JP2000021957A

JP2000021957A - 試料加熱装置

Info

Publication number: JP2000021957A
Application number: JP18669998A
Authority: JP
Inventors: Masao Yoshida; 政生吉田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-07-01
Filing date: 1998-07-01
Publication date: 2000-01-21
Anticipated expiration: 2018-07-01
Also published as: JP3810216B2

Abstract

(57)【要約】【課題】加熱、冷却の繰り返しに伴う熱サイクルによっ
てセラミックヒータ２とセラミック筒状支持体１２との
接合部１０にクラックが発生することを防止する。【解決手段】抵抗発熱体４を埋設してなる板状セラミッ
ク体３の一方の主面を試料Ｗの載置面５とし、他方の主
面に上記抵抗発熱体４と電気的に接続された給電端子６
を有するセラミックヒータ４の上記他方の主面に、前記
給電端子６を包囲するようにセラミック筒状支持体１２
を焼結により接合一体化するとともに、上記セラミック
筒状支持体１２との接合部１０の外周縁及び／又は内周
縁に沿って環状溝２ａを刻設して試料加熱装置１を構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ、
減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜装置
やプラズマエッチング、光エッチング等のエッチング装
置において、半導体ウエハ等の試料を保持した状態で各
種処理温度に加熱する試料加熱装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリン
グなどの成膜装置や、プラズマエッチング、光エッチン
グなどのエッチング装置では、試料となる半導体ウエハ
（以下、ウエハと称す。）を保持しつつ各種処理温度に
加熱するために試料加熱装置が使用されている。

【０００３】例えば、図７に従来の試料加熱装置を真空
処理室内に取り付けた状態を示すように、２０はプロセ
スガスを供給するためのガス供給孔２１と真空引きする
ための排気孔２２を備えた真空処理室で、該真空処理室
２０内にはセラミックヒータ３２とセラミック筒状支持
体４２とからなる試料加熱装置３１が設置されている。
この種のセラミックヒータ３２は、円盤状をなし上下面
が平滑かつ平坦に形成された板状セラミック体３３から
なり、該板状セラミック体３３中には抵抗発熱体３４を
埋設するとともに、一方の主面をウエハＷの載置面３５
とし、他方の主面には上記抵抗発熱体３４と電気的に接
続された給電端子３６が接合されている。また、上記板
状セラミック体３３の他方の主面には、前記給電端子３
６を包囲するようにセラミック筒状支持体４２がガラス
接合でもって接合一体化され、給電端子３６へ接続され
るリード線３７を真空処理室２０外へ取り出すようにな
っていた（特開平４−７８１３８号公報参照）。

【０００４】そして、この試料加熱装置３１によりウエ
ハＷに成膜やエッチング等の処理を施すには、まず、真
空処理室２０内を真空状態とするとともに、セラミック
ヒータ３２の載置面３５にウエハＷを載せ、給電端子３
６に通電して抵抗発熱体３４を発熱させることによりウ
エハＷを４００℃以上の設定温度まで加熱し、この状態
でガス供給孔２１よりデポジッション用ガスやエッチン
グ用ガスなどのプロセスガスを真空処理室２０内へ導く
ことで、ウエハＷに各種処理を施すようになっていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記セラミ
ックヒータ３２の発熱によって試料加熱装置３１に室温
域（２５℃）から４００℃以上の温度範囲で繰り返し熱
サイクルが加わると、セラミックヒータ３２とセラミッ
ク筒状支持体４２との接合部における気密性が損なわれ
るため、真空処理室２０内の真空度が低下し、その結
果、成膜精度やエッチング精度に悪影響を与えるといっ
た課題があった。

【０００６】即ち、試料加熱装置３１は大型で構造が複
雑であるためにセラミックヒータ３２とセラミック筒状
支持体４２とを一体物として成形、焼成して製作するこ
とは難しく、両者を個別に製作したのちガラス接合によ
って一体的に接合してあるのであるが、セラミックヒー
タ３２と接合部４０及びセラミック筒状支持体４２と接
合部４０との間にはそれぞれ接合界面が存在するととも
に、セラミックヒータ３２とセラミック筒状支持体４２
との間には熱伝達特性の異なるガラスが介在することか
ら、これらの接合界面には熱応力が集中し易く、その結
果、繰り返し加わる熱応力によって接合部４０にクラッ
クが発生することを防ぐことができなかった。

