JPH08124818A - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

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JPH08124818A
JPH08124818A JP6285897A JP28589794A JPH08124818A JP H08124818 A JPH08124818 A JP H08124818A JP 6285897 A JP6285897 A JP 6285897A JP 28589794 A JP28589794 A JP 28589794A JP H08124818 A JPH08124818 A JP H08124818A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 構造を簡単にして被処理基板の加熱温度の均
一化を図れるようにし、歩留まりの向上を図る。 【構成】 ＬＣＤ基板Ｇを載置するホットプレート２２
と、このホットプレート２２内に埋設されてＬＣＤ基板
Ｇを加熱する加熱ヒータ２３と、ホットプレート２２上
に突出してＬＣＤ基板Ｇとホットプレート２２面との間
に所定の間隔を設ける支持手段４０とを具備する熱処理
装置において、支持手段４０を、ホットプレート２２の
中心部から周辺部に向って所定間隔をおいて配列される
複数の支持ピン４１ａ〜４１ｃにて形成する。加熱ヒー
タ２３からの加熱温度分布に対応すべく中心部側の第１
の支持ピン４１ａの高さを、中間部側の第２の支持ピン
４１ｂ及び周辺部側の第３支持ピン４１ｃの高さより高
く設定する。これにより、加熱ヒータ２３からの伝熱に
より加熱されるＬＣＤ基板Ｇの面内熱分布を均一にし
て、加熱温度の均一化を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばＬＣＤ基板等
の被処理基板を加熱してして処理する熱処理装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。
【０００３】例えば、被処理基板である矩形状のＬＣＤ
基板を、洗浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒ
ージョン処理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置
にて冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト
膜すなわち感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジ
スト膜を熱処理装置にて加熱してベーキング処理を施し
た後、露光装置にて所定のパターンを露光し、そして、
露光後のＬＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布して現
像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理
を完了する。
【０００４】上記のような処理を行う場合、ＬＣＤ基板
を加熱する熱処理装置では、ホットプレート等と称され
る載置台は内部に抵抗加熱ヒータ等を埋設したものが使
用されており、例えば２００℃等の所定温度に設定可能
に形成されている。そして、このホットプレート上にＬ
ＣＤ基板を直接あるいはプロキシミティーギャップを設
けた状態で載置して、熱処理を行うように構成されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の熱処理装置においては、ＬＣＤ基板の周辺部か
ら熱が逃げ易いため、ヒータからの熱によって加熱され
る温度がＬＣＤ基板の中心部側が高く、周辺部側が低く
なるという現象が生じ、加熱温度が不均一になり、熱処
理後の露光工程等に支障をきたし、歩留まりの低下をき
たすという問題があった。この問題を解決する方法とし
て、ＬＣＤ基板の周辺部の雰囲気空気流をコントロール
することが考えられるが、この方法のものにおいては、
