KR20190029365A - 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치 - Google Patents

리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190029365A
KR20190029365A KR1020170116812A KR20170116812A KR20190029365A KR 20190029365 A KR20190029365 A KR 20190029365A KR 1020170116812 A KR1020170116812 A KR 1020170116812A KR 20170116812 A KR20170116812 A KR 20170116812A KR 20190029365 A KR20190029365 A KR 20190029365A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lift pin
guide groove
pin
longitudinal axis
connecting block
Prior art date
Application number
KR1020170116812A
Other languages
English (en)
Inventor
이자우
신승원
이수호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170116812A priority Critical patent/KR20190029365A/ko
Priority to US15/944,909 priority patent/US10770337B2/en
Priority to CN201811043669.3A priority patent/CN109494183A/zh
Publication of KR20190029365A publication Critical patent/KR20190029365A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Abstract

리프트 핀 조립체는 제1 종축을 갖는 리프트 핀, 제2 종축을 갖는 리프트 핀 홀더, 및 상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 결합된 리프트 핀이 상기 리프트 핀 홀더의 수평 방향으로 상대적 이동이 가능한 상태로 상기 리프트 핀 홀더의 상단부에 연결되는 핀 연결 블록을 포함한다.

Description

리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치{LIFT PIN ASSEMBLY, SUBSTRATE SUPPORT APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 자세하게, 본 발명은 정전척에 승하강 가능하도록 설치되는 리프트 핀을 갖는 리프트 핀 조립체, 이를 포함하는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위하여 반도체 단위 공정들을 처리하는 기판 처리 장치는 챔버 내부에 기판이 안착되는 기판 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 기판 플레이트에는 상기 기판을 지지하는 복수 개의 리프트 핀들이 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 이 때, 상기 기판 플레이트의 리프트 핀 홀, 리프트 핀 구동 플레이트 등의 가공 오차, 조립 오차, 진공 흡착 등으로 인한 평행도 불일치에 의해 상기 기판 플레이트의 상부와 하부가 틀어지게 되어, 상기 리프트 핀의 기울어짐 및 간섭 현상으로 인해 파티클이 발생하고 응력 집중으로 인해 상기 리프트 핀이 부러지는 문제가 있다.
본 발명의 일 과제는 리프트 핀의 기울어짐을 방지할 수 있는 리프트 핀 조립체를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 상술한 리프트 핀 조립체를 갖는 기판 지지 유닛을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 과제는 상술한 기판 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 리프트 핀 조립체는 제1 방향과 평행한 제1 종축을 갖는 리프트 핀, 상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며 하단부에 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장하는 제1 가이드 홈을 갖는 핀 연결 블록, 및 상기 제1 방향과 평행한 제2 종축을 가지고 상기 핀 연결 블록의 상기 하단부에 연결될 때 상기 제1 가이드 홈 내에서 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 제2 방향으로 이동 가능하도록 수용되는 제1 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 홀더를 포함한다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 리프트 핀 조립체는 제1 방향과 평행한 제1 종축을 갖는 리프트 핀, 상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며 하단부에 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 각각 연장하며 서로 연통된 제1 및 제2 가이드 홈들을 갖는 핀 연결 블록, 및 제1 방향과 평행한 제2 종축을 가지고 상기 핀 연결 블록의 상기 하단부에 연결될 때 상기 제1 가이드 홈 내에서 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 제2 방향으로 이동 가능하도록 수용되는 제1 슬라이딩 부 및 상기 제2 가이드 홈 내에서 상기 제1 방향으로의 이동이 제한되면서 상기 제2 방향으로 이동 가능한 제2 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 홀더를 포함한다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 리프트 핀 조립체는 제1 종축을 갖는 리프트 핀, 제2 종축을 갖는 리프트 핀 홀더, 및 상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 결합된 리프트 핀이 상기 리프트 핀 홀더의 수평 방향으로 상대적 이동이 가능한 상태로 상기 리프트 핀 홀더의 상단부에 연결되는 핀 연결 블록을 포함한다.
상기 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 지지 유닛은 기판이 안착되는 기판 플레이트 및 상기 기판 플레이트 내부에 상하 이동 가능하도록 설치되어 상기 기판을 지지하는 리프트 핀을 포함하는 적어도 하나의 리프트 핀 조립체를 포함한다. 상기 리프트 핀 조립체는 제1 종축을 갖는 리프트 핀, 상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며 하단부에 연장 방향과 수직한 수평 방향으로 각각 연장하며 서로 연통된 제1 및 제2 가이드 홈들을 갖는 핀 연결 블록, 및 제2 종축을 가지고 상기 핀 연결 블록의 상기 하단부에 연결될 때 상기 제1 가이드 홈 내에서 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 수평 방향으로 이동 가능하도록 수용되는 제1 슬라이딩 부 및 상기 제2 가이드 홈 내에서 상기 핀 연결 블록의 상기 연장 방향으로의 이동이 제한되면서 상기 제2 방향으로 이동 가능한 제2 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 홀더를 포함한다.
상기 본 발명의 또 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하기 위한 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 상기 기판이 안착되는 기판 플레이트, 및 상기 기판 플레이트 내부에 상하 이동 가능하도록 설치되어 상기 기판을 지지하는 리프트 핀을 포함하는 적어도 하나의 리프트 핀 조립체를 포함한다. 상기 리프트 핀 조립체는 제1 종축을 갖는 리프트 핀, 상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며 하단부에 연장 방향과 수직한 수평 방향으로 각각 연장하며 서로 연통된 제1 및 제2 가이드 홈들을 갖는 핀 연결 블록, 및 제2 종축을 가지고 상기 핀 연결 블록의 상기 하단부에 연결될 때 상기 제1 가이드 홈 내에서 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 수평 방향으로 이동 가능하도록 수용되는 제1 슬라이딩 부 및 상기 제2 가이드 홈 내에서 상기 핀 연결 블록의 상기 연장 방향으로의 이동이 제한되면서 상기 수평 방향으로 이동 가능한 제2 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 홀더를 포함한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 리프트 핀 조립체는 리프트 핀 및 리프트 핀 홀더 사이에 수평 방향으로의 편심 거리만큼 상대적 이동을 허용하면서 상기 리프트 핀과 상기 리프트 핀 홀더를 연결시키는 핀 홀더 블록을 포함할 수 있다.
