JP3982674B2 - セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 87
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 26
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 NF 3 Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造装置においては、熱CVDなどによってシランガスなどの原料ガスから半導体薄膜を製造するに当たって、ウエハーを加熱するためのセラミックヒーターが採用されている。このようなヒーターにおいては、加熱面を高温に維持しながら、加熱面の温度の均一性を確保することによって、半導体不良を防止する必要がある。しかし、セラミックヒーターは、セラミック基体の内部に発熱体を埋設したものであり、加熱面にある程度の温度のバラツキが発生する。
【0003】
特開平6−53145号公報においては、セラミックヒーターのウエハー加熱面の温度の均一性を高める技術が開示されている。即ち、ウエハー加熱面を有する盤状のセラミックヒーターを製造した後、この加熱面の温度分布をサーモグラフによって観測する。次いで、求めた温度分布に基づき、画像処理を行い、反射板の温度分布を制御する。そして、反射板をセラミックヒーターの背面に対向する位置に設置する。セラミックヒーターの背面からの発熱が、反射板によって反射され、セラミックヒーターに戻る。このとき、加熱面の温度が低い領域では、反射板の熱吸収率を低下させる。これによって、反射板からセラミックヒーターへと反射される熱が増大するので、その領域の温度が増大するはずである。反射板の反射率を制御するためには、反射板の表面をサンドブラスト処理し、表面粗さを制御している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、本発明者が更に検討を進めた結果、特開平6−53145号公報記載の技術では、以下の問題点が残されていることが判明してきた。即ち、半導体チャンバー内において、セラミックヒーターの背面に別体の反射板を設置する必要がある。ここで、反射板の設置後において、反射板の反射面の熱吸収率(あるいは熱反射率)の分布が、平面的に見たときに、反射板を設置しないときのセラミックヒーターの加熱面の温度分布に正確に対応していなければならない。しかし、セラミックヒーターの加熱面と反射板の反射面との平面的な位置合わせは非常に困難である。なぜなら、(1)セラミックヒーターの加熱面(円形)の中心と反射板の反射面(円形)の中心とを位置合わせする必要があるからである。しかも、両者の中心を位置合わせすると共に、(2)この中心の回りの回転角度を一致させなければならない。
【0005】
更に、このような平面的な位置合わせを正確に行ったとしても、加熱面の温度の均一性を、仕様の範囲内に確保するには不十分である。なぜなら、セラミックヒーターの背面と反射板の反射面との間隔も重要だからである。具体的には、反射板の各点の熱吸収率は、反射板の反射面とヒーター背面との間隔が所定値αであるものとして計算、設計されている。ここで、ヒーターの背面と反射板の反射面との間隔がαよりも小さいと、反射面から背面へと伝わる熱量が増大し、加熱面の温度が上昇する。従って、(3)ヒーター背面と反射面との間隔がαとなるようにする必要があり、かつ、(4)ヒーター背面の全面にわたって、背面と反射面とが平行となるようにする必要がある。このような幾何学的位置関係を維持しながら反射板を半導体チャンバー内に設置することは、困難な場合があった。また、リフレクターを設置することにより、装置全体の構成が複雑になるばかりか、リフレクターの劣化、熱応力による破損や反り、プロセス流への影響が出る場合があった。
【0006】
本発明の課題は、セラミック基体、および発熱体を備えているセラミックヒーターにおいて、セラミック基体とは別体の部材を設置する必要なしに加熱面の温度を制御できるようにすることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、加熱面および背面を備えるセラミック基体および発熱体を備えているセラミックヒーターであって、
基体の前記背面に、第一の領域、および第一の領域に比べて熱放射率が相対的に小さい第二の領域が設けられており、第二の領域の中心線平均表面粗さが0.6μm以下(0.03μm未満を除く)であってかつ第一の領域の中心線平均表面粗さに比べて小さく、第二の領域がラッピング加工またはポリッシュ加工によって形成されており、加熱面におけるコールドスポットを基体の背面側に投射した投射領域に、第二の領域が設けられていることを特徴とする。
【0008】
また、本発明は、前記セラミックヒーター、発熱体に接続された端子部、セラミックヒーターの背面に対して固定される中空の支持部材、および支持部材の内側空間に設けられ、端子部に対して電気的に接続されている電力供給手段を備えていることを特徴とする、半導体製造装置用加熱装置に係るものである。