構造が複雑となると共に、装置が大型となるという問題
がある。
【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、構造を簡単にして被処理基板の加熱温度の均一化を
図れるようにし、かつ歩留まりの向上を図れるようにし
た熱処理装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の熱処理装置は、被処理基板を載置
する載置台と、この載置台を通して上記被処理基板を加
熱する加熱手段と、上記載置台上に突出して上記被処理
基板と載置台面との間に所定の間隔を設ける支持手段と
を具備する熱処理装置を前提とし、上記支持手段を、上
記載置台に所定間隔をおいて配列される複数の支持体に
て形成すると共に、支持体の高さを、上記被処理基板の
加熱温度分布に応じて変えるようにしたことを特徴とす
るものである（請求項１）。
【０００８】この発明の第１の熱処理装置において、例
えば、上記間隔が被処理基板の全面に亘って均一に設定
されている時に被処理基板の加熱温度分布が中心部側が
周辺部側よりも高い場合は、被処理基板の中心部側の支
持体の高さを、周辺部側の支持体の高さより高く設定
し、逆の場合には、周辺部側の支持体の高さを中心部側
の支持体の高さより高く設定する。
【０００９】また、第１の熱処理装置において、上記支
持体は載置台の中心部側が周辺部側より高くあるいはそ
の逆に設定されていれば、支持体は載置台に対して固定
あるいは着脱可能に固着されるものであっても差し支え
なく、あるいは載置台と支持体とを相対的に移動可能に
形成し、駆動手段により上記載置台と支持体とを相対的
に移動させるように形成するものであってもよい（請求
項２）。
【００１０】また、この発明の第２の熱処理装置は、被
処理基板を載置する載置台と、この載置台を通して上記
被処理基板を加熱する加熱手段とを具備する熱処理装置
を前提とし、上記載置台における載置面の明度を、上記
被処理基板の加熱温度分布に応じて変化させることを特
徴とするものである（請求項３）。この場合、上記と同
様に被処理基板の加熱温度分布が中心部側が周辺部側よ
りも高い場合は、被処理基板の中心部側の載置面の明度
を、周辺部側の明度より高く設定し、逆の場合には、周
辺部側の明度を中心部側の明度より高くすることができ
る。
【００１１】また、この発明の第３の熱処理装置は、上
記第２の熱処理装置と同様に被処理基板を載置する載置
台と、この載置台を通して上記被処理基板を加熱する加
熱手段とを具備する熱処理装置を前提とし、上記載置台
における載置面の表面粗さを、上記被処理基板の加熱温
度分布に応じて変化させることを特徴とするものである
（請求項４）。この場合、上記と同様に被処理基板の加
熱温度分布が中心部側が周辺部側よりも高い場合は、被
処理基板の周辺部側の載置面の表面粗さを、中心部側の
表面粗さより粗く設定し、逆の場合には、周辺部側の表
面粗さを中心部側の表面粗さより滑らかにすることがで
きる。
【００１２】
【作用】この発明の熱処理装置によれば、載置台上に突
出して被処理基板と載置台面との間に所定の間隔を設け
る支持手段を、載置台に所定間隔をおいて配列される複
数の支持体にて形成すると共に、例えば同一間隔時、被
処理基板の中心部側の加熱温度が周辺部側の加熱温度よ
り高い場合、中心部側の支持体の高さを、周辺部側の支
持体の高さより高く設定することにより、加熱手段から
の被処理基板への熱の伝達を被処理基板の中心部側より
周辺部側を多く（又は、中心部側を周辺部側より少な
く）することができ、被処理基板の周辺部側の熱の逃げ
による伝熱損失を考慮して被処理基板の面内温度分布を
均一にすることができる（請求項１）。
【００１３】この場合、載置台と支持体とを相対的に移
動可能に形成し、駆動手段により上記載置台と支持体と
を相対的に移動させることにより、被処理基板の大きさ
や厚み等に対応させて支持体の高さを調整することがで
きると共に、被処理基板の受け渡し用の昇降体をも兼用
することができる（請求項２）。
【００１４】また、載置台における載置面の明度を、例
えば載置台の中心部側より周辺部側を低くすることによ
