KR102587859B1 - 노즐 유닛과 이를 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

노즐 유닛과 이를 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하며, 또한 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 제1액을 공급하는 제1노즐유닛과 기판 상에 제2액을 공급하는 제2노즐유닛을 가지는 액 공급 유닛을 포함하며, 제1노즐유닛은, 기판 상으로 제1액을 토출하는 제1노즐과; 제1노즐을 지지하며 제1방향과 평행하게 제공되는 제1지지암과; 제1지지암을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시키는 제1아암모듈을 포함하고, 제2노즐유닛은, 기판 상으로 제2액을 토출하는 제2노즐과; 제2노즐을 지지하며 제1방향과 평행하게 제공되는 제2지지암과; 제2지지암을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시키는 제2아암모듈을 포함하며, 제1지지암과 제2지지암은 지지 유닛의 일측에 평행하게 제공되며, 제1방향은 제2방향과 수직한 방향으로 제공될 수 있다.

Description

노즐 유닛과 이를 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Nozzle unit, apparatus and method for treating substrate using the same}
본 발명은 기판을 액 처리하는 노즐 유닛과 이를 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.
일반적으로 액 처리 공정에서, 회전되는 기판 상에는 공정에 대응되는 액을 공급한다. 도 1은 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면. 액 처리 장치들은 일 방향을 따라 배열된다. 각 액 처리 장치는 처리 유닛(6) 및 액 공급 유닛을 포함한다. 처리 유닛(6)은 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지고, 액 공급 유닛은 제1노즐(2) 및 제2노즐(4)을 가진다. 제1노즐(2) 및 제2노즐(4)은 서로의 이동 경로에 간섭되지 않도록 처리 유닛(6)의 일측 및 타측에 각각 설치된다.
그러나 액 처리 설비에는 복수 개의 노즐들(2,4)의 이동 경로를 확보하기 위해 많은 공간을 필요로 한다. 이에 따라 하나의 액 처리 설비에 설치 가능한 액 처리 장치는 매우 제한된다.
대기 위치에서 노즐의 높이 보다 처리 유닛(6)의 높이가 높거나 같게 제공되는 경우, 복수 개의 노즐(2,4)이 연직방향으로 이동이 요구된다. 그러나, 복수 개의 노즐(2,4)이 이동 경로를 확보하면서 연직방향으로 이동하기 위한 시간이 길게 소요된다.
본 발명은 처리 설비의 내부 공간 효율을 향상시킬 수 있는 노즐 유닛과 이를 이용하는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은, 제한된 공간 내에 설치 가능한 처리 유닛의 개수를 증가시킬 수 있는 노즐 유닛과 이를 이용하는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은, 노즐의 이동 시간을 줄일 수 있는 노즐 유닛과 이를 이용하는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예는 노즐 유닛을 제공한다. 일 실시예에서 노즐 유닛은, 기판 상으로 액을 토출하는 노즐과; 노즐을 지지하며 제1방향과 평행하게 제공되는 지지암과; 지지암을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시키는 아암모듈을 포함하고, 제1방향은 제2방향과 수직한 방향으로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 아암모듈은, 지지암을 연직방향으로 승하강시키는 승강부와; 제2방향과 평행하게 제공되며 승강부가 탑재되는 가이드레일을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 승강부는, 지지암과 결합되어 지지암을 승하강 시키는 제1구동부와; 제1구동부와 결합되어 제1구동부를 승하강 시키며 가이드레일에 장착되는 제2구동부를 더 포함하고, 제1구동부와 제2구동부는 각각 개별적으로 승하강되도록 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1구동부는, 지지암과 결합되는 제1구동바디와; 제1구동바디와 제2구동부에 결합되는 제2구동바디를 포함하고, 제2구동바디는, 제1구동바디에 결합된 제1구동축에 구동력을 제공하는 제1구동기와; 제1구동바디가 탑재되는 제1승강레일을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제2구동부는, 제2구동바디와 결합되는 제3구동바디와; 제3구동바디에 결합된 제4구동바디를 포함하고, 제4구동바디는, 제3구동바디에 결합된 제2구동축에 구동력을 제공하는 제2구동기와; 제3구동바디가 탑재되는 제2승강레일을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 제1액을 공급하는 제1노즐유닛과 기판 상에 제2액을 공급하는 제2노즐유닛을 가지는 액 공급 유닛을 포함하며, 제1노즐유닛은, 기판 상으로 제1액을 토출하는 제1노즐과; 제1노즐을 지지하며 제1방향과 평행하게 제공되는 제1지지암과; 제1지지암을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시키는 제1아암모듈을 포함하고, 제2노즐유닛은, 기판 상으로 제2액을 토출하는 제2노즐과; 제2노즐을 지지하며 제1방향과 평행하게 제공되는 제2지지암과; 