KR100563686B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판에 대하여 복수의 공정으로 구성되는 처리, 예를들어 레지스트 도포·현상처리를 행하는 기판처리장치에 있어서, 복수의 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구와, 기판의 반송을 행하는 반송부를 구비한다.
반송부는, 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출하는 복수의 반송기구와, 복수의 반송기구의 어느 쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 설치되어, 기판을 일시적으로 대기시키는 대기부를 갖추는 버퍼(buffer)기구를 구비하고 있고, 복수의 처리기구는 반송부의 주위에 설치되어 있다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 하나의 실시형태인 웨이퍼 도포현상처리시스템의 전체 구성 평면도이다.
도 2는 도 1의 도포유니트 및 현상처리유니트를 갖춘 처리부를 나타내는 측면도이다.
도 3은 열적(熱的) 처리유니트를 갖춘 처리부를 나타내는 측면도이다.
도 4는 도 1의 카세트 스테이션을 나타내는 측면도이다.
도 5는 도 1의 반송부에 있어서의 주(主) 웨이퍼반송기구를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5의 주 웨이퍼반송기구의 웨이퍼 주고받음부를 나타내는 개략평면도이다.
도 7은 도 1의 반송부에 있어서의 버퍼기구를 나타내는 측면도이다.
도 8은 도 1에 있어서의 주변노광장치 및 스테이지의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 타 실시형태인 반도체 웨이퍼 도포현상처리시스템의 전체구성 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 레지스트 도포·현상시스템 2 : 처리 스테이션
3 : 반송부 4 : 카세트 스테이션
5 : 인터페이스부 11,12,13 : 주 웨이퍼반송기구
14 : 버퍼기구 G1,G2,G3,G4,G5,G6,G7 : 처리부
CT : 도포유니트 DEV : 현상유니트
HP : 핫플레이트 유니트 COL : 쿨링 유니트
AD : 어드히젼 유니트 ALIM : 얼라인먼트 유니트
EXTCOL : 엑스텐션·쿨링 유니트 W : 반도체 웨이퍼(피처리기판)
본 발명은, 기판에 대하여, 예를들어 레지스트 도포·현상처리와 같은 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
예를들어 반도체 디바이스 제조 프로세스에 있어서는, 피처리기판, 예를들어 반도체 웨이퍼에, 예를들어 포토레지스트(photo resist)액을 도포하고, 포토리소그래피(photo-lithography)의 기술을 이용하여 회로 패턴등을 축소하여 포토레지스트막을 노광(露光, exposure)하고, 이것을 현상처리하는 일련의 처리공정이 있다. 이 처리공정은, 반도체 디바이스의 고집적화에 있어 매우 중요한 프로세스이다.
이와 같은 처리공정에 있어서는, 세정처리된 반도체 웨이퍼에 대하여, 먼저 어드히젼(adhesion) 처리유니트에서 소수화처리(疎水化處理)를 실시하고, 냉각 처리 유니트에서 냉각한 후, 레지스트 도포유니트에서 포토레지스트막을 도포 형성한다. 이 포토레지스트막이 형성된 반도체 웨이퍼에 대하여, 핫플레이트(hot plate) 유니트에서 프리베이크(pre-bake) 처리한 후, 냉각처리 유니트에서 냉각하고, 노광장치에서 소정의 패턴으로 노광한다. 계속해서, 노광 후의 반도체 웨이퍼에 대하여 포스트 엑스포져 베이크 처리(post exposure bake)를 실시한 후, 냉각처리 유니트에서 냉각하고, 현상유니트에서 현상액을 도포하여 노광 패턴을 현상한다. 그리고, 마지막으로, 핫플레이트 유니트에서 포스트 베이크(post bake) 처리를 행하여 고분자화를 위한 열변성(熱變性), 반도체 웨이퍼와 패턴 사이의 밀착성을 강화시킨다.
이와 같은 일련의 처리공정 중에서, 노광처리를 제외한 공정은, 이들의 처리유니트를 일체적으로 집약시킨 레지스트 도포·현상처리시스템에서 행하여지고 있다. 이와 같은 레지스트 도포·현상처리시스템의 하나의 타입으로서, 수직방향으로 연재(延在)된 반송로의 주위에, 상기의 복수의 처리기구가 수직방향으로 적층되어 배치되고, 이 반송로를 수직으로 이동하는 이동재치(移動載置)기구에 의해, 반도체웨이퍼를 각 처리기구에 반입·반출하도록 한 것이 제안되어 있다(특개평 4-85812호 공보). 이와 같은 처리시스템에서는, 복수의 처리기구 사이에서 기판을 이재(移載)할 때, 기판의 반송경로가 짧고, 또 장치의 소형화가 가능하여, 기판의 이동재치를 단시간에 행하는 것이 가능하기 때문에, 장치효율을 높일 수 있다.
본 발명의 목적은, 장치의 면적이 작고 스루풋이 높은, 대형 기판의 처리에 적합한 기판처리장치를 제공하는 것이다.
그러나, 근년에 들어 반도체 웨이퍼의 대형화가 진행됨에 따라 300mm 웨이퍼의 시대에 돌입하려 하고 있고, 상기 시스템에 있어서 이와 같은 대형 웨이퍼에 대응하려 하면 장치의 면적이 크게 되어 버린다. 또, 스루풋의 거듭된 향상도 요망되고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 주관점은, 기판에 대하여 복수 공정으로 구성되는 처리를 행하는 기판처리장치이고, 상기 복수의 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구와, 기판의 반송을 행하는 반송부를 구비하고, 상기 반송부는, 상기 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출하는 복수의 반송기구와, 상기 복수의 반송기구의 어느 쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 설치되어, 기판을 일시적으로 대기시키는 대기부를 갖추는 버퍼기구를 구비하고, 상기 복수의 처리기구는, 상기 반송부의 주변에 설치되어 있다.
