JPH08313855A - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

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JPH08313855A
JPH08313855A JP7138740A JP13874095A JPH08313855A JP H08313855 A JPH08313855 A JP H08313855A JP 7138740 A JP7138740 A JP 7138740A JP 13874095 A JP13874095 A JP 13874095A JP H08313855 A JPH08313855 A JP H08313855A
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 載置台に設けられた貫通孔と支持ピンとの接
触によるパーティクルの発生の抑制、加熱温度の均一化
により歩留まりの向上を図る。 【構成】 ＬＣＤ基板Ｇを載置するホットプレート２２
に支持ピン３０を遊嵌する貫通孔２８を設け、支持ピン
３０を、この支持ピン３０の保持部材３１に対して水平
移動可能に立設する。また、ホットプレート２２との間
に処理空間２３を形成すべく配置されると共に排気口２
５を有するカバー部材２４と、処理空間２３を開閉可能
に遮断するシャッター部材２７の対向面のいずれか一方
に間隔設定用突起５０を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばＬＣＤ基板等
の被処理体を加熱してして処理する熱処理装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小露光してフ
ォトレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理
が施される。
【０００３】例えば、被処理体である矩形状のＬＣＤ基
板を、洗浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒー
ジョン処理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置に
て冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜
すなわち感光膜を塗布形成する。その後、フォトレジス
ト膜を熱処理装置にて加熱してベーキング処理を施した
後、露光装置にて所定のパターンを露光し、そして、露
光後のＬＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布して現像
した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を
完了する。
【０００４】上記のような処理を行う場合、ＬＣＤ基板
を加熱する熱処理装置として、例えば図９に示すよう
に、ＬＣＤ基板Ｇを載置するホットプレートと称する載
置台２２と、この載置台２２を通してＬＣＤ基板Ｇを加
熱する加熱手段例えば加熱ヒータ２６と、載置台２２を
貫通してＬＣＤ基板Ｇを支持する昇降機構３３により昇
降可能な支持ピン３０Ａと、載置台２２との間に処理空
間２３を形成すべく配置されると共に天井部中央に排気
口２５を有するカバー部材２４と、処理空間２３を開閉
可能に遮断するシャッター部材２７とを具備するものが
使用されている。
【０００５】この熱処理装置において、シャッター部材
２７を下降させてカバー部材２４の下面とシャッター部
材２７の上端との間に開口を設け、この開口を介して側
方から処理空間２３内に図示しない搬送機構によって搬
入されるＬＣＤ基板Ｇを、載置台２２上に突出する支持
ピン３０Ａにて受取る。そして、支持ピン３０Ａが下降
してＬＣＤ基板Ｇを載置台２２上に載置した後、開閉駆
動手段例えばエアーシリンダ６０を駆動してシャッター
部材２７を上昇させてカバー部材２４の下面とシャッタ
ー部材２７の上端との間に所定の隙間の空気導入口を形
成した状態で、加熱ヒータ２６の発熱を制御し載置台２
２を所定温度例えば１２０℃〜１５０℃に加熱してＬＣ
Ｄ基板Ｇの熱処理を行うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の熱処理装置においては、載置台２２を例えば１
２０℃〜１５０℃に加熱するため、載置台２２が熱膨張
し、それに伴って、載置台２２に設けられた支持ピン３
０Ａの貫通孔２８Ａの位置が偏倚する恐れがある。その
結果、図８（ａ）に示すように、熱処理前の常温時では