제2지지암을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시키는 제2아암모듈을 포함하며, 제1지지암과 제2지지암은 지지 유닛의 일측에 평행하게 제공되며, 제1방향은 제2방향과 수직한 방향으로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1아암모듈은, 제1지지암을 연직방향으로 승하강시키는 제1승강부와; 제2방향과 평행하게 제공되며 제1승강부가 탑재되는 제1가이드레일을 더 포함하고, 제2아암모듈은, 제2지지암을 연직방향으로 승하강시키는 제2승강부와; 제2방향과 평행하게 제공되며 제2승강부가 탑재되는 제2가이드레일을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1가이드레일과 제2가이드레일 간의 간격은 지지 유닛의 너비보다 짧게 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1지지암은, 제2방향을 기준으로 지지 유닛과 제2지지암 사이에 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1승강부는, 제1지지암과 결합되어 제1지지암을 승하강 시키는 제1구동부와; 제1구동부와 결합되어 제1구동부를 승하강 시키며 제1가이드레일에 장착되는 제2구동부를 더 포함하고, 제1구동부와 제2구동부는 각각 개별적으로 승하강되도록 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다.
일 실시예에서, 제1액은 현상액을 포함하고, 제2액은 린스액을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 제1노즐을 제1대기위치에서 제1공정위치로 이동시키는 제1노즐이동 단계와; 제1노즐이동단계 이후에, 제1노즐이 제1공정위치에서 회전하는 기판 상에 제1액을 공급하는 제1액공급단계와; 제2노즐을 제2대기위치에서 제2공정위치로 이동시키는 제2노즐이동 단계; 그리고, 제2노즐이동단계 이후에, 제2노즐이 제2공정위치에서 회전하는 기판 상에 제2액을 공급하는 제2액공급단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제2노즐이동단계는, 제1액공급단계가 수행되는 도중에 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 제1노즐이동단계는, 제1노즐이 연직방향으로 제1거리만큼 승강되는 제1노즐승강과정과; 제1노즐승강과정 이후에 제1노즐이 제2방향을 따라 기판의 중앙 영역에 대응되는 영역으로 이동되는 제1노즐이동과정과; 제1노즐이 연직방향으로 제1거리만큼 하강되는 제1노즐하강과정을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1노즐승강과정에서, 제1구동부가 제2거리만큼 승강되고 제2구동부가 제3거리만큼 승강되며, 제2거리와 제3거리의 합은 제1거리로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1노즐하강과정에서, 제1구동부가 제4거리만큼 하강된 이후에, 제1구동부가 제5거리만큼 하강되되, 제1구동부가 제5거리만큼 하강되는 동시에 제2구동부가 각각 제6거리만큼 하강되며, 제4거리와 제5거리 그리고 제6거리의 합은 제1거리로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제2노즐이동단계는, 제2노즐이 연직방향으로 제7거리만큼 승강되는 제1노즐승강과정과; 제2노즐승강과정 이후에 제2노즐이 제2방향을 따라 기판의 중앙 영역에 대응되는 영역으로 이동되는 제2노즐이동과정과; 제2노즐이 연직방향으로 제7거리만큼 하강되는 제2노즐하강과정을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제7거리는 제1거리보다 먼 거리로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제2액공급단계 이후에, 제1노즐을 기판의 가장 자리 영역에 대응되는 위치에서 제7거리만큼 승강 시키고, 제1노즐을 제2방향으로 이동시키는 제1노즐복귀단계를 더 포함하며, 제7거리는 제1거리보다 짧게 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 설비의 내부 공간 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제한된 공간 내에 설치 가능한 처리 유닛의 개수를 증가시킬 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 노즐의 이동 시간을 줄일 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 액 처리 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 10 내지 도 18은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시 예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시 예의 기판 처리 장치는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 복수개의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리 유닛이 복수개가 서로 배열되어 제공되는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
다음은 도 3 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓이는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 3에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 기판 지지 유닛(412), 그리고 액 공급 유닛(4000)을 가진다.
