KR20010051336A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

Abstract

냉각처리유니트로부터 레지스트액 도포유니트로 웨이퍼를 반송하는 반송장치의 이동은, 반송장치 제어수단에 의해 제어되고 있다. 반송장치 제어장치의 기억부에는 레지스트막 도포에 필요한 도포시간과 웨이퍼의 반송에 필요한 이동시간이 미리 기억되어 있다. 제어부는 레지스트막의 도포시간 개시시간이 입력됨으로써, 기억되어 있는 도포시간으로부터 도포종료시간을 산출한다. 또, 제어부는 도포종료시간과 기억되어 있는 이동시간으로부터, 다음에 도포되는 웨이퍼(W)가 냉각처리유니트로부터 취출(取出)되어지는 시간을 산출한다. 이 산출된 시간에 의거하여, 반송장치 제어장치는, 반송장치에 대하여 웨이퍼를 꺼내는 타이밍을 지시한다. 이에 의해, 스루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은, 예를들어 레지스트막 도포공정에 있어서, 반도체 웨이퍼등의 피처리체를 냉각처리유니트에서 냉각시킨 후, 냉각처리유니트로부터 레지스트액 도포유니트로 반송하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스의 제조프로세스에서는 포토리소그래피(photo-lithography) 기술이 이용되고 있다. 포토리소그래피 기술에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)의 표면에 레지스트액을 도포하고, 이 도포된 레지스트를 소정의 패턴으로 노광(露光, exposure)처리하고, 그 위에 현상처리를 행한다. 이들 레지스트 도포, 노광처리 및 현상처리는, 상온(常溫) 부근에서 행하여지기 때문에, 이들의 처리에 앞서 웨이퍼가 거의 상온으로 되도록 냉각처리가 행하여진다. 이에 의해 웨이퍼 상에 소정 패턴의 레지스트막이 형성되고, 또 성막(成膜) 및 엣칭(etching)처리에 의해 소정 패턴의 회로가 형성된다.

종래로부터, 이들 일련의 레지스트 처리는, 예를들어 레지스트액 도포유니트 및 현상처리유니트, 냉각처리유니트 및 가열처리유니트, 이들 유니트 사이에서의 웨이퍼의 반송을 행하는 반송장치등이 일체화(一體化)된 도포현상처리시스템을 사용하여 행하여지고 있다.

종래의 도포현상처리시스템에 있어서, 웨이퍼(W)의 냉각처리 및 냉각처리 후의 웨이퍼에 대한 레지스트액의 도포, 노광처리는 다음과 같이 행하여지고 있었다. 여기서는, 레지스트액 도포를 예를들어 설명한다.

레지스트액 도포처리에 있어서는 레지스트액을 웨이퍼에 도포하는 레지스트액 도포유니트, 레지스트액 도포 전의 웨이퍼를 냉각처리하는 냉각처리유니트, 그리고 이들 레지스트액 도포유니트 및 냉각처리유니트 사이에서 웨이퍼의 반송을 행하는 반송장치가 사용된다. 레지스트액 도포유니트에서는 제 1 웨이퍼에 대하여 레지스트액 도포처리가 행하여진다. 냉각처리유니트에서는, 다음에 도포처리가 행하여지는 제 2 웨이퍼의 냉각처리가 행하여진다. 제 1 웨이퍼의 레지스트액 도포처리가 종료되면, 반송장치가 제 2 웨이퍼를 냉각처리유니트로부터 반출하여, 레지스트액 도포유니트 앞으로 반송한다. 그 후, 제 1 웨이퍼가 레지스트액 도포유니트로부터 반출되고, 제 2 웨이퍼가 레지스트액 도포유니트로 반입되어, 웨이퍼의 교환이 종료된다.

노광처리에 있어서는, 레지스트액 도포처리와 마찬가지로, 노광처리유니트 외에 냉각처리유니트, 노광처리유니트와 냉각처리유니트 사이에서의 웨이퍼의 반송을 행하는 반송장치가 사용되어, 노광처리 전에 냉각처리가　웨이퍼에 대하여 행하여진다. 그리고, 노광처리에서의 웨이퍼의 노광처리가 종료된 후에, 다음에 노광처리되는 웨이퍼가 냉각처리유니트 내로부터 꺼내어진다.

그러나, 상술한 반송시스템에 있어서는, 레지스트액 도포처리 및 노광처리에 있어서, 각 웨이퍼의 레지스트액 도포처리 또는 노광처리가 종료되고 난 다음에 레지스트액 도포처리 또는 노광처리가 행하여지는 웨이퍼를 냉각처리유니트로부터 취출(取出)하여 반송하기 때문에, 스루풋(throughput)이 나쁘다고 하는 문제가 있다.

본 발명의 목적은, 스루풋이 향상된 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.

상기의 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 기판처리장치는, 기판에 대하여 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트부와, 상기 냉각처리가 행하여진 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리유니트부와, 적어도 상기 냉각처리유니트와 상기 액처리유니트부 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송장치와, 상기 액처리유니트부 내에서의 기판에 대한 액처리종료시에, 다음에 액처리를 행하는 기판이 상기 액처리유니트부의 앞에서 대기하도록, 상기 다음의 액처리를 행하는 기판을 상기 냉각처리유니트부 내로부터 상기 액처리유니트부 앞으로 반송하는, 상기 반송장치의 이동을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 이와 같은 구성에 의하면, 액처리유니트부 내에서의 기판에 대한 액처리의 종료시에, 다음의 액처리를 행하는 기판이 액처리유니트 앞에서 대기하고 있기 때문에, 액처리종료시로부터 다음에 액처리를 행하는 기판이 액처리유니트부 내로 반입되기까지의 시간을 단축할 수 있어, 전체적인 처리시간이 단축되어 스루풋이 향상한다.

본 발명의 타 기판처리장치는, 기판에 대하여 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트부와 상기 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열처리유니트부가 다단(多段)으로 적층된 제 1의 처리유니트군(群)과, 상기 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리유니트부가 다단으로 적층된 제 2의 처리유니트군과, 적어도 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 액처리유니트부로 상기 기판을 반송하는 반송장치와, 상기 액처리유니트부 내에서 기판에 대한 액처리종료시에, 다음의 액처리를 행하는 기판이 상기 액처리유니트부의 앞에서 대기하도록, 상기 반송장치에 의한 상기 기판의 반송을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 이와 같은 구성에 의하면, 액처리유니트부 내에서의 기판에 대한 액처리 종료시에, 다음의 액처리를 행하는 기판이 액처리유니트 앞에 위치하도록, 상이한 처리유니트군 각각의 유니트 사이에서의 반송이 제어되기 때문에, 액처리 종료시로부터 다음에 액처리를 행하는 기판이 액처리유니트 내로 반입되기까지의 시간을 단축시킬 수 있어, 전체적인 처리시간이 단축되어 스루풋이 향상된다. 여기서, 각 처리유니트군은 처리유니트부가 다단으로 적층되어 있기 때문에, 제 1의 처리유니트군의 냉각처리유니트부로부터 제 2의 처리유니트군의 액처리유니트부로의 기판의 반송은, 예를들어 회전방향뿐만이 아니고 상하방향으로도 움직일 필요가 있어, 반송장치에 의한 기판의 반송은 상당한 시간이 요구된다. 따라서, 본 발명에 의해, 액처리 종료시로부터 다음에 액처리를 행하는 기판이 액처리유니트 내로 반입되기까지의 시간을 보다 단축시킬 수 있다.

또, 상기 제어수단에는, 상기 액처리에 필요한 액처리시간과, 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 액처리유니트부로의 상기 반송장치의 이동에 필요한 이동시간이 미리 입력되어 있고, 상기 제어수단은, 상기 액처리유니트부 내에서의 기판에 대한 액처리의 개시시간이 입력됨에 의해, 당해 개시시간과 상기 액처리으로부터 액처리종료시간을 산출하고, 상기 액처리종료시간과 상기 이동시간으로부터, 상기 다음의 액처리를 행하는 기판을 반송하기 위한 상기 반송장치의 이동개시시간을 산출하여, 상기 이동개시시간을 상기 반송장치에 전달하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하면, 제어수단에 의해 반송장치의 이동의 타이밍이 제어된다.

또, 상기 액처리유니트부는, 상기 기판을 반입 또는 반출하는 개구부를 갖추고, 당해 개구부를 덮는 개폐가능한 셔터부재를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하면, 셔터부재가 구비됨으로써, 액처리유니트부 내의 온도 및 습도등의 환경의 관리가 용이하게 된다.

또, 상기 액처리 중에는 상기 개구부와 셔터부재에 의해 덮이고, 상기 액처리종료시에 상기 개구부는 상기 셔터부재에 의해 열리는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하면, 액처리 중에 있어서 셔터부재에 의해 처리공간이 형성되기 때문에, 처리액이 액처리유니트부 외로 비산(飛散)하는 일이 없다.