이와 같이, 복수의 반송기구를 갖추는 반송부의 주위에 복수의 처리기구를 배치함으로써 반송부의 주위에 다수의 처리기구를 배치할 수 있어, 하나의 반송기구의 주위에 복수의 처리기구를 배치하는 장치를 사용하는 경우보다도 처리능력 당의 면적을 적게 하는 것이 가능하다. 또, 복수의 반송기구의 어느쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 버퍼기구를 배치함에 의해, 반송기구의 구속시간(拘束時間)을 짧게 하는 것이 가능하기 때문에, 반송기구가 기판을 재치한 상태에서 대기하는 것을 회피할 수 있어서 높은 스루풋을 얻을 수 있다. 또, 처리기구 내에서 소정시간이 넘도록 기판을 방치하는 것을 회피할 수도 있기 때문에, 기판으로의 악영향을 회피할 수 있다.
도 1은 발명의 하나의 실시형태에 관련된 레지스트 도포·현상처리시스템을 나타내는 개략평면도이다.
이 레지스트 도포·현상처리시스템(1)은, 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트 도포·현상에 관한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트를 갖추는 처리스테이션(2)과, 처리스테이션(2)의 내측에 처리스테이션(2)에 둘러싸이도록 설치된, 반도체 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 처리부(3)와, 상기 처리스테이션(2)의 일부에 설치되어, 반도체 웨이퍼(W)가 복수매(예를들어 25매) 단위로 탑재되는 웨이퍼 카세트(CS)를 재치할 수 있는 카세트 스테이션(4)과, 처리스테이션(11)에 인접하여 설치되는 노광장치(50a,50b)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받기 위한 인터페이스부 (5)를 구비하고 있다.
상기 처리스테이션(2)은, 복수의 처리유니트가 다단(多段)으로 적층된 7개의 처리부(G1,G2,G3,G4,G5,G6,G7)를 갖추고, 또, 후술하는 카세트 스테이션(4) 상에 설치된 2개의 현상유니트(DEV)를 갖춘다. 이들 처리부(G1,G2,G3,G4,G 5,G6,G7) 및 카세트 스테이션(4) 상의 2개의 현상유니트(DEV)는, 그 평면 형상이 정삼각형을 이루도록 배치되어 있다.
이들 중에서, 제 1 및 제 2의 처리부 (G1,G2)는 상기 정삼각형의 한 변을 구성하고, 제 3 및 제 4의 처리부(G3,G4)는 다른 한 변을 구성하고, 또 카세트 스테이션(4) 및 그 위의 2개의 현상유니트(DEV)가 나머지 한 변을 구성하고 있다. 그리고, 이 정삼각형의 3개의 정점에 대응하는 위치에 각각 제 5의 처리부(G5), 제 6의 처리부(G6), 및 제 7의 처리부(G7)가 배치되어 있다. 또, 제 2의 처리부(G2)와 제 4의 처리부(G4) 사이에 배치된 제 7의 처리부(G7)를 매개로 하여 인터페이스부(5)가 배치되어 있다.
도 2A 및 도 2B에 나타낸 바와 같이, 처리부(G1,G2,G3,G4)는, 어느 쪽도 컵 (CP) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척(spin chuck)(도시 안됨)에 재치하여 소정의 처리를 행하는 2대의 스피너형(spinner型) 처리유니트가 상하 2단으로 배치되어 있다. 구체적으로 설명하면, 제 1의 처리부(G1) 및 제 3의 처리부(G3)에서는, 레지스트의 패턴을 현상하는 2개의 현상유니트(DEV)가 상하 2단으로 배치되어 있고, 제 2의 처리부(G2) 및 제 4의 처리부(G4)에서는 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 레지스트도포유니트(CT)가 상하 2단으로 배치되어 있다.
제 5의 처리부(G5) 및 제 6의 처리부(G6)는, 도 3A에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 재치대에 올려 소정의 처리를 행하는 오븐형의 처리유니트가 다단으로 중 첩되어 있다. 즉, 이들은 냉각처리를 행하는 4개의 쿨링유니트(COL) 및 노광처리 전 및 노광처리 후, 또 현상처리후에 웨이퍼(W)에 대하여 가열처리를 행하는 4개의 핫플레이트 유니트(HP)를 갖추고, 이 4개의 핫플레이트를 상단부에 설치하여 총 8단으로 중첩되어 있다.
또, 제 7의 처리부(G7)는 도 3B에 나타낸 바와 같이, 냉각처리를 행함과 동시에 인터페이스부(5)와의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하는 3개의 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL), 레지스트의 정착성(定着性)을 높이기 위하여 이른바 소수화처리를 행하는 어드히젼(adhesion) 유니트(AD), 위치맞춤을 행하는 얼라인먼트(alignment)유니트(ALIM), 노광처리전 및 노광처리후, 또 현상처리후에 웨이퍼(W)에 대하여 가열처리를 행하는 3개의 핫플레이트 유니트(HP)가 밑에서부터 차례로 8단으로 중첩되어 있다.
이와같이, 처리온도가 낮은 쿨링유니트(COL), 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)를 하단에 배치하고, 처리온도가 높은 핫플레이트유니트(HP)를 상단에 배치함으로써, 유니트 간의 열에 의한 상호간섭을 적게할 수 있다. 물론, 무작위에 의해 다단으로 배치하여도 좋다. 또 이들 처리부(G5, G6,G7)는 각각 힌지부(31,32,33)를 중심으로 하여 회동이 가능하도록 되어 있어, 처리를 행할 때에는 도시하는 위치에 배치되고, 반송부(3)등의 메인터넌스를 행할 때에는 화살표 방향으로 회동하여 반송부(3)의 배치공간으로 들어가는 것이 가능하다.