【０００７】また、成膜装置やエッチング装置では、デ
ポジッション用ガス、エッチング用ガス、あるいはクリ
ーニング用ガスとして腐食性の高いハロゲン系ガスが使
用されているのであるが、接合部４０がガラスからなる
ために上記ハロゲン系ガスに曝されると腐食摩耗し易
く、短期間のうちに気密性が損なわれるとともに、この
腐食摩耗により発生した摩耗粉がウエハＷへの処理精度
に悪影響を与えるといった課題もあった。

【０００８】しかも、ガラス接合ではせいぜい４００℃
程度の温度域までしか使用に耐えられず、近年要求され
ている６００℃以上の温度域での処理には対応すること
が出来なかった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、第１の発明は、抵抗発熱体を埋設してなる板
状セラミック体の一方の主面を試料の載置面とし、他方
の主面に上記抵抗発熱体と電気的に接続された給電端子
を有するセラミックヒータと、上記給電端子を包囲する
ように前記セラミックヒータの他方の主面に気密に接合
一体化され、上記セラミックヒータを真空処理室内に設
置するセラミック筒状支持体とからなる試料加熱装置に
おいて、上記セラミックヒータの他方の主面のうち、上
記セラミック筒状支持体との接合部の外周縁及び／又は
内周縁に沿って環状溝を刻設したことを特徴とする。

【００１０】また、第２の発明は、抵抗発熱体を埋設し
てなる板状セラミック体の一方の主面を試料の載置面と
し、他方の主面に上記抵抗発熱体と電気的に接続された
給電端子を有するセラミックヒータと、上記給電端子を
包囲するように前記セラミックヒータの他方の主面に気
密に接合一体化され、上記セラミックヒータを真空処理
室内に設置するセラミック筒状支持体とからなる試料加
熱装置において、上記セラミックヒータの他方の主面の
中央に凸状部を設け、該凸状部に上記セラミック筒状支
持体を接合するようにしたことを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００１２】図１は本発明の試料加熱装置を真空処理室
に取り付けた状態を示す断面図、図２は試料加熱装置の
みを示す斜視図、図３は試料加熱装置の分解図である。

【００１３】図１において、２０はプロセスガスを供給
するためのガス供給孔２１と真空引きするための排気孔
２２を備えた真空処理室で、該真空処理室２０内にはセ
ラミックヒータ２とセラミック筒状支持体１２とからな
る試料加熱装置１を設置してある。このセラミックヒー
タ２は、図２に示すように円盤状をなし上下面が平滑な
板状セラミック体３からなり、その大きさとしてはウエ
ハＷのサイズにもよるが外径１５０〜３５０ｍｍ、厚み
８〜２５ｍｍ程度のものを用いることができる。また、
板状セラミック体３中にはタングステンやモリブデンあ
るいは白金等の金属からなる抵抗発熱体４を埋設してあ
り、一方の主面をウエハＷの載置面５とするとともに、
他方の主面には上記抵抗発熱体４と電気的に接続される
給電端子６を接合してある。なお、本発明において主面
とは、板状セラミック体３のうち最も広い表面のことで
あり、他方の主面とは、一方の主面と反対側の表面のこ
とを言う。

【００１４】また、上記板状セラミック体３の中心には
熱電対等の温度検出手段８が内蔵してあり、載置面５の
温度を検出するようになっている。

【００１５】そして、上記板状セラミック体３の他方の
主面には、給電端子６及び温度検出手段８のリード線９
を包囲するように円筒状をしたセラミック筒状支持体１
２が焼結によって気密に接合一体化してあり、給電端子
６及び温度検出手段８へ接続されるリード線７，９を真
空処理室２０外へ取り出すようになっている。