본 발명의 타 기판처리장치는, 레지스트막이 성막(成膜)된 기판에 대하여 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트부와, 상기 냉각처리가 행하여진 기판의 레지스트막에 노광처리를 행하는 노광처리유니트부와, 적어도 상기 냉각처리유니트부와 상기 노광처리유니트부와의 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송장치와, 상기 노광처리유니트부 내에서의 기판의 노광처리종료시에, 다음의 노광처리를 행하는 기판이 상기 액처리유니트부의 앞에서 대기하도록, 상기 다음의 노광처리를 행하는 기판을 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 노광처리유니트부 앞으로 반송하는 상기 반송장치의 이동을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 이와 같은 구성에 의하면, 노광처리유니트부 내에서 기판에 대한 노광처리의 종료시에, 다음의 노광처리를 행하는 기판이 노광처리유니트 앞에 위치하고 있기 때문에, 노광처리종료시로부터 다음의 노광처리를 행하는 기판이 노광처리유니트 내로 반입되기까지의 시간을 단축할 수 있어, 전체적인 처리시간이 단축되어 스루풋이 향상한다.

본 발명의 타 기판처리장치는, 레지스트막이 성막된 기판에 대하여 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트부와 상기 가열처리를 행하는 가열처리유니트부가 다단으로 적층된 처리유니트군과, 상기 냉각처리가 행하여진 기판의 레지스트막에 노광처리를 행하는 노광처리유니트부와, 적어도 상기 냉각처리유니트부로터 상기 노광처리유니트부로 상기 기판을 반송하는 반송장치와, 상기 노광처리유니트부 내에서의 기판에 대한 노광처리 종료시에, 다음의 노광처리를 행하는 기판이 상기 액처리유니트부의 앞에서 대기하도록, 상기 반송장치에 의한 상기 기판의 반송을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 이와 같은 구성에 의하면, 노광처리유니트부 내에서 기판에 대한 노광처리의 종료시에, 다음의 노광처리를 행하는 기판이 노광처리유니트 앞에 위치하도록, 다단의 처리유니트부가 적층되어 형성되는 처리유니트군의 냉각처리유니트부와 노광처리유니트부와의 사이에서의 반송이 제어되기 때문에, 노광처리 종료시로부터 다음에 노광처리를 행하는 기판이 노광처리유니트 내로 반입되기까지의 시간을 단축시킬 수 있어, 전체적인 처리시간이 단축되어 스루풋이 향상한다.

또, 상기 제어수단에는 상기 노광처리에 필요한 노광처리시간과, 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 노광처리유니트부로의 상기 반송장치의 이동에 필요한 이동시간이 미리 입력되어 있고, 상기 제어수단은, 상기 노광처리유니트부 내에서의 기판에 대한 노광처리의 개시시간이 입력됨에 의해, 당해 개시시간과 상기 노광처리시간으로부터 노광처리 종료시간을 산출하고, 상기 노광처리 종료시간과 상기 이동시간으로부터, 상기 다음의 노광처리를 행하는 기판을 반송하기 위한 상기 반송장치의 이동개시시간을 산출하여, 상기 이동개시시간을 상기 반송장치에 전달하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하면, 제어수단에 의해 반송장치의 이동 타이밍이 제어된다.

본 발명의 기판처리방법은, 제 1 기판에 대하여 냉각처리유니트부에서 냉각처리를 행하는 공정과, 상기 냉각처리가 행하여진 제 1 기판에 대하여 액처리유니트부에서 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 공정과, 제 2 기판에 대하여 상기 냉각처리유니트부에서 냉각처리를 행하는 공정과, 상기 제 1 기판의 액처리 종료시에, 상기 냉각처리가 행하여진 제 2 기판이 상기 액처리유니트부 앞에서 대기하도록 상기 제 2 기판을 반송장치에 의해 반송하는 공정과, 상기 액처리유니트부 내로부터 상기 제 1 기판을 반출하고 상기 제 2 기판을 상기 액처리유니트부 내로 반입하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

또, 상기 액처리유니트부는, 상기 기판을 반입 및 반출하는 개구부를 갖추고, 당해 개구부를 덮는 개폐가능한 셔터부재를 구비하고, 상기 액처리 중에는 상기 개구부는 셔터부재에 의해 덮여지고, 상기 액처리 종료시에 상기 개구부는 상기 셔터부재에 의해 열리는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하면, 액처리 중에 있어서 셔터부재에 의해 처리공간이 형성되기 때문에, 처리액이 처리액유니트부의 바깥으로 비산하는 일이 없다.

본 발명의 타 기판처리방법은, 레지스트막이 성막된 제 1 기판에 대하여, 냉각처리유니트부에서 냉각처리를 행하는 공정과, 상기 냉각처리가 행하여진 제 1 기판의 레지스트막을 노광하는 공정과, 레지스트막이 성막된 제 2 기판에 대하여 상기 냉각처리유니트부에서 냉각처리를 행하는 공정과, 상기 제 1 기판의 노광처리 종료시에, 상기 냉각처리가 행하여진 제 2 기판이 상기 노광처리유니트부 앞에서 대기하도록 상기 제 2 기판을 반송장치에 의해 반송하는 공정과, 상기 노광처리유니트부 내로부터 상기 제 1 기판을 반출하고 상기 제 2 기판을 상기 노광처리유니트부 내로 반입하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 이와 같은 구성에 의하면, 노광처리유니트부 내에서의 기판의 노광처리 종료시에, 다음의 노광처리를 행하는 기판이 노광처리유니트 앞에 위치하고 있기 때문에, 노광처리 종료시로부터 다음의 노광처리를 행하는 기판이 노광처리유니트 내로 반입되기까지의 시간을 단축시킬 수 있어, 전체적인 처리시간이 단축되어 스루풋이 향상된다.

도 1 은 본 발명의 하나의 실시형태와 관련된 도포현상처리시스템의 평면도이다.

도 2 는 도 1에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도이다.

도 3 은 도 1에 나타낸 도포현상처리시스템의 배면도(背面圖)이다.

도 4 는 반송장치의 사시도(斜視圖)이다.

도 5 는 냉각장치유니트와 레지스트액 도포유니트 사이에 있어서의 웨이퍼의 반송을 설명하는 도포현상처리시스템의 단면도이다.

도 6 은 반송장치 제어장치를 설명하는 도이다.

도 7 은 반송장치 제어장치의 동작을 설명하는 도이다.

도 8 은 레지스트액 도포유니트와 냉각처리유니트 사이에 있어서의 반송장치에 의한 웨이퍼(W)의 반송공정을 나타내는 도이다.

도 9 는 종래와 비교하여, 본 실시형태에 있어서의 냉각처리유니트와 레지스트액 도포유니트 사이에 있어서의 웨이퍼(W) 반송 타이밍의 상이점을 설명하기 위한 도이다.

도 10 은 웨이퍼 반송체 제어장치를 설명하기 위한 도이다.

도 11 은 웨이퍼 반송체 제어장치의 동작을 설명하기 위한 도이다.

도 12 는 주변노광장치와 엑스텐션·냉각처리유니트 사이에서의 반송장치에 의한 웨이퍼(W) 반송공정을 나타내는 도이다.

도 13 은 종래와 비교하여, 본 실시형태에 있어서의 엑스텐션·냉각처리유니트와 주변노광장치 사이에 있어서의 웨이퍼(W) 반송 타이밍의 상이점을 설명하기 위한 도이다.

도 14 는 본 발명의 타 실시형태를 설명하기 위한 개략적단면도(槪略的斷面圖)이다.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 도포현상처리시스템 　 2 : 현상처리유니트

3 : 레지스트액 도포유니트 6 : 냉각처리유니트

17 : 엑스텐션(extension)·냉각처리유니트 18 : 셔터(shutter)부재

19 : 개구부 22 : 반송장치

24 : 주변노광장치(周邊露光裝置) 25 : 웨이퍼 반송체

26 : 반송장치 제어장치

34 : 웨이퍼 반송체 제어장치 91, 101 : 입력부

92, 102 : 기억부 96, 106 : 제어부

COL : 냉각처리유니트 COT : 레지스액 도포유니트

DEV : 현상처리유니트

EXTCOL : 엑스텐션·냉각처리유니트 W : 웨이퍼

이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 의거하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 하나의 실시형태와 관련된 도포현상처리시스템의 평면도, 도 2는 도 1에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도, 도 3은 도 1에 나타낸 도포현상시스템의 배면도이다.

도 1로부터 도 3에 나타낸 바와 같이, 이 도포현상처리시스템(1)은, 카세트 스테이션(10), 처리스테이션(11), 인터페이스부(12) 및 웨이퍼 주고받기부(14)를 일체(一體)로 접속시킨 구성을 갖추고 있다. 카세트 스테이션(10)에는, 웨이퍼(W)가 카세트(C) 단위로 복수로, 예를들어 25매 단위로 외부로부터 도포현상처리시스템(1)로 반입되거나 도포현상처리시스템(1)으로부터 외부로 반출된다. 또, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)가 반입·반출된다. 처리스테이션(11)에는, 도포현상공정 중에서 1매씩 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하는 매엽식(枚葉式)의 각종 처리유니트가 소정 위치에 다단으로 배치되어 있다. 인터페이스(Interface)부(12)에는 주변노광장치(24)가 배치되어 있다. 웨이퍼 주고받기부(14)에는, 도포현상처리시스템(1)에 인접되어 설치되는 노광장치(13)로 반송되는 노광처리 전의 웨이퍼(W)가 재치되는 아웃스테이지(outstage)(15)와, 노광처리 후의 웨이퍼(W)가 재치되는 인스테이지(instage)(16)가 배치된다. 웨이퍼 주고받기부(14)와 노광장치(13) 사이에서의 웨이퍼(W)의 주고받기는, 반송장치(도시 않됨)에 의해 행하여진다.