り、加熱手段から被処理基板への輻射熱による伝達を被
処理基板の中心部側より周辺部側を多くすることがで
き、被処理基板の周辺部側の熱の逃げによる伝熱損失を
考慮して被処理基板の面内温度分布を均一にすることが
できる（請求項３）。
【００１５】また、載置台における載置面の表面粗さ
を、例えば載置台の中心部側より周辺を粗にすることに
より、上記と同様に、加熱手段から被処理基板への輻射
熱による伝達を被処理基板の中心部側より周辺部側を多
くすることができ、被処理基板の周辺部側の熱の逃げに
よる伝熱損失を考慮して被処理基板の面内温度分布を均
一にすることができる（請求項４）。
【００１６】
【実施例】次に、この発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。この実施例では、この発明に係る処理
装置をＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムに適用した
場合について説明する。
【００１７】上記塗布・現像処理システムは、図１に示
すように、被処理基板としてＬＣＤ基板Ｇ（以下に基板
という）を搬入・搬出するローダ部１と、基板Ｇの第１
の処理部２と、中継部３を介して第１の処理部２に連設
される第２の処理部４とで主に構成されている。なお、
第２の処理部４には受渡し部５を介してレジスト膜に所
定の微細パターンを露光するための露光装置６が連設可
能になっている。
【００１８】上記ローダ部１は、未処理の基板Ｇを収容
するカセット７と、処理済みの基板Ｇを収容するカセッ
ト７ａを載置するカセット載置台８と、このカセット載
置台８上のカセット７，７ａとの間で基板Ｇの搬出入を
行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方向の移動及
び回転（θ）可能な基板搬出入ピンセット９とで構成さ
れている。
【００１９】上記第１の処理部２は、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム１０の搬送路１１の
一方の側に、基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１
２と、基板Ｇを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗
浄装置１３と、基板Ｇの表面を疎水化処理するアドヒー
ジョン処理装置１４と、基板Ｇを所定温度に冷却する冷
却処理装置１５とを配置し、搬送路１１の他方の側に、
レジスト塗布装置１６及び塗布膜除去装置１７を配置し
てなる。
【００２０】一方、上記第２の処理部４は、第１の処理
部２と同様に、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム１０ａを有し、このメインアーム１０ａの
搬送路１１ａの一方の側に、レジスト液塗布の前後で基
板Ｇを加熱してプリベーク又はポストベークを行うこの
発明の熱処理装置１８を配置し、搬送路１１ａの他方の
側に現像装置２０を配置している。
【００２１】また、上記中継部３は、基板Ｇを支持する
支持ピン３ａを立設する受渡し台３ｂを有する箱体３ｃ
の底面にキャスタ３ｄを具備した構造となっており、必
要に応じてこの中継部３を第１の処理部２及び第２の処
理部４から分離し引出してスペースを確保し、第１の処
理部２又は第２の処理部４内に作業員が入って補修や点
検等を容易に行うことができるようになっている。
【００２２】なお、上記受渡し部５には、基板Ｇを一時
待機させるためのカセット１９ａと、このカセット１９
ａとの間で基板Ｇの出入れを行う搬送用ピンセット１９
ｂと、基板Ｇの受渡し台１９ｃが設けられている。
【００２３】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット７内に収容された未処理の基
板Ｇはローダ部１の搬出入ピンセット９によって取出さ
れた後、第１の処理部２のメインアーム１０に受け渡さ
れ、そして、ブラシ洗浄装置１２内に搬送される。この
ブラシ洗浄装置１２内にてブラシ洗浄された基板Ｇは必
要に応じてジェット水洗浄装置１３内にて高圧ジェット
