KR100557027B1 - 기판전달장치 및 도포현상 처리시스템 - Google Patents

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Abstract

인터페이스부에는, 반송장치가 처리스테이션에 있어서의 제 2 냉각처리장치군과 대면하도록 배치되어, 이 반송장치가 사이에 위치하도록, 그 한쪽에는 열처리장치를 다단으로 배치하여 이루어지는 열처리장치군이 배치되고, 다른쪽에는 주변노광장치, 버퍼카세트 및 웨이퍼 유지부가 위로부터 순서대로 적층 배치되어 있다. 웨이퍼 유지부와 노광장치의 사이에는 2차 반송체가 배치되어, 이것을 통하여 노광장치에 있어서의 인스테이지(In Stage) 및 아웃스테이지(Out Stage)의 사이에서 웨이퍼의 반입출을 행하도록 되어 있다. 이로 인하여, 노광후의 기판을 가열처리할 때까지의 시간을 정확히 관리하는 것이 가능하여, 균일한 선폭을 형성하는 것이 가능해진다.

Description

기판전달장치 및 도포현상 처리시스템{SUBSTRATE DELIVERY APPARATUS AND COATING AND DEVELOPING PROCESSING SYSTEM}
도 1은, 본 발명의 실시형태에 관련된 도포현상 처리시스템의 평면도이다.
도 2는, 도 1에 나타낸 도포현상 처리시스템에 있어서의 처리스테이션의 좌측면도이다.
도 3은, 도 1에 나타낸 도포현상 처리시스템에 있어서의 처리스테이션의 우측면도이다.
도 4는, 도 1에 나타낸 도포현상 처리시스템에 있어서의 제 1 반송장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 5는, 도 1에 나타낸 도포현상 처리시스템에 있어서의 인터페이스부의 우측면도이다.
도 6은, 도 1에 나타낸 도포현상 처리시스템에 있어서의 열처리장치의 평면도이다.
도 7은, 도 1에 나타낸 도포현상 처리시스템에 있어서의 열처리장치의 단면도이다.
도 8은, 도 1에 나타낸 도포현상 처리시스템에 있어서의 웨이퍼 유지부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 9는, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 도포현상 처리시스템의 구성을 나타낸 평면도이다.
도 10은, 본 발명의 또 다른 실시형태에 관련된 도포현상 처리시스템의 구성을 나타낸 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포현상 처리시스템 3 : 처리스테이션
4 : 노광장치 5 : 인터페이스부
110 : 반송장치 111 : 열처리장치
112 : 열처리장치군 113 : 주변노광장치
114 : 버퍼카세트 115 : 웨이퍼 유지부
116 : 2차 반송체 321 : 냉각장치
330 : 재치대 341 : 가열처리실
342 : 냉각처리실 401 : 인스테이지
402 : 아웃스테이지 W : 웨이퍼
본 발명은, 예를 들면 반도체 웨이퍼나 유리기판 등의 기판상에 레지스트 (Regist)를 도포하고, 현상하는 도포현상 처리장치와 레지스트가 도포된 기판을 노광(露光)하는 노광장치의 사이에 배치되는 기판전달장치 및 이 기판전달장치를 구비한 도포현상 처리시스템에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서의 포토(Photo) 레지스트 처리공정에 있어서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하,「웨이퍼」라고 함) 등의 기판에 대하여 레지스트를 도포하고, 소정의 패턴을 노광한 후에, 이 웨이퍼에 대하여 현상액을 공급하여 현상 처리하고 있다.
종래로부터 이러한 처리는, 노광장치에 대하여 레지스트 도포와 현상처리를 행하는 도포현상 처리장치를 접속한 시스템에 의해 행해지고 있다. 이러한 도포현상 처리장치에는, 웨이퍼의 도포현상처리에 필요한 일련의 처리, 예를 들면 레지스트의 정착성(定着性)을 향상시키기 위해 소수화처리[어드히젼(Adhesion) 처리], 레지스트를 도포하는 레지스트 도포처리, 레지스트 도포후의 웨이퍼를 가열하여 레지스트를 경화시키는 가열처리, 노광후의 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하기 위한 가열처리, 노광후의 웨이퍼에 대하여 현상처리를 실시하는 현상처리 등의 각 처리를 개별적으로 행해지는 처리유니트가 구비되고, 웨이퍼 반송장치에 의하여 이러한 처리유니트 사이에서 웨이퍼의 전달이 행해지도록 되어 있다. 그리하여 이러한 도포현상 처리장치와 노광장치의 사이에는, 웨이퍼의 전달을 행하기 위한 인터페이스부가 배치되어 있고, 도포현상 처리장치에 의하여 레지스트가 도포된 웨이퍼는 이 인터페이스부를 통하여 노광장치로 전달되며, 노광장치에 의하여 노광된 웨이퍼는 이 인터페이스부를 통하여 도포현상 처리장치로 전달되도록 되어 있다.