카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 카세트 재치대(載置臺)(20a) 상의 위치결정돌기(位置決定突起)(20a)의 위치에 복수개로, 예를들어 4개의 카세트(C)가 각각의 웨이퍼(W)에 대한 출입구를 처리스테이션(11)측으로 향하게 하여 X방향(도 1의 상하방향)을 따라 일렬로 재치된다. 이 카세트 배열방향(X방향) 및 카세트(C) 내에 수용된 웨이퍼의 웨이퍼 배열방향(Z방향 ; 수직방향)으로 이동가능한 웨이퍼 반송체(搬送體)(21)가, 반송로(21a)를 따라 이동할 수 있고 각 카세트(C)에 대하여 선택적으로 진입한다.

웨이퍼 반송체(22)는 ??방향으로 회전이 가능하도록 구성되어 있고, 후술하는 바와 같이 처리스테이션(11)측의 제 3의 처리유니트군(G3)에 있어서의 다단유니트부에 속하는 얼라인먼트(alignment) 유니트(ALIM) 및 엑스텐션(extension) 유니트(EXT)에도 진입할 수 있도록 되어 있다.

처리스테이션(11)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 그 중심부에는 수직반송형의 반송장치(22)가 설치되고, 그 주위에는 각종 처리유니트가 1조 또는 복수의 조로 다단집중배치(多段集中配置)되어 처리유니트군을 구성하고 있다. 관련된 도포현상처리시스템(1)에 있어서는, 4개의 처리유니트군(G1, G2, G3, G4)이 배치될 수 있는 구성이고, 제 1 및 제 2의 처리유니트군(G1, G2)은 시스템 정면측에 배치되고, 제 3의 처리유니트군(G3)은 카세트 스테이션(10)에 인접되어 배치되고, 제 4의 처리유니트군(G4)은 인터페이스부(12)에 인접되어 배치되어 있다. 반송장치(22)는, ??방향으로 회전이 자유롭고 Z방향으로 이동이 가능한 구성으로 되어있어, 각 처리유니트와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기가 가능하다.

제 1의 처리유니트군(G1)에는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 컵(CP) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀??(spin chuck)에 올려 소정의 액처리를 행하는 2대의 스피너형(spinner型) 처리유니트, 예를들어 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 및 현상처리유니트(DEV)(2)가 밑에서부터 차례로 2단으로 적층되어 있다. 그리고 제 1의 처리유니트군(G1)과 마찬가지로, 제 2의 처리유니트군(G2)에 있어서도, 2대의 스피너형 처리유니트, 예를들어 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 및 현상처리유니트(DEV)(2)가 밑에서부터 차례로 2단으로 적층되어 있다. 레지스트액 도포유니트(COT)(3)에는, 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액이 공급되어 레지스트막이 도포된다. 현상처리유니트(DEV)(2)에는, 웨이퍼(W)에 대하여 현상액이 공급되어 현상처리가 실시된다.

이들 처리액이 사용되는 처리액유니트, 예를들어 레지스트액 도포유니트(COT)(3)는, 도 5에 나타낸 바와 같이 기판을 반입 또는 반출하는 개구부(19)를 갖추고, 이 개구부(19)를 덮고 개폐가 가능한 셔터부재(18)가 설치되어 있다. 이 셔터부재(18)가 상하방향으로 이동함으로써 개폐가 가능하게 된다. 액처리 중에는, 셔터부재(18)는 하강하여 개폐부(19)를 덮어, 처리액이 레지스트액 도포유니트(3)의 바깥으로 비산하지 않도록 되어 있다. 액처리가 종료하여, 레지스트액 도포유니트(3)의 처리 웨이퍼를 교환할 때에, 셔터부재(18)가 상승하여 개구부(19)가 열려진다. 현상처리유니트(DEV)(2), 후술하는 냉각처리유니트(COL)등에 있어서도, 레지스트액 도포유니트(2)와 마찬가지로, 웨이퍼의 반입 및 반출이 행하여지는 개구부, 그리고 셔터부재가 설치되어 있다.

제 3의 처리유니트군(G3)에는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 재치대에 올려 소정의 처리를 행하는 처리유니트, 예를들어 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트(COL)(6), 레지스트의 정착성를 높이기 위한, 이른바 소수화처리(疎水化處理)를 행하는 어드히젼(adhesion) 유니트(AD)(8), 위치맞춤을 행하는 얼라인먼트(alignment) 유니트(ALIM)(7), 엑스텐션 유니트(EXT)(9), 노광처리 전의 가열처리를 행하는 프리베이킹유니트(PREBAKE)(5) 및 현상 후의 가열처리를 행하는 포스트베이킹유니트(POBAKE)(4)가 밑에서부터 차례로, 예를들어 8단으로 적층되어 있다.

마찬가지로, 제 4의 처리유니트군(G4)에는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 재치대에 올려 소정의 처리를 행하는 오븐형(oven型)의 처리유니트, 예를들어 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트(COL)(6), 냉각처리도 겸하는 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17), 엑스텐션유니트(EXT)(9), 어드히젼유니트(AD)(8), 프리베이킹유니트(PREBAKE)(5) 및 포스트엑스포져베이킹(post exposure baking)유니트(PEBAKE)(50)가 밑에서부터 차례로, 예를들어 8단으로 적층되어 있다.

이와 같이 처리온도가 낮은 냉각처리유니트(COL)(6)라든가 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)를 하단에 배치하고, 처리온도가 높은 프리베이킹유니트(PREBAKE)(5), 포스트베이킹유니트(POBAKE)(4), 포스트엑스포져베이킹유니트(PEBAKE)(50) 및 어드히젼유니트(AD)(8)를 상단에 배치함으로써, 유니트 사이에서의 열적(熱的)인 상호간섭(相互干涉)을 적게할 수 있다.

인터페이스부(12)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 깊이방향(X방향)에 있어서는, 상기 처리스테이션(11)과 같은 치수를 가지지만, 폭방향에 있어서는 작은 치수로 설정되어 있다. 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 이 인터페이스부(12)의 정면측에는, 가반성(可搬性)의 픽엎카세트(CR)와, 정치형(定置型)의 버퍼카세트(BR)가 2단으로 배치되고, 배면부에는 주변노광장치(24)가 배설(配設)되어 있다.

인터페이스부(12)의 중앙부에는, 웨이퍼 반송체(25)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(25)는, X방향, Z방향(수직방향)으로 이동하여 양 카세트(CR, BR) 및 주변노광장치(24)에도 진입할 수 있도록 되어 있다. 웨이퍼 반송체(25)는, ??방향으로도 회전이 자유롭도록 구성되어 있고, 처리스테이션(11)측의 제 4의 처리유니트군(G4)에 속하는 엑스텐션유니트(EXT) 및, 더 나아가서는 후술하는 웨이퍼 주고받기부(14)의 아웃스테이지(15) 및 인스테이지(16)에도 진입할 수 있도록 되어 있다.

웨이퍼 주고받기부(14)에는, 거의 중앙부에 도포현상처리시스템(1)에 인접하여 설치되어 노광장치(13)로 반송되는 처리 전의 웨이퍼(W)가 재치되는 아웃스테이지(15)가 배치되어 있다. 또, 웨이퍼 주고받기부(14)의 정면측에는, 아웃스테이지(15)에 인접하여, 노광처리후의 웨이퍼(W)가 재치되는 인스테이지(16)가 배치되어 있다. 웨이퍼 주고받기부(14)와 노광장치(13)와의 사이에서의 웨이퍼의 주고받기는, 반송장치(도시 않됨)에 의해 행하여지고, 이 반송장치는 아웃스테이지(15) 및 인스테이지(16)에 진입할 수 있도록 되어 있다.

도 4는 반송장치(22)의 외관을 나타낸 사시도이고, 이 반송장치(22)는 상단 및 하단에서 상호로 인접되어 대향(對向)하는 한쌍의 벽부(壁部)(25, 26)에 의해 형성되는 통상지지체(筒狀支持體)(27)의 내측에, 상하방향(Z방향)으로 승강이 자유로운 웨이퍼 반송장치(30)를 장비하고 있다. 통상지지체(27)는 모터(31)의 회전축에 인접되어 있고, 이 모터(31)의 회전구동력에 의해, 상기 회전축을 중심으로 하여 웨이퍼 반송장치(30)와 일체로 되어 회전한다. 따라서, 웨이퍼 반송장치(30)는 ??방향으로 회전이 자유롭도록 되어 있다. 이 웨이퍼 반송장치(30)의 반송기대(搬送基臺)(40) 상에는 핀셋이, 예를들어 3개가 갖추어져 있다. 이들 핀셋(41, 42, 43)은 어느 쪽도 통상지지체(27)의 양 벽부(25, 26) 사이의 측면개구부(44)를 통과할 수 있는 형태 및 크기를 갖추고 있고, X방향을 따라 전후로 이동이 자유롭도록 구성되어 있다. 그리고, 반송장치(22)는 핀셋(41, 42, 43)을 그 주변에 배치시킨 스테이션에 진입하여 이들 처리스테이션과의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행한다.