水により洗浄される。この後、基板Ｇは、アドヒージョ
ン処理装置１４にて疎水化処理が施され、冷却処理装置
１５にて冷却された後、レジスト塗布装置１６にてフォ
トレジスト膜すなわち感光膜が塗布形成され、引続いて
塗布膜除去装置１７によって基板Ｇの周辺部の不要なレ
ジスト膜が除去される。そして、このフォトレジスト膜
が熱処理装置１８にて加熱されてベーキング処理が施さ
れた後、露光装置６にて所定のパターンが露光される。
そして、露光後の基板Ｇは現像装置２０内へ搬送され、
現像液により現像された後にリンス液により現像液を洗
い流し、現像処理を完了する。
【００２４】現像処理された処理済みの基板Ｇはローダ
部１のカセット７ａ内に収容された後に、搬出されて次
の処理工程に向けて移送される。
【００２５】次に、上記ＬＣＤ基板の塗布・現像処理シ
ステムに使用されるこの発明の熱処理装置の構成につい
て説明する。
【００２６】◎第一実施例 図２にはこの発明の熱処理装置の第一実施例の概略断面
図、図３には第一実施例の一部を断面で示す要部拡大側
面図、図４は第一実施例の要部平面図が示されている。
【００２７】上記熱処理装置１８は、箱状容器にて形成
されるケース２１内に、基板Ｇを載置する載置台２２
（以下にホットプレートという）を収容してなる。ホッ
トプレート２２は例えばアルミニウム合金等にて形成さ
れており、その内部にはホットプレート２２を加熱する
ことにより、このホットプレート２２を通して基板Ｇを
加熱するための加熱ヒータ２３（加熱手段）を埋設する
と共に図示しない温度センサを具備し、例えば２００℃
等の所定の加熱温度に温度設定可能に構成されている。
【００２８】また、ホットプレート２２には、例えば４
つの透孔２４が設けられており、これらの透孔２４に
は、それぞれ基板受け渡し用の昇降ピン２５が貫挿され
ている。これらの昇降ピン２５は、その下部を連結ガイ
ド２６にて固定されており、連結ガイド２６は、昇降機
構２７に連結されている。この場合、昇降機構２７は、
駆動モータであるステッピングモータ２８と、このステ
ッピングモータ２８により駆動される駆動プーリ２９
と、この駆動プーリ２９の上方に配設される従動プーリ
３０と、これら駆動プーリ２９と従動プーリ３０に掛け
渡され連結ガイド２６を連結するタイミングベルト３１
とで構成されている。したがって、ステッピングモータ
２８の正逆回転によって昇降ピン２５とホットプレート
２２とが相対的に上下移動し得るように構成される。
【００２９】一方、上記ホットプレート２２の上面に
は、断面寸法が幅例えば１ｍｍ、深さ例えば１ｍｍの矩
形状の真空チャック用溝３２が、同心状に複数（図４に
おいては３つの場合を示す）設けられている。これらの
真空チャック用溝３２は、大きさの異なる複数種の基板
Ｇを吸着可能にするためのものである。
【００３０】また、ホットプレート２２の上面には、基
板Ｇの周縁部を係止するためのガイドピン３３及びホッ
トプレート２２上に突出して基板Ｇとホットプレート２
２面との間に所定の間隔（プロキシミティーギャップ）
を設ける支持手段４０が設けられている。この場合、支
持手段４０は、ホットプレート２２の中心位置に配置さ
れる複数の支持体例えば第１の支持ピン４１ａと、ホッ
トプレート２２の中間部の同心状に配置される４つの第
２の支持ピン４１ｂと、ホットプレート２２の周辺部に
配置される８つの第３の支持ピン４１ｃ等とで構成され
ている。これら支持ピン４１ａ〜４１ｃは例えばポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の耐熱及び耐蝕性
に富むフッ素樹脂製部材にて形成されており、ホットプ
レート２２上面に設けられた挿入孔４２に嵌合用リング
４３を介して着脱可能に固定されており（図３参照）、
各基板Ｇの大きさに応じてこれらのガイドピン３３及び
支持ピン４１ａ〜４１ｃの位置を変更することにより、
大きさの異なる基板Ｇに対応できるようになっている。
また、各支持ピン４１ａ〜４１ｃの先端部は半球状又は
針状に形成されて基板Ｇとの接触を点接触にし、基板Ｇ
との接触によるパーティクルの発生を可及的に少なくし
