態では、不良基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷから取り出されてから基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８に搬送されるまでの時間と、正常基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷから取り出されてから基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８に搬送されるまでの時間とが等しくなるように、不良基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２において所定時間待機させられる。

この場合、複数の正常基板Ｗおよび複数の不良基板Ｗが混在する状態でも、上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷに搬入される基板Ｗの順序と、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗの順序とが一致する。同様に、下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷに搬入される基板Ｗの順序と、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される基板Ｗの順序とが一致する。

基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８からキャリア１１３までの搬送経路は、不良基板Ｗおよび正常基板Ｗに関して共通である。そのため、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された順序で不良基板Ｗおよび正常基板Ｗがキャリア１１３に戻され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された順序で不良基板Ｗおよび正常基板Ｗがキャリア１１３に戻される。

これにより、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷに搬入される基板Ｗの順序とキャリア１１３に戻される基板Ｗの順序とが一致する。したがって、基板Ｗの処理履歴の管理が容易になり、不良基板Ｗと正常基板Ｗとの区別が容易になる。

また、搬送機構１１６，１２６，１２７の動作は、不良基板Ｗの有無に関わらず一定である。そのため、搬送機構１１５，１２６，１２７の制御の複雑化が抑制される。

（９）本実施の形態の効果
（９−１）
本実施の形態では、エッジ露光部ＥＥＷにおいて基板Ｗの表面状態の検査が行われ、その検査で表面状態が正常でないと判定された基板Ｗには、その後の処理が施されない。これにより、露光装置１５においては、表面状態が正常な基板Ｗに対してのみ液浸法による露光処理が行われる。

そのため、露光装置１５において、基板Ｗ上に供給される液体が基板Ｗ上に保持されずに基板Ｗの外方に流出することが防止される。それにより、流出した液体による露光装置１５の電気系統等の損傷が防止される。また、流出した液体による露光装置１５内の温度変化が防止される。

また、レジストカバー膜の欠陥に起因して基板Ｗ上に供給される液体にレジスト膜の成分が溶出することが防止される。それにより、基板Ｗの処理不良の発生が防止されるとともに、基板Ｗ上に供給される液体の汚染が防止される。ひいては、基板Ｗ上の液体を介して露光装置１５の露光レンズが汚染されることも防止される。

また、エッジ露光部ＥＥＷにおいて基板Ｗの表面状態の検査が行われるため、別個に検査装置を設置する必要がない。それにより、基板処理装置１００の大型化および製造コストの増大が抑制される。また、別個に検査装置を設ける場合とは異なり、基板Ｗの搬送工程が増加しない。それにより、基板処理装置１００におけるスループットの低下が防止される。

また、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、エッジサンプリング処理と同時に表面検査処理が行われる。それにより、エッジ露光部ＥＥＷにおける処理時間の増加が抑制される。したがって、基板処理装置１００におけるスループットの低下が防止される。

また、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの半径領域Ｔ１に照明光が照射されつつ基板Ｗが１回転されることにより、基板Ｗの表面全体での反射光の明るさの分布が得られる。この場合、比較的小さい照明部５８１、反射ミラー５８２およびＣＣＤラインセンサ５８３を用いることができる。それにより、エッジ露光部ＥＥＷのスペースに制限がある場合でも、照明部５８１、反射ミラー５８２およびＣＣＤラインセンサ５８３を設置することができる。

（９−２）
また、本実施の形態では、第１および第２の処理ブロック１２，１３において、上段の処理部（塗布処理室２１，２２，３２および現像処理室３１（図２）、上段搬送室１２５，１３５（図５）および上段熱処理部３０１，３０３（図３））および下段の処理部（塗布処理室２３，２４，３４および現像処理室３３（図２）、下段搬送室１２６，１３６（図５）、および下段熱処理部３０２，３０４（図３））において複数の基板Ｗの処理を並行して進めることができる。