상술한 반송장치(22)는, 후술하는 제어수단에 의해 이동이 제어되고 있고, 웨이퍼(W)의 반송타이밍도 후술하는 제어수단에 의해 관리된다.

도 5는, 제 1 처리유니트 그룹(G1)과 제 3 처리유니트 그룹(G3)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송을 설명하기 위한 도이고, 복수의 유니트 내, 특히 냉각처리유니트(COL)(6)와 레지스트액 도포유니트(COT)(3)의 구조에 관하여 상세히 도시하고 있다. 상술한 바와 마찬가지로, 제 1 처리유니트 그룹(G1)의 최하단에는 레지스트액 도포유니트(COT)(3)가 배치되고, 제 2 처리유니트 그룹(G2)의 최하단에는 냉각처리유니트(COL)(6)가 배치되어 있다. 도 5에는 상술한 반송기대(搬送基臺) 상의 핀셋을 2개로 도시하고 있다.

도 5에 나타낸 바와 같이, 레지스트액 도포유니트(COT)(3)에는, 컵(CP) 내에 웨이퍼(W)를 스핀??에 올려 회전시키는 스핀척대(spin chuck 臺)(87), 이들 스핀척대(87)의 승강이 가능한 승강기구(85)가 설치되어 있다. 또, 레지스트액을 웨이퍼(W) 상에 공급하기 위한 디스펜서(dispenser)(82), 이들 디스펜서(82)를 수평방향으로 이동이 가능한 이동기구(83), 유니트 외부에 배치된 레지스트액 수용부(도시 않됨)로부터 디스펜서(82)로 레지스트액을 공급하는 레지스트 공급로(84)가 설치되어 있다. 디스펜서(82)는, 이동기구(83)에 의해 웨이퍼 상부 중앙 부근으로부터 컵(CP) 바깥으로 이동가능하도록 되어 있어, 도포시에는 웨이퍼 상부 중앙 부근에 위치하고, 도포시 이외에는 컵(CP)의 외측에 위치한다. 레지스트액 도포유니트(COT)(3)에는, 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하는 개구부(19)가 설치되고, 이 개구부(19)를 덮고 승강이 가능한 셔터부재(18)가 설치되어 있다. 레지스트액 도포처리시에는, 셔터부재(18)가 하강함으로써 개구부가 덮여져 처리공간이 형성된다. 또, 웨이퍼(W)의 교환시에는, 셔터부재(18)가 상승되고 또 스핀척대가 상승되어, 개구부를 매개로 하여 웨이퍼(W)의 반입반출이 행하여진다. 웨이퍼(W)의 반입반출은, 반송장치(22)의 반송기대(40) 상의 핀셋(41, 42)의 수평이동에 의해 행하여진다.

한편, 냉각처리유니트(COL)(6)에는, 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 냉각판(81)이 설치되고, 이 냉각판(81)을 관통하여 웨이퍼를 보유·유지하는 3개의 승강가능한 핀(88)이 설치되어 있다. 반송장치(22)에 의해 웨이퍼(W)를 건네받을 때, 핀(88)은 상승되어 3개의 핀(88)에 의해 웨이퍼(W)가 보유·유지된다. 웨이퍼(W)를 핀(88)에 의해 보유·유지시킨 상태에서 핀(88)이 하강하고 또 핀이 냉각판(81)에 이몰(理沒)됨으로써, 웨이퍼(W)는 냉각판에 재치되어 냉각처리가 실시된다. 냉각처리유니트(COL)(6)에도, 레지스트액 도포유니트(COT)(3)와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하는 개구부(19)가 설치되고, 이 개구부(86)를 덮을 수 있고 승강이 가능한 셔터부재(33)가 설치되어 있다. 냉각처리시에는, 셔터부재(18)가 하강함으로써 개구부가 덮여져 처리공간이 형성된다. 또, 웨이퍼(W)의 교환시에는, 셔터부재(33)가 상승되어, 개구부를 매개로 하여 웨이퍼(W)의 반입반출이 행하여진다. 웨이퍼(W)의 반입반출은, 반송장치(22)의 반송기대(40) 상의 핀셋(41, 42)에 의한 수평이동에 의해 행하여진다.

냉각처리유니트(COL)(6)로부터 레지스트액 도포유니트(COT)(3)로 웨이퍼(W)를 반송하는 동안에, 반송장치(22)의 반송기대(40)는, 도 4에 나타낸 x방향, z방향, ??방향으로 이동하고, 반송장치(22)에 재치되는 웨이퍼(W)는 도 5에 나타낸 화살표 A의 궤적(軌跡)을 따라 이동한다. 덧붙여 설명하면, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)에도 냉각처리유니트(COL)(6)와 마찬가지로, 유니트 내에 웨이퍼를 냉각시키기 위한 냉각판이 설치되어 있다.

도 6은, 냉각처리유니트(COL)(6)로부터 레지스트액 도포유니트(COT)(3)로 웨이퍼(W)를 반송하는 냉각장치(22)의 반송을 제어하는 반송장치　제어장치(126)를 설명하는 블럭도이다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 반송장치　제어장치(126)는, 입력부(91), 기억부(92), 제어부(96)에 의해 구성된다.

입력부(91)는, 예를들어 키보드(keyboard)에 의해 구성된다. 레지스트액 도포유니트(COT)(3)에는 레지스트막 도포에 필요한 시간(도 내에 있어서, 도포시간)과, 냉각처리유니트(COL)(6)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내고, 이 웨이퍼를 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 앞으로까지 반송함에 있어 필요한 반송장치 이동시간(도 내의 이동시간)이, 키보드 상에서 작업자에 의해 미리 입력된다. 이들 이동시간 및 도포시간은, 제어부(96)를 매개로 하여, 기억부(92)에 기억된다. 제어부(96)는, 레지스트액 도포유니트(COT)로부터 도포개시시간이 입력됨으로써, 이 도포 개시시간과 기억부(92)에 입력되어 있는 도포시간으로부터 도포종료시간을 산출한다. 또, 제어부(96)는, 산출된 도포 종료시간과 기억부(92)에 기억되어 있는 이동시간으로부터, 냉각처리유니트로부터 다음에 레지스트액 도포처리하는 웨이퍼(W)를 취출(取出)하는 시간을 산출한다. 그리고, 이 시간에 의거하여 반송장치(22)에 대하여 웨이퍼(W)를 취출하는 타이밍을 지시한다. 여기서, 냉각처리유니트(COL)(6)로부터 웨이퍼(W)를 취출하는 시간은, 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내의 웨이퍼(W)의 도포처리의 종료시에 다음에 도포처리가 행하여지는 웨이퍼(W)가 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 앞에 대기되는 상태로 되도록, 산출되어진다.

도 10은 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)로부터 주변노광장치(24)로 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송체(25)의 반송을 제어하는 웨이퍼 반송체 제어수단(34)을 설명하는 블럭도(block 圖)이다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 반송체 제어장치(25)은, 입력부(101), 기억부(102), 제어부(106)에 의해 구성된다.

입력부(101)는 예를들어 키보드에 의해 구성된다. 주변노광장치(24)에서 주변노광처리에 필요한 시간(도 내에 있어서, 노광시간)과, 엑스텐션 냉각처리유니트(COL)(17)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 이 웨이퍼를 주변노광장치(24) 앞으로까지 반송함에 있어서 필요한 웨이퍼 반송체 이동시간(도 내에 있어서, 이동시간)이, 키보드 상에서 작업자에 의해 미리 입력된다. 이들 입력된 이동시간 및 도포시간은, 제어부(106)를 매개로 하여, 기억부(102)에 기억된다. 제어부(106)는, 주변노광장치(24)로부터 주변노광 개시시간이 입력됨으로써, 이 주변노광 개시시간과 기억부(102)에 기억되어 있는 노광시간으로부터 주변노광 종료시간을 산출한다. 또, 제어부(106)는, 산출된 주변노광 종료시간과 기억부(102)에 기억되어 있는 이동시간으로부터, 냉각처리유니트로부터 다음에 주변노광처리하는 웨이퍼(W)를 취출하는 시간을 산출한다. 그리고, 제어부(106)는, 이 시간에 대응하여 웨이퍼 반송체(25)에 대하여 웨이퍼(W)를 취출하는 시간을 지시한다. 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)로부터 웨이퍼(W)를 취출하는 시간은, 주변노광장치(24) 내의 웨이퍼(W)에 대한 주변노광처리 종료시에, 그 다음에 주변노광처리가 행하여지는 웨이퍼(W)가 주변노광장치(24) 앞에서 대기하는 상태로 되도록, 산출되어진다.

다음, 이와 같이 구성된 도포현상처리시스템(1)에 있어서의 처리공정에 관하여 설명한다.

먼저, 카세트 스테이션(10)에 있어서, 카세트 재치대(20) 상에 재치된 카세트(C) 내에 수용된 미처리의 웨이퍼(W) 1매가, 웨이퍼 반송체(21)에 의해 취출되어진다. 그 후, 웨이퍼 반송체(21)는, 제 3의 처리유니트군(G3)의 얼라인먼트유니트(ALIM)에 진입하여 웨이퍼(W)를 얼라인먼트유니트(ALIM)(7) 내에 반입하고, 오리엔테이션 플랫(orientation flat) 맞춤 및 센터링(centering)처리를 행한다.