하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 하우징(411)은 그 내부에 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(412)은 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(412)은 회전 가능하게 제공된다. 액 공급 유닛(4000)은 기판 지지 유닛의 상부에서 기판 지지 유닛(412)에 놓인 기판(W) 상으로 액을 공급한다.
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(500), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(500), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(500)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(500)는 길이 방향이 제 1 방향(12)으로 제공된다. 현상 챔버(500)는 제 3 방향(16)을 따라 복수 개가 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(500), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(500)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(500)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(500)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(500)는 유체를 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치(500)로 제공된다.
본 발명의 액 공급 유닛(4000)은, 레지스트 도포 챔버 내(410)에 제공되는 것으로 설명하나, 두 개 이상의 노즐이 제공되는 다른 챔버 내에도 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 레지스트 도포 챔버 내(410)에는 하우징(415)이 제공된다. 처리 유닛(1500)은 내부에서 기판이 처리된다. 처리 유닛(1500)은 적어도 복수 개가 하우징(415)의 내부에 제1방향으로 일렬로 배치된다. 본 실시예는 5 개의 처리 유닛(1500)이 하우징(415) 내부에서 제1방향을 따라 일렬로 배치되는 것으로 설명한다. 처리 유닛(1500)은 제1처리 유닛(1510), 제2처리 유닛(1520), 제3처리 유닛(1530), 제4처리 유닛(1540) 및 제5처리 유닛(1550)으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 하우징(415)에 제공되는 처리 유닛(1500)의 수는 선택적으로 다양하게 제공될 수 있다. 각각의 처리 유닛(1510, 1520, 1530, 1540, 1550)은 처리 용기 및 기판 지지 유닛을 포함한다.
액 공급 유닛(4000)은 기판(W)의 처리를 위해 처리 유닛(1500)으로 액을 공급한다. 일 실시 예에 따르면, 제1처리 유닛(1510), 제2처리 유닛(1520), 제3처리 유닛(1530), 제4처리 유닛(1540) 및 제5처리 유닛(1550)은 각각 액 공급 유닛(4000)을 갖는다.
액 공급 유닛(4000)은 제1노즐유닛(4100)과 제2노즐유닛(4200)을 포함한다. 제1노즐유닛(4100)은, 기판 지지 유닛(412)에 놓인 기판(W) 상으로 제1액을 공급한다. 일 예에서, 제1액은 현상액이다. 제2노즐유닛(4200)은, 기판 지지 유닛(412)에 놓인 기판(W) 상으로 제2액을 공급한다. 일 예에서, 제2액은 린스액이다. 일 예에서, 현상액은 극성 물질을 포함하는 포토 레지스트로 제공된다. 극성 물질은 솔벤트(Solvent)로 제공될 수 있다. 일 예에서, 린스액은 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위한 순수와 같은 세정액일 수 있다.
일 예에서, 제1노즐(4110)유닛은, 제1노즐(4110)과, 제1지지암(4130), 제1아암모듈(4150)을 갖는다. 제1노즐(4110)은 기판(W) 상으로 현상액을 토출한다. 제1지지암(4130)은 제1노즐(4110)을 지지하며 제1방향과 평행하게 제공된다. 제1아암모듈(4150)을 제1지지암(4130)을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시킨다. 일 예에서, 제1방향은 제2방향과 수직한 방향으로 제공된다.
일 예에서, 제2노즐(4210)유닛은 제2노즐(4210)과, 제2지지암(4230), 제2아암모듈(4250)을 갖는다. 제2노즐(4210)은 기판(W) 상으로 린스액을 토출한다. 제2지지암(4230)은 제2노즐(4210)을 지지하며 제2방향과 평행하게 제공된다. 제2아암모듈(4250)을 제2지지암(4230)을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시킨다.