貫通孔２８Ａとの間に非接触状態で支障なく支持ピン３
０Ａが昇降していたものが、熱処理時の高温時には図８
（ｂ）に示すように、貫通孔２８Ａに接触して支持ピン
３０Ａが昇降すると共に、上昇時には支持ピン３０Ａが
傾斜するため、ＬＣＤ基板Ｇの受渡しに支障をきたすば
かりか、支持ピン３０Ａと貫通孔２８Ａとの接触により
パーティクルが発生する原因にもなる。したがって、歩
留まりの低下をきたすという問題があった。特に、載置
台２２が大型に、また、加熱温度が高い程、この傾向は
著しい。
【０００７】また、上記シャッター部材２７の開閉移動
をエアーシリンダ６０にて行うものにおいては、カバー
部材２４とシャッター部材２７との設定隙間の調整が難
しく、正確に隙間を設定することができず、そのため、
所定の導入空気量を確保することができず、ＬＣＤ基板
Ｇの加熱が不均一となり、歩留まりの低下をきたすとい
う問題もあった。
【０００８】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、載置台に設けられた貫通孔と支持ピンとの接触によ
るパーティクルの発生を抑制して歩留まりの向上を図る
ことを第１の目的とし、熱処理時における空気導入口の
隙間を設定して加熱温度を均一化して歩留まりの向上を
図ることを第２の目的とした熱処理装置を提供すること
を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の熱処理装置は、被処理体を載置す
る載置台と、この載置台を通して上記被処理体を加熱す
る加熱手段と、上記載置台を貫通して上記被処理体を支
持する支持ピンとを具備する熱処理装置を前提とし、
上記載置台に上記支持ピンを遊嵌する貫通孔を設け、
上記支持ピンをこの支持ピンの保持部材に対して水平移
動可能に立設してなることを特徴とするものである（請
求項１）。
【００１０】上記請求項１記載の熱処理装置において、
上記支持ピンを、剛性を有する金属製ピン本体と、この
ピン本体の上端部に装着される耐蝕性を有する合成樹脂
製のピン補助体とで構成し、上記載置台に設けられる貫
通孔の少なくとも内周面に合成樹脂製のコーティング膜
を形成する方が好ましい（請求項２）。
【００１１】また、この発明の第２の熱処理装置は、被
処理体を載置する載置台と、この載置台を通して上記被
処理体を加熱する加熱手段と、上記載置台との間に処理
空間を形成すべく配置されると共に排気口を有するカバ
ー部材と、上記処理空間を開閉可能に遮断するシャッタ
ー部材とを具備する熱処理装置を前提とし、 上記カバ
ー部材又はシャッター部材の対向面のいずれか一方に間
隔設定用突起を設けたことを特徴とするものである（請
求項３）。
【００１２】
【作用】請求項１記載の熱処理装置によれば、載置台に
支持ピンを遊嵌する貫通孔を設け、支持ピンをこの支持
ピンの保持部材に対して水平移動可能に立設することに
より、熱処理時に載置台が熱膨脹して貫通孔の位置が偏
倚しても、支持ピンは貫通孔に追従して移動すること
で、支持ピンは傾斜することなく垂直状に載置台上に突
出して被処理体の受渡しを行うことができる。また、貫
通孔と支持ピンとの接触による支持ピンの摩耗やパーテ
ィクルの発生を抑制することができる。
【００１３】この場合、支持ピンを、剛性を有する金属
製ピン本体と、このピン本体の上端部に装着される耐蝕
性を有する合成樹脂製のピン補助体とで構成し、載置台
に設けられる貫通孔の少なくとも内周面に合成樹脂製の
コーティング膜を形成することにより、支持ピンと貫通
孔との接触による支持ピンの摩耗及びパーティクルの発
生を更に確実に抑制することができる（請求項２）。
【００１４】また、請求項３記載の熱処理装置によれ
ば、カバー部材又はシャッター部材の対向面のいずれか
一方に間隔設定用突起を設けることにより、シャッター
部材の上昇に伴って間隔保持用突起がカバー部材の下面
又はシャッター部材の上面に当接することで、カバー部
材とシャッター部材との間の間隔を正確に設定すること
ができ、これにより熱処理時に所定量の空気を導入し排
気することができ、空気流の均一化すなわち加熱温度の
均一化を図ることができる。
【００１５】
【実施例】次に、この発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。この実施例では、この発明に係る処理
装置をＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムに適用した
場合について説明する。
【００１６】上記塗布・現像処理システムは、図１に示
すように、被処理体としてＬＣＤ基板Ｇ（以下に基板と