それにより、搬送機構１２７,１２８，１３７，１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１および第２の処理ブロック１２，１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８，１３７，１３８が上下に設けられているの
で、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（９−３）
また、本実施の形態では、第１および第２の処理ブロック１２，１３の上段の処理部および下段の処理部が等しい構成を有する。それにより、上段の処理部および下段の処理部の一方において故障等が発生した場合でも、他方の処理部を用いて基板Ｗの処理を続行することができる。その結果、基板処理装置１００の汎用性が向上する。

（９−４）
また、本実施の形態では、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１が載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、洗浄乾燥処理部１６１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で基板Ｗを搬送することができ、搬送機構１４２が載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、洗浄乾燥処理部１６２、熱処理部１３３および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で基板Ｗを搬送することができる。

これにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおける基板Ｗの搬送経路の選択肢が多様化される。したがって、第１および第２の処理ブロック１２，１３および洗浄乾燥処理部１６１，１６２における基板Ｗの処理内容に応じて最適な経路で基板Ｗを搬送することが可能になる。その結果、基板Ｗの搬送効率を向上させることが可能となり、スループットを向上させることができる。

（９−５）
また、本実施の形態では、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、露光処理前の基板Ｗが搬送機構１４１により搬送され、露光処理後の基板Ｗが搬送機構１４２により搬送される。また、搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗが搬送機構１４６のハンドＨ７により搬送され、露光処理後の基板Ｗが搬送機構１４６のハンドＨ８により搬送される。

このように、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。この場合、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とが交錯する場合に比べて、搬送機構１４１，１４２，１４６の動作が簡略化される。それにより、基板Ｗの搬送効率が向上し、スループットを向上させることが可能になる。

（９−６）
また、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、露光処理前の基板Ｗは、搬送機構１４１により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２から洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ搬送され、露光処理後の基板Ｗは、搬送機構１４２により基板載置部ＰＡＳＳ９から洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４に搬送される。また、搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗは、搬送機構１４６のハンドＨ７により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから露光装置１５に搬送され、露光処理後の基板Ｗは搬送機構１４６のハンドＨ８により露光装置１５から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。

これにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが間接的に接触することがない。したがって、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーション（相互汚染）を防止することができる。

（９−７）
また、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板Ｗを円滑に第２の処理ブロック１３の熱処理ユニットＰＨＰに搬送することができる。

それにより、露光処理後、迅速に基板ＷのＰＥＢ処理を行うことができる。その結果、速やかにレジスト膜内の化学反応を促進させることができ、所望の露光パターンを得ることができる。また、複数の基板Ｗを連続的に処理する場合に、露光処理からＰＥＢ処理までの時間をほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。

（９−８）
また、搬送機構１３７，１４１，１４２が載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に対して基板Ｗの搬入および搬出を行うことが可能であり、搬送機構１３８，１４１，１４２が載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に対して基板Ｗの搬入および搬出を行うことが可能である。これにより、露光処理前後における種々のタイミングで基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に収容することができる。その結果、搬送機構１３７，１３８，１４１，１４２による基板Ｗの搬送タイミングを容易に調整することができる。

さらに、搬送機構１４１，１４２，１４６が基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに対して基板Ｗの搬入および搬出を行うことが可能である。この場合、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに対して、それぞれ３方向からの基板Ｗの搬入および搬出が可能であることにより、基板Ｗの搬送経路の変更を容易に行うことが可能となる。

（９−９）
また、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理が行われることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１５において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１５内の汚染が防止される。

（９−１０）
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、洗浄処理後の基板Ｗに乾燥処理が行われることにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した液体が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１５内の汚染を確実に防止することができる。

（９−１１）
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われることにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置１００内に落下することが防止される。また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置１００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置１００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置１００内の温湿度調整が容易になる。

（９−１２）
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２に付着することが防止される。そのため、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１５内の汚染を防止することができる。

また、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理室３１，３３へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した液体中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

（１０）他の動作例
（１０−１）
上記実施の形態では、不良基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置された後、不良基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷから取り出されてから基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８に搬送されるまでの時間と、正常基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷから取り出されてから基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８に搬送されるまでの時間とが等しくなるタイミングで、不良基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２から取り出され、キャリア１１３に戻される。