그런데, 웨이퍼상에 형성된 배선패턴 등을 흐트러짐이 없고 균일한 선폭으로 하기 위해서는, 상기의 일련의 처리에서는 특히 웨이퍼를 노광장치에 의해 노광한 후에 가열처리할 때까지의 시간을 관리하는 것이 중요하다.
그렇지만, 노광장치에 의하여 노광된 웨이퍼를 인터페이스부를 통하여 받아들여 가열처리유니트까지 반송하는 웨이퍼 반송장치는 상술한 바와 같이 각종의 처리유니트 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하고 있기 때문에, 상당히 바쁘고 그로 인해 노광후의 웨이퍼를 바로 가열처리유니트까지 반송하지 못하고 기다리게 하는 경우도 있다는 과제가 있다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 노광후의 기판을 가열처리할 때까지의 시간을 정확히 관리하는 것이 가능하고, 균일한 선폭을 형성하는 것이 가능한 기판전달장치 및 도포현상 처리시스템을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1의 관점은, 기판에 대하여 레지스트를 도포하여 노광후의 기판을 현상하는 도포현상 처리장치와 상기 레지스트가 도포된 기판을 노광하는 노광장치의 사이에 배치되어, 이들 장치들과의 사이에서 기판을 전달하는 기판전달장치에 있어서, 상기 기판을 가열하는 가열부를 가지는 열처리부와, 상기 노광장치로부터 반입된 기판을 직접적으로 상기 열처리부로 반송하고, 상기 도포현상 처리장치측으로부터 반입된 기판을 상기 노광장치로 반송하는 제 1의 반송부를 구비한다.
본 발명의 제 2의 관점은, 기판에 대하여 레지스트를 도포하여 노광후의 기판을 현상하는 도포현상 처리장치와 상기 레지스트가 도포된 기판을 노광하는 노광장치의 사이에 배치되고, 이들 장치들과의 사이에서 기판을 전달하는 기판전달장치에 있어서, 상기 노광장치측으로의 기판의 반출이 가능하고, 상기 노광전의 기판을 받아들여 일단 유지하는 제 1의 유지부와, 상기 제 1의 유지부와 동일 평면상에 배치되어, 상기 노광장치측으로부터의 기판의 반입이 가능하고, 상기 노광후의 기판을 받아들여 일단 유지하는 제 2의 유지부와, 상기 기판을 가열하는 가열부를 가지는 열처리부와, 상기 도포현상 처리장치와 인접함과 동시에 상기 제 1의 유지부와 상기 제 2의 유지부와 상기 열처리부에 둘러쌓이도록 배치되고, 상기 도포현상 처리장치, 상기 제 1의 유지부, 상기 제 2의 유지부, 상기 열처리부와의 사이에서 기판을 반송하는 제 1의 반송부와, 상기 제 1의 유지부와의 사이에서 기판의 반입이 가능하고, 상기 제 2의 유지부와의 사이에 기판의 반출이 가능하며, 상기 노광장치에서의 노광전의 기판이 얹어지는 인스테이지와 노광후의 기판이 얹어지는 아웃스테이지의 사이에서 기판의 반입출이 가능한 제 2의 반송부를 구비한다.
본 발명의 제 3의 관점은, 레지스트가 도포된 기판을 노광하는 노광장치에 접속되는 도포현상 처리시스템에 있어서, 상기 기판에 대하여 레지스트를 도포하여 노광후의 기판을 현상하는 도포현상 처리장치와, 상기 노광장치와 상기 도포현상 처리장치의 사이에 배치된 기판전달장치를 구비하며, 상기 기판전달장치가, 상기 기판을 가열하는 가열부를 가지는 열처리부와, 상기 노광장치로부터 반입된 기판을 직접적으로 상기 열처리부로 반송하고, 상기 도포현상 처리장치측으로부터 반입된 기판을 상기 노광장치로 반송하는 반송부를 구비한다.
본 발명에서는, 노광후의 기판을, 해당 기판전달장치가 가지는 반송부를 통해서 열처리부에 직접적으로 전달하여 가열처리하도록 구성하였기 때문에, 노광후의 기판을 기다리게 하지 않고 바로 열처리부로 반송하여 가열처리를 행하는 것이 가능하다. 따라서 노광후의 기판을 가열처리할 때까지의 시간을 정확히 관리하는 것이 가능하고, 균일한 선폭을 형성하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관하여 설명한다.
도 1∼도 3은 실시형태에 관련된 도포현상 처리시스템의 외관을 나타내고, 도 1은 평면에서, 도 2, 도 3은 측면에서 본 상태를 각각 나타내고 있다.