얼라인먼트유니트(ALIM)(7)에서 오리엔테이션 맞춤및 센터링이 완료된 웨이퍼(W)는, 반송장치(22)에 의해 제 3의 처리유니트군(G3)의 어드히젼유니트(AD)(8) 내로 반송되어, 소수화처리가 행하여진다.

소수화처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 반송장치(22)에 의해 소정의 프리베이킹유니트(PREBAKE)(5)에 반입되어 베이킹된 후, 소정의 냉각처리유니트(COL)(6)로 반입된다. 이 냉각처리유니트(COL) 내에서 웨이퍼(W)는 레지스트 도포처리 전의 소정 온도, 예를들어 23℃로 냉각된다.

냉각처리가 종료되면, 반송장치(22)에 의해 소정의 레지스트액 도포유니트(COT)(3)로 반입되어, 이 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내에서 웨이퍼(W) 표면으로의 레지스트 도포가 행하여진다.

여기서, 냉각처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내에서 먼저 레지스트막 도포처리되어 있는 웨이퍼의 레지스트막 도포종료시에, 동일 레지스트액 도포유니트(COT)(3)의 앞에서 대기하도록 반송된다.

이 반송타이밍은, 반송장치의 이동을 제어하는 상기 반송장치 제어수단(126)에 의해 관리되어 있고, 도 7 및 도 8을 사용하여 상세한 반송장치의 동작등을 설명한다. 도 7은, 웨이퍼(W)가 반송되는 때의 반송장치 제어장치(126)의 동작공정을 나타내는 도이다. 도 8은, 제 3의 처리유니트군(G3)에 있어서의 냉각처리유니트(COL)(6)로부터 제 1의 처리유니트군(G1)에 있어서의 레지스트액 도포유니트(COT)(3)로까지 웨이퍼(W)가 반송되어, 이 웨이퍼(W)와 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내에서 먼저 도포처리된 웨이퍼(W)가 교환되기까지의 개략공정도(槪略工程圖)이다. 덧붙여 설명하면, 도 8에서는, 반송기대(搬送基臺) 상의 핀셋은 2개로 나타내어 설명하고, 디스펜서등의 도시는 생략하였다.

먼저, 반송장치 제어장치의 동작에 관하여 설명한다.

도 7(1)에 나타낸 바와 같이, 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내에 웨이퍼(W)가 반송되어 레지스트막이 도포되면, 그 도포개시 시간이 반송장치 제어장치(126)에 입력된다. 다음, 도 7(2) 나타낸 바와 같이, 미리 기억부(92)에 입력되어 있는 도포시간과 도포개시시간으로부터, 반송장치 제어수단(126)은 도포종료시간을 산출한다. 다음, 도 7(3)에 나타낸 바와 같이, 미리 기억부(92)에 입력되어 있는 이동시간과 도포종료시간으로부터, 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내의 웨이퍼(W) 도포처리 종료시에 있어서 그 다음에 도포처리가 실시되는 웨이퍼(W)가 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 앞에서 대기하도록, 반송장치 제어장치(126)는, 냉각처리유니트(COL)(6)로부터 다음에 도포처리되는 웨이퍼(W)를 취출하는 시간을 산출한다. 다음, 도 7(4)에 나타내는 바와 같이, 반송장치 제어장치(126)는, 산출되어진 웨이퍼 취출시간에 의거하여 반송장치에 대하여 웨이퍼(W)를 취출하는 타이밍을 지시한다.

다음, 냉각처리유니트(COL)(6)로부터 레지스트액 도포유니트(COT)(3)까지의 웨이퍼(W) 반송에 대하여 도 8을 사용하여 설명한다.

도 8(1)에 나타낸 바와 같이, 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내에는, 하강된 스핀척대(87)에 웨이퍼(W1)가 고정되어 있다. 웨이퍼(W)(1)의 상방 중앙부에는, 상술한 디스펜서가 위치하여 웨이퍼(W1)의 표면상에 대하여 레지스트액을 토출하고, 스핀척대(87)가 회전함으로써, 웨이퍼(W1)에 레지스트막이 도포된다. 레지스트막 도포시에는, 셔터부재(18)에 의해 웨이퍼를 반입반출하는 개구부는 덮여져 있다. 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W1)에 대한 레지스트막의 도포가 개시되면, 이 도포개시시간이 반송장치제어장치(126)에 입력되고, 냉각처리유니트(COL)(6)로부터 웨이퍼(W)를 취출하는 타이밍이 반송장치 제어장치(126)에 의해 반송장치(22)로 지시된다. 냉각처리유니트(COL)(6)의 웨이퍼(W)를 반입반출하는 개구부(86)를 덮는 셔터부재(33)가 상승하고, 반송장치 제어장치(126)로부터의 지시에 의해 반송장치(22)의 반송기대 상의 핀셋(41)이 냉각처리유니트(COL)(6) 내로 삽입되어 웨이퍼(W2)를 꺼낸다. 그 후, 핀셋(42)이 다음에 냉각처리하는 웨이퍼(W3)를 냉각처리유니트(COL)(6) 내로 반입한다.

다음, 도 8(2)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W2)와 웨이퍼(W3)의 웨이퍼 교환 후, 냉각처리유니트(COL)(6)의 셔터부재(33)가 하강하고, 냉각처리유니트(COL)(6)의 개구부가 덮여진다. 웨이퍼(W2)가 재치된 반송장치(22)의 반송기대가 상방으로 이동하고, 또 도 4에 나타낸 ??방향으로 반송기대가 회전이동하여, 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내에 있어서의 웨이퍼(W1)의 레지스트막 도포처리의 종료시에, 웨이퍼(W2)가 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 앞에 위치하도록 반송된다. 이 때, 반송기대는, 레지스트액 도포유니트(COT)(3)의 개구부에 대하여, 반송기대가 거의 수평방향으로 이동하여 삽입되도록 배치되어 있다. 한편, 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내에서는, 웨이퍼(W1) 상에 레지스트액이 도포되고, 웨이퍼(W1)가 보유·유지되어 있는 스핀척대(87)가 상승기구(85)에 의해 상승하여, 레지스트액 도포종료상태로 되어 있다. 또, 이 때, 디스펜서(도시 않됨)는, 상술된 이동기구(83)에 의해 수평으로 이동하여, 컵(CP) 바깥에 위치하고 있다. 여기서, 반송장치(22)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 교환의 직전에, 아무리 늦어도 레지스트액 도포유니트(COT) 앞에 대기되어 있기만 하면 되고, 레지스트액 도포종료시라고 하는 것은, 실질적으로 레지스트액 도포종료로부터 웨이퍼 교환직전까지의 동안을 나타낸다. 바람직하게는, 웨이퍼(W) 교환의 직전이 좋고, 이 경우, 그 다음에 처리되는 웨이퍼(W)를 레지스트액 처리에 있어 보다 적합한 냉각상태로 처리하는 것이 가능하다.

다음, 도 8(3)에 나타낸 바와 같이, 레지스트액 도포유니트(COT)의 셔터부재(18)가 상승하여, 개구부(19)를 매개로 하여 레지스트액 도포유니트(COT) 내의 웨이퍼(W1)와 반송장치(22)에 의해 반송된 웨이퍼(W2)가 교환된다.

이와 같이 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 내에서 레지스트 도포처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(22)에 의해, 제 3 또는 제 4의 처리유니트군(G3, G4) 내의 소정의 프리베이킹유니트(PREBAKE)(5) 내로 반송된다. 웨이퍼(W)는 여기서 소정의 온도, 예를들어 100℃로 소정 시간 동안 가열되고, 이에 의해 웨이퍼(W) 상의 도포막으로부터 잔존용제(殘存溶劑)가 증발되어 제거된다.

이 후, 웨이퍼(W)는 반송장치(22)에 의해, 제 4의 처리유니트군(G4) 내의 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)로 반입된다. 여기서, 웨이퍼(W)는, 다음 공정, 즉 주변노광장치(24)에 적합한 온도, 예를들어 24℃로 냉각된다.

이 후, 인터페이스부(12)에 설치된 웨이퍼 반송체(25)가 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)로부터 웨이퍼(W)를 꺼낸다.

다음, 웨이퍼 반송체(25)는 당해 웨이퍼(W)를 인터페이스부(12) 내의 주변노광장치(24)로 반입한다. 이 주변노광장치(24)에서, 웨이퍼(W)는 그 주변부에 노광처리를 받게된다. 주변노광장치(24)에 의한 주변노광처리가 종료되면, 웨이퍼 반송체(25)는, 웨이퍼(W)를 주변노광장치(28)로부터 반출하여, 인접하는 노광장치(13)측의 웨이퍼 주고받기대(14)의 아웃스테이지(15)로 이송한다. 이 경우, 웨이퍼(W)는, 노광장치(13)로 건네어지기 전에, 필요에 따라 버퍼재치부(BR)에 일시적으로 격납되는 일도 있다.

상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 노광장치(13)에 건네어진 후, 노광장치에 의해 노광처리, 예를들어 레티클(reticle)을 사용한 노광처리가 행하여진다. 노광처리(13)에서 웨이퍼(W) 전면(全面)으로의 노광처리가 완료되면, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 받음대(14)의 인스테이지(16)에 배치된다.