카세트 스테이션(4)은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 상하 2단의 카세트 재치 대(41 및 42)를 갖추고 있고, 이들의 위에 각각 3개씩 총 6개의 카세트를 웨이퍼 (W)의 출입구를 반송부(3)측을 향하게 하여 배치시키는 것이 가능하다. 웨이퍼 카세트(CR)에 있어서는 웨이퍼(W)가 수직방향(X방향)으로 배열되어 있다. 그리고, 전술한 바와 같이 이 카세트 스테이션(4) 위에 2개의 현상유니트(DEV)가 배치되어 있다.
반송부(3)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 처리부(2) 내부 공간의 중심부에 설치된 버퍼기구(14)와, 그 주변에 설치된 3개의 주 웨이퍼반송기구(11,12,13)를 갖추고 있다.
주 웨이퍼반송기구(11,12,13)는, 어느 쪽도, 도 5에 나타난 바와 같이, 수직 방향으로 연재(延在)되어 있고, 수직벽(51a, 51b) 및 이들 사이의 측면개구부(51c)를 갖추는 통상지지체(51)와, 그 내부에 통상지지체(51)를 따라서 수직방향(Z방향)으로 승강이 자유롭도록 설치된 웨이퍼 주고받음부(52)를 갖추고 있다. 통상지지체(51)는 모터(53)의 회전구동력에 의해 회전할 수 있도록 되어 있고, 이에 의해 웨이퍼 주고받음부(52)도 일체적으로 회전하도록 되어 있다.
도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 주고받음부(52)는, 반송기대(搬送基臺)(60)와, 반송기대(60)를 따라서 전후로 이동이 가능한 3개의 웨이퍼 보유·유지아암(61,62,63)을 갖추고 있고, 이들 아암(61,62,63)은 통상지지체(51)의 측면개구부(51c)를 통과할 수 있는 크기를 갖추고 있다. 이 웨이퍼 주고받음부(52)는, 모터(54)에 의해 벨트(55)를 구동시킴으로써 승강하도록 되어 있다. 덧붙여 설명하면, 부호(56)는 풀리, 부호(57)는 종동풀리이다.
웨이퍼 주고받음부(52)에 있어서, 아암(61,62,63)은 밑에서부터 차례로 배치되어 있고, 도 6에 나타낸 바와 같이, 아암(61,62)은 각각 C자 모양의 웨이퍼 보유·유지부(61a,62a)를 갖추고 있다. 또, 아암(62)에는 내측으로 뻗쳐있는 웨이퍼 보유·유지손톱(62b)이 3개소(도면에서는 2개소만 나타내어져 있다)에 설치되어 있고, 보유·유지손톱(62b)에 의해 웨이퍼(W)를 보유 및 유지하도록 되어 있다. 도 6에서는 아암(62)에 의해 숨겨진 상태로 되어 있지만, 아암(63)도 아암(62)과 동일하게 구성되어 있다. 이들 아암(61,62,63)은, 반송기대(60) 내에 내장된 모터 및 벨트기구에 의해 도 6의 화살표 방향으로 각각 독립하여 이동할 수 있도록 되어 있다.
상기 3개의 주 반송기구는 각각 진입이 가능한 처리부등이 정해져 있어, 주 웨이퍼반송기구(11)는 제 1의 처리부(G1), 제 5의 처리부(G5) 및 카세트 스테이션 (4)의 일부 및 그 위 현상유니트(DEV)의 한쪽에 진입이 가능하고, 주 웨이퍼반송기구(12)는 제 3의 처리부(G3), 제 6의 처리부(G6) 및 카세트 스테이션(4)의 일부 및 그 위 현상유니트(DEV)의 다른 쪽에 진입이 가능하고, 주 웨이퍼반송기구(13)는 제 2의 처리부(G2), 제7의 처리부(G7) 및 제 4의 처리부(G4)에 진입이 가능하다.
또, 각 처리부의 처리유니트에는, 반송부(3)를 향한 위치에, 웨이퍼 보유·유지아암(61,62,63)에 의한 웨이퍼(W)의 반입 및 반출이 가능한 개구부가 형성되어 있다. 또 제 7의 처리부(G7)의 3개의 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)는 반송부(3)측과 인터페이스부(5)측의 양쪽으로 개구부가 형성되어 있다.
버퍼기구(14)는 도 7에 나타낸 바와 같이, 다단으로 설치된 복수(도면에서는 3개)의 스테이지(재치부)(71)를 갖추고 있다. 이들 복수의 스테이지(71)는 지지봉 (72)에 의해 지지되어 있고, 그 내부에 출몰이 자유로운 웨이퍼(W) 리프트핀(73)을 갖추고 있다. 이 버퍼 스테이지(14)의 각 스테이지(71)는, 주 웨이퍼 반송기구 (11,12,13)에 있어서의 웨이퍼 주고받음부(52)의 아암{도면에서는 아암(61)}이 진입할 수 있도록 되어 있고, 웨이퍼(W)를 일시적으로 대기시키는 기능을 갖추고 있다. 또 이들 스테이지(71)의 내부에는 냉각기능이 내장되어 있고, 이들 스테이지 (71)는 냉각플레이트로서도 기능하도록 되어 있다.
상기 인터페이스부(5)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 제 7의 처리부(G7) 에 대면(對面)되어 설치되어 있고, 처리스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고 받기를 행하는 인터페이스 반송기구(21)를 갖추고 있다. 그리고, 이들 인터페이스 반송기구(21)를 중심으로 하여 그 양측에 각각 핫플레이트와 엑스텐션유니트가 상하로 적층된 핫플레이트·엑스텐션 블럭(22), 픽업카세트와 버퍼카세트가 상하로 적층되어 형성된 픽업·버퍼카세트 블럭(24)이 설치되어 있다.