일 예에서, 제1지지암(4130)과 제2지지암(4230)은 지지 유닛의 일측에 평행하게 제공된다. 예컨대, 제1지지암(4130)과 제2지지암(4230)은 기판 지지 유닛(412)의 일측에 제1방향으로 평행하게 제공된다. 일 예에서, 제1지지암(4130)과 제2지지암(4230)은 동일한 형상으로 제공되고, 제1아암모듈(4150)과 제2아암모듈(4250)은 동일한 형상으로 제공된다. 일 예에서, 제1지지암(4130)은, 제2방향을 기준으로 지지 유닛과 제2지지암(4230) 사이에 제공된다. 일 예에서, 제1지지암(4130)과 제2지지암(4230)은 일 방향에서 바라보았을 때 일부가 제2방향으로 중첩되도록 제공된다.
제1아암모듈(4150)은, 제1승강부(4160)와 제1가이드레일(4180)을 포함한다. 제1승강부(4160)는 제1지지암(4130)을 연직방향으로 승하강시킨다. 제1가이드레일(4180)은 제2방향과 평행하게 제공되며 제1승강부(4160)가 탑재된다.
제2아암모듈(4250)은, 제2승강부(4260)와 제2가이드레일(4280)을 포함한다. 일 예에서, 제2승강부(4260)는 제1승강부(4160)과 동일한 구성을 가지고 동일한 원리로 작동된다. 제2승강부(4260)는 제2지지암(4230)을 연직방향으로 승하강시킨다. 제2가이드레일(4280)은 제2방향과 평행하게 제공되며 제2승강부(4260)가 탑재된다. 일 예에서, 제1가이드레일(4180)과 제2가이드레일(4280) 간의 간격은 기판 지지 유닛(412)의 너비보다 짧게 제공된다.
제1승강부(4160)는, 제1구동부(4165) 그리고 제2구동부(4175)를 포함한다. 제1구동부(4165)는, 제1지지암(4130)과 결합되어 제1지지암(4130)을 승하강 시킨다. 제2구동부(4175)는, 제1구동부(4165)와 결합되어 제1구동부(4165)를 승하강 시키며 제1가이드레일(4180)에 장착된다. 일 예에서, 제1구동부(4165)와 제2구동부(4175)는 각각 개별적으로 승하강되도록 제공된다.
제1구동부(4165)는, 제1구동바디(4161)와 제2구동바디(4162)를 갖는다. 제1구동바디(4161)는 제1지지암(4130)과 결합된다. 제2구동바디(4162)는 제1구동바디(4161)와 제2구동부(4175)에 결합된다. 제2구동바디(4162)는, 제1구동기(미도시)와 제1승강레일(4164)을 포함한다. 제1구동기(미도시)는 제1구동바디(4161)에 결합된 제1구동축(4163)에 구동력을 제공한다. 제1승강레일(4164)에는 제1구동바디(4161)가 탑재된다. 제1구동바디(4161)는 제1승강레일(4164)을 따라 승하강된다.
제2구동부(4175)는, 제3구동바디(4171)와 제4구동바디(4172)를 갖는다. 제3구동바디(4171)는 제2구동바디(4162)와 결합된다. 제4구동바디(4172)는 제3구동바디(4171)에 결합된다. 제4구동바디(4172)는, 제2구동기(미도시)와 제2승강레일(4174)을 포함한다. 제2구동기(미도시)는 제3구동바디(4171)에 결합된 제2구동축(4179)에 구동력을 제공한다. 제2승강레일(4174)에는 제3구동바디(4171)가 탑재된다. 제3구동바디(4171)는 제2승강레일(4174)을 따라 승하강된다.
이하 도 내지 도 9 내지 도 18을 참조하여 본 발명의 기판처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대해 설명한다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 기판처리 방법은, 제1노즐이동단계(S10), 제1액공급단계(S20), 제2노즐이동단계(S30), 제2액공급단계(S40), 제1노즐복귀단계(S50) 그리고 제2노즐복귀단계(S60)를 포함한다.