그리고, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(25)로부터 처리스테이션(11)측으로 전달된다. 덧붙여 설명하면, 이 경우에 있어, 웨이퍼(W)를 처리스테이션(11)측에 전달하기 전에, 필요에 따라 인터페이스부(12) 내의 버퍼재치부(BR)에 일시적으로 격납하도록 하여도 좋다.

여기서, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)와 주변노광장치(24) 사이에서의 반송에 관하여도, 상술한 냉각처리유니트(COL)(6)와 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 사이에서의 반송과 마찬가지로 반송 타이밍이 제어되어 있고, 이것에 관하여는 이하에 설명한다.

엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)에 의해 냉각처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 주변노광장치(24) 내에서 먼저 노광처리되어 있는 웨이퍼의 노광 종료시에, 주변노광장치(24) 앞에서 대기하도록 반송된다. 이 반송타이밍은, 웨이퍼 반송체의 이동을 제어하는 상기 웨이퍼 반송체 제어수단(34)에 의해 관리되고 있는데, 도 11 및 도 12를 사용하여 상세한 반송장치 동작등을 설명하기로 한다. 도 11은 웨이퍼(W)가 반송되는 때의 웨이퍼 반송체 제어수단의 동작공정을 나타내는 도이다. 도 12는, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)로부터 주변노광장치(24)로 웨이퍼(W)가 반송되고, 주변노광장치(24) 내의 웨이퍼(W)가 교환되고, 또 아웃스테이지(15)로 반송되기까지의 공정도를 나타내는 것이다.

먼저, 웨이퍼 반송체 제어장치의 동작에 관하여 설명한다.

도 11(1)에 나타낸 바와 같이, 주변노광장치(24) 내에 웨이퍼(W)가 반송되어 주변노광처리가 개시되면, 그 주변노광 개시시간이 반송체 제어장치(34)에 입력된다. 다음, 도 11(2)에 나타낸 바와 같이, 미리 기억부(102)에 입력되어 있는 주변노광시간과 주변노광 개시시간으로부터, 웨이퍼 반송체 제어장치(34)는 주변노광 종료시간을 산출한다. 다음, 도 11(3)에 나타낸 바와 같이, 미리 기억부(102)에 입력되어 있는 이동시간과 주변노광 종료시간으로부터, 주변노광장치(24) 내의 웨이퍼(W)의 주변노광처리 종료시에 그 다음에 주변노광처리가 실시되는 웨이퍼(W)가 주변노광장치(24) 앞에서 대기하도록, 웨이퍼 반송체 제어장치(34)는 엑스텐션·냉각유니트(COL)(17)로부터 다음에 도포되는 웨이퍼(W)를 취출하는 시간을 산출한다. 다음, 도 11(4)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 반송체 제어장치(34)는, 산출되어진 웨이퍼 취출 시간에 의거하여 반송체에 대하여 웨이퍼(W)를 취출하는 타이밍을 지시한다.

다음, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)로부터 주변노광처리장치(243)로의 웨이퍼(W) 반송에 관하여 도 12를 사용하여 설명한다.

먼저, 도 12(1)에 나타낸 바와 같이, 주변노광장치(24) 내에서 노광처리가 행하여지고 있다. 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W1)에 대한 노광처리가 개시되면, 이 주변노광 개시시간이 웨이퍼 반송체 제어장치(34)에 입력되어, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)로부터 웨이퍼(W)를 취출하는 타이밍이 웨이퍼 반송체 제어장치(34)에 의해 웨이퍼 반송체(25)로 지시된다. 웨이퍼(W)의 취출이 지시되면, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)의 웨이퍼(W)를 반입반출하는 개구부를 덮는 셔터부재(도시 않됨)가 열려, 웨이퍼 반송체(25)가 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)로부터 웨이퍼(W2)를 꺼낸다.

도 12(2)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 반송체(25)는, 주변반송장치(24) 앞으로 웨이퍼(W2)를 반송한다. 주변반송장치(24) 내에서 웨이퍼(W1) 노광처리 종료시에 웨이퍼(W2)가 주변노광장치(24) 앞에 위치하도록, 웨이퍼(W2)가 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W1)의 노광처리 종료 후, 주변노광장치(24) 내의 웨이퍼(W1)와 웨이퍼 반송체(25)에 의해 반송된 웨이퍼(W2)가 교환된다.

다음, 도 12(3)에 나타낸 바와 같이, 주변노광처리된 웨이퍼(W)는, 예를들어 아웃스테이지(15)로 웨이퍼 반송체(25)에 의해 반송되어 재치된다. 인스테이지(16)에는, 노광장치(도시 않됨)에 의해 노광처리된 웨이퍼(W3)가 배치되어 있다. 웨이퍼 반송체(25)는, 인스테이지(16)에 재치된 노광처리 종료의 웨이퍼(W3)를 건네받아, 도 12(4)에 나타낸 바와 같이, 예를들어 정치형(定置型)의 버퍼카세트(BR) 내로 웨이퍼(W3)를 반송한다.

버퍼카세트(BR)등에 수용되어 있는 노광처리 종료의 웨이퍼(W)는, 반송체(25)에 의해, 처리스테이션(11)의 소정 포스트엑스포져베이킹유니트(PEBAKE)(50)로 반입된다. 이 포스트엑스포져베이킹유니트(PEBAKE)(50)에서, 웨이퍼(W)는 열판 상에 재치되어 소정 시간 동안 베이크(bake)처리된다.

이 후, 베이킹된 웨이퍼(W)는 반송장치(22)에 의해 어느 하나의 냉각처리유니트(COL)(6)로 반입되어, 이 냉각처리유니트(COL)(6) 내에서 웨이퍼(W)는 상온으로 되돌려진다. 계속하여, 웨이퍼(W)는 반송장치(22)에 의해 소정의 현상처리유니트(DEV)(2)로 반입된다.

이 현상처리유니트(DEV)(2) 내에서, 웨이퍼(W)는 스핀척스핀척재치되어, 예를들어 스프레이(spray) 방식에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트에 현상액이 균일하게 분출되어 현상이 행하여진다. 그리고, 현상 후, 웨이퍼(W) 표면에 린스액이 분출되어 현상액의 씻겨지고, 그 후에 웨이퍼(W)가 고속으로 회전되어 건조가 행하여진다.

그 후, 웨이퍼 반송장치(22)는, 웨이퍼(W)를 현상처리유니트(DEV)(2)로부터 반출한 후, 소정의 포스트베이킹유니트(POBAKE)(4)로 웨이퍼(W)를 다시 반입한다. 이 포스트엑스포져베이킹유니트(POBAKE)(4)에 있어서, 웨이퍼(W)는 예를들어 100℃로 소정 시간 동안 가열됨으로써, 현상에서 팽창된 레지스트가 경화되어 내약품성(耐藥品性)이 향상한다.

포스트베이킹이 종료되면, 웨이퍼 반송장치(22)는 웨이퍼(W)를 포스트베이킹유니트로부터 반출하고, 다음에 소정의 냉각처리유니트(COL)(6)로 웨이퍼(W)를 반입하여 냉각처리가 행하여진다.

웨이퍼(W)가 상온으로 되돌아온 후, 웨이퍼 반송장치(22)는, 웨이퍼(W)를 카세트 스테이션(10)측으로 건네주고, 카세트 스테이션(10)측의 웨이퍼 반송체(21)는, 건네받은 웨이퍼(W)를 카세트 재치대(20) 상의 웨이퍼 재치부(CR)로 넣는다.

이상과 같이, 본 실시형태에 있어서는, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)와 주변노광장치(24) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송 및 냉각처리유니트(COL)(6)와 레지스트액 도포유니트(3) 사이에서의 웨이퍼(W) 반송시에, 웨이퍼(W) 반송의 타이밍이 제어장치에 의해 제어되고 있다. 즉, 처리유니트(레지스트액 도포유니트, 현상처리유니트) 내의 웨이퍼(W) 처리 종료시에, 처리유니트 앞에 다음 웨이퍼(W)가 대기하도록, 냉각처리유니트로부터의 웨이퍼(W)의 반송을 제어함으로써, 종래와 비교하여 전체의 처리시간이 단축되어 효율적으로 생산할 수 있게 된다.

이하에서, 종래에 비교하여 본 실시형태에 있어서의 반송타이밍의 차이에 의한 처리시간의 상이점에 관하여, 도 9 및 도 13을 사용하여 설명한다. 도 9는, 냉각처리유니트(COL)(6)와 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 사이에서의 웨이퍼(W) 반송 타이밍, 도 13은 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)와 주변노광장치(24) 사이에서의 웨이퍼(W) 반송 타이밍을 설명하는 것이다.

먼저, 냉각처리유니트(COL)(6)와 레지스트액 도포유니트(COT)(3) 사이에서의 웨이퍼(W) 반송 타이밍을 도 9를 사용하여 설명한다. 도 9(a)는, 본 실시형태에 있어서의 반송 타이밍, 도 9(b)는 종래에 있어서의 반송 타이밍을 설명하는 도이다. 각각 반송장치(22) 및 레지스트액 도포유니트(COT)(3)의 동작을 시간적인 순서대로 설명하는 도이고, 도면의 가로 방향이 시간축(時間軸)에 상당한다.