따라서, 상기 핀 홀더 블록에 의해 상기 리프트 핀과 상기 리프트 핀 홀더의 중심축을 보정할 수 있도록 자동 조심(Self-aligning) 기능을 수행하여, 정전기 척 상부와 하부의 틀어짐이 있더라도, 상기 리프트 핀이 기울어지지 않고 수직하게 상승 및 하강할 수 있다.
또한, 상기 핀 연결 블록과 상기 리프트 핀 홀더 사이의 수직 방향으로의 상대적 이동이 제한되므로, 상기 핀 연결 블록에 결합된 상기 리프트 핀은 수직 방향으로 움직이지 않도록 제한되어 웨이퍼가 달라붙는 현상(wafer sticking)을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 플레이트에 조립되는 리프트 핀을 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 기판 플레이트에 설치된 리프트 핀 조립체를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 리프트 핀 조립체를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 리프트 핀 조립체의 분해 사시도이다.
도 6은 도 4의 리프트 핀 조립체의 리프트 핀과 리프트 핀 홀더를 연결시키는 핀 연결 블록을 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 6의 리프트 핀 조립체를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 4의 리프트 핀 조립체의 핀 연결 블록을 나타내는 사시도이다.
도 9는 도 7의 A-A' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 10은 도 7의 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 11은 예시적인 실시예들에 따른 핀 연결 블록에 결합되는 리프트 핀을 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 11의 리프트 핀이 핀 연결 블록에 결합된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 12의 C-C' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 14는 도 12의 리프트 핀이 상승된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 15는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1의 기판 플레이트에 조립되는 리프트 핀을 나타내는 사시도이다. 도 3은 도 1의 기판 플레이트에 설치된 리프트 핀 조립체를 나타내는 단면도이다. 도 4는 도 3의 리프트 핀 조립체를 나타내는 사시도이다. 도 5는 도 4의 리프트 핀 조립체의 분해 사시도이다. 도 6은 도 4의 리프트 핀 조립체의 리프트 핀과 리프트 핀 홀더를 연결시키는 핀 연결 블록을 나타내는 사시도이다. 도 7은 도 6의 리프트 핀 조립체를 나타내는 단면도이다. 도 8은 도 4의 리프트 핀 조립체의 핀 연결 블록을 나타내는 사시도이다. 도 9는 도 7의 A-A' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 10은 도 7의 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 웨이퍼(W)와 같은 기판을 처리하기 위한 공간을 제공하는 챔버(20) 및 챔버(20) 내에 배치되며 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛(100)을 포함할 수 있다. 기판 지지 유닛(100)은 상기 기판이 안착되는 기판 플레이트 및 상기 기판 플레이트 내부에서 상하 이동 가능하도록 설치되어 상기 기판을 지지하는 리프트 핀(210)을 포함하는 적어도 하나의 리프트 핀 조립체(200)를 포함할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마 전력 공급부, 바이어스 전력 공급부, 가스 공급부, 배기부를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하기 위한 플라즈마 처리 장치일 수 있다. 예를 들면, 기판 처리 장치(10)는 유도 결합형 플라즈마(ICP, induced coupled plasma) 챔버(20) 내에 배치된 반도체 웨이퍼(W)와 같은 기판 상의 식각 대상막을 식각하기 위한 장치일 수 있다. 하지만, 상기 플라즈마 처리 장치에 의해 생성된 플라즈마는 유도 결합형 플라즈마에 제한되지는 않으며, 예를 들면, 용량 결합형 플라즈마, 마이크로웨이브형 플라즈마를 생성할 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 처리 장치는 반드시 식각 장치로 제한되지 않으며, 예를 들면, 증착 장치, 세정 장치 등으로 사용될 수 있다. 여기서, 상기 기판은 반도체 기판, 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
챔버(20)는 웨이퍼(W) 상에 플라즈마 식각 공정을 수행하기 위한 밀폐된 공간을 제공할 수 있다. 챔버(20)는 알루미늄, 스테인리스 스틸과 같은 금속을 포함할 수 있다. 챔버(20)는 챔버(20)의 상부를 덮는 커버(22)를 포함할 수 있다. 커버(22)는 챔버(20)의 상부를 밀폐시킬 수 있다. 커버(20)는 유전체(dielectric) 창을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판 지지 유닛(100)은 챔버(20) 내부에 배치되어 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 기판 지지 유닛(100)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착할 수 있는 정전척으로 제공될 수 있다. 기판 지지 유닛(100)은 지지 플레이트(110), 절연 플레이트(120), 하부 커버(130) 및 포커스 링(140)을 포함할 수 있다.
지지 플레이트(110)는 기판 지지 유닛(100)의 상부에 위치할 수 있다. 지지 플레이트(110)는 내부에 정전 전극(112)을 포함할 수 있다. 정전 전극(112)은 온-오프(ON-OFF)되는 스위치(114)를 거쳐 직류 전원(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(114)가 온(ON)되면, 정전 전극(112)은 지지 플레이트(110) 상의 웨이퍼(W)에 정전기력을 인가하고, 이에 따라, 정전기력에 의해 웨이퍼(W)는 지지 플레이트(110)에 흡착될 수 있다.