【0009】
本発明における半導体製造装置とは、半導体の金属汚染が懸念されるような、幅広い半導体製造プロセスにおいて使用される装置のことを意味している。これには、成膜装置の他、エッチング装置、クリーニング装置、検査装置が含まれる。
【0010】
また、本発明は、加熱面および背面を備えており,セラミック基体および発熱体を備えているセラミックヒーターを製造する方法であって、
セラミックヒーターの前記加熱面の温度分布を観測し、
基体の背面に、第一の領域、および第一の領域に比べて熱放射率が相対的に小さい第二の領域を設けるのに際して、
加熱面におけるコールドスポットを基体の背面側に投射した投射領域に、第二の領域を設け、第二の領域の中心線平均表面粗さが0.6μm以下(0.03μm未満を除く)であってかつ第一の領域の中心線平均表面粗さに比べて小さくなるように、第二の領域をラッピング加工またはポリッシュ加工によって形成する。
【0011】
本発明者は、セラミック基体それ自体の背面を、熱放射率の異なる複数の領域に分割することによって、基体の加熱面にいかなる影響があるかを研究してみた。この結果、加熱面の温度の均一性に対して予想外に大きな影響があることを見いた。
【0012】
セラミック基体の加熱面にコールドスポットが生成した場合には、基体背面のこれに対応する投射領域をラッピングまたはポリッシュ加工によって平坦化する。これによって、コールドスポットの温度が若干上昇し、消去された。このように、セラミック基体の平坦化加工で加熱面の温度分布を顕著に改善できることは知られていなかった。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を適宜参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。
【0014】
本発明の方法においては、まずセラミックヒーターの加熱面の温度分布を観測する。例えば図1に示すように、セラミックヒーター1は、板状のセラミック基体2と、基体2の内部に埋設されている発熱体3A、3Bとを備えている。2aは加熱面であり、2bは背面であり、2cは側面である。加熱面上に観測装置4を設置し、矢印Aのように加熱面の温度分布を測定する。この測定情報を矢印Bのように演算処理装置5に送って画像処理し、この結果を、矢印Cのように表示装置6へと伝送する。
【0015】
ここで、加熱面に、仕様の範囲を超えたコールドスポットやホットスポットが生成していた場合には、次の工程に移る。例えば、図2(a)に示すように、加熱面2aにコールドスポット7が生成していたものとする。この時点では、図2(b)に示すように、基体2の側面2cおよび背面2bの全体が、ある程度の粗面9であるものとする。
【0016】
次いで、少なくとも背面2b内において、コールドスポット7のパターンに対応する投射領域に、中心線平均表面粗さが相対的に小さい第二の領域を形成する。このためには、例えば、図3(a)、(b)に示すように、セラミックヒーター1Aの背面2bと側面2cとの全面をラッピングし、中心線平均表面粗さの小さい平滑化処理面10A、10B、10Cとする。なお、8は、コールドスポット7を背面2bに投射した投射領域である。
【0017】
次いで、図4(a)、(b)に示すように、側面2cをマスク12Bによって被覆する。また、コールドスポット7に対応する投射領域8をマスク12Aによって被覆する。
【0018】
この状態で、基体2の背面2bを粗面化処理し、次いでマスク12A、12Bを除去することによって、図5(a)、図5(b)、図6に示すセラミックヒーター1Bを得る。
【0019】
このヒーターにおいては、背面2bのうちコールドスポットに対応する投射領域は、マスクによって被覆されていたために、平滑化処理面10Bが残留している。基体2の側面2cは、マスクによって被覆されていたために、平滑化処理面10Aが残留している。これらの平滑化処理面10Aおよび10Bが第二の領域13を形成している。背面2bのうち、マスクによって被覆されていない領域は粗面化処理面14となり、相対的に中心線平均表面粗さの大きい第一の領域15を形成する。
【0020】
このように、コールドスポットの背面への投射領域や側面に、相対的に中心線平均表面粗さの小さい平滑領域13を形成することによって、コールドスポットを消去することが可能であることが分かった。
【0021】
しかも、このようにセラミック基体の背面の平坦化加工によって、加熱面の温度の均一性を制御できる点が重要であり、例えば従来技術におけるような反射板などの外部部材の設置は必要ない。
【0022】
特に、本例においては、セラミック基体内に2層の抵抗発熱体3A、3Bを埋設し、各抵抗発熱体の発熱量を2ゾーン制御している。むろん、3ゾーン以上の多ゾーン制御することも可能である。ここで、本例のような多ゾーン制御、特に複数層の抵抗発熱体を埋設して行う多ゾーン制御によって、通常は、加熱面の温度分布は、10℃以下程度のオーダーで良く制御できるようになっている。しかし、実際の製造品においては、様々な要因から、本例のような多ゾーン制御を行っても、局所的なコールドスポットが発生することがある。