【００１６】ここで、セラミックヒータ２を構成する板
状セラミック体３及びセラミック筒状支持体１２として
は、緻密で耐熱性、耐蝕性、さらには耐プラズマ性に優
れたセラミックスにより形成することが必要であり、こ
のようなセラミックスとしては窒化珪素、サイアロン、
窒化アルミニウム、窒化硼素を主成分とする窒化物系セ
ラミックスを用いることができる。これらの中でも特に
窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスは、他の
セラミックスと比較して高い熱伝導率を有することか
ら、急速昇温が可能であるとともに、腐食性の高いハロ
ゲン系ガスやプラズマに対して優れていることから好適
である。

【００１７】また、板状セラミック体３とセラミック筒
状支持体１２とは、焼結によって接合一体化する観点か
ら同種（主成分が同じ）のセラミックスにより形成する
ことが必要であり、好ましくは同一組成のセラミックス
により形成することが良い。これにより両者の熱膨張差
を極めて小さくすることができるため、接合界面に発生
する熱応力を大幅に低減することができ、接合部１０に
クラックが発生するのを抑えることができる。

【００１８】なお、本発明において、焼結により接合一
体化するとは、接合部１０も板状セラミック体３やセラ
ミック筒状支持体１２と同種あるいは同一組成のセラミ
ックスからなり、板状セラミック体３と接合部１０及び
接合部１０とセラミック筒状支持体１２とがいずれも焼
結されていることを言う。焼結によって接合一体化する
方法としては、板状セラミック体３やセラミック筒状支
持体１２を構成するセラミックスと同種あるいは同一組
成のセラミックスペーストをいずれか一方の接合面に塗
布し、他方を上記接合面に当接させたあと押圧した状態
で加熱して焼結させるホットプレス法により接合する
か、あるいは上記セラミックペーストをいずれか一方の
接合面に塗布し、他方を上記接合面に当接させたあと押
圧した状態で超音波振動を加えて焼結させる超音波振動
法により接合することができる。

【００１９】このように、板状セラミック体３とセラミ
ック筒状支持体１２とを焼結によって接合一体化すれ
ば、板状セラミック体３と接合部１０との間、接合部１
０とセラミック筒状支持体１２との間の熱膨張差を極め
て小さくできるため、接合部１０に集中する熱応力を大
幅に低減することができる。しかも、接合部１０は耐蝕
性、耐プラズマ性にも優れることから腐食摩耗が少な
く、摩耗粉の発生が少ないことからウエハＷに悪影響を
与えることもない。

【００２０】さらに、本発明の試料加熱装置１には、図
１や図３に示すようにセラミックヒータ３の他方の主面
のうち、セラミック筒状支持体１２との接合部１０の外
周縁に沿って上記セラミック筒状支持体１２の外形状と
相似なリング状をした環状溝２ａを刻設してあり、接合
部１０近傍の表面積を大きくして冷却効果を高めてあ
る。

【００２１】その為、セラミックヒータ２の発熱によっ
て室温域から４００℃以上の温度範囲で繰り返し熱サイ
クルが加わったとしても接合部１０に集中する熱応力を
緩和してクラックの発生を防ぐことができるため、長期
使用においても気密性を維持することができる。

【００２２】即ち、セラミックヒータ２とセラミック筒
状支持体１２とを焼結によって接合一体化してもセラミ
ックヒータ２と接合部１０との間、及び接合部１０とセ
ラミック筒状支持体１２との間にはそれぞれ接合界面が
存在し、これらの接合界面の存在によりセラミックヒー
タ１とセラミック筒状支持体１２を同種のセラミックス
により形成して熱膨張差を小さくしたとしても熱伝達が
悪いために熱応力が集中するのであるが、本発明は、セ
ラミックヒータ２の他方の主面のうち、接合部１０の外
周縁に環状溝２ａを設けて表面積を大きくすることで、
接合部１０の放熱性を高めてあることから、接合部１０
に熱応力が集中したとしてもその熱応力の大きさを低減
し、クラックの発生を防ぐことができる。