ている。なお、支持ピン４１ａ〜４１ｃは一部使用しな
い場合もある。この場合には、使用しない挿入孔４２に
ダミーのピン（蓋）が配置される。
【００３１】更に、上記支持ピン４１ａ〜４１ｃは、基
板Ｇとホットプレート２２との間隔が基板Ｇ全面に亘り
同一間隔に設定されている時の加熱ヒータ２３から基板
Ｇに伝熱される加熱温度分布に応じて高さが変えられて
いる。すなわち、同一間隔時には上記ホットプレート２
２上に載置される基板Ｇへの加熱ヒータ２３からの加熱
温度分布は基板Ｇの周辺部側が熱が逃げるために中心部
側より低い状態となるので、これを考慮して図２及び図
３に示すように、ホットプレート２２の中心部側の第１
の支持ピン４１ａの高さＨ1、中間部側の第２の支持ピ
ン４１ｂの高さＨ2、周辺部側の支持ピン４１ｃの高さ
Ｈ3とした場合、 Ｈ1＞Ｈ2＞Ｈ3 の関係になるように支持ピン４１ａ〜４１ｃの高さを漸
次変えている。この支持ピン４１ａ〜４１ｃの高さは、
基板Ｇの大きさや厚みによって適宜設定する。具体的に
は、基板Ｇの大きさが４７０ｍｍ×３７０ｍｍの場合に
は、第１の支持ピン４１ａの高さＨ1＝０．３ｍｍ、第
２の支持ピン４１ｂの高さＨ2＝０．３ｍｍ、第３の支
持ピン４１ｃの高さＨ3＝０．２〜０．１５ｍｍとす
る。
【００３２】上記の条件の下で加熱ヒータ２３からの温
度を１２０℃として基板Ｇを加熱したところ、基板Ｇの
中心部側の温度が１１０℃、中間部側の温度が１０５
℃、周辺部側の温度が１００℃となり、基板Ｇの温度分
布（面内熱分布）を約９％以内にすることができ、基板
Ｇの加熱温度の均一化を図ることができた。
【００３３】なお、上記ケース２１の側部には、開閉自
在なシャッタを備えた搬入・搬出口４４が設けられてお
り、この搬入・搬出口４４から図示しない搬送アーム等
により基板Ｇの搬入及び搬出が行われるようになってい
る。
【００３４】次に、上記のように構成されるこの発明の
熱処理装置を用いて基板Ｇを加熱処理する場合の動作に
ついて説明する。まず、予めホットプレート２２を例え
ば２００℃程度の所定温度に設定しておき、搬入・搬出
口４４から搬送アーム等によりホットプレート２２上に
基板Ｇを位置させる。この後、この状態で昇降ピン２５
を上昇（あるいは搬送アームを下降）させて昇降ピン２
５上に基板Ｇを支持し、搬送アームを後退させる。
【００３５】そして、昇降ピン２５を下降させて基板Ｇ
をホットプレート２２上に突出している支持ピン４１ａ
〜４１ｃ上に載置する。なお、基板Ｇの移し替えに際
し、基板Ｇの位置ずれを防止するために、一時的に真空
吸着状態にしてもよい。この状態で、基板Ｇは上述した
ように中心部側が周辺部側より高く支持されて、所定時
間加熱処理が行われると、基板Ｇは全面に亘り同一加熱
温度分布となり均一に加熱処理される。
【００３６】このようにして、所定時間の加熱処理が終
了すると、次に、昇降ピン２５を上昇させてホットプレ
ート２２から基板Ｇを持ち上げる。このとき、搬入・搬
出口４４からケース２１内に侵入する搬送アーム等が基
板Ｇを受け取る。そして、昇降ピン２５が下降（あるい
は搬送アームが上昇）して基板Ｇが搬送アームに受け渡
されると、搬送アームがケース２１の外に後退して基板
Ｇを次工程の所定場所に搬送する。
【００３７】上記第一実施例では、ホットプレート２２
の中心部側の第１の支持ピン４１ａを中間部側の第２の
支持ピン４１ｂ及び周辺部側の第３の支持ピン４１ｃよ
り高く設定し基板Ｇを均一温度で加熱するようにした場
合について説明したが、必ずしもこのように支持ピン４
１ａ〜４１ｃの高さを設定するものに限定するものでは
なく、同一間隔時の加熱ヒータ２３からの加熱温度分布
に応じて支持ピンの高さを任意に設定することができ、
例えば加熱ヒータ２３からの基板Ｇへの加熱温度分布が
中心部側が周辺部側よりも低い場合は、中心部側の第１
の支持ピン４１ａの高さを、周辺部側の第３の支持ピン
４１ｃの高さより低く設定すればよい。
【００３８】◎第二実施例 図５にはこの発明の熱処理装置の第二実施例の要部断面
図が示されている。
【００３９】第二実施例は、支持手段４０の支持ピン４
１ａ〜４１ｃ（以下に符号４１で代表する）をホットプ