いう）を搬入・搬出するローダ部１と、基板Ｇの第１の
処理部２と、中継部３を介して第１の処理部２に連設さ
れる第２の処理部４とで主に構成されている。なお、第
２の処理部４には受渡し部５を介してレジスト膜に所定
の微細パターンを露光するための露光装置６が連設可能
になっている。
【００１７】上記ローダ部１は、未処理の基板Ｇを収容
するカセット７と、処理済みの基板Ｇを収容するカセッ
ト７ａを載置するカセット載置台８と、このカセット載
置台８上のカセット７，７ａとの間で基板Ｇの搬出入を
行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方向の移動及
び回転（θ）可能な基板搬出入ピンセット９とで構成さ
れている。
【００１８】上記第１の処理部２は、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム１０の搬送路１１の
一方の側に、基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１
２と、基板Ｇを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗
浄装置１３と、基板Ｇの表面を疎水化処理するアドヒー
ジョン処理装置１４と、基板Ｇを所定温度に冷却する冷
却処理装置１５とを配置し、搬送路１１の他方の側に、
レジスト塗布装置１６及び塗布膜除去装置１７を配置し
てなる。
【００１９】一方、上記第２の処理部４は、第１の処理
部２と同様に、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム１０ａを有し、このメインアーム１０ａの
搬送路１１ａの一方の側に、レジスト液塗布の前後で基
板Ｇを加熱してプリベーク又はポストベークを行うこの
発明の熱処理装置１８を配置し、搬送路１１ａの他方の
側に現像装置２０を配置している。
【００２０】また、上記中継部３は、基板Ｇを支持する
支持ピン３ａを立設する受渡し台３ｂを有する箱体３ｃ
の底面にキャスタ３ｄを具備した構造となっており、必
要に応じてこの中継部３を第１の処理部２及び第２の処
理部４から分離し引出してスペースを確保し、第１の処
理部２又は第２の処理部４内に作業員が入って補修や点
検等を容易に行うことができるようになっている。
【００２１】なお、上記受渡し部５には、基板Ｇを一時
待機させるためのカセット１９ａと、このカセット１９
ａとの間で基板Ｇの出入れを行う搬送用ピンセット１９
ｂと、基板Ｇの受渡し台１９ｃが設けられている。
【００２２】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット７内に収容された未処理の基
板Ｇはローダ部１の搬出入ピンセット９によって取出さ
れた後、第１の処理部２のメインアーム１０に受け渡さ
れ、そして、ブラシ洗浄装置１２内に搬送される。この
ブラシ洗浄装置１２内にてブラシ洗浄された基板Ｇは必
要に応じてジェット水洗浄装置１３内にて高圧ジェット
水により洗浄される。この後、基板Ｇは、アドヒージョ
ン処理装置１４にて疎水化処理が施され、冷却処理装置
１５にて冷却された後、レジスト塗布装置１６にてフォ
トレジスト膜すなわち感光膜が塗布形成され、引続いて
塗布膜除去装置１７によって基板Ｇの周辺部の不要なレ
ジスト膜が除去される。そして、このフォトレジスト膜
が熱処理装置１８にて加熱されてベーキング処理が施さ
れた後、露光装置６にて所定のパターンが露光される。
そして、露光後の基板Ｇは現像装置２０内へ搬送され、
現像液により現像された後にリンス液により現像液を洗
い流し、現像処理を完了する。
【００２３】現像処理された処理済みの基板Ｇはローダ
部１のカセット７ａ内に収容された後に、搬出されて次
の処理工程に向けて移送される。
【００２４】次に、上記ＬＣＤ基板の塗布・現像処理シ
ステムに使用されるこの発明の熱処理装置の構成につい
て説明する。ここでは、図９に示した従来の熱処理装置
と同じ部分には同一符号を付して説明する。
【００２５】上記熱処理装置１８は、図２に示すよう
に、搬送路１１側に面して開口部２１ａを有する箱状容
器にて形成されるケース２１内に、基板Ｇを載置する載
置台２２（以下にホットプレートという）を収容し、こ
のホットプレート２２との間に処理空間２３を形成すべ
くケース２１の上部を覆うようにカバー部材２４を配置
してなり、かつ、処理空間２３を開閉可能に遮断するシ
ャッター部材２７を具備してなる。この場合、カバー部
材２４の天井の中央部には排気口２５が設けられてい
る。
【００２６】上記ホットプレート２２は例えばアルミニ