【００２３】ところで、このような効果を得るために
は、環状溝２ａの寸法、特に深さＴが重要であり、１ｍ
ｍ未満では浅すぎるために熱応力を緩和する効果が小さ
い。その為、環状溝２ａの深さＴは少なくとも１ｍｍ以
上とすることが良く、例えば、板状セラミック体３及び
セラミック筒状支持体１２が高熱伝導率を有する窒化ア
ルニウムを主成分とするセラミックスである場合、環状
溝２ａの深さＴを４〜６ｍｍとすることで最も熱応力を
緩和する効果を得ることができる。ただし、環状溝２ａ
の深さＴが板状セラミック体３の厚みの１／２ｍｍより
大きくなると、セラミックヒータ２の強度が大きく低下
するとともに、載置面５の温度分布を均一にすることが
難しくなるため、上限は板状セラミック体３の厚みの１
／２ｍｍ以下とすることが良い。

【００２４】また、環状溝２ａの幅Ｌは、１〜２５ｍｍ
の範囲で設定することが良い。これは１ｍｍ未満では幅
Ｌが狭すぎるために環状溝２ａの深さＴを１ｍｍ以上と
しても環状溝２ａ内に熱がこもり、熱応力を緩和する効
果が小さいからであり、逆に２５ｍｍより広くなると、
載置面５の温度分布にばらつきを生じる恐れがあるから
である。

【００２５】さらに、環状溝２ａの断面形状は、クラッ
クの発生を防ぐ観点から図１に示すような底面を曲面状
に形成したものが好ましく、その曲率半径Ｒ₁は０．５
〜１２．５ｍｍの範囲が良い。このような環状溝２ａを
形成する方法としては、研削、ショットブラスト、超音
波加工等の加工方法を用いることで形成することができ
る。

【００２６】なお、図１では、セラミックヒータ２の他
方の主面のうち、セラミック筒状支持体１２との接合部
１０の外周縁に沿って環状溝２ａを設けた例を示した
が、図４に示すように、セラミック筒状支持体１２との
接合部１０の内周縁に沿ってのみ環状溝２ａを設けたも
のでも良く、さらには図示していないがセラミック筒状
支持体１２との接合部１０の外周縁及び内周縁に沿って
それぞれ環状溝２ａを設けたものでも構わない。

【００２７】かくして、本発明の試料加熱装置１を用い
てウエハＷに成膜やエッチング等の処理を施せば、室温
域から４００℃以上の温度範囲で繰り返し熱サイクルが
加わったとしてもセラミックヒータ２とセラミック筒状
支持体１２との接合部１０における気密性を損なうこと
がなく、載置面５の温度分布を常に均一に保つことがで
きるため、長期間にわたって精度の高い成膜やエッチン
グを安定して施すことができる。

【００２８】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。

【００２９】図５は本発明の試料加熱装置１の他の例を
示す断面図で、セラミックヒータ２を構成する板状セラ
ミック体３の他方の主面の中央部に円錐台状の凸状部２
ｂを形成し、この凸状部２ｂにセラミック筒状支持体１
２を焼結によって気密に接合一体化したものである。

【００３０】このように、板状セラミック体３の他方の
主面の中央部に凸状部２ｂを形成しておくことで接合部
１０の外周縁の表面積を大きくしたことと同様の効果が
得られ、接合部１０の放熱性を高めることができるた
め、接合部１０に集中する熱応力を緩和してクラックの
発生を防ぐことができる。

【００３１】ただし、この構造の場合、凸状部２ｂの高
さＱが１ｍｍ未満では熱応力を緩和する効果が小さく、
逆に、１０ｍｍより高くなると板状セラミック体３にお
ける中央部の厚みと周縁部の厚みの差が大きくなり過ぎ
るために、板状セラミック体３中に埋設されている抵抗
発熱体４の抵抗値を中央部と周縁部で調整したとしても
載置面５の温度分布を均一にすることが難しい。その
為、凸状部２ｂの高さＱは１〜１０ｍｍの範囲で設ける
ことが良い。

【００３２】また、板状セラミック体３の他方の主面と
凸状部２ｂの側面とのエッジは、クラックの発生を防ぐ
観点から滑らかな曲面状に形成することが良く、その曲
率半径Ｒ₂は０．３ｍｍ以上とすることが好ましい。

【００３３】このように、図５では板状セラミック体３
の他方の主面の中央部に円錐台状の凸状部２ｂを形成し
た例を示したが、図６に示すように、板状セラミック体
３の他方の主面の中央部に、セラミック筒状支持体１２
の接合部の形状と合致したリング状の凸状部２ｂを形成
し、この凸状部２ｂにセラミック筒状支持体１２を焼結
によって接合一体化しても、接合部１０の気密性を長期
間にわたって維持することができる。