レート２２に対して高さ調整可能にした場合である。す
なわち、ホットプレート２２に貫通孔４５を設け、この
貫通孔４５内に支持ピン４１を上下移動可能に貫通させ
ると共に、支持ピン４１をボールねじ機構４６を介して
高さ調整用駆動モータであるステッピングモータ４７に
連結する。この場合、ボールねじ機構４６は、支持ピン
４１の下部に設けられたねじ軸４８と、ホットプレート
２２の下部にベアリング４９を介して回転自在に保持さ
れてねじ軸４８に螺合する移動用ナット５０とで構成さ
れている。
【００４０】上記のように、支持ピン４１をホットプレ
ート２２に対して高さ調整自在に構成することにより、
基板Ｇの大きさや厚み等によって異なる加熱温度分布に
対応させて支持ピン４１の高さを調整することができ
る。このように支持ピン４１の高さを任意に調整するこ
とで、段階的に基板Ｇの加熱温度を変えた熱処理を可能
にすることができる。また、支持ピン４１の上下移動範
囲を大きくすることによって、支持ピン４１が昇降ピン
を兼用することができ、構成部材の削減を図ることがで
き、装置の小型化が図れる。この場合、ボールねじ機構
４６を上記昇降機構２７に置き換えて構成することがで
きる。
【００４１】なお、支持ピン４１の高さ調整は各支持ピ
ン４１を独立して行ってもよく、上記第一実施例の第１
の支持ピン４１ａ、第２の支持ピン４１ｂ、第３の支持
ピン４１ｃの単位毎に行ってもよい。あるいは、第１の
支持ピン４１ａ、第２の支持ピン４１ｂ及び第３の支持
ピン４１ｃ間の高さの差が一定の場合には第１ないし第
３の支持ピン４１ａ〜４１ｃを同時に移動して、高さ調
整を行うことも可能である。
【００４２】上記第二実施例では、支持ピンを昇降させ
て支持ピン４１の高さ調整を行うようにした場合につい
て説明したが、支持ピン４１を固定してホットプレート
２２を上下移動させて支持ピン４１の高さ調整を行うよ
うにしてもよい。また、両者を上下移動させてもよい。
【００４３】◎第三実施例 図６にはこの発明の熱処理装置の第三実施例の要部平面
図、図７には第三実施例の別の構造の要部分解斜視図が
示されている。
【００４４】第三実施例は載置台の表面の明度を変える
ことによって、載置台からの発熱量（輻射熱）を制御し
て被処理基板の加熱温度分布を均一にし、被処理基板の
加熱の均一化を図れるようにした場合である。すなわ
ち、載置台としてのホットプレート２２の表面を例えば
中心部領域Ｈ、中心部領域Ｈと同心状の中間部領域Ｍ及
び中心部領域Ｈと同心状の周辺部領域Ｄとに区画し、こ
の実施例を講じない時に、基板Ｇの中心部の加熱温度が
外側部より高い場合、中心部領域Ｈの明度を一番明るい
“白色”にし、中間部領域Ｍの明度を中間の“灰色”に
し、そして、外側領域Ｄの明度を一番暗い“黒色”にし
て、加熱ヒータ２３から発熱される所定温度の熱量を中
心部領域Ｈ、中間部領域Ｍ及び周辺部側領域Ｄに従って
漸次多くすることにより、基板Ｇの面内加熱温度分布を
均一にし、基板Ｇの加熱の均一化を図れるようにした場
合である。
【００４５】この場合、ホットプレート２２の表面にタ
フラム処理を施すか、あるいは耐熱性の塗料を焼付けて
着色することによって、ホットプレート２２の表面の明
度に変化をもたせることができる。また、図７に示すよ
うに、例えば“白色”、“灰色”、“黒色”に着色され
た枠部材５１ａ〜５１ｃをホットプレート２２の表面に
固着することによってホットプレート２２の表面に明度
の変化をもたせることも可能である。なお、枠部材５１
ａ〜５１ｃには、支持ピン４１、昇降ピン２５のガイド
孔５２が設けられている。
【００４６】なお、上記説明では明度の変化を３段階に
した場合について説明したが、更に精度の高い加熱温度
制御を行う場合には、４段階以上の複数段階に明度を分
ければよい。
【００４７】なお、第三実施例において、支持ピン４１
の高さが一定である以外は上記第一実施例と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略
する。上記第三実施例では、ホットプレート２２表面の
明度を中心部側から周辺部側に向かって漸次低くした場
合について説明したが、基板Ｇの中心部側の温度を周辺