인터페이스 반송기구(21)의 제 7의 처리부(G7)의 반대측에는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 그 상단에 2개의 주변노광장치(27)가 설치되고, 그 하단에는 노광장치 (50)에 대한 웨이퍼(W)의 반입 반출을 행하기 위한 인스테이지(In stage)(25)와 아웃스테이지(Out stage)(26)가 설치되어 있고, 이들 중 인스테이지(25)는 냉각기능을 갖추고 있어, 노광장치(50)로 들어가는 웨이퍼(W)에 대한 열팽창의 영향을 제어 할 수 있도록 되어 있다.
인터페이스 반송기구(21)는, 웨이퍼 보유·유지아암을 갖추고 상하로 이동이 가능한 웨이퍼 주고받음부(도시 안됨)를 구비하고, 제 7의 처리부(G7)의 각 처리유니트로 진입이 가능하도록 되어 있고, 3개의 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)를 매개로 하여 처리스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 행함과 더불어, 핫플레이트·엑스텐션블럭(22) 및 주변노광유니트(27)와의 사이에서도 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하도록 되어 있다. 핫플레이트·엑스텐션블럭(22)의 핫플레이트유니트에서는, 노광 후의 기판에 포스트엑스포져베이크(post exposure bake) 처리가 행하여진다.
이와 같이 구성되는 레지스트 도포현상처리시스템에서는, 카세트 스테이션 (4)의 웨이퍼 카세트(CR)로부터 주 웨이퍼반송기구(11 또는 12)의 어느 한쪽의 아암에 의해 한 장의 웨이퍼(W)가 꺼내어져, 버퍼기구(14)의 어느 한쪽의 스테이지 (71)에 재치된다. 그리고, 주 웨이퍼반송기구(11 또는 12)의 어느 한쪽의 아암이 또 카세트(CR)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내러 간다.
한편, 스테이지(71)의 웨이퍼(W)는 주 웨이퍼 반송기구(13)의 어느 한쪽의 아암에 수취(受取)되어, 처리부(G7)의 어드히젼처리유니트(AD)로 반송되고, 그곳에서 레지스트의 정착성을 높이기 위한 소수화처리(HMDS처리)가 행하여진다. 이 처리는 가열을 동반하기 때문에, 가열된 후의 웨이퍼(W)는, 주 웨이퍼반송기구(13)의 어느 한쪽의 아암에 의해 어드히젼처리유니트(AD)로부터 꺼내어진 후, 동일한 아암 에 의해 처리부(G7)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)로 반송되어 냉각되든가, 또는 버퍼기구(14)의 어느 한쪽의 스테이지(71)에 재치된 후에 주 웨이퍼 반송기구(11 또는 12)의 어느 한쪽의 아암에 의해, 처리부(G6 또는 G7)의 쿨링유니트(COL)로 반송되어 냉각된다.
계속해서 웨이퍼는, 필요에 따라 버퍼기구(14)의 어느 한쪽의 스테이지(71)에 재치된 후, 주 웨이퍼반송기구(13)의 어느 한쪽의 아암에 의해 레지스트 도포유니트(CT)로 반송되어, 레지스트액을 적하(滴下)하면서 웨이퍼(W)를 회전시키는 스핀코우팅(spin coating)에 의해 레지스트막이 형성된다.
도포처리가 종료된 후, 웨이퍼(W)는 필요에 따라 버퍼기구(14)의 스테이지 (71)에 재치되고, 대응하는 주 웨이퍼반송기구에 의해 처리부(G5,G6,G7)의 어느 한쪽이 핫플레이트 유니트(HP)에서 프리베이크처리된 후, 역시 필요에 따라 버퍼기구 (14)의 스테이지(71)에 재치된 다음, 대응하는 주 웨이퍼반송기구에 의해 어느 한쪽 처리부의 쿨링유니트(COL)로 반송되어, 그곳에서 냉각된다. 냉각처리된 웨이퍼 (W)는, 필요에 따라 버퍼기구(14)의 스테이지(71)에 재치된 후, 주 웨이퍼 반송기구(13)의 어느 한쪽의 아암에 의해 처리부(G7)의 얼라인먼트유니트(ALIM)로 반송되고, 그곳에서 얼라인먼트된 후, 다시 주 웨이퍼반송기구(13)의 어느 한쪽의 아암에 의해 처리부(G7)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)의 어느 한쪽으로 반송된다.
엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)로 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스부(5)의 인터페이스 반송기구(21)의 아암에 수취되어, 먼저 주변노광장치(27)로 반입되고, 그 곳에서 주변노광되어 불필요한 레지스트가 제거된 후, 인스테이지(25)로 반입되어 그곳에서 냉각된 다음, 노광장치(50)로 반입되어 소정의 패턴이 노광된다.
노광 후, 웨이퍼(W)는 아웃스테이지(26)에 재치되고, 인터페이스 반송기구 (21)의 아암에 의해 블럭(22)의 어느 한쪽의 핫플레이트(HP)로 반송되어, 포스트 엑스포져베이크 처리가 실시된다. 그 후, 인터페이스 반송기구(21)의 아암에 의해 처리스테이션의 제 7 처리부(G7)의 엑스텐션·쿨링유니트의 어느 한쪽으로 반송되어 냉각된다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 주 반송기구(13)의 어느 한쪽의 아암에 의해 버퍼기구 (14)의 어느 한쪽의 스테이지(71)에 재치되고, 주 웨이퍼 반송기구(11 또는 12)의 어느 한쪽의 아암에 의해 어느 한쪽의 현상유니트(DEV)로 반송되고, 그곳에서 노광패턴을 현상한다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는 필요에 따라 버퍼기구(14)의 어느 한쪽의 스테이지(71)에 재치되어, 대응하는 주 웨이퍼반송기구에 의해 처리부 (G5,G6,G7)의 어느 한쪽의 핫플레이트(HP)로 반송되고, 그곳에서 포스트 베이크처리가 실시된다. 다음, 웨이퍼(\)는 필요에 따라 버퍼기구(14)의 어느 한쪽의 스테이지(71)에 재치된 후, 대응하는 주 웨이퍼 반송기구에 의해 어느 한쪽 처리부의 쿨링유니트(COL)로 반송되어 그곳에서 냉각처리된다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)는 버퍼기구(14)의 어느 한쪽의 스테이지(71)로 돌려보내어진 후, 주 웨이퍼 반송기구 (11 또는 12)의 어느 한쪽의 아암에 의해 카세트 스테이션(4)의 소정의 카세트(CR)에 수용된다.