【００３４】（実施例１）ここで、セラミック筒状支持
体１２との接合部１０の外周縁及び／又は内周縁に沿っ
て環状溝２ａを設けることによる効果を確認するため
に、環状溝２ａを持たない従来の試料加熱装置３１を真
空処理室２０に設置し、セラミックヒータ３２の平均温
度が８００℃となるまで加熱したあと、赤外線放射温度
計にて載置面３５の温度を１０点測定して温度分布を測
定し、この温度分布をもとに有限要素法を用いたシミュ
レーション解析を行うことにより、セラミック筒状支持
体１２との接合部１０の外周縁に沿って環状溝２ａを設
けた試料加熱装置１、セラミック筒状支持体１２との接
合部１０の内周縁に沿って環状溝２ａを設けた試料加熱
装置１、セラミック筒状支持体１２との接合部１０の内
周縁及び外周縁に沿って環状溝２ａをそれぞれ設けた試
料加熱装置１、及び環状溝２ａを持たない従来の試料加
熱装置３１について、板状セラミック体３，３３とセラ
ミック筒状支持体１２，４２との接合部１０，４０に発
生する熱応力を各々解析した。

【００３５】なお、モデルの寸法は、板状セラミック体
３，３３が外径３００ｍｍ、厚み１５ｍｍ、セラミック
筒状支持体１２，４２が外径５０ｍｍ、肉厚８ｍｍと
し、板状セラミック体３，３３及びセラミック筒状支持
体１２，４２はいずれも２５℃における熱伝導率が６４
Ｗ／ｍｋ、８００℃における熱伝導率が３２Ｗ／ｍｋで
ある窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスを想
定して実験を行った。

【００３６】それぞれの結果は表１〜表３に示す通りで
ある。

【００３７】これらの結果、セラミック筒状支持体１２
との接合部１０の内周縁及び／又は外周縁に沿って環状
溝２ａを設けることで、接合部１０に発生する熱応力を
大きく緩和できることが判る。しかも、環状溝２ａの深
さＴが深くなるほど熱応力が小さくなる傾向にあり、環
状溝２ａの深さは深い方が良いことが判る。

【００３８】さらに、環状溝２ａは、セラミック筒状支
持体１２との接合部１０の内周縁に設けるよりも外周縁
に設けた方が熱応力を小さくできることが判る。

【００３９】次に、環状溝２ａの幅Ｌを変えた時の効果
を確認するため、環状溝２ａの深さＴを４ｍｍに固定
し、環状溝２ａの幅Ｌを５ｍｍより小さい２ｍｍと逆に
５ｍｍより大きい１０ｍｍとした時の熱応力について有
限要素法により解析したところ、熱応力には変化が見ら
れなかった。

【００４０】このことから、接合部１０に作用する熱応
力は特に環状溝２ａの深さＴに大きく起因し、環状溝２
ａを設けることで熱応力を小さくできることが判る。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【表２】

【００４３】

【表３】

【００４４】（実施例２）次に、実施例１での効果を確
認するため、セラミック筒状支持体１２との接合部１０
の外周縁に沿って深さＴ１ｍｍの環状溝２ａを設けた試
料加熱装置１と環状溝２ａを持たない従来の試料加熱装
置３１をそれぞれ実際に試作し、これらの試料加熱装置
１，３１を真空処理室２０に設置し、セラミックヒータ
２，３２を常温域（２５℃）から８００℃の温度範囲で
加熱、冷却を繰り返す熱サイクルを行い、Ｈｅリークデ
ィテクターにより接合部１０，４０の気密性について確
認する実験を行った。なお、セラミックヒータ２，３２
を構成する板状セラミック体３，３３及びセラミック筒
状支持体１２，４２はいずれも２５℃における熱伝導率
が６４Ｗ／ｍｋでかつ、８００℃における熱伝導率が３
２Ｗ／ｍｋである高純度窒化アルミニウムセラミックス
により形成するとともに、セラミックヒータ２，３２及
びセラミック筒状支持体１２，４２の寸法も実施例１と
同様の寸法にて形成したものを使用した。