ウム合金等にて形成されており、その内部にはホットプ
レート２２を加熱することにより、このホットプレート
２２を通して基板Ｇを加熱するための加熱ヒータ２６
（加熱手段）を埋設すると共に図示しない温度センサを
具備し、例えば１２０℃〜１５０℃等の所定の加熱温度
に温度設定可能に構成されている。
【００２７】また、図３に示すように、ホットプレート
２２には、例えば４つの貫通孔２８が設けられており、
これらの貫通孔２８には、それぞれ基板受け渡し時に基
板Ｇを支持するための支持ピン３０が遊嵌状態で貫挿さ
れている。支持ピン３０は、図４に示すように、下端に
膨隆脚部３０ａを有するステンレス鋼製のピン本体３０
ｂと、このピン本体３０ｂの上端部に装着される例えば
ＰＥＥＫ（ポリエーテル・エーテル・ケトン）製の耐蝕
性を有するピン補助体３０ｃとで構成されており、膨隆
脚部３０ａが保持部材３１の上面に突設された筒状の支
持部材３２にて水平方向に移動可能に支持されている。
すなわち、支持ピン３０の膨隆脚部３０ａと支持部材と
の間に隙間ｓ（例えば２ｓ＝２ｍｍ程度）が設けられて
支持ピン３０が水平方向に移動し得るようになってい
る。なお、ピン本体３０ｂをステンレス鋼製にするの
は、例えば所定の強度を得るためであり、上端部のピン
補助体３０ｃをＰＥＥＫ製にするのは、基板Ｇとの接触
によるパーティクルの発生を防止するためである。ま
た、ホットプレート２２の貫通孔２８の内周面及び貫通
孔２８の上下開口端の縁部には例えばフッ素樹脂製の耐
蝕性を有する合成樹脂製のコーティング膜２８ａが形成
されている。このコーティング膜２８ａは少なくとも貫
通孔２８の内周面に形成されていればよい。このよう
に、支持ピン３０の先端部に合成樹脂製のピン補助体３
０ｃを装着し、ホットプレート２２の貫通孔２８の少な
くとも内周面に合成樹脂製のコーティング膜２８ａを形
成することにより、支持ピン３０と貫通孔２８との接触
によるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００２８】上記のように４本の支持ピン３０を保持す
る保持部材３１は、昇降機構３３に連結されて昇降可能
に、すなわち支持ピン３０をホットプレート２２の貫通
孔２８を挿通して上方に出没移動可能に構成されてい
る。この場合、昇降機構３３は、駆動モータであるステ
ッピングモータ３４と、このステッピングモータ３４に
より駆動される駆動プーリ３５と、この駆動プーリ３５
の上方に配設される従動プーリ３６と、これら駆動プー
リ３５と従動プーリ３６に掛け渡され保持部材３１を連
結するタイミングベルト３７とで構成されている。した
がって、ステッピングモータ３４の正逆回転によって支
持ピン３０とホットプレート２２とが相対的に上下移動
し得るように構成される。
【００２９】上記ホットプレート２２の上面には、断面
寸法が幅例えば１ｍｍ、深さ例えば１ｍｍの矩形状の真
空チャック用溝２９が、同心状に複数（図３においては
３つの場合を示す）設けられている。これらの真空チャ
ック用溝２９は、大きさの異なる複数種の基板Ｇを必要
に応じて吸着可能にするためのものである。
【００３０】また、ホットプレート２２の上面には、ホ
ットプレート２２上に突出して基板Ｇとホットプレート
２２面との間に０．１〜０．５ｍｍ程度の所定の間隔
（プロキシミティーギャップ）を設けるプロキシミティ
ースペーサ４０が設けられている。この場合、プロキシ
ミティースペーサ４０は、例えば図６（ａ）に示すよう
に、例えばポリイミド製テープの型抜き片４０ａをホッ
トプレート２２の上面に設けられた位置決め用凹所４１
に耐熱性接着剤４２を介して貼着するか、図６（ｂ）に
示すように、狭隘開口部４３を有する位置決め用凹所４
２に圧着して設けられる。あるいは、図６（ｃ）に示す
ように、たとえばセラミックや二酸化珪素（ＳｉＯ2）
を溶かして微粒とし、この溶融状態の粒をホットプレー
ト２２上面にスポット状に溶射してプロキシミティース
ペーサ４０を形成する。このようにホットプレート２２
の表面に、ポリイミド製、セラミックあるいはＳｉＯ2
製のプロキシミティースペーサ４０を設けることによ
り、ガラス製基板Ｇに損傷を与えることなく支持するこ
とができると共に、静電気の発生を防止することができ
る。なお、ホットプレート２２の表面をたとえばＳｉＯ
2でコーティングすることにより、ホットプレート２２
表面を基板Ｇと同電位列にすることができるので、更に
確実に静電気の発生を防止することができる。また、ホ
ットプレート２２の表面をセラミック溶射して表面に梨
地状の硬度の高い層を形成することにより、ホットプレ
ート２２と基板Ｇとの接触面積を減らすことができ、従