도 9(a)에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 레지스트액 도포유니트(COT) 내에서 웨이퍼(W)에 레지스트막 도포처리가 행하여지고 있는 동안{도 내의 (C1)}, 냉각처리유니트(COL) 앞에서 대기하고 있는(A1) 반송장치(22)는, 냉각처리유니트(COL) 내로부터 다음에 도포처리되는 웨이퍼(W)를 꺼내고(A2), 이 웨이퍼(W)를 레지스트액 도포유니트(COT) 앞으로 반송한다. 다음에, 반송장치(22)에 의해 보유·유지되어 있는 다음에 처리를 행하는 웨이퍼(W)와, 레지스트액 도포유니트(COT) 내의 웨이퍼(W)가 교환된다(A4, C2). 웨이퍼 교환 후, 반송장치(22)는, 도포처리 종료 후의 웨이퍼(W)를 다음 모쥴(module)인 프리베이킹유니트(PREBAKE)로 반송한다(A5). 한편, 냉각처리유니트(COL)에서는, 반입된 웨이퍼(W)에 대하여 도포처리가 행하여진다.

이에 대하여, 종래에 있어서는 도 9(b)에 나타낸 바와 같이, 레지스트액 도포유니트(COT) 내에서의 웨이퍼(W)의 레지스트액 도포처리{도 중의 (C'1)}가 종료된 후, 냉각처리유니트 앞에서 대기하고 있는 반송장치(22)(A'1)가, 냉각처리유니트(COL) 내로부터 다음에 도포처리되는 웨이퍼(W)를 꺼낸다(A'2). 레지스트액 도포종료 후로부터 다음에 도포처리되는 웨이퍼(W)가 레지스트액 도포유니트(COT) 앞으로까지 반송되기까지의 동안에, 레지스트액 도포유니트(COT)(3)는 웨이퍼(W)의 교환을 기다리는 상태(C'2)로 되어 있다. 취출되어 있는, 다음에 도포처리되는 웨이퍼(W)는, 레지스트액 도포유니트(COT) 앞으로 반송되어(A'3), 레지스트액 도포유니트(COT) 내의 웨이퍼(W)와 교환되어진다(A'4, C'3). 웨이퍼 교환 후, 반송장치(22)는 도포처리가 종료된 웨이퍼(W)를 다음의 모쥴(module)인 프리베이킹유니트(PREBAKE)로 반송한다(A'5). 한편, 레지스트막 도포처리유니트(COT)에는, 반입된 웨이퍼(W)에 대하여 도포처리가 행하여진다(C'4).

도 9(a), (b)를 비교하면, 종래의 레지스트막 도포처리유니트(COT)(3)에 있어서의 웨이퍼 교환을 기다리는(C'2) 상태가, 본 실시형태에는 없다. 따라서, 레지스트막 도포처리유니트(COT)에 있어서, 다음 웨이퍼(W)의 도포처리{도 중의 (C3)(C'4)}의 개시가 본 실시형태 쪽이 더 빠르기 때문에, 처리시간 전체를 단축할 수 있다.

다음, 주변노광장치(WEE)와 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송 타이밍을 도 13을 사용하여 설명한다. 도 13(a)는, 본 실시형태에 있어서의 반송 타이밍, 도 13(b)는 종래에 있어서의 반송 타이밍을 나타내는 도이다. 각각 웨이퍼 반송체(25) 및 주변노광장치(WEE)의 동작을 시간적인 순서대로 설명한 것이고, 도면의 가로방향은 시간축(時間軸)에 상당한다.

도 13(a)에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 주변노광장치(WEE)(24) 내에서 웨이퍼(W)에 노광처리가 행하여지는 동안{도 내의 (W1)}에, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17) 앞에서 대기하고 있는(B1) 웨이퍼 반송체(25)는, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17) 내로부터 다음에 도포처리되는 웨이퍼(W)를 취출하고(B2), 이 웨이퍼(W)를 주변노광장치(WEE) 앞으로 반송한다(B3). 그 후, 웨이퍼 반송체(25)에 의해 보유·유지되고 있는, 다음 처리의 웨이퍼(W)와, 주변노광장치(WEE) 내의 웨이퍼(W)가 교환되어진다(B4, W2). 웨이퍼 교환 후, 웨이퍼 반송체(25)는, 주변노광처리가 종료된 웨이퍼(W)를 아웃스테이지로 반송하고(B5), 인스테이지 앞으로 이동한다. 한편, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17)에는, 반입된 웨이퍼(W)에 대한 주변노광처리가 행하여진다.

이것에 대하여, 종래에 있어서는, 도 13(b)에 나타낸 바와 같이, 주변노광장치(WEE)(24) 내에서의 웨이퍼(W)의 주변노광처리{도 내의 (B'1)}가 종료된 후, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17) 앞에서 대기하고 있는 웨이퍼 반송체(25)(B'1)가, 엑스텐션·냉각처리유니트(EXTCOL)(17) 내로부터 다음 도포처리의 웨이퍼(W)를 취출한다(B'2). 주변노광장치(WEE)(24)는, 주변노광처리 종료시로부터 다음 처리의 웨이퍼(W)가 주변노광장치(WEE) 내로 반입되기까지의 동안에, 웨이퍼(W)의 교환을 기다리는 상태(W'2)로 된다. 취출된, 다음 주변노광처리 웨이퍼(W)는, 주변노광장치 앞으로 반송되어(B'3), 주변노광장치 내의 웨이퍼(W)와 교환되어진다(B'4, W'3). 웨이퍼 교환 후, 웨이퍼 반송체(25)는, 도포처리가 종료된 웨이퍼(W)를 아웃스테이지로 반송하고, 인스테이지 앞으로 이동한다(B'5). 한편, 주변노광장치(WEE)에서는, 반입된 웨이퍼(W)에 대한 주변노광처리가 행하여진다(W'4).

도 13(a), (b)를 비교하면, 종래의 주변노광장치(WEE)(24)에 있어서의 웨이퍼 교환 기다림(W'2)의 상태가, 본 실시형태에는 없다. 따라서, 주변노광장치(WEE)(24)에 있어서, 다음 웨이퍼(W)의 주변노광처리{도 내의 (W3)(W'4)}의 개시가 본 실시형태 쪽이 빠르기 때문에, 처리시간 전체를 단축시킬 수 있다.

또, 상술한 레지스트액 도포유니트(COT) 또는 주변노광장치에, 예비냉각수단을 더 부가시킬 수 있다. 상술한 처리공정에 있어서, 레지스트액 도포유니트(COT) 앞 또는 주변노광장치 앞에 다음 처리의 웨이퍼(W)를 대기시킬 때에, 예를들어 예측할 수 없는 웨이퍼(W) 기다림 상태가 발생한 때에, 예비냉각수단에 의해, 레지스트액 도포유니트(COT) 또는 주변노광장치에서의 처리에 있어서의 최적 온도, 예를들어 23℃ 전후의 실온(室溫)으로 웨이퍼(W)의 온도를 유지시킬 수 있다. 구체적인 예비냉각수단으로서는, 예를들어 레지스트액 도포유니트(COT) 또는 주변노광장치 각각의 바로 밑 하단에 인접하여 냉각처리유니트를 배치하면 된다. 하단에 냉각처리유니트를 배치함으로써, 상단에 배치하는 경우에 비하여 온도관리가 용이하다. 또는, 레지스트액 도포유니트(COT) 또는 주변노광장치 각각의 유니트 외부에 냉각 가스 공급노즐을 설치하여, 이 냉각 가스 공급노즐로부터, 대기하고 있는 웨이퍼(W)에 대하여 냉각 가스를 뿜어내도 좋다.

덧붙여 설명하면, 상기 실시형태에서는, 기판으로서 웨이퍼(W)를 예를들어 설명하였지만, LCD 기판등의 타 기판에도 본 발명을 적용할 수 있다.

또, 본 발명의 시스템 구성은 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상(技術思想)의 범위 내에서 여러가지의 구성이 생각되어질 수 있다. 예를들어, 현상처리 전의 냉각을 행하는 냉각처리유니트와 현상처리유니트 사이에서의 웨이퍼 반송 타이밍을 제어하여도 좋다. 이와 같이, 도포 또는 현상등의 처리 전에 미리 냉각처리가 필요한 경우에, 반송 타이밍을 제어함으로써, 처리시간을 단축할 수 있다.