【００４５】この結果、環状溝２ａを持たない従来の試
料加熱装置３１では、１０回程度の熱サイクルでセラミ
ックヒータ３２とセラミック筒状支持体４２との接合部
４０にクラックが発生し、気密性が低下したのに対し、
環状溝２ａを設けた本発明の試料加熱装置１は６００回
の熱サイクル試験においてもセラミックヒータ３とセラ
ミック筒状支持体１２との接合部１０にクラックは見ら
れず充分な気密性を有することを確認することができ
た。

【００４６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、抵抗発
熱体を埋設してなる板状セラミック体の一方の主面を試
料の載置面とし、他方の主面に上記抵抗発熱体と電気的
に接続された給電端子を有するセラミックヒータと、上
記給電端子を包囲するように前記セラミックヒータの他
方の主面に焼結によって気密に接合一体化され、上記セ
ラミックヒータを真空処理室内に設置するセラミック筒
状支持体とからなる試料加熱装置において、上記セラミ
ックヒータの他方の主面のうち、上記セラミック筒状支
持体との接合部の外周縁及び／又は内周縁に沿って環状
溝を刻設するか、あるいは上記セラミックヒータの他方
の主面の中央部に凸状部を形成し、該凸状部にセラミッ
ク筒状支持体を接合したことから、セラミックヒータと
セラミック筒状支持体との接合部における温度勾配を小
さくし、接合部に作用する熱応力を低減することができ
るため、接合部にクラックを生じることがなく、優れた
気密性を維持することがきる。しかも、真空処理室内に
露出するセラミックヒータ、接合部、及びセラミック筒
状支持体は、いずれも緻密で耐熱性、耐食性、耐プラズ
マ性に優れたセラミックスからなるため、長寿命である
とともに、ウエハ等の試料に悪影響を与えることがな
く、さらに成膜精度やエッチング精度を劣化させること
がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の試料加熱装置を真空処理室に取り付け
た状態を示す断面図である。

【図２】本発明の試料加熱装置のみを示す斜視図であ
る。

【図３】本発明の試料加熱装置の分解図である。

【図４】図１の試料加熱装置の変形例を示す断面図であ
る。

【図５】本発明の試料加熱装置の他の例を示す断面図で
ある。

【図６】図５の試料加熱装置の変形例を示す断面図であ
る。

【図７】従来の試料加熱装置を真空処理室に取り付けた
状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１，３１・・・試料加熱装置２，３２・・・セラミックスヒータ２ａ・・・環状溝２ｂ・・・凸３，３３・・・板状セラミック体４，３４・・・抵抗発熱体５，３５・・・載置面６，３６・・・給電端子７，９，３７・・・リード線８・・・温度検出手段１０，４０・・・接合部Ｗ・・・ウエハ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｋ５Ｆ１０３ 21/324 21/302 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】抵抗発熱体を埋設してなる板状セラミック
体の一方の主面を試料の載置面とし、他方の主面に上記
抵抗発熱体と電気的に接続された給電端子を有するセラ
ミックヒータと、上記給電端子を包囲するように前記セ
ラミックヒータの他方の主面に気密に接合一体化され、
上記セラミックヒータを真空処理室内に設置するセラミ
ック筒状支持体とからなる試料加熱装置において、上記
セラミックヒータの他方の主面のうち、上記セラミック
筒状支持体との接合部の外周縁及び／又は内周縁に沿っ
て環状溝を刻設したことを特徴とする試料加熱装置。
【請求項２】抵抗発熱体を埋設してなる板状セラミック
体の一方の主面を試料の載置面とし、他方の主面に上記
抵抗発熱体と電気的に接続された給電端子を有するセラ
ミックヒータと、上記給電端子を包囲するように前記セ
ラミックヒータの他方の主面に気密に接合一体化され、
上記セラミックヒータを真空処理室内に設置するセラミ
ック筒状支持体とからなる試料加熱装置において、上記
セラミックヒータの他方の主面の中央に凸状部を設け、
該凸状部に上記セラミック筒状支持体を接合したことを
特徴とする試料加熱装置。