これに限らず、不良基板Ｗが他のタイミングでキャリア１１３に戻されてもよい。例えば、正常基板Ｗのみが順にキャリア１１３に戻され、１ロット分の基板Ｗの処理が終了し、正常基板Ｗが全てキャリア１１３に戻された後に、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置された不良基板Ｗが順にキャリア１１３に戻されてもよい。

また、１ロット分の基板Ｗの処理が終了した後、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置された不良基板Ｗがユーザにより回収されてもよい。

（１０−２）
上記実施の形態では、エッジ露光部ＥＥＷにおいて不良基板Ｗが発生した場合でも、各処理部における基板Ｗの処理が継続して行われるが、これに限らない。

塗布処理ユニット１２９、熱処理ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰまたは冷却ユニットＣＰ等の動作不良に起因して、不良基板Ｗが発生する可能性がある。そこで、第１および第２の処理ブロック１２，１３における上段の処理部および下段の処理部のうち、一方の処理部のエッジ露光部ＥＥＷにおいて不良基板Ｗが発生した場合に、その処理部の動作を停止し、他方の処理部において基板Ｗの処理を続行してもよい。この場合、他方の処理部において基板Ｗの処理を継続しつつ、不良基板Ｗが発生した処理部のメンテナンスを行うことができる。

（１０−３）
上記実施の形態では、塗布処理室３２，３４において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されるが、塗布処理室２１，２３において、耐水性を有するレジスト膜が形成される場合には、塗布処理室３２，３４において、レジストカバー膜が形成されなくてもよい。

その場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの表面状態としてレジスト膜の状態が検査される。

なお、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されない場合には、塗布処理室３２，３４が設けられなくてもよく、または、塗布処理室３２，３４において、レジスト膜の形成または現像処理等の他の処理が行われてもよい。

（１０−４）
上記実施の形態では、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、表面状態が正常でないと判定され、さらにユーザによりその後の処理を継続すべきでないと判定された基板Ｗには、エッジ露光処理が施されないが、これに限らない。このような基板Ｗに対してもエッジ露光処理が施されてもよい。その場合、エッジ露光処理後、その基板Ｗに対して上記のリジェクト処理が行われる。

（１１）他の実施の形態
（１１−１）
上記実施の形態では、エッジ露光部ＥＥＷが第２の処理ブロック１３に設けられるが、エッジ露光部ＥＥＷがインターフェイスブロック１４に設けられてもよい。

図１４は、インターフェイスブロック１４の他の例を示す模式的側面図である。なお、図１４は、インターフェイスブロック１４の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。

図１４の例では、洗浄乾燥処理部１６２の最上段にエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。この場合も、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、表面状態が正常でないと判定された基板Ｗは、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に搬送され、その後の処理が施されない。

そのため、露光装置１５において、基板Ｗ上に供給される液体が基板Ｗ上に保持されずに基板Ｗの外方に流出することが防止される。それにより、流出した液体による露光装置１５の電気系統等の損傷が防止される。また、流出した液体による露光装置１５内の温度変化が防止される。

また、レジストカバー膜の欠陥に起因して基板Ｗ上に供給される液体にレジスト膜の成分が溶出することが防止される。それにより、基板Ｗの処理不良の発生が防止されるとともに、基板Ｗ上に供給される液体の汚染ひいては露光装置１５の露光レンズの汚染が防止される。

（１１−２）
上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として用いられるが、これに限らず、液体を用いずに基板Ｗの露光処置を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として用いられてもよい。

この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて表面状態が正常でないと判定された基板Ｗは、露光装置１５に搬入されることなく、表面状態が正常な基板Ｗとは区別されて回収される。

表面状態が正常でない基板Ｗには、露光処理が適正に行われず、処理不良が発生しやすい。そこで、表面状態が正常でない基板Ｗを表面状態が正常な基板Ｗと区別して回収することにより、露光処理後に処理不良が発生した基板Ｗを検出して回収する場合に比べて、回収作業が容易になる。