이 도포현상 처리시스템(1)은, 예를 들어 25장의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 도포현상 처리시스템(1)에 대하여 반입출한다든지, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 카세트 스테이션(2)과, 도포현상 처리공정중에 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 행하는 매엽식(枚葉式)의 각종 처리장치를 다단(多段)으로 배치하여 이루어진 처리스테이션(3)과, 이 처리스테이션(3)에 인접하여 설치된 노광장치(4)의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 기판전달장치로서의 인터페이스부(5)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
카세트 스테이션(2)에서는, 카세트 재치대(10) 상의 위치결정돌기(10a)의 위치에, 복수개의 카세트(C)가 웨이퍼(W)의 출입구를 처리스테이션(3) 쪽으로 향해 X방향(도 1에서 상하방향)을 따라서 일렬로 자유롭게 얹어진다. 그리고 이 카세트 (C)의 배열방향(X방향) 및 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 배열방향(Z방향; 수직방향)으로 이동가능한 웨이퍼 반송체(11)가 반송로(12)를 따라 이동이 자유로우며, 각 카세트(C)에 대하여 선택적인 액세스(Access)가 가능하도록 되어 있다.
이 웨이퍼 반송체(11)는 θ방향으로도 회전이 자유롭게 구성되어 있으며, 후술하는 제 1 냉각처리장치군(70)의 다단 유니트부에 속하는 익스텐션(Extension)장치(74)나 제 1 가열처리장치군(90)에 속하는 얼라이먼트(Aliment)장치(92)에 대하여 액세스 가능하도록 구성되어 있다.
처리스테이션(3)에서는, 정면측에 레지스트도포장치군(20)이, 배면측에는 현상처리장치군(30)이 각각 배치되어 있다. 정면측에 현상처리장치군(30)을, 배면측에 레지스트도포장치군(20)을 각각 배치하여도 물론 상관없다.
레지스트도포장치군(20)은 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 컵(CP) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척(Spin Chuck)에 놓고 레지스트액을 도포하여, 해당 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트 도포처리를 행하는 레지스트도포장치(21,22)가 병렬로 배치되고, 또한 이들 각 레지스트도포장치(21,22)의 상단에는 레지스트도포장치(23,24)가 포개어져 구성되어 있다.
현상처리장치군(30)은, 컵(CP) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 놓고 현상액을 공급하여, 해당 웨이퍼(W)에 대하여 현상처리를 행하는 현상처리장치(31,32)가 병 렬로 배치되고, 또한 이들 각 현상처리장치(31,32)의 상단에는 현상처리장치(33, 34)가 포개어져 구성되어 있다.
처리스테이션(3)의 중심부에는, 웨이퍼(W)가 자유롭게 얹어지는 전달대(40)가 구비되어 있다.
이 전달대(40)를 사이에 두고 상기 레지스트처리장치군(20)과 현상처리장치군(30)은 마주보고 있으며, 레지스트처리장치군(20)과 전달대(40)의 사이에는 제 1 반송장치(50)가, 현상처리장치군(30)과 전달대(40)의 사이에는 제 2 반송장치(60)가 각각 장착되어 있다.
제 1 반송장치(50)와 제 2 반송장치(60)는 기본적으로 동일한 구성을 가지고 있으며, 제 1 반송장치(50)의 구성을 도 4에 의거하여 설명하면, 제 1 반송장치 (50)는 상단 및 하단에 서로 접속되어 대향하는 일체의 벽부(51,52)로 이루어진 통형상 지지체(53)의 내측에, 상하방향(Z방향)으로 승강이 자유로운 웨이퍼 반송수단 (54)을 갖추고 있다. 통형상 지지체(53)는 모터(55)의 회전 구동력으로, 상기 회전축을 중심으로 하여 웨이퍼 반송수단(54)과 함께 일체로 회전한다. 따라서 웨이퍼 반송수단(54)은 θ방향으로 회전이 자유롭게 되어 있다.
웨이퍼 반송수단(54)의 반송기초대(56) 상에는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부재로서의 복수, 예를 들어 2개의 핀셋(57,58)이 상하에 구비되어 있다. 각 핀셋 (57,58)은 기본적으로 동일한 구성을 가지고 있으며, 통형상 지지체(53)의 양 벽부 (51,52) 사이의 측면개구부를 자유롭게 통과할 수 있는 형태 및 크기를 가지고 있다. 또 각 핀셋(57,58)은 반송기초대(56)에 내장된 모터(도시하지 않음)에 의해 전 후방향의 이동이 자유롭게 되어 있다. 또한 제 2 반송장치(60)에는, 핀셋(57,58)과 동일한 기능 및 구성을 가지는 핀셋(67,68)이 구비되어 있다.
제 1 반송장치(50)의 양측에는, 레지스트도포장치군(20) 부근에 각종 냉각계 처리장치로 이루어진 제 1 냉각처리장치군(70) 및 제 2 냉각처리장치군(80)이 각각 배치되어 있고, 제 2 반송장치(60)의 양측에는, 현상처리장치군(30) 부근에 각종 가열계 처리장치로 이루어진 제 1 가열처리장치군(90) 및 제 2 가열처리장치군 (100)이 각각 배치되어 있다. 제 1 냉각처리장치군(70) 및 제 1 가열처리장치군 (90)은 카세트 스테이션(2) 측에 배치되어 있고, 제 2 냉각처리장치군(80) 및 제 2 가열처리장치군(100)은 인터페이스부(5) 측에 배치되어 있다.