또 도 14에 나타낸 바와 같이, 냉각처리유니트(COL)(6a)로부터 레지스트액 도포유니트(COT)(3)까지의 반송거리(x1)와 냉각처리유니트(COL)(6b)로부터 레지스트액 도포유니트(COT)(3)까지의 반송거리가 다른 경우{예를들어 x1〉x2}, 도 15에 나타낸 바와 같이, 냉각처리유니트(COL)(6a)에 있어서의 웨이퍼(W) 반출로부터 레지스트액 도포유니트(COT)(3)에 있어서의 웨이퍼(W) 반입까지의 시간(T)과, 냉각처리유니트(COT)(3)에 있어서의 웨이퍼(W)의 냉각처리 종료로부터 레지스트액 도포유니트(COT)(3)에 있어서의 웨이퍼(W) 반입까지의 시간(T)이 거의 일치하도록, 냉각처리유니트(COL)(6b)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반입반출 타이밍을 소정 시간(T1) 늦추어도 좋다. 이와 같은 제어는, 주로 반송장치 제어장치(126)에 의한 반송장치(22)의 제어에 의해 행하여진다. 그리고, 이와 같이 반송시간을 제어함으로써 웨이퍼(W)의 열이력(熱履歷)을 보다 균일하게 할 수 있어, 막두께의 관리를 보다 정확하게 할 수 있다. 덧붙여 설명하면, 이와 같은 반출 타이밍을 늦추는 것이 아니고, 반송장치의 반송속도를 가변(可變)시켜, 상술한 바와 같이 시간제어를 행하도록 하여도 좋다. 예를들어 냉각처리유니트(COL)(6a)로부터 레지스트액 도포유니트(COT)(3)로의 웨이퍼의 반송속도를 늦추면 된다.

또, 웨이퍼(W)의 열이력 균일화의 관점으로부터 보아 바람직하게는, 반송장치 제어장치(126)는, 반송장치(22)가 가열처리계(加熱處理系) 유니트로부터 냉각처리유니트(COL)로의 웨이퍼(W)의 반송과 냉각처리유니트(COL)로부터 레지스트액 도포유니트(COT)로의 웨이퍼의 반송을 거의 같은 시기에 행하여야 할 경우에는, 가열처리계의 유니트로부터 냉각처리유니트(COL)로의 웨이퍼(W)의 반송을 우선시키는 것이 좋다. 가열처리계의 유니트에서 웨이퍼(W)를 기다리게 하는 것은, 열이력으로의 악영향이 크기 때문이다.

이상에서 설명한 바와 같이, 레지스트액 도포처리 또는 현상처리가 행하여지는 처리유니트 내에서의 웨이퍼 처리 종료시에, 이 처리유니트 앞에 다음에 처리의 웨이퍼가 대기하도록, 냉각처리유니트로부터의 웨이퍼 반송 타이밍을 제어함으로써, 처리시간을 단축하여 스루풋을 향상시킬 수 있다.

Claims (14)

1. 기판처리장치에 있어서,

   기판에 대하여 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트부와,

   상기 냉각처리가 행하여진 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리유니트부와,

   적어도 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 액처리유니트부로 상기 기판을 반송하는 반송장치와,

   상기 액처리유니트부 내에서의 기판의 액처리 종료시에, 다음의 액처리를 행하는 기판이 상기 액처리유니트부의 앞에서 대기하도록, 상기 반송장치에 의한 상기 기판의 반송을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제어수단에는, 상기 액처리에 필요한 액처리시간과, 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 액처리유니트부까지의 상기 반송장치의 이동에 필요한 이동시간이 미리 입력되어 있고,

   상기 제어수단은,

   상기 액처리유니트부 내에서의 기판의 액처리 개시시간이 입력됨으로써, 당해 개시시간과 상기 액처리시간으로부터 액처리 종료시간을 산출하고,

   상기 액처리 종료시간과 상기 이동시간으로부터, 상기 다음의 액처리를 행하는 기판을 반송하기 위한 상기 반송장치의 이동개시시간을 산출하고,

   상기 이동개시시간을 상기 반송장치에 전달하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 액처리유니트부는, 상기 기판을 반입 및 반출하는 개구부를 갖추고, 당해 개구부를 덮는 개폐가능한 셔터부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 액처리 중에는 상기 개구부는 상기 셔터부재에 의해 덮여지고, 상기 액처리 종료시에 상기 개구부는 상기 셔터부재에 의해 열려지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열처리유니트부를 갖추고,

   상기 반송장치는, 상기 가열처리유니트부로부터 상기 냉각처리유니트부로 기판을 반송하는 것이고,

   상기 제어수단은, 상기 가열처리유니트부로부터 상기 냉각처리유니트부로의 기판의 반송을, 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 액처리유니트부로의 상기 기판의 반송보다 우선적으로 반송하도록 상기 반송장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
6. 기판처리장치에 있어서,

   적어도 기판에 대하여 냉각처리를 행하는 제 1의 냉각처리유니트부를 포함하는 처리유니트부가 다단(多段)으로 적층된 제 1의 처리유니트군(群)과,

   상기 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리유니트부가 다단으로 적층된 제 2의 처리유니트군과,

   적어도 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 액처리유니트부로 상기 기판을 반송하는 반송장치와,

   상기 액처리유니트부 내에서의 기판의 액처리 종료시에, 다음의 액처리를 행하는 기판이 상기 액처리유니트부의 앞에서 대기하도록, 상기 반송장치에 의한 상기 기판의 반송을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 제 1의 냉각처리유니트부와 다른 위치에 배치되고, 기판에 대하여 냉각처리를 행하는 제 2의 냉각처리유니트부를 더 갖추고,

   상기 제어수단은, 상기 제 1의 냉각처리유니트부로부터 상기 액처리유니트부로 기판을 반송하는 제 1의 시간과 상기 제 2의 냉각처리유니트부로부터 상기 액처리유니트부로 기판을 반송하는 제 2의 시간이 거의 일치하도록 반송장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 제어수단은, 상기 제 1의 시간과 상기 제 2의 시간이 거의 일치하도록, 상기 반송장치가 상기 제 1의 냉각처리유니트로부터 기판을 반출하는 타이밍과 상기 반송장치가 상기 제 2의 냉각처리유니트부로부터 기판을 반출하는 타이밍을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판제어장치.
9. 기판처리장치에 있어서,

   레지스트막이 성막(成膜)된 기판에 대하여 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트부와,

   상기 냉각처리가 행하여진 기판의 레지스트막에 노광처리를 행하는 노광처리유니트부와,

   적어도 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 노광처리유니트부로 상기 기판을 반송하는 반송장치와,

   상기 노광처리유니트부 내에서 기판의 노광처리 종료시에, 다음 노광처리를 행하는 기판이 상기 액처리유니트부의 앞에서 대기하도록, 상기 반송장치에 의한 상기 기판의 반송을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 제어수단에는, 상기 노광처리에 필요한 노광처리시간과, 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 노광처리유니트부로까지의 상기 반송장치의 이동에 필요한 이동시간이 미리 입력되어 있고,

    상기 제어장치는,

    상기 노광처리유니트부 내의 기판에 대한 노광처리 개시시간이 입력됨으로써, 당해 개시시간과 상기 노광처리시간으로부터 노광처리 종료시간을 산출하고,

    상기 노광처리 종료시간과 상기 이동시간으로부터, 상기 다음의 노광처리를 행하는 기판을 반송하기 위한 상기 반송장치의 이동개시시간을 산출하고,

    상기 이동개시시간을 상기 반송장치에 전달하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
11. 기판처리장치에 있어서,

    레지스트막이 성막된 기판에 대하여 냉각처리를 행하는 냉각처리유니트부를 포함하는 처리유니트부가 다단으로 적층된 처리유니트군과,

    상기 냉각처리가 행하여진 기판의 레지스트막에 노광처리를 행하는 노광처리유니트부와,

    적어도 상기 냉각처리유니트부로부터 상기 노광처리유니트부로 상기 기판을 반송하는 반송장치와,

    상기 노광처리유니트부 내의 기판에 대한 노광처리 종료시에, 다음의 노광처리를 행하는 기판이 상기 액처리유니트부의 앞에서 대기하도록, 상기 반송장치에 의한 상기 기판의 반송을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
12. 기판처리방법에 있어서,

    제 1 기판에 대하여, 냉각처리유니트부에서 냉각처리를 행하는 공정과,

    상기 냉각처리가 행하여진 제 1 기판 상에 대하여, 액처리유니트부에서 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 공정과,

    제 2 기판에 대하여 상기 냉각처리유니트부에서 냉각처리를 행하는 공정과,

    상기 제 1 기판의 액처리 종료시에, 상기 냉각처리가 행하여진 제 2 기판이 상기 액처리유니트부 앞에서 대기하도록, 상기 제 2 기판을 반송장치에 의해 반송하는 공정과,

    상기 액처리유니트부 내로부터 상기 제 1 기판을 반출하고, 상기 제 2 기판을 상기 액처리유니트부 내로 반입하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 액처리 중에 상기 액처리유니트부의 개구부를 셔터부재에 의해 덮는 공정과,

    상기 액처리 종료시에 상기 개구부를 덮고 있던 상기 셔터부재를 여는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
14. 기판처리장치에 있어서,

    레지스트막이 성막된 제 1 기판에 대하여, 냉각처리유니트부에서 냉각처리를 행하는 공정과,

    상기 냉각처리가 행하여진 제 1 기판의 레지스트막을 노광하는 공정과,

    레지스트막이 성막된 제 2 기판에 대하여, 상기 냉각처리유니트부에서 냉각처리를 행하는 공정과,

    상기 제 1 기판의 노광처리 종료시에, 상기 냉각처리가 행하여진 제 2 기판이 상기 노광처리유니트부 앞에서 대기하도록, 상기 제 2 기판을 반송장치에 의해 반송하는 공정과,

    상기 노광처리유니트부 내로부터 상기 제 1 기판을 반출하고, 상기 제 2 기판을 상기 노광처리유니트부 내로 반입하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.