절연 플레이트(120)는 지지 플레이트(110)와 하부 커버(130) 사이에 배치되어 이들 사이를 전기적으로 절연시킬 수 있다.
하부 커버(130)는 기판 지지 유닛(100)의 하부에 위치할 수 있다. 하부 커버(130)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성될 수 있다. 하부 커버(130)의 상면은 절연 플레이트(120)에 의해 커버될 수 있다. 하부 커버(130)의 내부 공간에는 리프트 핀(210)을 상하 방향으로 구동시키는 리프트 핀 구동 플레이트(260)를 포함하는 구동 메커니즘이 배치될 수 있다.
포커스 링(140)은 링 형상을 가지며, 지지 플레이트(110)의 둘레를 따라 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다.
도면에 도시되지는 않았지만, 지지 플레이트(110)는 내부에 히터, 복수 개의 유로들이 형성될 수 있다. 상기 히터는 전원과 전기적으로 연결되어 지지 플레이트(110)를 통해 웨이퍼(W)를 가열시킬 수 있다. 상기 히터는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. 상기 유로는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 상기 유로는 지지 플레이트(110) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 플라즈마 전력 공급부는 상부 전극(40)에 플라즈마 소스 파워를 인가하기 위한 소스 RF 전원(42)을 포함할 수 있다. 소스 RF 전원(42)은 고주파 신호를 발생시킬 수 있다. 상부 전극(40)은 나선 형태 또는 동심원 형태의 코일을 포함할 수 있다. 상기 바이어스 전력 공급부는 기판 지지 유닛(100) 내의 하부 전극(도시되지 않음)에 바이어스 소스 파워를 인가하기 위한 바이어스 RF 전원을 포함할 수 있다.
상기 가스 공급부는 가스 공급관(50), 유량 제어기(52) 및 가스 공급원(54)을 포함할 수 있다. 상기 가스 공급부는 서로 다른 공정 가스들을 챔버(20) 내에 공급할 수 있다.
소정의 주파수(예를 들면, 13.56 MHz)를 갖는 고주파 전력이 상부 전극(40)에 인가되면, 상부 전극(40)에 의해 유도된 전자기장이 챔버(20) 내로 분사된 소스 가스로 인가되어 플라즈마가 생성될 수 있다. 상기 바이어스 전력이 상기 기판 전극에 인가되어 챔버(20) 내에서 발생한 플라즈마 원자 또는 이온을 지지 플레이트(110)를 향하여 끌어당길 수 있다.
상기 배기부는 챔버(20)의 바닥면에 형성된 배기홀(24)에 연결된 배기 라인을 포함할 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 가스는 상기 배기 라인을 통해 외부로 배출될 수 있다. 상기 배기 과정에 의해 챔버(20) 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 리프트 핀(210)은 챔버(20) 내의 처리 공간 내로 반송된 웨이퍼(W)를 반송 메커니즘으로부터 전달받아 지지 플레이트(110)으로 이동시킬 수 있다. 리프트 핀(210)은 지지 플레이트(110)으로 웨이퍼(W)을 안착시키거나 지지 플레이트(110)로부터 웨이퍼(W)을 들어 올리도록 제공된다. 예를 들면, 복수 개의 리프트 핀들(210)이 제공될 수 있다. 리프트 핀(210)은 지지 플레이트(110)를 관통하여 형성된 핀 홀(111) 내에서 상하 방향으로 이동 가능하도록 제공될 수 있다.
이하에서는, 도 3 내지 도 10을 참조하여 리프트 핀 조립체에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 10을 참조하면, 리프트 핀 조립체(200)는 리프트 핀(210), 핀 연결 블록(220) 및 리프트 핀 홀더(230)를 포함할 수 있다. 또한, 리프트 핀 조립체(200)는 리프트 핀 가이드(240), 벨로우즈(250) 및 리프트 핀 구동 플레이트(260)를 더 포함할 수 있다.
리프트 핀 조립체(200)는 기판 지지 유닛(100)의 마운팅 홀에 장착될 수 있다. 상기 마운팅 홀은 지지 플레이트(110)의 핀 홀(111) 및 절연 플레이트(120)를 관통 형성된 핀 가이드 홀(121)을 포함할 수 있다. 핀 홀(111)은 리프트 핀(210)이 내부에서 상하 이동 가능하도록 형성되고, 핀 가이드 수용홀(121)은 리프트 핀 가이드(240)가 고정 설치되도록 설계될 수 있다. 핀 가이드 홀(242)은 리프트 핀 가이드(240)를 관통 형성되고 핀 홀(111)과 연통될 수 있다. 절연 플레이트는(120)는 상기 마운팅 홀 내의 리프트 핀 조립체(200)를 유지할 수 있다. 핀 가이드 홀(242)의 내경 공차는 리프트 핀(210)의 외경 공차를 고려하여 정밀하게 설계되어, 리프트 핀(210)이 흔들림 없이 동작하도록 가이드할 수 있다.
고정 블록(160)은 절연 플레이트(120)의 하부에 고정 설치되고, 블록 수용홀(161)은 고정 블록(160)을 관통 형성되고 핀 가이드 수용홀(121)과 연통될 수 있다. 핀 연결 블록(220)은 블록 수용홀(161) 내에서 상하 이동 가능하도록 수용될 수 있다.