【0023】
この場合には、コールドスポットが存在するゾーンにおいて、抵抗発熱体の発熱量を調節することによって、コールドスポットを消去することも考えられる。しかし、このような調節は実際には困難であった。なぜなら、抵抗発熱体に対する電力供給量を増加、減少させると、その抵抗発熱体の全体の発熱量が変化するだけであって、必ずしもセラミックスヒーター設置後の加熱面の温度分布が小さくなるわけではなく、かえって大きくなることもあるからである。また、多ゾーンヒーターは、加熱面の外周部分の平均温度や内周部分の平均温度を変化させるのには有効である。しかし、セラミックヒーター製品には、加熱面の一部のみにコールドスポットが発生することが多く、このため有効に対応できない。
【0024】
本発明は、このように多ゾーン制御によって、ある程度の均熱性が得られている場合に、局所的なコールドスポットに対して10℃以下程度のオーダーで対応可能とするものであり、これによって各製品ごとに個別に精密な温度分布制御が可能となる。
【0025】
本発明においては、加熱面の温度分布を均一化することができる。ただし、本発明における制御は、加熱面の温度分布の均一化のみには限られない。例えば加熱面の所定領域に、周囲よりも温度の高い領域や、周囲よりも温度の低い領域を生じさせる際にも有効である。
【0026】
セラミック基体の表面からの熱放射率は、以下のようにして測定する。セラミック基体を一定温度に保持し、これをサーモビュアーで観察する。このとき、サーモビュアーによる測定温度が、セラミック基体の設定温度になるように熱放射率の設定を行うことにより、簡易的な測定が可能である。
【0027】
第一の領域に、機械加工によって高さ1μm以上の突起を形成することができる。好ましくは、この突起は、いわゆるエンボスまたはディンプルである。突起の高さは、本発明の効果を促進するという観点からは10μm以上が好ましい。また、加工のしやすさや、プロセス中のガス流への影響を防止するという観点からは、1000μm以下であることが好ましい。
【0028】
第一の領域を化学的表面処理できる。こうした処理としては、後述のエッチングや酸化処理がある。
【0029】
好適な実施形態においては、基体の加熱面の平均温度が600℃のときの最高温度と最低温度との差が20℃以下であり、特に好ましくは10℃以下である。加熱面の平均温度が600℃以上になると、粗面からの熱放射の効果が大きくなる。この結果、被加熱物の面内温度分布がある程度良い状態において、更に温度の均一性を改善する効果が、本発明によって達成しやすいからである。
【0030】
本発明においては、セラミックヒーターの加熱面の温度分布を観測し、この温度分布に基づいて第一の領域および第二の領域を形成する。
【0031】
本発明においては、加熱面におけるコールドスポットを背面側に投射した投射領域に、相対的に熱放射率の小さい第二の領域を設ける。
【0032】
第一の領域の中心線平均表面粗さRaと第二の領域の中心線平均表面粗さRaとの差は、本発明の作用効果を奏する上で、0.05μm以上が好ましく、0.1μm以上が更に好ましい。
【0033】
第一の領域の中心線平均表面粗さRaは、本発明の作用効果を奏する上で、0.6μm以上が好ましく、0.8μm以上が更に好ましい。
【0034】
第二の領域の中心線平均表面粗さRaは、本発明の作用効果を奏する上で、0.6μm以下とするが、0.4μm以下が更に好ましい。
【0035】
中心線平均表面粗さは、表面粗さ計によって測定する。
【0036】
第一の領域と第二の領域との間で中心線平均表面粗さを変化させるためには、第二の領域を平滑化処理するが、第一の領域を粗面化処理してもよい。
【0037】
第一の領域の粗面化処理は限定されないが、ブラスト加工、エッチング加工が好ましい。以下は好適条件である。
(サンドブラスト)
サンドブラストにおけるブラスト材としては、炭化珪素、アルミナ等のセラミックが好ましく、金属はメタルコンタミネーション源となるので好ましくない。ブラスト材の粒径は、♯180以上の細かいものが、セラミックスの表面へのダメージを低減でき、ダメージ部のメタル成分残留量を低減できるため、好ましい。ブラストノズル材はセラミックスが好ましい。湿式、乾式のいずれであってもよい。
(エッチング)
フッ酸、塩酸、硝酸、アンモニアを使用したウエットエッチング、NF3、Cl2、ClF3等のハロゲンガスを用いたドライエッチングが好ましい。
【0038】
第二の領域の平滑化処理はラッピング、ポリッシングである。以下は好適条件である。
○ ♯800以上のダイヤモンド砥石を用いた研磨加工。
○ アルミナやコロイダルシリカ等の遊離砥粒(粒径0.1μm以下)を使ったバフ研磨
○ 5μm以下のダイヤモンド砥粒を用いたラップ(回転数10rpm以上、圧力100g/cm2以上)
【0039】
加熱面の温度分布の観測装置は特に限定されないが、赤外線サーモビュアーや熱電対付きウエハー、RTDウエハー、熱電対が好ましい。また、観測した温度分布の画像処理結果に応じてマスクを作成する方法は周知である。