여기에서 처리스테이션(3)은 카세트 스테이션(2) 측에서 본 도 2에 의거하여 제 1 냉각처리장치군(70) 및 제 1 가열처리장치군(90)의 구성을 설명하면, 제 1 냉각처리장치군(70)은 웨이퍼(W)를 소정 온도로 냉각처리하는 쿨링장치(71,72)와, 웨이퍼(W)의 위치조정을 행하는 얼라이먼트장치(73)와, 웨이퍼(W)를 대기시키는 익스텐션장치(74)와, 그리고 냉각처리장치(75,76,77,78)가 아래로부터 순서대로, 예를 들면 7단으로 쌓여져 있다. 제 1 가열처리장치군(90)은 레지스트와 웨이퍼(W)의 밀착성을 향상시키는 어드히젼장치(91)와, 얼라이먼트장치(92)와, 익스텐션장치(93)와, 레지스트 도포후의 웨이퍼(W)를 가열처리하는 프리베이킹(Pre Baking)장치(94, 95)와, 현상처리후의 웨이퍼(W)를 가열처리하는 포스트베이킹(Post Baking)장치 (96,97,98)가 아래로부터 순서대로, 예를 들면 7단으로 쌓여져 있다.
처리스테이션(3)을 인터페이스부(5) 측에서 본 도 3에 의거하여 제 2 냉각처 리장치군(80) 및 제 2 가열처리장치군(100)의 구성을 설명하면, 제 2 냉각처리장치군(80)은 쿨링장치(81,82)와, 얼라이먼트장치(83)와, 익스텐션장치(84)와, 그리고 냉각처리장치(85,86,87,88)가 아래로부터 순서대로, 예를 들어 7단으로 쌓여져 있다. 제 2 가열처리장치군(100)은 프리베이킹장치(101,102)와, 노광처리후의 웨이퍼 (W)를 가열처리하는 포스트엑스포져 베이킹장치(103,104)와, 포스트 베이킹장치 (105,106,107)가 아래로부터 순서대로, 예를 들어 7단으로 쌓여져 있다.
인터페이스부(5)에는, 반송장치(110)가 처리스테이션(3)에 있어서의 제 2 냉각처리장치(80)와 대면하도록 배치되어 있다. 도 5는 이 인터페이스부(5)를 측면에서 본 도면이며, 인터페이스부(5)에서는, 이 반송장치(110)가 사이에 위치하도록, 그 한쪽에는 열처리장치(111)를 다단으로 배치하여 이루어지는 열처리장치군(112)이 배치되고, 다른쪽에는 주변노광장치(113), 버퍼카세트(114) 및 웨이퍼 유지부 (115)가 위에서부터 차례대로 적층 배치되어 있다.
반송장치(110)는, 도 4에 나타낸 제 1 반송장치(50)[제 2 반송장치(60)]와 기본적으로 동일한 구성을 가지고 있으며, 따라서 웨이퍼(W)를 수직방향(Z방향)으로 이동 가능하고, 또한 θ방향으로 회전이 가능하도록 구성되며, 그 주위에 배치된 처리스테이션(3)에 있어서의 제 2 냉각처리장치군(80)의 얼라이먼트장치(83) 및 익스텐션장치(84), 각 열처리장치(111), 주변노광장치(113), 웨이퍼(W)를 수직방향으로 예를 들어 25장을 수용하는 버퍼카세트(114)와 웨이퍼 유지부(115)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 가능하도록 되어 있다.
도 6은 상술한 열처리장치(111)의 평면도, 도 7은 그 단면도이다.
이들 도면에 나타낸 바와 같이, 열처리장치(111)는 열판(343)을 가지는 열처리실(341)과, 이것에 인접하여 설치되어 기판을 온도조절하는 온도조절부로서의 냉각처리실(342)을 가지고 있다. 이 열처리장치(111)는 또한 반송장치(110)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 동안에 개폐되는 제 1의 게이트(Gate)셔터(344)와, 가열처리실(341)과 냉각처리실(342)의 사이를 개폐하기 위한 제 2의 게이트셔터(345)와, 열판(343)의 주위에 웨이퍼(W)를 포위하면서 제 2의 게이트셔터(345)와 함께 승강되는 링(Ring)셔터(356)와, 후술하는 2차 반송체(116)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 동안에 개폐되는 제 3의 게이트셔터(361)를 가지고 있다. 그리고 열판(343)에는 웨이퍼(W)를 얹어서 승강하기 위한 3개의 리프트핀(Lift Pin)(347)이 자유롭게 승강하도록 설치되어 있다.
가열처리실(341)의 아래쪽에는, 상기 3개의 리프트핀(347)을 승강시키기 위한 승강기구(348)와, 링셔터(346)를 제 2의 게이트셔터(345)와 함께 승강시키기 위한 승강기구(349)와, 제 1의 게이트셔터(344) 및 제 3의 게이트셔터(361)를 승강시켜 개폐하기 위한 승강기구(350)가 설치되어 있다. 또 이 가열처리실(341)은 배기관(351)을 통하여 배기되도록 구성되어 있다.