벨로우즈(250)는 핀 연결 블록(220)과 연결된 리프트 핀 홀더(230)를 감싸도록 구성되어 챔버(20)의 내부 공간과 하부 커버(130)의 내부 공간 사이를 서로 격리시킬 수 있다. 벨로우즈(250)의 상단부는 고정 블록(160)의 하부면에 연결되고, 벨로우즈(250)의 하단부는 리프트 핀 구동 플레이트(260)에 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 리프트 핀(210) 및 리프트 핀 홀더(230)는 핀 연결 블록(220)에 의해 서로 연결될 수 있다. 핀 연결 블록(220)은 리프트 핀(210)의 하단부(212)에 결합되고, 리프트 핀 홀더(230)는 핀 연결 블록(220)의 하단부에 연결될 수 있다. 핀 연결 블록(220)은 리프트 핀 홀더(230)에 대하여 수평 방향으로 기 설정된 거리만큼 상대적으로 이동 가능하도록 리프트 핀 홀더(230)에 연결될 수 있다. 또한, 핀 연결 블록(220)은 리프트 핀 홀더(230)에 대하여 수직 방향으로의 상대적 이동이 제한되도록 리프트 핀 홀더(230)에 연결될 수 있다.
구체적으로, 핀 연결 블록(220)에는 리프트 핀(210)의 하단부를 수용하는 결합홀(221)이 형성될 수 있다. 리프트 핀(210)의 하단부의 외측면 및 결합홀(221)의 내측면 각각에는 나사산이 형성되어, 리프트 핀(210)은 핀 연결 블록(220)과 나사 결합될 수 있다. 따라서, 리프트 핀(210)의 높이를 미세하게 조정할 수 있다.
결합홀(221)은 핀 연결 블록(220)의 중심축을 따라 연장 형성될 수 있다. 따라서, 핀 연결 블록(220)의 중심축은 핀 연결 블록(220)에 결합된 리프트 핀(210)의 종축(C1)과 동심축 상에 위치할 수 있다. 리프트 핀(210)과 핀 연결 블록(220)은 동일한 방향으로 연장할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 리프트 핀 조립체(200)는 핀 연결 블록(220)의 결합홀(221)을 관통하여 돌출된 리프트 핀(210)의 상기 하단부와 결합하는 고정 링(228)을 더 포함할 수 있다.
핀 연결 블록(220)의 하부에는 결합홀(221)과 연통되며 고정 링(228)을 수용하기 위한 링 수용홈(226)을 더 포함할 수 있다. 고정 링(228)은 링 수용홈(226) 내에 장착되는 O-링을 포함할 수 있다. 따라서, 고정 링(228)은 리프트 핀(210)의 나사 풀림을 방지할 수 있다.
핀 연결 블록(220)의 하단부에는 리프트 핀 홀더(230)의 상단부를 수용하는 홈이 형성될 수 있다. 구체적으로, 핀 연결 블록(220)의 하단부에는 제1 가이드 홈(222)이 형성될 수 있다. 제1 가이드 홈(222)은 핀 연결 블록(220)의 연장 방향과 수직한 수평 방향(XY 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 리프트 핀 홀더(230)의 제1 슬라이딩 부(232)는 제1 가이드 홈(222) 내에서 수평 방향(XY 방향)으로 기 설정된 거리만큼 이동 가능하도록 수용되어 핀 연결 블록(220)에 연결될 수 있다.
핀 연결 블록(220)의 하단부에는 제2 가이드 홈(224)이 형성될 수 있다. 제1 가이드 홈(222)은 제2 가이드 홈(224)은 서로 연통될 수 있다. 제2 가이드 홈(224)은 핀 연결 블록(220)의 연장 방향과 수직한 수평 방향(XY 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 리프트 핀 홀더(230)의 제2 슬라이딩 부(234)는 제2 가이드 홈(224) 내에서 수평 방향(XY 방향)으로 기 설정된 거리만큼 이동 가능하고 수직 방향(Z 방향)으로의 이동이 제한되도록 수용되어 핀 연결 블록(220)에 연결될 수 있다.
도 7 내지 도 10을 참조하면, 핀 연결 블록(220)의 제1 가이드 홈(222)은 수평 방향(XY 방향)으로 연장하며 대략적으로 원통형 형상을 가지고, 리프트 핀 홀더(230)의 제1 슬라이딩 부(232)는 제1 가이드 홈(222)에 대응하도록 대략적으로 원통형 형상을 가질 수 있다. 제1 슬라이딩 부(232)는 제1 크기의 외경(D1)을 가지고, 제1 가이드 홈(222)은 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 내경(D2)을 가질 수 있다.
리프트 핀(210)의 종축(C1), 즉, 핀 연결 블록(220)의 중심축이 리프트 핀 홀더(230)의 종축(C2)과 동심원 상에 있을 때, 제1 슬라이딩 부(132)는 제1 가이드 홈(222)의 내부면으로부터 기 설정된 제1 거리(L1)만큼 이격될 수 있다. 따라서, 제1 슬라이딩 부(232)는 제1 가이드 홈(222) 내에서 기 설정된 제1 거리(L1)만큼 수평 방향(XY 방향)으로 이동 가능할 수 있다.
제1 가이드 홈(222)은 일측에 외부로 개방된 제1 개방부(223a) 및 제1 개방부(223a)의 반대측에 제1 폐쇄부(223b)를 가질 수 있다. 제1 개방부(223a)는 제1 슬라이딩 부(132)의 외경(D1)보다 약간 크고 제1 가이드 홈(222)의 내경(D2)보다 작은 폭(W3)을 가질 수 있다. 따라서, 리프트 핀 홀더(230)의 제1 슬라이딩 부(232)는 제1 개방부(223a)를 통해 제1 가이드 홈(222) 내에 수용될 수 있다.
핀 연결 블록(220)의 제2 가이드 홈(224)은 일 방향(예를 들면, Y 방향)으로 연장하며 대략적으로 플레이트 형상을 가지고, 리프트 핀 홀더(230)의 제2 슬라이딩 부(234)는 제2 가이드 홈(224)에 대응하도록 일 방향(Y 방향)으로 연장하며 대략적으로 플레이트 형상을 가질 수 있다. 제2 슬라이딩 부(234)는 제3 크기의 폭(W1)을 가지고, 제2 가이드 홈(224)은 상기 제3 크기보다 큰 제4 크기의 폭(W2)을 가질 수 있다.