【0040】
基体の材質は特に限定されない。好ましくは、基体の材質は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びサイアロンなどの窒化物セラミックス、アルミナー炭化ケイ素複合材料などの公知のセラミックス材料であってよい。ハロゲン系ガスなどの腐食性ガスに対して高い耐腐食性を付与するためには、窒化アルミニウムやアルミナが特に好ましい。
【0041】
基体の形状は特に限定されないが、円板形状が好ましい。半導体設置面の形状は、ポケット形状、エンボス形状、溝形状が施される場合もある。
【0042】
ヒーターの基体の製法は限定されないが、ホットプレス製法、ホットアイソスタティックプレス製法が好ましい。
【0043】
加熱素子の形状は、コイル形状、リボン形状、メッシュ形状、板状、膜状であってよい。加熱素子の材質は、タンタル、タングステン、モリブデン、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの合金である高融点金属であることが好ましい。特に、セラミックス基体を窒化アルミニウムから構成した場合においては、モリブデン及びモリブデン合金であることが好ましい。また、上記高融点金属以外に、カーボン、TiN、TiCなどの導電性材料を使用することもできる。
【0044】
図6は、本発明の一実施形態に係る加熱装置22を背面2b側から見た斜視図であり、図7は、加熱装置22の断面図である。
【0045】
加熱装置22は、円板状のヒーター1Bと支持部材21とを備えている。ヒーター1Bは図5のものである。基体2の加熱面2aは、半導体Wを設置するための半導体設置面になっている。ヒーター1Bの背面2bには、中空の支持部材21の端面21cが接合されている。この接合方法は特に限定されず、例えばろう材によって接合でき、あるいは特開平8−73280号公報に記載のようにして固相接合できる。また、ヒーターと支持部材とは、Oリングやメタルパッキングなどのシール部材を用いてシール接合することができる。
【0046】
支持部材21は筒状を呈している。支持部材21の内側空間19は、チャンバー内の雰囲気20とは隔離されている。内側空間19には電力供給手段18が収容されている。電力供給手段18の末端は端子17に接続されている。21aは支持部材21の外周面であり、21bは内周面である。ヒーターの端子部17や電力供給手段18が支持部材の内側空間19に収容され、半導体製造装置内部の雰囲気20とは隔離されることから、端子部17や電力供給手段18の腐食を防止、抑制し、半導体の金属汚染を防止することができる。
【0047】
支持部材の材質は限定されないが、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びサイアロンなどの窒化物セラミックス、アルミナー炭化ケイ素複合材料などの公知のセラミックス材料であってよい。
【0048】
電力供給手段の形態は限定されず、ロッド形状、ワイヤー形状、ロッドとワイヤーとの複合体を例示できる。電力供給手段の材質も限定されないが、チャンバー内雰囲気20から隔離されており、腐食を受けにくいことから、その材質を金属とすることが好ましく、特にニッケルが好ましい。
【0049】
図8(a)、(b)、図9は、それぞれ、本発明の他の実施形態に係るセラミックスヒーター1C、1D、1Eの要部を示す断面図である。
【0050】
図8(a)のヒーター1Cにおいては、第二の領域13は、前述した平滑化処理面である。第一の領域15には、V溝24が互いに平行に一定間隔で多数形成されている。これによって、第一の領域15からの熱放射率が、平滑化処理された第二の領域13からの熱放射率よりも大きくなっている。
【0051】
図8(b)のヒーター1Dにおいては、第二の領域13は平滑化処理面である。第一の領域15には、ディンプル状ないしエンボス状の突起25が一定間隔で多数形成されている。これによって、第一の領域15からの熱放射率が、平滑化処理された第二の領域13からの熱放射率よりも大きくなっている。
【0052】
図9のヒーター1Eにおいては、第二の領域13は平滑化処理面である。第一の領域15においては、基体の表面領域が研削加工によって除去されており、これによって研削加工面26が露出している。この面26の明度は、平滑化処理面10A、10Bの明度よりも低くなっており、これによって領域15からの熱放射率が領域13からの熱放射率よりも大きくなっている。このように、セラミック基体の表面をある程度加工することによって、表面の明度が変化する場合には、基体表面の加工のみによって明度をコントロールできる。
【0053】
【実施例】
図1〜図5を参照しつつ説明した方法に従って、セラミックヒーターを製造した。基体2の材質は窒化アルミニウム焼結体とし、基体2の直径φは250mmとし、厚さは10mmとした。基体2の内部には、モリブデン製のコイルスプリング形状の発熱体3A、3Bを埋設した。端子はモリブデン製の円柱状端子とした。
【0054】