来のタフラム処理した場合に比較して耐摩耗性を高める
ことができる。
【００３１】一方、上記シャッター部材２７は、図５に
示すように、角形筒状の本体２７ａの上端に内向き水平
片２７ｂを設けた形状となっており、カバー部材２４の
下面と対向する内向き水平片２７ｂの上面の四隅には所
定の高さ寸法ｈ例えば１〜５ｍｍの間隔設定用突起５０
が突設されている。このシャッター部材２７は本体２７
ａの下端部に突設されたブラケット２７ｃに昇降機構例
えばエアーシリンダ６０のピストンロッド６０ａが連結
されて、エアーシリンダ６０の駆動により昇降移動し、
ケース２１の開口部２１ａを開閉すると共に、処理空間
２３を開閉可能に遮断し得るようになっている。そし
て、シャッター部材２７が上昇して間隔設定用突起５０
がカバー部材２４の下面に当接することによって、カバ
ー部材２４の下面とシャッター部材２７の上面との間に
所定の寸法ｈに設定保持された空気導入口５１が形成さ
れる。したがって、基板Ｇの加熱処理時に、一定した外
部の空気が空気導入口５１を介して処理空間２３内に流
入し、排気口２５から排気される空気流量を均一にする
ことができ、基板Ｇの加熱温度を均一にすることができ
る。
【００３２】次に、上記のように構成されるこの発明の
熱処理装置を用いて基板Ｇを加熱処理する場合の動作に
ついて説明する。まず、予めホットプレート２２を例え
ば１２０℃〜１５０℃程度の所定温度に設定しておき、
開口部２１ａから基板Ｇを保持したメインアーム１０ａ
を進入させホットプレート２２上に基板Ｇを位置させ
る。この後、この状態で昇降機構３３のステッピングモ
ータ３４を駆動して支持ピン３０を上昇させて支持ピン
３０上に基板Ｇを支持し、搬送アームを後退させる。こ
の際、ホットプレート２２は熱膨脹により貫通孔２８の
位置が、常温時の図７（ａ）の状態から図７（ｂ）の状
態に偏倚するが、支持ピン３０は上述したように、保持
部材３１上に水平方向に移動可能に保持されているの
で、貫通孔２８の偏倚に追従して外方に移動しつつホッ
トプレート２２の上方へ突出する。したがって、支持ピ
ン３０の上昇に支障をきたす恐れはなく、また、支持ピ
ン３０と貫通孔２８との接触によるパーティクルの発生
の恐れもない。
【００３３】次に、支持ピン３０を下降させて基板Ｇを
ホットプレート２２上に突出しているプロキシミティー
スペーサ４０上に載置する。なお、基板Ｇの移し替えに
際し、基板Ｇの位置ずれを防止するために、一時的に真
空吸着状態にしてもよい。
【００３４】また、メインアーム１０ａの後退と同時
に、エアーシリンダ６０を駆動してシャッター部材２７
を上昇させて間隔設定用突起５０をカバー部材２４の下
面に当接させて所定間隔ｈの空気導入口５１を設定す
る。
【００３５】このようにして所定時間、基板Ｇを加熱処
理すると、この間、空気導入口５１を介して周囲から処
理空間２３内に一定した流れを形成しつつ流入した空気
は中央のカバー部材２４の排気口２５から発生したガス
等と共に排気されるので、加熱温度が均一化され基板Ｇ
の加熱温度を均一にすることができる。
【００３６】加熱処理が終了すると、次に、昇降機構３
３のステッピングモータ３４が駆動して支持ピン３０を
上昇させてホットプレート２２から基板Ｇを持ち上げ
る。このとき、開口部２１ａから処理空間２３内に進入
するメインアーム１０ａが基板Ｇを受け取る。そして、
支持ピン３０が下降して基板Ｇがメインアーム１０ａに
渡されると、メインアーム１０ａがケース２１の外に後
退して基板Ｇを次工程の所定場所に搬送する。
【００３７】なお、上記実施例では、ホットプレート２
２を固定し、支持ピン３０を昇降させて基板Ｇの受渡し
を行う場合について説明したが、必しもこのような構造
である必要はなく、支持ピン３０を固定し、ホットプレ
ート２２を昇降させてホットプレート２２と支持ピン３
０を相対移動させるようにしてもよい。上記間隔設定用
突起５０は、所望の空気流量を得るために、その高さｈ
を可変可能な構成としてもよい。また、上記実施例で
は、シャッター部材２７に間隔設定用突起５０を設け
て、この突起５０をカバー部材２４の下面に当接させて
空気導入口５１の隙間を確保しているが、この間隔設定
用突起５０をカバー部材２４の下面に突設して、この突
起５０をシャッター部材２７の内向き水平片２７ｂに当
接させるようにしてもよい。
【００３８】なお、上記実施例では、この発明の熱処理
装置をＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムに適用した
場合について説明したが、単独の熱処理装置にも適用で
きる他、プローバー、アッシング装置、露光装置等にも