이와같이, 본 실시형태에서는, 복수의 주 웨이퍼반송기구(11,12,13)를 갖추는 반송부(3)의 주위에 복수의 처리유니트를 배치함으로써, 반송부(3)의 주위에 다수의 처리유니트를 배치하는 것이 가능하기 때문에, 하나의 반송기구의 주위에 복수의 처리유니트를 배치하는 경우보다도 처리능력 당의 면적을 작게 하는 것이 가능하다. 또, 이들 주 웨이퍼반송기구(11,12,13)의 어느 한쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 버퍼기구(14)를 배치함으로써, 주 웨이퍼 반송기구(11,12,13)의 구속시간을 짧게 하는 것이 가능하기 때문에, 이들 주 웨이퍼 반송기구의 아암이 웨이퍼(W)를 재치한 상태에서 대기하는 것을 회피할 수 있어서 높은 스루풋을 얻을 수 있다. 또, 이와 같이, 주 웨이퍼반송기구(11,12,13)의 구속시간을 짧게 하는 것이 가능하기 때문에, 처리유니트 내에 소정시간 넘도록 웨이퍼(W)를 방치시키는 것을 회피할 수 있고, 핫플레이트(HP)에서의 프리 베이크 처리에 있어서의 오버베이크등의 웨이퍼(W)에 대한 악영향을 회피할 수 있다.
특히, 처리유니트 다단으로 배치한 처리부를 복수로 배치하고, 주 웨이퍼반송기구(11,12,13)의 기판주고받음부(52)가 상하로 이동하여 이들 다단으로 배치된 처리유니트에 진입하도록 되어 있으므로 인하여, 주 웨이퍼 반송기구의 태스크 (task)가 매우 많게 되어 있지만, 상기 실시형태에서는, 버퍼기구(14)가 다단의 스테이지(71)를 갖추고 있으므로 하여 복수의 웨이퍼(W)를 동시에 스테이지 위에 대기시킬 수 있고, 이와 같은 경우에도 주 웨이퍼 반송기구(11,12,13)가 웨이퍼를 재치한 상태에서 대기하는 것을 거의 확실하게 회피할 수 있고, 또 버퍼기구(14)의 주위에 주 웨이퍼반송기구(11,12,13)가 배치되어 있는 구조를 갖춤으로 하여 웨이 퍼의 반송경로를 짧게 하는 것이 가능하기 때문에, 현실적으로 높은 스루풋을 실현하는 것이 가능하다.
또, 인터페이스부(5) 내에 노광 후의 웨이퍼에 대하여 베이크처리를 실시하는 핫플레이트를 갖추고 있기 때문에, 노광 후 포스트엑스포져베이크까지의 시간을 일정하게 할 수 있어, 처리의 흐트러짐을 지극히 적게 할 수 있다. 인터페이스부 (5)의 인스테이지(25)가 냉각기능을 갖추고 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 노광장치에 들여보낼 때에 있어서의 웨이퍼(W) 열팽창의 영향을 배제할 수 있다. 인터페이스부(5)의 인터페이스 반송기구(21)가 수직방향으로 이동이 가능하고, 인터페이스부 (5)에 인접하여 설치된 제 7의 처리부(G7)의 각 처리유니트에 대하여 진입이 가능하고, 3개의 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)를 매개로 하여 처리스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기가 가능하기 때문에, 인터페이스부(5)에 대한 웨이퍼(W)의 주고받기를 부드럽게 행할 수 있어, 반송의 흐트러짐이 발생하지 않는다. 또, 제 7의 처리부(G7)의 3개의 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)에 의해, 포스트엑스포져베이크처리 후의 웨이퍼(W) 냉각을 행할 수 있기 때문에, 지극히 효율적이다.
또, 처리스테이션(2)에 있어서의 각 처리부의 평면배치가 대체적으로 정삼각형이 되도록 배치한 구조로 되어 있고, 삼각형의 정점에 대응하는 위치에 처리부 (G5,G6,G7)를 배치하고, 이들을 각각 힌지(hinge)(31,32,33)를 중심으로 하여 회동할 수 있도록 함으로써, 장착·퇴피가 가능하도록 {착탈이 자유롭도록} 하였기 때문에, 처리를 행하고 있지 않을 때에는 , 이들 처리부를 화살표 방향으로 회동시켜 처리위치로부터 퇴피시킴에 의해 반송부(3)의 메인터넌스를 용이하게 실시하는 것이 가능하다. 또, 인터페이스부(5)는 처리스테이션(2)에 대하여 착탈이 자유롭고, 처리부(G7)는 인터페이스부(5)를 떼어낸 뒤에 퇴피가 가능하게 된다. 또, 이와같이 대체적으로 정삼각형의 배치를 갖추도록 함으로써, 프레임도 대체적으로 정삼각형의 모양이고, 전후 좌우가 같은 모양이기 때문에 양산에 적합하다. 또 이와 같이 처리유니트를 배치함에 의해, 스피너계 유니트와 열적 유니트 사이의 공간을 크게 할 수 있어, 스피너계 유니트에 대한 열영향을 작게 할 수 있다. 또, 이와같이 커다란 공간을 이용하여 장치 내부로의 진입이 쉬워지기 때문에, 장치 내의 메인터넌스가 용이해진다.