このセラミックヒーター1を昇温し、加熱面2aの平均温度が約700℃となるようにした。そして、加熱面2aの温度分布をサーモビュアーによって観測した。この結果を図10に示す。図10から分かるように、図2(a)のような略円弧状のコールドスポット7が生成していた。最高温度と最低温度との差を測定したところ、8.5℃であった。
【0055】
次いで、図3に示すように、基体2の側面2cおよび背面2bを全面にわたってラップ加工した。得られた平滑化処理面10A、10B、10Cの中心線平均表面粗さは0.5μmである。
【0056】
次いで、図4に示すようなマスク12A、12Bを設置し、サンドブラスト加工を行った。そしてマスクを除去し、図5に示すようなセラミックヒーター1Bを得た。第一の領域13の中心線平均表面粗さは0.5μmであり、第二の領域15の中心線平均表面粗さは1.0μmであった。
【0057】
このセラミックヒーター1Bを昇温し、加熱面2aの平均温度が約700℃となるようにした。そして、加熱面2aの温度分布をサーモビュアーによって観測した。この結果を図11に示す。図10に示したようなコールドスポットが消滅していることが分かる。最高温度と最低温度との差を測定したところ、4.5℃であった。
【0058】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、セラミック基体と発熱体とを備えているセラミックヒーターにおいて、セラミック基体とは別体の部材を設置する必要なしに加熱面の温度を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】セラミックヒーター1の加熱面2aの温度分布の測定法を説明するための模式図である。
【図2】(a)は、セラミックヒーター1を加熱面2a側から見た平面図であり、(b)は、ヒーター1の側面2c近傍の断面図である。
【図3】(a)は、ラップ加工後のセラミックヒーター1Aを背面2b側から見た底面図であり、(b)は、ヒーター1Aの側面2c近傍の断面図である。
【図4】(a)は、マスク設置後のセラミックヒーター1Aを背面2b側から見た底面図であり、(b)は、マスク設置後のヒーター1Aの側面2c近傍の断面図である。
【図5】(a)は、粗面化処理後のセラミックヒーター1Bを背面2b側から見た底面図であり、(b)は、ヒーター1Bの側面2c近傍の断面図である。
【図6】加熱装置22を背面2b側から見た斜視図である。
【図7】加熱装置22の断面図である。
【図8】(a)はセラミックヒーター1Cの要部を示す断面図であり、第一の領域15に溝24が形成されている。(b)は、セラミックヒーター1Dの要部を示す断面図であり、第一の領域15に突起25が規則的に形成されている。
【図9】セラミックヒーター1Eの要部を示す断面図である。
【図10】処理前のセラミックヒーター1の加熱面の温度分布の測定結果を示す図である。
【図11】処理後のセラミックヒーター1Bの加熱面の温度分布の測定結果を示す図である。
【符号の説明】
1 処理前のセラミックヒーター 1A 側面および背面をラップ加工した後のセラミックヒーター 1B、1C、1D、1E 本発明の処理後のセラミックヒーター 2 セラミック基体 2a 加熱面 2b 背面 2c 側面 3A、3B 発熱体 4 温度分布の観測装置 5 演算処理装置 6 表示装置 7 コールドスポット 10A、10B、10C 平滑化処理面 12A、12B マスク 13 第一の領域 14 粗面化処理面 15 第二の領域 17 端子部 18 電力供給手段 21 支持部材 22 加熱装置 24 凹部 25 突起 26 表面加工部分 W 半導体
Claims (3)
- 加熱面および背面を備えるセラミック基体および発熱体を備えているセラミックヒーターであって、
前記基体の前記背面に、第一の領域、および前記第一の領域に比べて熱放射率が相対的に小さい第二の領域が設けられており、前記第二の領域の中心線平均表面粗さが0.6μm以下(0.03μm未満を除く)であってかつ前記第一の領域の中心線平均表面粗さに比べて小さく、前記第二の領域がラッピング加工またはポリッシュ加工によって形成されており、前記加熱面におけるコールドスポットを前記基体の背面側に投射した投射領域に、前記第二の領域が設けられていることを特徴とする、セラミックヒーター。 - 請求項1記載のセラミックヒーター、前記発熱体に接続された端子部、前記セラミックヒーターの背面に対して固定される中空の支持部材、および前記支持部材の内側空間に設けられ、前記端子部に対して電気的に接続されている電力供給手段を備えていることを特徴とする、半導体製造装置用加熱装置。
- 加熱面および背面を備えるセラミック基体および発熱体を備えているセラミックヒーターを製造する方法であって、
前記セラミックヒーターの前記加熱面の温度分布を観測し、
前記基体の前記背面に、第一の領域、および前記第一の領域に比べて熱放射率が相対的に小さい第二の領域を設けるのに際して、