また、露光装置１５および基板処理装置１００において、処理不良が発生しやすい基板Ｗに対して無駄に処理が行われることが防止される。

（１２）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、エッジ露光部ＥＥＷおよび制御部１１４が検査周辺露光システムの例であり、塗布処理ユニット１２９が膜形成ユニットの例であり、現像処理ユニット１３９が現像ユニットの例であり、エッジ露光部ＥＥＷが検査周辺露光ユニットの例であり、搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６が搬送装置の例であり、制御部１１４が制御部の例である。

また、基板回転ユニット５４０が基板保持回転装置の例であり、外周端部検出ユニット５５０が外周端部検出部の例であり、表面検査処理ユニット５８０が表面状態検出部の例であり、投光部５１０が露光用光照射部の例である。また、照明部５８１が光照射部の例であり、ＣＣＤラインセンサ５８３が受光部の例であり、メインパネルＰＮが表示部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１００ 基板処理装置
１１４ 制御部
１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送機構
１２９ 塗布処理ユニット
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
５４０ 基板回転ユニット
５５０ 外周端部検出ユニット
５８０ 表面検査処理ユニット
５１０ 投光部
１０００ 基板処理システム
ＥＥＷ エッジ露光部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   前記露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、
   前記露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像ユニットと、
   前記膜形成ユニットによる感光性膜の形成後で前記露光装置による露光処理前に、基板の表面状態の検査および基板上の感光性膜の周縁部の露光処理を行う検査周辺露光ユニットと、
   前記検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定する制御部と、
   前記膜形成ユニット、前記現像ユニット、前記検査周辺露光ユニットおよび前記露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、
   前記検査周辺露光ユニットは、
   基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、
   前記基板保持回転装置により回転される基板の表面状態を検出する表面状態検出部と、
   前記基板保持回転装置により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する露光用光照射部とを含み、
   前記表面状態検出部は、
   前記基板保持回転装置により回転される基板の表面の半径方向に沿った帯状の半径領域の全体に光を照射する光照射部と、
   基板の前記半径領域で反射された光を受ける受光部とを有し、
   前記制御部は、前記受光部による受光量分布に基づいて、基板の表面全体での反射光の明るさの分布を表す表面画像データを作成し、作成された表面画像データに基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定する、基板処理装置。
2. 前記光照射部は、前記基板保持回転装置により保持される基板の上方で一方向に延びるように設けられ、
   前記半径領域は、前記一方向に平行である、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記光照射部の前記一方向における長さは、基板の半径よりも大きい、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記受光部は、電荷結合素子ラインセンサを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記表面画像データは矩形状を有し、前記表面画像データの縦軸は、前記基板保持回転装置により保持される基板の半径方向に対応し、前記表面画像データの横軸は、前記基板保持回転装置により回転される基板の回転方向に対応する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、矩形状の前記表面画像データを円形状に補正し、
   円形状に補正された前記表面画像データを表示する表示部をさらに備える、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記制御部は、表面状態が正常であると判定された場合に、当該基板の周縁部に露光用の光を照射するように露光用光照射部を制御する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記検査周辺露光ユニットは、
   前記基板保持回転装置により回転される基板の外周端部の位置を検出する外周端部検出部をさらに含み、
   前記露光用光照射部は、前記外周端部検出部により検出された外周端部の位置に基づいて前記基板保持回転装置により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 基板の表面状態の検査および基板の周縁部の露光処理を行う検査周辺露光ユニットと、
   前記検査周辺露光ユニットにおける基板の表面状態の検査結果に基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定する制御部とを備え、
   前記検査周辺露光ユニットは、
   基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、
   前記基板保持回転装置により回転される基板の表面状態を検出する表面状態検出部と、
   前記基板保持回転装置により回転される基板の周縁部に露光用の光を照射する露光用光照射部とを備え、
   前記表面状態検出部は、
   前記基板保持回転装置により回転される基板の表面の半径方向に沿った帯状の半径領域の全体に光を照射する光照射部と、
   基板の前記半径領域で反射された光を受ける受光部とを含み、
   前記制御部は、前記受光部による受光量分布に基づいて、基板の表面全体での反射光の明るさの分布を表す表面画像データを作成し、作成された表面画像データに基づいて基板の表面状態が正常であるか否かを判定する、検査周辺露光システム。

Images