가열처리실(341)과 냉각처리실(342)은 연통구(352)를 통하여 이어져 있고, 웨이퍼(W)를 얹어서 냉각하기 위한 냉각판(353)이 가이드 플레이트(354)를 따라 이동기구(355)로부터 수평방향으로의 이동이 자유롭게 구성되어 있다. 이것에 의하여, 냉각판(353)은 연통구(352)를 통하여 가열처리실(341) 내로 진입하는 것이 가능하며, 가열처리실(341) 내의 열판(343)에 의해 가열된 후의 웨이퍼(W)를 리프트 핀(347)으로부터 받아들여 냉각처리실(342) 내로 반입하여, 웨이퍼(W)를 냉각한 후, 웨이퍼(W)를 리프트핀(347)으로 되돌리도록 되어 있다.
도 8은 상술한 웨이퍼 유지부(115)의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 이 웨이퍼 유지부(115)에서는, 웨이퍼(W)를 상온 부근의 온도로 되도록 온도조절하는 온도조절대로서의 냉각장치(321)가 하단에 배치되어 있다. 냉각장치(321)는 해당 냉각장치(321)에 얹어진 웨이퍼(W)를 자유롭게 냉각하는 냉각재치대(325)와, 냉각재치대(325)에 형성된 구멍(326)으로부터 실린더 (327)의 구동에 의해 상하 움직임이 자유롭게 형성된, 예컨대 3개의 승강핀(328)이 설치되어 있다. 그리고 냉각재치대(325)의 내부에는, 예를 들어 23℃로 온도조절된 항온수 등이 흐르는 순환로(329)가 설치되어 있다. 이것에 의하여, 냉각재치대 (325) 상에 얹어진 웨이퍼(W)가 냉각되도록 되어 있다. 또한 최상단의 냉각장치 (324)의 상부에는, 웨이퍼(W)가 자유롭게 얹어지는 재치대(330,330)가 상하 2단으로 설치되어 있다. 또 냉각장치(321)에는 노광전의 웨이퍼(W)가 일단 유지되고, 재치대(330,330)에는 노광후에 그리고 가열ㆍ냉각처리 종료후의 웨이퍼(W)가 일단 유지되도록 되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 열처리장치군(112) 및 웨이퍼 유지부(115)와 노광장치(4)의 사이에는 수직방향(Z방향) 및 X방향으로 이동 가능하며, 더욱이 θ방향으로 회전 가능한 2차 반송체(116)가 반송로(117)를 따라서 이동이 자유로우며, 열처리장치군(112)의 각 열처리장치(111), 웨이퍼 유지부(115)의 냉각장치(321), 노광장치(4)에 있어서의 노광전의 웨이퍼(W)가 얹어진 인스테이지(401) 및 노광후의 웨이퍼(W)가 얹어진 아웃스테이지(402)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하도록 되어 있다.
본 발명의 실시형태에 관한 도포현상 처리시스템(1)은 이상과 같이 구성되어 있다. 다음에 도포현상 처리시스템(1)의 동작에 대하여 설명한다.
먼저, 카세트 스테이션(2)에 있어서 웨이퍼 반송체(11)가 카세트(C)에 액세스하여 미처리 웨이퍼(W)를 1장 꺼낸다. 계속하여 이 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체 (11)에 의해 제 1 가열처리장치군(90)의 얼라이먼트장치(92)로 반송된다. 얼라이먼트장치(92)에 위치설정을 종료한 웨이퍼(W)는, 제 2 반송장치(60)로부터 같은 제 1 가열처리장치군(90)에 속하는 어드히젼 장치(91)로 반송된다. 계속하여 이 소수화처리의 종료후에, 웨이퍼(W)는 제 2 반송장치(60)에 의해 전달대(40)로 반송된다.
다음에, 웨이퍼(W)는 제 1 반송장치(50)에 의해 전달대(40)로부터 제 1 냉각처리장치군(70)으로 반송되고, 제 1 냉각처리장치군(70)의 예를 들어 쿨링장치(72)로 반입되어, 냉각처리가 행해진다.
이 쿨링장치(72)에서 소정의 냉각처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 제 1 반송장치 (50)에 의해 레지스트도포장치군(20)으로 반송된다.
레지스트도포장치군(20)으로 반송된 웨이퍼(W)는, 예컨대 레지스트도포장치군(21)으로 반입되어, 레지스트막이 형성된다. 그리하여 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 그 후 제 1 반송장치(50)에 의해 전달대(40)로 반송된다.
전달대(40)로 반송된 웨이퍼(W)는, 제 2 반송장치(60)에 의해 이번에는 제 2 가열처리장치군(100)으로 반송된다. 그리하여 제 2 가열처리장치군(100)에 속하는, 예컨대 프리베이킹장치(101)로 반입되어 소정의 가열처리가 실시된다.
이러한 가열처리 종료후의 웨이퍼(W)는 제 2 반송장치(60)에 의해 제 2 냉각처리장치군(80)으로 반송된다. 그리하여 제 2 냉각처리장치군(80)의 예컨대 쿨링장치(85)로 반입되어 냉각처리가 행해진다. 쿨링장치(85)에서 냉각처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 그 후 익스텐션장치(84)로 반입된다.