適用できることは勿論である。また、被処理体としてシ
リコンウエハを処理する場合にも適用できる。
【００３９】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の塗布
装置によれば、上記のように構成されるので、以下のよ
うな効果が得られる。
【００４０】１）請求項１記載の熱処理装置によれば、
載置台に支持ピンを遊嵌する貫通孔を設け、支持ピンを
この支持ピンの保持部材に対して水平移動可能に立設す
るので、熱膨脹により貫通孔の位置が偏倚しても、支持
ピンは貫通孔に追従して移動して垂直状に載置台上に突
出して被処理体の受渡しを行うことができ、また、貫通
孔と支持ピンとの接触による支持ピンの摩耗やパーティ
クルの発生を抑制することができるので、歩留まりの向
上を図ることができる。
【００４１】２）請求項２記載の熱処理装置によれば、
支持ピンを、剛性を有する金属製ピン本体と、このピン
本体の上端部に装着される耐蝕性を有する合成樹脂製の
ピン補助体とで構成し、載置台に設けられる貫通孔の少
なくとも内周面に合成樹脂製のコーティング膜を形成す
るので、支持ピンと貫通孔との接触による支持ピンの摩
耗及びパーティクルの発生を更に確実に抑制することが
でき、更に歩留まりの向上を図ることができる。
【００４２】３）請求項３記載の熱処理装置によれば、
カバー部材又はシャッター部材の対向面のいずれか一方
に間隔設定用突起を設けるので、シャッター部材の上昇
に伴って間隔設定用突起がカバー部材の下面又はシャッ
ター部材の上面に当接することで、カバー部材とシャッ
ター部材との間の間隔を正確に設定することができると
共に、熱処理時に所定量の空気を導入し排気することが
でき、空気流の均一化すなわち加熱温度の均一化を図る
と共に、歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の熱処理装置を適用したＬＣＤ基板の
塗布・現像処理システムの斜視図である。
【図２】この発明の熱処理装置の一例を示す概略断面図
である。
【図３】この発明における載置台と支持ピンを示す分解
斜視図である。
【図４】載置台と支持ピンの要部拡大断面図である。
【図５】この発明におけるシャッター部材の斜視図であ
る。
【図６】載置台に設けられるプロキシミティースペーサ
の異なる形態を示す断面図である。
【図７】この発明における載置台と支持ピンの常温時及
び加熱時の状態を示す概略断面図である。
【図８】従来の熱処理装置における載置台と支持ピンの
常温時及び加熱時の状態を示す概略断面図である。
【図９】従来の熱処理装置の概略断面図である。
【符号の説明】
Ｇ ＬＣＤ基板（被処理体） ２２ ホットプレート（載置台） ２３ 処理空間 ２４ カバー部材 ２５ 排気口 ２６ 加熱ヒータ ２７ シャッター部材 ２８ 貫通孔 ２８ａ コーティング膜 ３０ 支持ピン ３０ｂ ピン本体 ３０ｃ ピン補助体 ３１ 保持部材 ３２ 支持部材 ３３ 昇降機構 ５０ 間隔設定用突起 ５１ 空気導入口 ６０ エアーシリンダ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を載置する載置台と、この載置
    台を通して上記被処理体を加熱する加熱手段と、上記載
    置台を貫通して上記被処理体を支持する支持ピンとを具
    備する熱処理装置において、 上記載置台に上記支持ピンを遊嵌する貫通孔を設け、 上記支持ピンをこの支持ピンの保持部材に対して水平移
    動可能に立設してなることを特徴とする熱処理装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の熱処理装置において、 支持ピンを、剛性を有する金属製ピン本体と、このピン
    本体の上端部に装着される耐蝕性を有する合成樹脂製の
    ピン補助体とで構成し、 載置台に設けられる貫通孔の少なくとも内周面に合成樹
    脂製のコーティング膜を形成したことを特徴とする熱処
    理装置。
  3. 【請求項３】 被処理体を載置する載置台と、この載置
    台を通して上記被処理体を加熱する加熱手段と、上記載
    置台との間に処理空間を形成すべく配置されると共に排
    気口を有するカバー部材と、上記処理空間を開閉可能に
    遮断するシャッター部材とを具備する熱処理装置におい
    て、 上記カバー部材又はシャッター部材の対向面のいずれか
    一方に間隔設定用突起を設けたことを特徴とする熱処理
    装置。
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