더욱이, 카세트 스테이션(4)을 주 웨이퍼반송기구(11,12)의 진입이 가능한 위치에 설치하였기 때문에, 종래에 있어 카세트 스테이션에 설치되어 있었던 반송기구가 불필요하게 되어, 장치 효율을 한층 더 높일 수 있다. 또, 카세트 스테이션(4)의 카세트 재치대가 2단으로 설치되어 있음으로써, 웨이퍼 카세트(CR)의 재치수를 많게 할 수 있어(본 실시형태에서는 6개), 처리효율을 높일 수 있다. 또, 카세트 스테이션(4)의 위에 현상유니트(DEV)를 배치하고 있기 때문에, 그것만큼 장치의 면적을 작게 하는 것이 가능하다.
또, 버퍼기구(14)의 스테이지(71)는 냉각기능을 갖추고 있기 때문에, 여기서 대기하고 있는 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 냉각시키는 것이 가능하여, 이어서 반송되는 처리유니트로의 열영향을 회피할 수 있다.
또, 도 1에 나타낸 시스템에서는, 특히 주 웨이퍼반송기구(13)로부터 거의 같은 거리의 위치에 2개의 도포유니트(CT){(처리부(G2)의 도포유니트(CT)와 처리부 (G4)의 도포유니트(CT)}를, 주 웨이퍼반송기구(13)로부터 진입이 가능하도록 배치하는 것이 가능하기 때문에, 처리부(G7)의 냉각유니트로부터 각 도포유니트(CT)로 균일한 시간으로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 이에 의해, 레지스트막 막두께의 변동을 억제하는 것이 가능하다.
본 발명에 관련된 시스템에서는, 2대 이상의 노광장치를 접속시킬 수 있다. 2대의 노광장치를 접속시킨 예를 도 9에 나타낸다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 인터페이스부(5)는, 제 7의 처리부(G7)에 대면하여 설치되어 있고, 처리스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하는 인터페이스 반송기구(21)를 갖추고 있다. 그리고, 이 인터페이스 반송기구(21)를 중심으로 하여 그 양측에 각각 핫플레이트 유니트와 엑스텐션 유니트가 상하로 적층되어 형성된 핫플레이트·엑스텐션블럭(22a,22b)이 설치되어, 이들 핫플레이트·엑스텐션블럭(22a,22b)의 양측에는 각각 반송장치(23a,23b)가 설치되고, 또, 이들 반송장치(23a,23b)의 양측에는 각각 픽업카세트와 버퍼카세트가 상하로 적층되어 형성된 픽업·버퍼카세트블럭(24a,24b)이 설치되어 있다. 또, 인터페이스반송기구(21)의 제 7 의 처리부(G7)의 반대측에는, 2개의 주변노광장치(27,27b)가 설치되어 있다. 또, 반송장치(23a)가 진입이 가능한 위치에는, 노광장치(50a)에 대한 웨이퍼(W)의 반입 반출을 행하기 위한 2개의 스테이지(25a,26a)가 설치되어 있다. 이 중에서, 스테이지(26a)는 냉각기능을 갖추고 있어, 노광장치(50a)에 들여보내지 는 웨이퍼(W)에 대한 열팽창의 영향을 억제하는 것이 가능하도록 되어 있다. 반송장치(23b)가 진입가능한 위치에는, 마찬가지로, 노광장치(50b)에 대한 웨이퍼(W)의 반입 반출을 행하기 위한 2개의 스테이지(25b,26b)가 설치되어 있고, 이 중에서 스테이지(26b)는 냉각기능을 갖추고 있다.
인터페이스 반송기구(21)는, 웨이퍼, 보유·유지아암을 갖추고 상하로 이동이 가능한 웨이퍼 주고받음부(도시안됨)를 구비하고, 제 7의 처리부(G7)의각 처리유니트로 진입이 가능하도록 되어 있고, 3개의 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)를 매개로 하여 처리스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 행함과 더불어, 핫플레이트·엑스텐션블럭(22a,22b) 및 주변노광유니트(27a,27b)와의 사이에서도 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하도록 되어 있다. 핫플레이트·엑스텐션블럭(22a,22b)의 핫플레이트유니트에서는, 노광 후의 기판에 포스트엑스포져베이크처리가 행하여진다. 또, 엑스텐션유니트에서는, 반송장치(23a,23b)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행한다. 반송장치(23a,23b)는 픽업·버퍼카세트블럭(24a,24b)에 대한 웨이퍼(\)의 주고받기도 행하도록 되어 있다.
이와같이 10개의 스피너형 유니트를 탑재하여 노광장치 2대를 배치하는 것이 가능하기 때문에, 2개의 도포유니트, 3개의 현상유니트, 1개의 노광장치와의 조합이 2세트로 형성되어, 1시간당 150매의 웨이퍼를 처리하는 것이 가능하다.
또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지로 변형이 가능하다. 예를들어, 상기 실시형태에서는, 레지스트액을 도포하여 현상하는 레지스트도포·현상유니트에 관하여 설명하였지만, 이와같은 레지스트도포·현상유니트에 한 정되지 않고, 복수의 처리기구에 의해 복수의 공정을 행하는 처리장치일 경우에도 적용이 가능하다. 또, 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예로들어 설명하였지만, 반도체 웨이퍼 이외의 다른 기판, 예를들어 LCD기판의 처리에도 적용하는 것이 가능하다. 또, 복수의 처리유니트를 다단으로 배치함에 의해 형성되는 복수의 처리부를 반송부에 배치한 예에 관하여 설명하였지만, 반드시 이와같은 구성에 한정되는 것은 아니다. 또, 처리스테이션의 평면배치도 삼각형에 한정되지 않고, 사각형등, 다른 형상이어도 좋다. 또, 주 반송기구도 3개에 한정되지 않고, 2개이어도 좋고, 4개 이상이어도 좋다.