제2 가이드 홈(232)은 양측에 외부로 개방된 제2 개방부들(225a)을 가질 수 있다. 따라서, 리프트 핀 홀더(230)의 제2 슬라이딩 부(234)는 제2 개방부(225a)를 통해 제2 가이드 홈(224) 내에 수용될 수 있다.
리프트 핀(210)의 종축(C1), 즉, 핀 연결 블록(220)의 중심축이 리프트 핀 홀더(230)의 종축(C2)과 동심원 상에 있을 때, 제2 슬라이딩 부(234)는 제2 가이드 홈(224)의 내부면으로부터 기 설정된 제2 거리(L2)만큼 이격될 수 있다. 따라서, 제2 슬라이딩 부(234)는 제2 가이드 홈(224) 내에서 기 설정된 제2 거리(L2)만큼 수평 방향(XY 방향)으로 이동 가능할 수 있다.
제2 슬라이딩 부(234)의 폭(W1)은 제1 가이드 홈(222)의 내경(D1)보다 클 수 있다. 제2 가이드 홈(224)은 기 설정된 두께(T)를 가지고, 제2 슬라이딩 부(234)는 제2 가이드 홈(224) 내에 수용되어 수직 방향(Z 방향)으로 이동하는 것이 제한되도록 두께 공차를 가질 수 있다. 따라서, 제2 슬라이딩 부(234)는 제2 가이드 홈(224) 내에서 수직 방향(Z 방향)으로의 상대적 이동이 제한되면서 수평 방향(XY 방향)으로의 상대적 이동이 가능하도록 제2 가이드 홈(224) 내에 수용될 수 있다.
리프트 핀 홀더(230)의 상단부에는 핀 수용홈(236)이 형성될 수 있다. 핀 수용홈(236)은 리프트 핀 홀더(230)의 상부면의 중앙부에 형성될 수 있다. 핀 수용홈(236)의 중심축은 리프트 핀 홀더(230)의 종축(C2)과 동심축 상에 위치할 수 있다. 핀 연결 블록(220)과 리프트 핀 홀더(230)가 서로 상대적으로 수평 방향으로 기 설정된 거리만큼 이동할 때 리프트 핀(210)의 상기 하단부가 리프트 핀 홀더(230)와 접촉하지 않도록, 리프트 핀 수용홈(236)은 충분한 크기의 내경을 가질 수 있다. 예를 들면, 리프트 핀(210)의 종축(C1), 즉, 핀 연결 블록(220)의 중심축이 리프트 핀 홀더(230)의 종축(C2)과 동심원 상에 있을 때, 리프트 핀 수용홈(236)의 내부면은 리프트 핀(210)의 외측면과 일정 거리만큼 이격될 수 있다.
이하에서는, 핀 연결 블록에 의한 리프트 핀의 자동 조심에 대하여 설명하기로 한다.
도 11은 예시적인 실시예들에 따른 핀 연결 블록에 결합되는 리프트 핀을 나타내는 단면도이다. 도 12는 도 11의 리프트 핀이 핀 연결 블록에 결합된 상태를 나타내는 단면도이다. 도 13은 도 12의 C-C' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 14는 도 12의 리프트 핀이 상승된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 11 내지 도 14를 참조하면, 서로 연결된 핀 연결 블록(220)과 리프트 핀 홀더(230)이 기판 지지 유닛(100)의 마운팅 홀에 장착된 후, 리프트 핀(210)은 핀 홀(111)과 핀 가이드 홀(242)을 통해 핀 연결 블록(220)에 결합될 수 있다. 이 때, 기판 지지 유닛의 상부(지지 플레이트, 절연 플레이트)와 하부(하부 커버) 사이의 틀어짐으로 인해, 리프트 핀(210)의 종축(C1)이 리프트 핀 홀더(230)의 종축(C2)으로부터 일정 거리만큼 편심된 상태로 리프트 핀(210)이 핀 연결 블록(220)에 삽입 고정될 수 있다. 핀 연결 블록(220)은 리프트 핀 홀더(230)로부터 편심된 리프트 핀(210)에 의해 리프트 핀 홀더(230)로부터 일정 거리(E)만큼 이동될 수 있다.
도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 리프트 핀(210)이 결합된 핀 연결 블록(220)은 리프트 핀 홀더(230)로부터 종축들(C1, C2) 사이의 편심 거리(E)만큼 수평 방향, 즉, X 방향으로 이동될 수 있다. 리프트 핀(210)이 핀 연결 블록(220)과 함께 수평 방향으로 편심 거리(E)만큼 이동된 상태로 리프트 핀 홀더(230)에 연결될 수 있다.
도 14에 도시된 바와 같이, 상부 플레이트(110, 120)가 하부 커버(130)에 대해 틀어져 있더라도, 리프트 핀(210)은 리프트 핀 홀더(230)로부터 수평 방향으로 편심되고 리프트 핀(210)의 종축(C1)은 지지 플레이트(110)의 수평면에 대하여 수직한 방향으로 상승할 수 있다. 이에 따라, 리프트 핀(210)의 기울어짐을 방지하여 승하강 시 핀 홀(111)의 내부면과 접촉하여 파티클이 발생하거나 부러지는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 리프트 핀 조립체는 리프트 핀(210) 및 리프트 핀 홀더(230) 사이에 수평 방향으로의 편심 거리만큼 상대적 이동을 허용하면서 리프트 핀(210)과 리프트 핀 홀더(230)를 연결시키는 핀 홀더 블록(220)을 포함할 수 있다.