部側より高くする場合には、ホットプレート２２表面の
明度を中心部側から周辺部側に向かって漸次高くすれば
よい。
【００４８】◎第四実施例 図８にはこの発明の熱処理装置の第四実施例の要部平面
図、図９には第四実施例の要部拡大断面図が示されてい
る。
【００４９】第四実施例は載置台の表面粗さを変えるこ
とによって、載置台からの発熱量（輻射熱）を制御して
被処理基板の加熱温度分布を均一にし、被処理基板の加
熱の均一化を図れるようにした場合である。すなわち、
載置台としてのホットプレート２２の表面を例えば中心
部領域Ａ、中心部領域Ａと同心状の中間部領域Ｂ及び中
心部領域Ａと同心状の周辺部領域Ｃとに区画し、この実
施例を講じない時に、基板Ｇの中心部の加熱温度が外側
部より高い場合、中心部領域Ａの表面粗さを滑らかな状
態（表面積が少ない状態）にし、周辺部領域Ｃの表面粗
さを粗い状態（表面積が多い状態）にし、中間部領域Ｂ
の表面粗さを中心部領域Ａと周辺部領域Ｃの中間の粗さ
にして、加熱ヒータ２３から発熱される所定温度の熱量
を中心部領域Ａ、中間部領域Ｂ及び周辺部側領域Ｃに従
って漸次多くすることにより、基板Ｇの加熱温度分布を
均一にし、基板Ｇの加熱の均一化を図れるようにした場
合である。
【００５０】なお、上記説明では表面粗さの変化を３段
階にした場合について説明したが、更に精度の高い加熱
温度制御を行う場合には、４段階以上の複数段階の表面
粗さにすればよい。
【００５１】なお、第四実施例において、支持ピン４１
の高さが一定である以外は上記第一実施例と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略
する。
【００５２】上記第四実施例では、ホットプレート２２
の表面粗さを、中心部側から周辺部側に向かって漸次粗
くした場合について説明したが、基板Ｇの中心部側の温
度を周辺部側より高くする場合には、ホットプレート２
２の表面粗さを中心部側から周辺部側に向かって漸次滑
らかにすればよい。
【００５３】上記各実施例では、各実施例の技術を講じ
ない時に、例えば基板Ｇの中心部側の加熱温度が外側部
の温度より高い場合又はその逆の場合に、基板Ｇの面内
加熱温度分布を均一にするために、ホットプート２２か
らの発熱量（輻射熱）を中心部側を低く外側部を高く又
はその逆に制御する構成について説明したが、基板Ｇの
加熱温度を局部的に制御可能なように構成することもで
きる。
【００５４】例えば、基板Ｇの特定領域をその周辺領域
よりも高い温度で加熱したい場合には、その特定領域部
分のホットプレート２２との間隔を周辺領域部分よりも
狭く設定したり、ホットプレート２２の表面の明度を周
辺領域よりもより明るくなるように上げたり、また、ホ
ットプレート２２の表面の粗さを周辺領域よりも滑らか
にしたりすることにより、実現可能となる。その逆も実
現可能となる。
【００５５】また、基板Ｇとホットプレート２２との間
隔を調整自在に構成した第二実施例において、間隔調整
場所を移動させるように制御することにより、例えば基
板Ｇの高温加熱領域を時間と共に移動させて加熱処理す
ることも可能となる。
【００５６】上記したように、基板Ｇの面内温度分布を
制御することにより、基板Ｇの均一温度加熱、部分的に
温度を異ならせての加熱等が可能となり、基板Ｇの大き
さや形状、種々の加熱プロセスに対応が可能となる。
【００５７】なお、上記実施例では、この発明の熱処理
装置をＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムに適用した
場合について説明したが、単独の熱処理装置にも適用で
きる他、プローバー、アッシング装置、露光装置等にも
適用できることは勿論である。また、被処理基板として
シリコンウエハを処理する場合にも適用できる。
【００５８】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の塗布
装置によれば、上記のように構成されるので、以下のよ
うな効果が得られる。
【００５９】１）請求項１記載の熱処理装置によれば、
載置台上に突出して被処理基板と載置台面との間に所定