제1노즐이동단계(S10)에서, 도 10 내지 도 11에 도시된 바와 같이 제1노즐(4110)을 제1대기위치에서 제1공정위치로 이동시킨다. 이때, 제1대기위치는, 제1노즐(4110)이 기판 지지 유닛(412)에 대응되지 않는 위치에 놓인 위치로 정의한다. 제1대기위치에서 제1노즐(4110)은, 도 10과 같은 높이에 위치한다. 일 예에서, 제1대기위치는 도 18에 도시된 바와 같이 제1노즐(4110)이 제2방향에서 제2노즐(4210)과 기판 지지 유닛(412) 사이에 놓인 위치일 수 있다. 제1공정위치는, 제1노즐(4110)이 도 12에 도시된 바와 같이 기판 지지 유닛(412)13에 놓인 기판(W)의 중앙 영역에 대응되는 위치에 놓인 위치로 정의한다.
제1노즐이동단계(S10)는, 제1노즐승강과정과 제1노즐이동과정 그리고 제1노즐하강과정을 포함한다.
제1노즐승강과정에서, 제1노즐(4110)이 도 11에 도시된 바와 같이, 연직방향으로 승강된다. 일 예에서, 제1노즐(4110)은 100mm만큼 승강된다. 일 예에서, 제1노즐승강과정에서, 제1구동부(4165)는 50mm 승강되고 제2구동부(4175)도 50mm 승강된다. 예컨대, 제1구동부(4165)와 제2구동부(4175)는 동시에 50mm 승강될 수 있다.
제1노즐이동과정에서, 제1노즐(4110)이 제2방향을 따라 기판(W)의 중앙 영역에 대응되는 영역으로 이동된다. 일 예에서, 제1노즐이동과정에서 제1노즐(4110)은 연직 방향의 높이를 그대로 유지한 채 이동된다.
제1노즐하강과정에서, 제1노즐(4110)이 연직방향으로 하강된다. 일 예에서, 제1노즐(4110)은 100mm만큼 하강된다. 일 예에서, 제1노즐하강과정에서, 제1구동부(4165)가 먼저 50mm하강될 수 있다. 이후에, 제1구동부(4165)와 제2구동부(4175)는 동시에 25mm하강될 수 있다.
제1노즐이동단계(S10) 이후에, 제1액공급단계(S20)에서, 도 12 내지 도 13에 도시된 바와 같이 제1노즐(4110)이 제1공정위치에서 회전하는 기판(W) 상에 제1액을 공급한다. 일 예에서, 제1액공급단계(S20)에서, 제1노즐(4110)의 탄착지점은 기판(W)의 중앙 영역과 기판(W)의 가장 자리 영역 간에 변경될 수 있다. 일 예에서, 제1액공급단계(S20)가 시작될 때, 제1노즐(4110)의 탄착지점은 기판(W)의 중앙 영역이고, 제1액공급단계(S20)가 종료될 때, 제1노즐(4110)의 탄착지점은 기판(W)의 가장자리 영역이다.
제2노즐이동단계(S30)에서, 도 14에 도시된 바와 같이 제2노즐(4210)을 제2대기위치에서 제2공정위치로 이동시킨다. 이때, 제2대기위치는, 제2노즐(4210)이 지지 유닛에 대응되지 않는 위치에 놓인 위치로 정의한다. 일 예에서, 제2대기위치는 도 18에 도시된 바와 같이 제2노즐(4210)이 제1노즐(4110)보다 기판 지지 유닛(412)으로부터 먼 거리에 제공되는 위치일 수 있다. 제2공정위치는, 제2노즐(4210)이 지지 유닛에 놓인 기판(W)의 중앙 영역에 대응되는 위치에 놓인 위치로 정의한다. 일 예에서, 제1대기위치에 놓인 제1지지암(4130)과 제2대기위치에 놓인 제2지지암(4230)의 높이는 동일하게 제공될 수 있다.
제2노즐이동단계(S30)는, 제2노즐(4210)승강과정, 제2노즐(4210)이동과정 그리고 제2노즐(4210)하강과정을 포함한다. 제2노즐(4210)승강과정은 제1노즐승강과정과 유사하게 진행된다.
제2노즐(4210)승강과정에서 제2노즐(4210)이 연직방향으로 승강된다. 일 예에서, 제2노즐(4210)은 120mm 내지 180mm만큼 승강된다. 예컨대, 제2노즐(4210)은 140mm만큼 승강된다. 일 예에서, 제2노즐(4210)승강과정에서, 제3구동부는 70mm 승강되고 제2구동부(4175)는 70mm 승강된다. 예컨대, 제1구동부(4165)와 제4구동부는 동시에 70mm 승강될 수 있다.