띠라서, 기판 지지 유닛의 상부와 하부의 틀어짐이 있더라도, 핀 연결 블록(230)는 리프트 핀(210)이 기울어지지 않고 수직하게 상승 및 하강을 가능하게 할 수 있다.
또한, 핀 연결 블록(230)과 리프트 핀 홀더(220) 사이의 수직 방향으로의 상대적 이동이 제한되므로, 핀 연결 블록(230)에 결합된 리프트 핀(210)은 수직 방향으로 움직이지 않도록 제한되어 웨이퍼가 달라붙는 현상(wafer sticking)을 방지할 수 있다.
이하에서는, 도 1의 리프트 핀 조립체가 설치된 기판 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에서 수행되는 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 15는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다. 상기 기판 처리 방법은 플라즈마 식각 공정을 수행하여 반도체 장치를 제조하기 위해 사용될 수 있다.
도 1 및 도 15를 참조하면, 챔버(20) 내에 웨이퍼를 로딩한 후(S100), 챔버(20) 내에 공정 가스를 공급할 수 있다(S110).
먼저, 반도체 웨이퍼(W)를 챔버(20) 내의 기판 지지 유닛(100)의 기판 플레이트(110) 상에 로딩할 수 있다. 가스 공급관(50)으로부터 공정 가스(예를 들면, 식각 공정 가스)를 챔버(20) 내에 도입하고, 배기홀(24)에 연결된 배기부를 통해 챔버(20) 내의 압력을 기 설정된 값으로 조정할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 반송 메커니즘(도시되지 않음)에 웨이퍼(W)가 기판 플레이트(110)의 상부에 위치하면, 리프트 구동 플레이트(260)는 상승하여 리프트 핀(210)을 기판 플레이트(110)의 상부면으로부터 상승시킬 수 있다. 상기 반송 로봇은 웨이퍼(W)를 리프트 핀(210) 상에 안착시킨 후, 리프트 구동 플레이트(260)가 하강함에 따라 리프트 핀(210)은 기판 플레이트(110)의 핀 홀(111) 내부로 하강하여 웨이퍼(W)를 기판 플레이트(110) 상에 안착시킬 수 있다.
이어서, 정전 전극(112)은 지지 플레이트(110) 상의 웨이퍼(W)에 정전기력을 인가하고, 이에 따라, 정전기력에 의해 웨이퍼(W)는 지지 플레이트(110)에 흡착될 수 있다.
이 때, 기판 지지 유닛(100)의 상부와 하부가 가공 오차, 조립 오차 및 진공에 의한 변형 등에 의해 틀어짐이 발생하더라도 리프트 핀 조립체(200)의 자동 조심에 의해 리프트 핀(210)은 기울어지지 않고 수직하게 상승 및 하강할 수 있다.
이어서, 챔버(20) 내에 플라즈마를 형성하고(S120), 기판 상의 식각 대상막에 식각 공정을 수행할 수 있다(S130).
상부 전극(40)에 플라즈마 소스 파워가 인가되면 상부 전극(40)에 의해 유도된 전자기장이 챔버(20) 내로 분사된 소스 가스로 인가되어 플라즈마가 생성될 수 있다. 기판 지지 유닛(100)의 기판 전극에 바이어스 전력이 인가되어 챔버(20) 내에서 발생한 플라즈마 원자 또는 이온을 지지 플레이트(110)를 향하여 끌어당길 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상의 식각 대상막의 식각 공정을 수행할 수 있다.
이후, 상기 식각 공정이 완료된 후, 챔버(20)로부터 상기 기판을 언로딩할 수 있다(S140).
예시적인 실시예들에 있어서, 리프트 구동 플레이트(260)가 상승함에 따라 리프트 핀(210)은 기판 플레이트(110)의 상부면으로부터 상승하여 웨이퍼(W)를 기판 플레이트(110)로부터 들어올릴 수 있다. 상기 반송 메커니즘은 웨이퍼(W)를 홀딩한 후 챔버(20)로부터 언로딩할 수 있다.