이상에서 설명한 바와같이, 본 발명에 의하면 복수의 반송기구를 갖추는 반송부의 주위에 복수의 처리기구를 배치함으로써, 반송부의 주위에 다수의 처리기구를 배치하는 것이 가능하여, 하나의 반송기구의 주위에 복수의 처리기구를 배치하는 장치를 사용하는 경우보다도 처리능력 당의 면적을 작게 하는 것이 가능하다. 또, 복수의 반송기구의 어느 한쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 버퍼기구를 배치함으로써 반송기구의 구속시간을 짧게 하는 것이 가능하기 때문에, 반송기구가 기판을 재치한 상태에서 대기하는 것을 회피할 수 있어, 높은 스루풋을 기대할 수 있다. 또, 처리기구 내에 소정시간이 넘도록 기판을 방치하는 것을 회피할 수 있기 때문에, 기판으로의 악영향을 회피할 수 있다.
또, 수직방향으로 이동이 가능하도록 설치된 기판주고받음부를 갖추는 복수 의 반송기구를 구비한 반송부의 주위에, 복수의 처리기구가 수직방향으로 다단으로 적층되어 형성된 복수의 처리부를 배치함으로써, 반송부의 주위에 지극히 많은 수의 처리기구를 배치하는 것이 가능하여, 하나의 반송기구의 주위에 복수의 처리기구를 적층하여 형성되는 처리부를 배치한 장치를 사용하는 경우보다도 처리능력 당의 면적을 작게 하는 것이 가능하다. 또, 복수의 반송기구의 어느 한쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 복수의 대기부를 다단으로 갖추는 버퍼기능을 배치함으로써, 반송기구의 구속시간을 짧게 할 수 있기 때문에, 반송기구가 기판을 재치한 상태에서 대기하는 것을 회피할 수 있어, 높은 스루풋을 얻을 수 있다.
또, 반송부가, 복수의 대기부를 다단으로 갖추는 버퍼기구의 주위에, 수직방향으로 이동이 가능한 주고받음부를 갖추는 복수의 반송기구를 구비하는 구조를 갖추고 있고, 이 반송부의 주위에 복수의 처리기구가 수직방향으로 다단으로 적층되어 형성되는 복수의 처리부를 배치하기 때문에, 장치의 배치효율이 높고, 면적을 보다 작게 할 수 있다. 또, 버퍼기구의 주위에 복수의 반송기구를 배치함으로써 반송기구에 의한 반송경로를 짧게 할 수 있어 보다 높은 스루풋을 얻을 수 있다.

Claims (23)

  1. 기판에 대하여 복수의 공정으로 구성되는 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    상기 복수 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구와,
    기판의 반송을 행하는 반송부를 구비하고,
    상기 반송부는,
    상기 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출하는 복수의 반송기구와,
    상기 복수의 반송기구의 어느 한쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 설치되어, 기판을 일시적으로 대기시키는 대기부를 갖춘 버퍼기구를 갖추고,
    상기 복수의 처리부의 적어도 하나는 기판에 대하여 액처리를 실시하는 액처리기구를 포함하는 제 1 처리부이고, 그 외의 적어도 하나는 기판에 대하여 열적처리를 실시하는 열처리기구를 포함하는 제 2 처리부이며,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부를 복수로 갖추고, 이들 처리부는 평면적배치가 대체적으로 삼각형으로 되도록 배치하고, 정삼각형의 주변에 대응하는 위치에 상기 제 1 처리부가 배치되고, 삼각형의 정점에 대응하는 위치에 상기 제 2 처리부가 배치되며,
    더욱이 상기 복수의 처리부는, 상기 반송부의 주위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 기판에 대하여 복수의 공정으로 구성되는 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    상기 복수 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구를 수직방향으로 다단으로 적층시킨 복수의 처리부와,
    기판의 반송을 행하는 반송부를 구비하고,
    상기 반송부는,
    수직방향으로 이동가능하게 설치된 기판주고받음부를 갖추고, 상기 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출하는 복수의 반송기구와,
    상기 복수의 반송기구의 어느 한쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 설치되어, 기판을 일시적으로 대기시키는 복수의 대기부를 다단으로 갖춘 버퍼기구를 갖추고,
    상기 복수의 처리부의 적어도 하나는 기판에 대하여 액처리를 실시하는 액처리기구를 포함하는 제1처리부이고, 그 외의 적어도 하나는 기판에 대하여 열적처리를 실시하는 열처리기구를 포함하는 제2처리부이며,
    상기 제 1 처리부와 상기 제2처리부를 복수로 갖추고, 이들 처리부는 평면적배치가 대체적으로 삼각형으로 되도록 배치하고, 삼각형의 주변에 대응하는 위치에 상기 제 1 처리부가 배치되고, 삼각형의 정점에 대응하는 위치에 상기 제 2 처리부가 배치되며,
    더욱이 상기 복수의 처리부는, 상기 반송부의 주위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 기판에 대하여 복수의 공정으로 구성되는 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    상기 복수 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구를 수직방향으로 다단으로 적층시킨 복수의 처리부와,
    기판의 반송을 행하는 반송부를 구비하고,
    상기 반송부는,
    기판을 일시적으로 대기시키는 복수의 대기부를 다단으로 가진 버퍼기구와 수직방향으로 이동가능하게 설치된 기판주고받음부를 갖추고, 또한 버퍼기구의 주위에 설치되며, 상기 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출함과 동시에, 상기 버퍼기구의 대기부와 사이에서 기판을 주고받는 복수의 반송기구를 구비하고,
    상기 복수의 처리부의 적어도 하나는 기판에 대하여 액처리를 실시하는 액처리기구를 포함하는 제 1 처리부이고, 그 외의 적어도 하나는 기판에 대하여 열적처리를 실시하는 열처리기구를 포함하는 제 2 처리부이며,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부를 복수로 갖추고, 이들 처리부는 평면적배치가 대체적으로 삼각형으로 되도록 배치하고, 삼각형의 주변에 대응하는 위치에 상기 제 1 처리기구가 배치되고, 삼각형의 정점에 대응하는 위치에 상기 제2처리기구가 배치되며,
    더욱이 상기 복수의 처리부는, 상기 반송부의 주위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 기판에 대하여 복수의 공정으로 구성되는 레지스트 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    상기 레지스트 처리를 위하여 복수 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구를 갖춘 복수의 처리부와,