일 예에서, 제2노즐(4210)승강과정은 제1액공급단계(S20)가 수행되는 동안 수행될 수 있다. 예컨대, 제1노즐(4110)이 기판(W) 상에 1액을 공급하는 동안 제2노즐(4210)이 연직방향으로 승강되기 시작한다. 제2노즐(4210)승강과정 이후에 제2노즐(4210)이동과정이 수행된다. 제2노즐(4210)이동과정에서 제2노즐(4210)이 제2방향을 따라 기판(W)의 중앙 영역에 대응되는 영역으로 이동된다. 이때, 제2노즐(4210) 및 제2지지암(4230)은 제1노즐(4110) 및 제1지지암(4130)보다 연직방향에서 더 높게 위치하는 바 제1노즐(4110) 유닛과 제2노즐(4210) 유닛의 충돌이 방지된다. 제1노즐(4110)이 기판(W) 상에 제1액을 토출하는 동안, 제2노즐(4210)은 기판(W)의 중앙영역에 대응되는 위치에서 대기한다. 제1노즐(4110)이 기판(W)의 중앙 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역으로 이동되는 도중에 제2노즐(4210)하강과정이 시작된다.
제2노즐(4210)하강과정에서 제2노즐(4210)이 연직방향으로 하강된다. 일 예에서, 제2노즐(4210)은 140mm만큼 하강된다. 일 예에서, 제2노즐(4210)하강과정에서, 제3구동부가 먼저 70mm하강되고, 이후에 제3구동부와 제4구동부가 동시에 35mm하강될 수 있다.
제2노즐이동단계(S30) 이후에, 도 15 내지 도 16에 도시된 바와 같이 제2액공급단계(S40)가 수행된다. 제2액공급단계(S40)에서, 제2노즐(4210)이 제2공정위치에서 회전하는 기판(W) 상에 제2액을 공급한다.
제2노즐(4210)하강과정 이후에, 도 17과 같이 제1노즐복귀단계(S60)가 수행된다. 제1노즐복귀단계(S60)에서, 제1노즐(4110)을 기판(W)의 가장 자리 영역에 대응되는 영역에 위치한다. 제1노즐(4110)은 연직방향으로 승강된다. 이에 제1노즐(4110)의 노즐팁과 같은 구성이 하우징(411) 등과 충돌하는 것을 방지한다. 일 예에서, 제1노즐(4110)은 75mm만큼 승강된다. 일 예에서, 제1노즐복귀단계(S60)에서 제1구동부(4165)가 25mm 승강되고 제2구동부(4175)가 50mm 승강된다. 예컨대, 제1구동부(4165)와 제2구동부(4175)는 동시에 승강될 수 있다. 이후에, 제1노즐(4110)을 제2방향으로 이동시켜 대기위치로 위치시킨다. 일 예에서, 제1노즐복귀단계(S60)는 제2액공급단계(S40)가 수행된 이후에 시작될 수 있다. 대기위치에 위치한 제1노즐(4110)은 다시 75mm만큼 하강된다. 일 예에서, 예컨대, 제1구동부(4165)와 제2구동부(4175)는 동시에 같은 거리만큼 하강될 수 있다. 마찬가지로, 제2액공급단계(S40)가 완료되면, 제2노즐복귀단계(S60)가 수행된다. 제2노즐복귀단계(S60)는 제1노즐복귀단계(S50)와 유사한 방법으로 제2노즐(4210)을 대기위치로 위치시킨다. 제2노즐복귀단계(S60)이 종료되면 제1노즐(4110)과 제2노즐(4210)은 도 18과 같이 대기위치에 놓인다.