전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 로직 소자나 메모리 소자와 같은 반도체 소자를 제조하는 데 사용될 수 있다. 상기 반도체 소자, 예를 들어 중앙처리장치(CPU, MPU), 애플리케이션 프로세서(AP) 등과 같은 로직 소자, 예를 들어 에스램(SRAM) 장치, 디램(DRAM) 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치, 및 예를 들어 플래시 메모리 장치, 피램(PRAM) 장치, 엠램(MRAM) 장치, 알램(RRAM) 장치 등과 같은 불휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 기판 처리 장치 120: 챔버
22: 커버 24: 배기홀
40: 상부 전극 42: 소스 RF 전원
50: 가스 공급관 52: 유량 제어기
54: 가스 공급원 100: 기판 지지 유닛
110: 지지 플레이트 111: 핀 홀
112: 정전 전극 114: 스위치
116: 직류 전원 120: 절연 플레이트
121: 핀 가이드 수용홀 130: 하부 커버
140: 포커스 링 160: 고정 블록
161: 블록 수용홀 200: 리프트 핀 조립체
210: 리프트 핀 220: 핀 연결 블록
221: 결합홀 2 222: 제1 가이드 홈
223a: 제1 개방부 223b: 제1 폐쇄부
224: 제2 가이드 홈 225a: 제2 개방부
228: 고정 링 230: 리프트 핀 홀더
232: 제1 슬라이딩 부 234: 제2 슬라이딩 부
236: 핀 수용홈 240: 리프트 핀 가이드
242: 핀 가이드 홀 250: 벨로우즈
260: 리프트 핀 구동 플레이트

Claims (20)

  1. 제1 방향과 평행한 제1 종축을 갖는 리프트 핀;
    상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며, 하단부에 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장하는 제1 가이드 홈을 갖는 핀 연결 블록; 및
    상기 제1 방향과 평행한 제2 종축을 가지고, 상기 핀 연결 블록의 상기 하단부에 연결될 때 상기 제1 가이드 홈 내에서 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 제2 방향으로 이동 가능하도록 수용되는 제1 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 홀더를 포함하는 리프트 핀 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 종축과 상기 제2 종축이 동심원 상에 있을 때, 상기 제1 슬라이딩 부는 상기 제1 가이드 홈의 내부면으로 기 설정된 거리만큼 이격되는 리프트 핀 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 슬라이딩 부는 제1 크기의 외경을 갖고 상기 제1 가이드 홈은 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 내경을 갖는 리프트 핀 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 핀 연결 블록은 상기 제1 종축과 동일한 제3 종축을 갖도록 상기 리프트 핀과 결합되는 리프트 핀 조립체.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 핀 연결 블록은 상기 리프트 핀의 하단부를 수용하며 나사 결합되는 결합홀을 갖는 리프트 핀 조립체.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 핀 연결 블록의 상기 결합홀을 관통하여 돌출된 상기 리프트 핀의 상기 하단부와 결합하여 나사 풀림을 방지하기 위한 고정 링을 더 포함하는 리프트 핀 조립체.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 핀 연결 블록은 상기 제1 가이드 홈과 연통하고 상기 제2 방향으로 연장하는 제2 가이드 홈을 갖고, 상기 리프트 핀 홀더는 상기 제2 가이드 홈 내에서 상기 제1 방향으로의 이동이 제한되면서 상기 제2 방향으로 이동 가능한 제2 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 조립체.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 종축과 상기 제2 종축이 동심원 상에 있을 때, 상기 제2 슬라이딩 부는 상기 제2 가이드 홈의 내부면으로부터 기 설정된 거리만큼 이격되는 리프트 핀 조립체.
  9. 제 4 항에 있어서, 상기 제2 슬라이딩 부는 제3 크기의 외경을 갖고 상기 제2 가이드 홈은 상기 제3 크기보다 큰 제4 크기의 내경을 갖는 리프트 핀 조립체.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 슬라이딩 부의 외경은 상기 제1 가이드 홈의 외경보다 큰 리프트 핀 조립체.
  11. 제1 방향과 평행한 제1 종축을 갖는 리프트 핀;
    상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며, 하단부에 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 각각 연장하며 서로 연통된 제1 및 제2 가이드 홈들을 갖는 핀 연결 블록; 및
    제1 방향과 평행한 제2 종축을 가지고, 상기 핀 연결 블록의 상기 하단부에 연결될 때 상기 제1 가이드 홈 내에서 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 제2 방향으로 이동 가능하도록 수용되는 제1 슬라이딩 부 및 상기 제2 가이드 홈 내에서 상기 제1 방향으로의 이동이 제한되면서 상기 제2 방향으로 이동 가능한 제2 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 홀더를 포함하는 리프트 핀 조립체.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 종축과 상기 제2 종축이 동심원 상에 있을 때, 상기 제1 슬라이딩 부는 상기 제1 가이드 홈의 내부면으로 제1 거리만큼 이격되고 상기 제2 슬라이딩 부는 상기 제2 가이드 홈의 내부면으로부터 적어도 상기 제1 거리만큼 이격되는 리프트 핀 조립체.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 슬라이딩 부는 제1 크기의 외경을 갖고 상기 제1 가이드 홈은 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 내경을 가지며,
    상기 제2 슬라이딩 부는 상기 제2 크기보다 큰 제3 크기의 외경을 갖고 상기 제2 가이드 홈은 상기 제3 크기보다 큰 제4 크기의 내경을 갖는 리프트 핀 조립체.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 핀 연결 블록은 상기 리프트 핀의 하단부를 수용하며 나사 결합되는 결합홀을 갖는 리프트 핀 조립체.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가이드 홈들은 상기 제1 및 제2 슬라이딩 부들을 각각 내부로 도입하기 위해 외부로 개구된 제1 및 제2 개방부들을 각각 구비하는 리프트 핀 조립체.
  16. 제1 종축을 갖는 리프트 핀;
    제2 종축을 갖는 리프트 핀 홀더; 및
    상기 리프트 핀의 하단부에 결합되며, 상기 제1 종축이 상기 제2 종축으로부터 편심된 거리만큼 상기 결합된 리프트 핀이 상기 리프트 핀 홀더의 수평 방향으로 상대적 이동이 가능한 상태로 상기 리프트 핀 홀더의 상단부에 연결되는 핀 연결 블록을 포함하는 리프트 핀 조립체.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 핀 연결 블록은 하단부에 연장 방향에 직교하는 수평 방향으로 연장하는 제1 가이드 홈을 갖고, 상기 리프트 핀 홀더는 상기 핀 연결 블록의 상기 하단부에 연결될 때 상기 제1 가이드 홈 내에서 상기 제1 방향으로 이동 가능하도록 수용되는 제1 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 조립체.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제1 슬라이딩 부의 외경은 제1 크기를 갖고 상기 제1 가이드 홈의 내경은 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 리프트 핀 조립체.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 핀 연결 블록은 상기 제1 가이드 홈과 연통하고 상기 수평 방향으로 연장하는 제2 가이드 홈을 갖고, 상기 리프트 핀 홀더는 상기 제2 가이드 홈 내에서 상기 핀 연결 블록의 상기 연장 방향의 이동이 제한되면서 상기 수평 방향으로 이동 가능한 제2 슬라이딩 부를 갖는 리프트 핀 조립체.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 제2 슬라이딩 부의 외경은 제3 크기를 갖고 상기 제2 가이드 홈의 내경은 상기 제3 크기보다 큰 제4 크기를 갖는 리프트 핀 조립체.