前記加熱面におけるコールドスポットを前記基体の前記背面側に投射した投射領域に前記第二の領域を設け、前記第二の領域の中心線平均表面粗さが0.6μm以下(0.03μm未満を除く)であってかつ前記第一の領域の中心線平均表面粗さに比べて小さくなるように、前記第二の領域をラッピング加工またはポリッシュ加工によって形成することを特徴とする、セラミックヒーターの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001352964A JP3982674B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置 |
TW091116816A TW554463B (en) | 2001-11-19 | 2002-07-26 | Ceramic heater, the manufacturing method of the same, and heating apparatus for semiconductor manufacturing device |
US10/274,689 US6812434B2 (en) | 2001-11-19 | 2002-10-21 | Ceramic heaters, a method for producing the same and heating apparatuses used for a system for producing semiconductors |
KR10-2002-0069958A KR100515702B1 (ko) | 2001-11-19 | 2002-11-12 | 세라믹 히터, 그 제조 방법 및 반도체 제조 장치용 가열장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001352964A JP3982674B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003151729A JP2003151729A (ja) | 2003-05-23 |
JP3982674B2 true JP3982674B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=19165068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001352964A Expired - Lifetime JP3982674B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6812434B2 (ja) |
JP (1) | JP3982674B2 (ja) |
KR (1) | KR100515702B1 (ja) |
TW (1) | TW554463B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11784067B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-10-10 | Niterra Co., Ltd. | Holding device and method for manufacturing holding device |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60021848T2 (de) * | 1999-11-19 | 2006-06-08 | Ibiden Co., Ltd. | Keramisches heizgerät |
US7666323B2 (en) * | 2004-06-09 | 2010-02-23 | Veeco Instruments Inc. | System and method for increasing the emissivity of a material |
JP4807619B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2011-11-02 | 株式会社島津製作所 | 真空装置の加熱機構 |
JP4731365B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-07-20 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置及びその製造方法 |
US20080145038A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating a substrate |
US8294069B2 (en) * | 2007-03-28 | 2012-10-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device for heating a wafer |
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JP5777922B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-09-09 | 京セラ株式会社 | セラミックヒータ |