상술한 예에서는, 제2노즐이동단계(S30)는 제1액공급단계(S20)가 수행되는 도중에 수행되는 것으로 설명하였다. 그러나. 이와 달리, 제2노즐이동단계(S30)는, 제1노즐이동단계(S10)가 수행되는 도중에 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1지지암(4130)과 제2지지암(4230)은 기판 지지 유닛(412)의 일측에 평행하게 제공되며, 제1가이드레일(4180)과 제2가이드레일(4280) 간의 간격은 기판 지지 유닛(412)의 너비보다 짧게 제공된다. 이에, 하우징 내의 공간 활용도가 높은 이점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 각 노즐은 2단으로 구성된 아암 모듈에 의해 연직방향으로 이동된다. 이에, 노즐을 연직 방향으로 이동시키기 위한 구동부의 스트로크가 짧아지는 이점이 있다. 이에 따라, 각 노즐의 연직 방향 이동 시간 단축되는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 각 노즐은 2단으로 구성된 아암모듈에 의해 연직방향으로 이동 노즐의 높이와 지지 유닛의 높이가 동일하게 제공되더라도, 각 노즐의 연직 방향 이동이 용이한 이점이 있다.
다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 현상 모듈(402)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)의 반송 챔버(330)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 현상 모듈(402)의 반송 챔버(330)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다.
제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 현상 모듈(402)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 도포부 로봇(432)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
1510: 제1처리 유닛
1520: 제2처리 유닛
1530: 제3처리 유닛
1540: 제4처리 유닛
1550: 제5처리 유닛
4000: 액 공급 유닛
4100: 제1노즐유닛
4200: 제2노즐 유닛

Claims (20)

  1. 기판 상으로 액을 토출하는 노즐과;
    상기 노즐을 지지하며 제1방향과 평행하게 제공되는 지지암과;
    상기 지지암을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시키는 아암모듈을 포함하고,
    상기 제1방향은 상기 제2방향과 수직한 방향으로 제공되며,
    상기 아암모듈은,
    상기 지지암을 상기 연직방향으로 승하강시키는 승강부를 포함하고,
    상기 승강부는,
    상기 지지암과 결합되어 상기 지지암을 승하강 시키는 제1구동부와;
    상기 제1구동부와 결합되어 상기 제1구동부를 승하강 시키는 제2구동부를 더 포함하고,
    상기 제1구동부와 상기 제2구동부는 각각 개별적으로 승하강되도록 제공되는 노즐 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아암모듈은,
    상기 제2방향과 평행하게 제공되며 상기 승강부가 탑재되는 가이드레일을 더 포함하는 노즐 유닛.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2구동부는 상기 가이드레일에 장착되는 노즐 유닛.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1구동부는,
    상기 지지암과 결합되는 제1구동바디와;
    상기 제1구동바디와 상기 제2구동부에 결합되는 제2구동바디를 포함하고,
    상기 제2구동바디는,
    상기 제1구동바디에 결합된 제1구동축에 구동력을 제공하는 제1구동기와;
    상기 제1구동바디가 탑재되는 제1승강레일을 더 포함하는 노즐 유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2구동부는,
    상기 제2구동바디와 결합되는 제3구동바디와;
    상기 제3구동바디에 결합된 제4구동바디를 포함하고,
    상기 제4구동바디는,
    상기 제3구동바디에 결합된 제2구동축에 구동력을 제공하는 제2구동기와;
    상기 제3구동바디가 탑재되는 제2승강레일을 더 포함하는 노즐 유닛.