익스텐션장치(84)로 반입된 웨이퍼(W)는, 반송장치(110)에 의해 인터페이스부(5) 내로 반입되고, 먼저 인터페이스부(5)에 있어서의 주변노광장치(113)로 반입되어, 주변노광처리가 실행된다.
주변노광처리가 실시된 웨이퍼(W)는, 반송장치(110)에 의하여 버퍼카세트 (114)에 일단 수용된다.
버퍼카세트(114)에 수용되어 있는 웨이퍼(W)는, 반송장치(110)에 의하여 웨이퍼 유지부(115)에 있어서의 냉각장치(321)로 반송되고, 상온 부근의 온도, 예를 들어 23℃ 정도로 온도조절된다. 이로 인하여, 그 후 이 웨이퍼(W)가 노광장치(4) 내로 반송되었을 때에 노광장치(4) 내의 온도를 흐트리게 하는 것이 없어진다.
웨이퍼 유지부(115)에 있어서의 냉각장치(321)로서 상온 부근으로 온도조절된 웨이퍼(W)는, 2차 반송체(116)에 의해 노광장치(4)에 있어서의 인스테이지(401) 상에 얹어진다.
인스테이지(401) 상에 얹어진 웨이퍼(W)는, 노광장치(4) 내에서 노광처리가 행해지고, 노광처리가 종료하면 아웃스테이지(402) 상에 얹어진다.
아웃스테이지(402) 상에 얹어진 웨이퍼(W)는, 2차 반송체(116)에 의해 직접 적으로 열처리장치군(112)에 있어서의 어느 것인가의 열처리장치(111)로 반송된다. 여기에서 제어부(362)는 노광장치(4)로부터 웨이퍼(W)의 노광이 종료한 타이밍을 나타내는 노광종료신호를 입력하고, 이 신호에 의거하여 웨이퍼(W)가 노광 종료로부터 열처리장치(111)로 반송될 때까지의 시간이 항상 일정하도록 2차 반송체(116)에 의해 반송동작을 제어하고 있다. 예를 들어 2차 반송체(116)가 웨이퍼 유지부 (115)에 있어서의 냉각장치(321)로부터 노광장치(4)에 있어서의 인스테이지(401) 상으로 웨이퍼를 반송하는 타이밍이더라도, 제어부(362)는 그 동작을 중단시켜(중단지시를 내려), 웨이퍼(W)가 노광종료로부터 열처리장치(111)로 반송될 때까지의 시간이 항상 일정하게 되도록, 2차 반송체(116)에 대하여 아웃스테이지(402)로부터 열처리장치군(112)으로 웨이퍼(W)를 반송되도록 제어하고 있다.
열처리장치(111)로 반송된 웨이퍼(W)는, 열처리 및 상온으로의 온도조절이 행해진다.
열처리 및 상온으로의 온도조절이 행해진 웨이퍼(W)는, 반송장치(110)에 의해 처리스테이션(3)에 있어서의 익스텐션장치(84)로 반입된다.
익스텐션장치(84)로 반입된 웨이퍼(W)는, 제 1 반송장치(50)에 의해 전달대 (40)로 전달된다. 그 후 웨이퍼(W)는 제 2 반송장치(60)에 의해 전달대(40)로부터 현상처리장치군(30)에 있어서의, 예컨대 현상처리장치(31)로 반입되어 소정의 현상처리가 실시된다.
이러한 현상처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 제 2 반송장치(60)에 의해 제 2 가열처리장치군(100)에 있어서의, 예컨대 포스트베이킹장치(105)로 반입되어 현상처 리후의 가열처리가 실시된다.
포스트베이킹장치(105)에 있어서의 가열처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 제 2 반송장치(60)에 의해 전달대(40)로 반송된다.
전달대(40)로 반송된 웨이퍼(W)는, 그 후 제 1 반송장치(50)에 의해 제 1 냉각처리장치군(70)에 있어서의, 예컨대 쿨링장치(71)로 반입되어 냉각처리된다.
그리고, 냉각처리된 웨이퍼(W)는, 그 후 익스텐션장치(74)로 반입되어 그 자리에서 대기한다. 그리고 익스텐션장치(74)로부터 웨이퍼 반송체(11)로 반출되어, 카세트 재치대(10) 상의 카세트(C)에 수납된다. 이렇게 하여 웨이퍼(W)에 대한 일련의 도포현상처리가 종료한다.
이러한 본 실시형태의 도포현상 처리시스템(1)에 있어서는, 노광후의 웨이퍼 (W)를 기다리게 하지 않고 바로 열처리장치(111)로 반송하여 가열처리를 행하는 것이 가능하다. 따라서 노광후의 웨이퍼(W)를 가열처리할 때까지의 시간을 정확히 관리하는 것이 가능하고, 균일한 선폭을 형성하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시형태에서는, 특히 열처리장치(111)에 가열처리실(341) 이외에 냉각처리실(342)이 일체적으로 설치되어 있기 때문에, 가열처리가 종료된 웨이퍼 (W)를 즉시 온도조절하는 것이 가능하고, 따라서 온도관리를 정확히 행하는 것이 가능하며, 이것에 의하여 균일한 선폭을 형성하는 것이 가능하게 된다.