KR1020170116812A 2017-09-12 2017-09-12 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치 KR20190029365A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170116812A KR20190029365A (ko) 2017-09-12 2017-09-12 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치
US15/944,909 US10770337B2 (en) 2017-09-12 2018-04-04 Lift pin assembly, substrate support apparatus and substrate processing apparatus having the same
CN201811043669.3A CN109494183A (zh) 2017-09-12 2018-09-07 升降针组件、衬底支撑单元和衬底处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170116812A KR20190029365A (ko) 2017-09-12 2017-09-12 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190029365A true KR20190029365A (ko) 2019-03-20

Family

ID=65631490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170116812A KR20190029365A (ko) 2017-09-12 2017-09-12 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10770337B2 (ko)
KR (1) KR20190029365A (ko)
CN (1) CN109494183A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022020334A1 (en) * 2020-07-22 2022-01-27 Applied Materials, Inc. Lift pin interface in a substrate support
WO2022192206A1 (en) * 2021-03-12 2022-09-15 Applied Materials, Inc. Lift pin mechanism
US11501994B2 (en) 2019-03-22 2022-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus including edge ring

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4018262B1 (en) * 2019-08-20 2023-06-21 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and lithographic apparatus
CN112420592A (zh) * 2019-08-23 2021-02-26 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种含可调节升降顶针组件的等离子处理装置及其方法
CN110610895A (zh) * 2019-09-29 2019-12-24 江苏鲁汶仪器有限公司 一种用于平台的弹簧顶针机构及真空等离子处理腔体
KR20210076345A (ko) 2019-12-16 2021-06-24 삼성전자주식회사 리프트 핀 모듈
JP2021108334A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 東京エレクトロン株式会社 載置台、基板処理装置及び伝熱ガス供給方法
CN113488370A (zh) * 2021-07-06 2021-10-08 北京屹唐半导体科技股份有限公司 用于等离子体处理设备的升降销组件

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3028462B2 (ja) 1995-05-12 2000-04-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US6958098B2 (en) * 2000-02-28 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer support lift-pin assembly
KR100709713B1 (ko) 2001-01-31 2007-04-19 삼성전자주식회사 건식 식각 장비
KR100808374B1 (ko) 2003-12-27 2008-02-27 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조설비의 포토레지스트 경화장치
KR20050070772A (ko) 2003-12-30 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 베이킹 장치
KR20060082091A (ko) 2005-01-11 2006-07-14 삼성전자주식회사 반도체 기판 처리장치
CN101495668A (zh) * 2005-01-18 2009-07-29 Asm美国公司 晶片支撑销组件
KR100968814B1 (ko) 2008-05-14 2010-07-08 세메스 주식회사 리프트 핀 구조체 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR100989852B1 (ko) 2008-08-19 2010-10-29 세메스 주식회사 리프트 핀 구조체 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101537675B1 (ko) 2008-10-07 2015-07-17 엘지디스플레이 주식회사 도포막용 건조로
US9011602B2 (en) 2009-01-29 2015-04-21 Lam Research Corporation Pin lifting system
KR20100100269A (ko) 2009-03-06 2010-09-15 주식회사 코미코 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
KR20130015614A (ko) 2011-08-04 2013-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101281403B1 (ko) 2011-11-07 2013-07-02 주식회사 엘지실트론 에피텍셜 반응기 및 에피텍셜 반응기의 리프트 핀
KR20150120750A (ko) 2014-04-18 2015-10-28 주성엔지니어링(주) 리프트핀 가이드 조립체
US10892180B2 (en) * 2014-06-02 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly
KR101638497B1 (ko) 2015-01-07 2016-07-11 심경식 기판 리프트핀 및 기판 처리 장치
US10879046B2 (en) * 2015-09-11 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Substrate support with real time force and film stress control
US10332778B2 (en) * 2015-11-11 2019-06-25 Lam Research Corporation Lift pin assembly and associated methods

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11501994B2 (en) 2019-03-22 2022-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus including edge ring
WO2022020334A1 (en) * 2020-07-22 2022-01-27 Applied Materials, Inc. Lift pin interface in a substrate support
WO2022192206A1 (en) * 2021-03-12 2022-09-15 Applied Materials, Inc. Lift pin mechanism

Also Published As

Publication number Publication date
US20190080955A1 (en) 2019-03-14
US10770337B2 (en) 2020-09-08
CN109494183A (zh) 2019-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190029365A (ko) 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치
CN108630514B (zh) 基板处理装置
US9978632B2 (en) Direct lift process apparatus
US11257691B2 (en) Substrate processing apparatus
KR102488217B1 (ko) 기판 처리 장치
CN109509694B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
KR102487930B1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
JP5399245B2 (ja) 処理システムでワークピースを扱うための装置及び方法
KR20210052491A (ko) 탑재대, 기판 처리 장치, 에지 링 및 에지 링의 반송 방법
CN110690096B (zh) 静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法
KR20150025903A (ko) 기판처리장치
JP2022023211A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20140136748A (ko) 이동유닛
KR102622055B1 (ko) 에지 링의 패드 부착 방법 및 장치
JP7450666B2 (ja) 返送アセンブリー及びこれを有する基板処理装置
KR102600534B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102504269B1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102593139B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230317434A1 (en) Carrier for end effector, transportation apparatus including the same and the substrate processing apparatus
KR102491002B1 (ko) 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US20230207288A1 (en) Substrate treatment apparatus
KR100723378B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US20230215706A1 (en) Lift pin unit and unit for supporting substrate and substrate treating apparatus
KR20230101682A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230100555A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법