の間隔を設ける支持手段を、載置台に所定間隔をおいて
配列される複数の支持体にて形成すると共に、支持体の
高さを被処理基板の加熱温度分布に応じて変えるので、
加熱手段からの被処理基板への熱の伝達を均一にして、
被処理基板の加熱処理を均一にすることができ、歩留ま
りの向上を図ることができる。
【００６０】２）請求項２記載の熱処理装置によれば、
載置台と支持体とを相対的に移動可能に形成し、駆動手
段により上記載置台と支持体とを相対的に移動させるこ
とにより、被処理基板の大きさや厚み等に対応させて支
持体の高さを調整することができる。また、被処理基板
の受け渡し用の昇降体をも兼用することができるので、
部材の削減を図ることができると共に、装置の小型化が
図れる。
【００６１】３）請求項３記載の熱処理装置によれば、
載置台における載置面の明度を、被処理基板の加熱温度
分布に応じて変化させることにより、加熱手段から被処
理基板への輻射熱による伝達を被処理基板に均一にする
ことができ、被処理基板の加熱処理の均一化及び歩留ま
りの向上を図ることができる。
【００６２】４）請求項４記載の熱処理装置によれば、
載置台における載置面の表面粗さを、被処理基板の加熱
温度分布に応じて変化させることにより、上記３）と同
様に、加熱手段から被処理基板への輻射熱による伝達を
被処理基板に均一にすることができ、被処理基板の加熱
処理の均一化及び歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の熱処理装置を適用したＬＣＤ基板の
塗布・現像処理システムの斜視図である。
【図２】この発明の熱処理装置の第一実施例の概略断面
図である。
【図３】第一実施例の一部を断面で示す要部拡大断面図
である。
【図４】第一実施例の要部平面図である。
【図５】この発明の熱処理装置の第二実施例の要部断面
図である。
【図６】この発明の熱処理装置の第三実施例の要部平面
図である。
【図７】第三実施例の別の構造を示す要部分解斜視図で
ある。
【図８】この発明の熱処理装置の第四実施例の要部平面
図である。
【図９】第四実施例の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
Ｇ ＬＣＤ基板（被処理基板） ２２ ホットプレート（載置台） ２３ 加熱ヒータ（加熱手段） ４０ 支持手段 ４１，４１ａ〜４１ｃ 支持ピン（支持体） ４５ 貫通孔 ４６ ボールねじ機構 ４７ ステッピングモータ ５１ａ〜５１ｃ 枠部材

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板を載置する載置台と、この載
    置台を通して上記被処理基板を加熱する加熱手段と、上
    記載置台上に突出して上記被処理基板と載置台面との間
    に所定の間隔を設ける支持手段とを具備する熱処理装置
    において、 上記支持手段を、上記載置台に所定間隔をおいて配列さ
    れる複数の支持体にて形成すると共に、支持体の高さ
    を、上記被処理基板の加熱温度分布に応じて変えるよう
    にしたことを特徴とする熱処理装置。
  2. 【請求項２】 載置台と支持体とを相対的に移動可能に
    形成し、駆動手段により上記載置台と支持体とを相対的
    に移動させるようにしたことを特徴とする請求項１記載
    の熱処理装置。
  3. 【請求項３】 被処理基板を載置する載置台と、この載
    置台を通して上記被処理基板を加熱する加熱手段とを具
    備する熱処理装置において、 上記載置台における載置面の明度を、上記被処理基板の
    加熱温度分布に応じて変化させることを特徴とする熱処
    理装置。
  4. 【請求項４】 被処理基板を載置する載置台と、この載
    置台を通して上記被処理基板を加熱する加熱手段とを具
    備する熱処理装置において、 上記載置台における載置面の表面粗さを、上記被処理基
    板の加熱温度分布に応じて変化させることを特徴とする
    熱処理装置。
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