더구나, 본 실시형태에서는 특히 인터페이스부(5)에 있어서의 반송장치(110)의 주변에 처리스테이션(3), 웨이퍼 유지부(115) 및 열처리장치(111)를 배치하도록 하였기 때문에, 반송장치(110)는 X,Y방향으로 이동하는 것이 필요없게 되어, 반송 장치(110)의 고속화를 실현하는 것이 가능하다.
다음에, 본 발명의 다른 실시형태를 설명한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 도포현상 처리시스템(370)의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 9에 나타낸 도포현상 처리시스템(370)에서는, 2차 반송체(116)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반출이 가능하며, 노광전의 웨이퍼(W)를 받아들여 일단 유지하는 제 1의 유지부로서의 냉각장치(371)와 2차 반송체(116)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입이 가능하고, 노광후의 웨이퍼(W)를 받아들여 일단 유지하는 제 2의 유지부로서의 재치대(372)가 동일 평면상에 배치되어 있다. 반송장치(110)는 냉각장치(371), 열처리장치(111) 및 재치대(372)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 가능하도록 구성되어 있다.
본 실시형태에 관한 도포현상 처리시스템(370)에서는, 특히 냉각장치(371)와 재치대(372)가 동일 평면상에 배치되어 있기 때문에, 2차 반송부(116)에서 웨이퍼 (W)를 수직방향으로 반송하는 스트로크(Stroke)가 작아져서, 2차 반송부(116)의 소형화 및 고속화를 추구하는 것이 가능하다.
또, 본 실시형태에서는, 특히 재치대(372)를 통하여 아웃스테이지(402)로부터 열처리장치(111)로 반송되도록 구성하였기 때문에, 재치대(372)가 말하자면 타이밍 버퍼로서의 역할을 수행하고, 제어부(363)가 2차 반송체(116) 및 반송장치 (110)의 반송타이밍을 적절히 제어하는 것에 의해 웨이퍼(W)가 아웃스테이지(402)로부터 열처리장치(111)로 반송되는 시간을 일정하게 하는 것을 간단히 할 수 있게 된다.
다음에, 본 발명의 또 다른 실시형태를 설명한다.
도 10은 이 실시형태에 관한 도포현상 처리시스템(380)의 구성을 나타낸 평면도이다.
이 시스템에서는, 반송장치(110)가, 처리스테이션(3), 열처리장치군(112) 및 웨이퍼 유지부(115) 뿐만 아니라, 인스테이지(401) 및 아웃스테이지(402)에 대해서도 직접적으로 액세스 가능하도록 한 것이다. 그리고 처리스테이션(3) 측에서 반입된 노광전의 웨이퍼(W)는 반송장치(110), 웨이퍼 유지부(115) 및 반송장치(110)를 경유하여 인스테이지(401)로 전달되고, 아웃스테이지(402)로부터 반출된 노광후의 웨이퍼(W)는 반송장치(110)를 경유하여 열처리장치군(112)으로 반송되며, 그 후 반송장치(110)를 경유하여 처리스테이션(3) 측으로 반출된다. 본 실시형태에 있어서도 최초로 나타낸 실시형태와 마찬가지로, 노광후의 웨이퍼(W)가 반송장치(110)를 경유하여 열처리장치군(112)으로 반송되는 제어를 우선적으로 행하여, 노광이 종료된 후에 열처리장치로 기판이 반입될 때까지의 시간을 일정하게 되도록 제어하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는 웨이퍼(W)를 기판으로 사용한 예에 대하여 설명하였으나, 본 발명에 사용되는 기판은 이것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 LCD 기판 등이라도 관계없다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 노광후의 기판을 기다리게 하지 않고 즉시 열처리부로 반송하여 가열처리를 행하도록 하는 것이 가능하기 때문에, 노광후의 기판을 가열처리할 때까지의 시간을 정확히 관리하는 것이 가능하고, 균일한 선폭을 형성하는 것이 가능하다.

Claims (14)

  1. 기판에 대하여 레지스트를 도포하여 노광후의 기판을 현상하는 도포현상 처리장치와 상기 레지스트가 도포된 기판을 노광하는 노광장치의 사이에 배치되어, 이들 장치들과의 사이에서 기판을 전달하는 기판전달장치에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 가열부를 가지는 열처리부와,
    상기 노광장치로부터 반입된 기판을 직접적으로 상기 열처리부로 반송하고, 상기 도포현상 처리장치측으로부터 반입된 기판을 상기 노광장치로 반송하는 제 1의 반송부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광장치로부터 출력되는 노광 종료신호를 입력하는 수단과,
    상기 노광 종료신호에 의거하여, 기판이 상기 노광장치에 의해 노광이 종료되고 나서 상기 열처리부로 반송될 때까지의 시간이 일정하게 되도록, 상기 제 1의 반송부를 제어하는 수단을 더욱 구비한 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    적어도 상기 노광전의 기판을 받아들여 일단 유지하는 유지부를 더욱 구비한 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 열처리부가, 상기 가열부에서 가열된 기판을 온도조절하는 온도조절부를 상기 가열부와 일체적으로 가지는 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 도포현상 처리장치와 인접함과 동시에 상기 유지부와 상기 열처리부의 사이에 배치되고, 상기 도포현상 처리장치와 상기 유지부와 상기 열처리부의 사이에서 기판을 반송하는 제 2의 반송부를 더욱 구비한 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 유지부가, 상기 노광전의 기판을 상기 반송부로부터 받아들여 일단 유지하고 기판이 상온 부근의 온도가 되도록 온도조절하는 온도조절대를 수직방향으로 다단으로 가지는 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 열처리부가 수직방향으로 다단으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 노광전의 기판을 주변노광하는 주변노광부와, 상기 주변노광된 기판을 수직방향으로 다단으로 유지하는 버퍼부가 각 상기 유지부와 수직방향의 1열로 배치되고, 또한 이들 주변노광부 및 버퍼부가 상기 반송부와의 사이에서 기판의 전달이 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광장치와 상기 제 1의 반송부 사이에, 상기 노광장치에서의 노광전의 기판이 얹어지는 인스테이지 및 노광후의 기판이 얹어지는 아웃스테이지가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1의 반송부는, 상기 도포현상 처리장치, 상기 열처리부, 상기 노광장치에서의 노광전의 기판이 얹어지는 인스테이지, 노광후의 기판이 얹어지는 아웃스테이지에 의해 둘러싸여지고, 이들과의 사이에서 기판의 전달이 가능한 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1의 반송부와 인접하여, 적어도 상기 노광전의 기판을 받아들여 일 단 유지하는 유지부를 더욱 구비하고,
    상기 제 1의 반송부는, 상기 유지부와의 사이에서 기판의 전달이 가능한 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  12. 기판에 대하여 레지스트를 도포하여 노광후의 기판을 현상하는 도포현상 처리장치와 상기 레지스트가 도포된 기판을 노광하는 노광장치의 사이에 배치되고, 이들 장치들과의 사이에서 기판을 전달하는 기판전달장치에 있어서,
    상기 노광장치측으로의 기판의 반출이 가능하고, 상기 노광전의 기판을 받아들여 일단 유지하는 제 1의 유지부와,
    상기 제 1의 유지부와 동일 평면상에 배치되어, 상기 노광장치측으로부터의 기판의 반입이 가능하고, 상기 노광후의 기판을 받아들여 일단 유지하는 제 2의 유지부와,
    상기 기판을 가열하는 가열부를 가지는 열처리부와,
    상기 도포현상 처리장치와 인접함과 동시에 상기 제 1의 유지부와 상기 제 2의 유지부와 상기 열처리부에 둘러쌓이도록 배치되고, 상기 도포현상 처리장치, 상기 제 1의 유지부, 상기 제 2의 유지부, 상기 열처리부와의 사이에서 기판을 반송하는 제 1의 반송부와,
    상기 제 1의 유지부와의 사이에서 기판의 반입이 가능하고, 상기 제 2의 유지부와의 사이에 기판의 반출이 가능하며, 상기 노광장치에서의 노광전의 기판이 얹어지는 인스테이지와 노광후의 기판이 얹어지는 아웃스테이지의 사이에서 기판의 반입출이 가능한 제 2의 반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 노광장치측으로부터 반입된 기판을 상기 제 2의 반송부, 제 2의 유지부 및 제 1의 반송부를 통하여 상기 열처리부로 반송할 때까지의 시간이 일정하도록 제어하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판전달장치.
  14. 레지스트가 도포된 기판을 노광하는 노광장치에 접속되는 도포현상 처리시스템에 있어서,
    상기 기판에 대하여 레지스트를 도포하여 노광후의 기판을 현상하는 도포현상 처리장치와,
    상기 노광장치와 상기 도포현상 처리장치의 사이에 배치된 기판전달장치를 구비하며,
    상기 기판전달장치가,
    상기 기판을 가열하는 가열부를 가지는 열처리부와,
    상기 노광장치로부터 반입된 기판을 직접적으로 상기 열처리부로 반송하고, 상기 도포현상 처리장치측으로부터 반입된 기판을 상기 노광장치로 반송하는 반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 도포현상 처리시스템.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3445757B2 (ja) * 1999-05-06 2003-09-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US6491451B1 (en) * 2000-11-03 2002-12-10 Motorola, Inc. Wafer processing equipment and method for processing wafers
JP3862596B2 (ja) * 2002-05-01 2006-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP2004342654A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20060011296A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer program
JP4549959B2 (ja) * 2005-09-14 2010-09-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) * 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297258A (ja) 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
JP3926890B2 (ja) * 1997-06-11 2007-06-06 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP3310212B2 (ja) * 1998-02-06 2002-08-05 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像処理システムおよび液処理システム
JP2000040731A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置

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