    기판의 반송을 행하는 반송부를 구비하고,
    상기 반송부는,
    상기 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출하는 복수의 반송기구와,
    상기 복수의 반송기구의 어느 한쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 설치되어, 기판을 일시적으로 대기시키는 대기부를 갖춘 버퍼기구를 갖추고,
    상기 복수의 처리부의 적어도 하나는, 기판에 레지스트액을 도포하는 도포처리기구 또는 노광 후의 레지스트를 현상처리하는 현상처리기구를 포함하는 제 1 처리부이고, 적어도 다른 하나는 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리기구를 포함하는 제 2 처리부이며,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부를 복수로 갖추고, 이들 처리부는 평면적 배치가 대체적으로 삼각형이 되도록 배치하고, 삼각형의 주변에 대응하는 위치에 상기 제 1 처리부가 배치되고, 삼각형의 정점에 대응하는 위치에 제 2의 처리부가 배치되며,
    더욱이 상기 복수의 처리부는 상기 반송부의 주위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 기판에 대하여 복수의 공정으로 구성되는 레지스트 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    상기 레지스트 처리를 위하여 복수 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구가 수직방향으로 다단으로 적층시킨 복수의 처리부와,
    기판의 반송을 행하는 반송부를 구비하고,
    상기 반송부는,
    수직방향으로 이동가능하게 설치된 기판주고받음부를 갖추고, 상기 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출하는 복수의 반송기구와,
    상기 복수의 반송기구의 어느 한쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 설치되어, 기판을 일시적으로 대기시키는 복수의 대기부를 다단으로 갖춘 버퍼기구를 갖추고,
    상기 복수의 처리부의 적어도 하나는, 기판에 레지스트액을 도포하는 도포처리기구 또는 노광 후의 레지스트를 현상처리하는 현상처리기구를 포함하는 제 1 처리부이고, 적어도 다른 하나는 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리기구를 포함하는 제 2 처리부이며,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부를 복수로 갖추고 이들 처리부는 평면적 배치가 대체적으로 삼각형이 되도록 배치되고, 삼각형의 주변에 대응하는 위치에 상기 제 1 처리부가 배치되고, 삼각형의 정점에 대응하는 위치에 제 2 처리부가 배치되며, 더욱이 상기 복수의 처리부는 상기 반송부의 주위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 기판에 대하여 복수의 공정으로 구성되는 레지스트 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    상기 레지스트 처리를 위하여 복수 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구가 수직방향으로 다단으로 적층시킨 복수의 처리부와,
    기판의 반송을 행하는 반송부를 구비하고,
    상기 반송부는,
    기판을 일시적으로 대기시키는 복수의 대기부를 다단으로 가진 버퍼기구와, 수직방향으로 이동가능하게 설치된 기판주고받음부를 갖추고, 또한 버퍼기구의 주위에 설치되며, 상기 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출함과 동시에, 상기 버퍼기구의 대기부와 사이에서 기판을 주고받는 복수의 반송기구를 갖추고,
    상기 복수의 처리부의 적어도 하나는, 기판에 레지스트액을 도포하는 도포처리기구 또는 노광 후의 레지스트를 현상처리하는 현상처리기구를 포함하는 제 1 처리부이고, 적어도 다른 하나는 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리기구를 포함하는 제 2 처리부이며,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부를 복수로 갖추고, 이들 처리부는 평면적 배치가 대체적으로 삼각형이 되도록 배치되고, 삼각형의 주변에 대응하는 위치에 상기 제 1 처리부가 배치되고, 삼각형의 정점에 대응하는 위치에 제 2의 처리부가 배치되며,
    더욱이 상기 복수의 처리부는 상기 반송부의 주위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 버퍼기구는, 다단으로 배치된 복수의 대기부를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 4 항 내지 제 6 항의 어느 한 항에 있어서, 레지스트 도포 후의 기판에 노광처리를 행하는 노광장치와의 사이에서 기판의 주고받음을 행하는 인터페이스부를 더 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 인터페이스부는, 노광후의 기판에 대하여 베이크처리를 행하는 열처리기구를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 인터페이스부는, 기판을 냉각시키는 냉각부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 인터페이스부는, 수직방향으로 이동이 가능한 반송장치를 갖추고, 상기 처리부 중의 어느 한쪽이 상기 인터페이스부에 인접하여 설치되고, 상기 반송장치는 그 인접하는 처리부의 각 처리기구에 대하여 진입이 가능한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 인접된 처리부는, 복수의 냉각처리기구를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 처리부는 탈착이 자유롭도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 처리 전의 기판 또는 처리 후의 기판을 수납할 수 있는 수납용기를 재치하는 수납용기 재치부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 반송기구의 어느 한쪽이, 상기 수납용기 재치부에 진입이 가능하도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 수납용기 재치부는, 어느 한쪽의 처리기구와 상하로 적층되어 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 수납용기 재치부는 상기 수납용기를 다단으로 재치할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 버퍼기구의 재치부는 냉각기능을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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