  6. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 제1액을 공급하는 제1노즐유닛과 상기 기판 상에 제2액을 공급하는 제2노즐유닛을 가지는 액 공급 유닛을 포함하며,
    상기 제1노즐유닛은,
    상기 기판 상으로 상기 제1액을 토출하는 제1노즐과;
    상기 제1노즐을 지지하며 제1방향과 평행하게 제공되는 제1지지암과;
    상기 제1지지암을 제2방향 또는 연직방향으로 이동시키는 제1아암모듈을 포함하고,
    상기 제1아암모듈은,
    상기 제1지지암을 상기 연직방향으로 승하강시키는 제1승강부를 포함하고,
    상기 제2노즐유닛은,
    상기 기판 상으로 상기 제2액을 토출하는 제2노즐과;
    상기 제2노즐을 지지하며 상기 제1방향과 평행하게 제공되는 제2지지암과;
    상기 제2지지암을 상기 제2방향 또는 연직방향으로 이동시키는 제2아암모듈을 포함하며,
    상기 제2아암모듈은,
    상기 제2지지암을 상기 연직방향으로 승하강시키는 제2승강부를 포함하고,
    상기 제1지지암과 상기 제2지지암은 상기 지지 유닛의 일측에 평행하게 제공되며,
    상기 제1방향은 상기 제2방향과 수직한 방향으로 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1아암모듈은,
    상기 제2방향과 평행하게 제공되며 상기 제1승강부가 탑재되는 제1가이드레일을 더 포함하고,
    상기 제2아암모듈은,
    상기 제2방향과 평행하게 제공되며 상기 제2승강부가 탑재되는 제2가이드레일을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1가이드레일과 상기 제2가이드레일 간의 간격은 상기 지지 유닛의 너비보다 짧게 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1지지암은,
    상기 제2방향을 기준으로 상기 지지 유닛과 상기 제2지지암 사이에 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1승강부는,
    상기 제1지지암과 결합되어 상기 제1지지암을 승하강 시키는 제1구동부와;
    상기 제1구동부와 결합되어 상기 제1구동부를 승하강 시키며 상기 제1가이드레일에 장착되는 제2구동부를 더 포함하고,
    상기 제1구동부와 상기 제2구동부는 각각 개별적으로 승하강되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1액과 상기 제2액은 서로 상이한 종류의 액인 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1액은 현상액을 포함하고,
    상기 제2액은 린스액을 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제10항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 제1노즐을 제1대기위치에서 제1공정위치로 이동시키는 제1노즐이동 단계와;
    상기 제1노즐이동단계 이후에, 상기 제1노즐이 상기 제1공정위치에서 회전하는 기판 상에 제1액을 공급하는 제1액공급단계와;
    상기 제2노즐을 제2대기위치에서 제2공정위치로 이동시키는 제2노즐이동 단계; 그리고,
    상기 제2노즐이동단계 이후에, 상기 제2노즐이 상기 제2공정위치에서 회전하는 상기 기판 상에 제2액을 공급하는 제2액공급단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2노즐이동단계는,
    상기 제1액공급단계가 수행되는 도중에 수행되는 기판 처리 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1노즐이동단계는,
    상기 제1노즐이 상기 연직방향으로 제1거리만큼 승강되는 제1노즐승강과정과;
    제1노즐승강과정 이후에 상기 제1노즐이 제2방향을 따라 상기 기판의 중앙 영역에 대응되는 영역으로 이동되는 제1노즐이동과정과;
    상기 제1노즐이 상기 연직방향으로 제1거리만큼 하강되는 제1노즐하강과정을 더 포함하는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1노즐승강과정에서,
    상기 제1구동부가 제2거리만큼 승강되고 상기 제2구동부가 제3거리만큼 승강되며,
    상기 제2거리와 상기 제3거리의 합은 상기 제1거리로 제공되는 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1노즐하강과정에서,
    상기 제1구동부가 제4거리만큼 하강된 이후에,
    상기 제1구동부가 제5거리만큼 하강되되,
    상기 제1구동부가 상기 제5거리만큼 하강되는 동시에 상기 제2구동부가 각각 제6거리만큼 하강되며,
    상기 제4거리와 상기 제5거리 그리고 상기 제6거리의 합은 상기 제1거리로 제공되는 기판 처리 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제2노즐이동단계는,
    상기 제2노즐이 상기 연직방향으로 제7거리만큼 승강되는 제1노즐승강과정과;
    제2노즐승강과정 이후에 상기 제2노즐이 제2방향을 따라 상기 기판의 중앙 영역에 대응되는 영역으로 이동되는 제2노즐이동과정과;
    상기 제2노즐이 상기 연직방향으로 제7거리만큼 하강되는 제2노즐하강과정을 더 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제7거리는 상기 제1거리보다 먼 거리로 제공되는 기판 처리 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제2액공급단계 이후에,
    상기 제1노즐을 상기 기판의 가장 자리 영역에 대응되는 위치에서 상기 제7거리만큼 승강 시키고, 상기 제1노즐을 상기 제2방향으로 이동시키는 제1노즐복귀단계를 더 포함하며,
    상기 제7거리는 상기 제1거리보다 짧게 제공되는 기판 처리 방법.
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