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JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6758143B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-09-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
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EP3711555A1 (en) * | 2019-03-22 | 2020-09-23 | Nerudia Limited | Smoking substitute system technical |
JP7427517B2 (ja) * | 2020-04-27 | 2024-02-05 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
KR102658726B1 (ko) * | 2021-12-03 | 2024-04-18 | 주식회사 케이에스엠컴포넌트 | 반도체 제조 장치용 가열 장치 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2617064B2 (ja) | 1992-07-28 | 1997-06-04 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウェハー加熱装置およびその製造方法 |
JP3052116B2 (ja) * | 1994-10-26 | 2000-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
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JP4039645B2 (ja) * | 1998-01-16 | 2008-01-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
JP3983387B2 (ja) * | 1998-09-29 | 2007-09-26 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
JP3844408B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2006-11-15 | 信越化学工業株式会社 | 複層セラミックスヒータ |
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-
2001
- 2001-11-19 JP JP2001352964A patent/JP3982674B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-26 TW TW091116816A patent/TW554463B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-21 US US10/274,689 patent/US6812434B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-12 KR KR10-2002-0069958A patent/KR100515702B1/ko active IP Right Grant
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---|---|---|---|---|
US11784067B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-10-10 | Niterra Co., Ltd. | Holding device and method for manufacturing holding device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW554463B (en) | 2003-09-21 |
KR20030041774A (ko) | 2003-05-27 |
US6812434B2 (en) | 2004-11-02 |
US20030094447A1 (en) | 2003-05-22 |
KR100515702B1 (ko) | 2005-09-15 |
JP2003151729A (ja) | 2003-05-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130713 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |