JP2018200420A - 露光装置および基板処理装置 - Google Patents
露光装置および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018200420A JP2018200420A JP2017105673A JP2017105673A JP2018200420A JP 2018200420 A JP2018200420 A JP 2018200420A JP 2017105673 A JP2017105673 A JP 2017105673A JP 2017105673 A JP2017105673 A JP 2017105673A JP 2018200420 A JP2018200420 A JP 2018200420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- exposure apparatus
- support
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 197
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 83
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 123
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 46
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000005571 horizontal transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000002408 directed self-assembly Methods 0.000 description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920005590 poly(ferrocenyl dimethylsilane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
以下、本発明の実施の形態に係る露光装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
図4および図5は、図1の昇降部300の詳細な構成例を示す模式的側面図である。図6は、昇降部300の外観斜視図である。以下の説明では、水平面上で図3の直線DLと平行な方向を幅方向と呼び、水平面上で直線DLと直交する方向を前後方向と呼ぶ。
図7は、冷却部141の構成例を示す模式的断面図である。図7の冷却部141は、略円板形状の冷却板146および伝熱シート148を含む。冷却板146は、アルミニウム等の金属からなる。冷却板146の内部には冷却路147が形成されている。冷却路147は、例えば、冷却板146内でスパイラル状に延びる。冷却路147を通して冷却媒体(例えば、恒温水)が循環されることにより、冷却板146が冷却される。伝熱シート148は、非金属でかつ高い熱伝導性を有する材料(例えばシリコン)からなり、冷却板146の上面を覆うように設けられる。開口部141aは、冷却板146に形成された開口146aおよび伝熱シート148に形成された開口148aを含む。
図1の露光装置100においては、光源部163から基板Wに真空紫外線が照射されることにより露光処理が行われる。しかしながら、筐体121内の酸素濃度が高い場合、酸素分子が真空紫外線を吸収して酸素原子に分離するとともに、分離した酸素原子が他の酸素分子と再結合することによりオゾンが発生する。この場合、基板Wに到達する真空紫外線が減衰する。真空紫外線の減衰は、約230nmよりも長い波長の紫外線の減衰に比べて大きい。
図8は、図1の制御部110の構成を示す機能ブロック図である。図8に示すように、制御部110は、閉塞制御部1、昇降制御部2、排気制御部3、給気制御部4、濃度取得部5、濃度比較部6、照度取得部7、露光量算出部8、露光量比較部9および投光制御部10を含む。
図9〜図12は、露光装置100の動作を説明するための模式図である。図9〜図12においては、一部の構成要素の図示が省略されるとともに、筐体121およびハウジング161が一点鎖線で示される。図13および図14は、図8の制御部110により行われる露光処理の一例を示すフローチャートである。以下、図9〜図12を参照しながら制御部110による露光処理を説明する。
図15は、露光装置100の変形例を示す外観斜視図である。図15の露光装置100について、図1の露光装置100と異なる点を説明する。図15の露光装置100は、架台400,450および位置決め機構500を含む。
図21は、図1の露光装置100を備えた基板処理装置の全体構成を示す模式的ブロック図である。以下に説明する基板処理装置200においては、ブロック共重合体の誘導自己組織化(DSA)を利用した処理が行われる。具体的には、基板Wの被処理面上に誘導自己組織化材料を含む処理液が塗布される。その後、誘導自己組織化材料に生じるミクロ相分離により基板Wの被処理面上に2種類の重合体のパターンが形成される。2種類の重合体のうち一方のパターンが溶剤により除去される。
本実施の形態に係る露光装置100においては、載置板151が待機位置にあるときに、処理室120内への基板Wの搬入および処理室120外への基板Wの搬出が行われ、載置板151が処理位置にあるときに、光源部163により載置板151上の基板Wに真空紫外線が照射される。載置板151は一対の支持軸152によって支持され、その一対の支持軸152を連結する連結部材310が駆動機構153によって昇降されることにより、載置板151が待機位置と処理位置との間で昇降される。
(a)上記実施の形態において、載置板151が一対の支持軸152により支持されるが、3以上の支持軸152により載置板151が支持されてもよい。図23は、支持軸152および連結部材310の他の例を示す模式的平面図である。図23においては、載置板151が一点鎖線で示される。図23の例では、載置板151が3本の支持軸152により支持される。3本の支持軸152は、連結部材315により連結される。連結部材315は、連結部315a,315b,315cを含む。連結部315aは、幅方向に延びる。連結部315b,315cは、連結部315aの両端部から駆動装置360を挟みかつ互いに近づくように前後方向に延びる。連結部315bの一端部と連結部315cの一端部とは互いに連結される。2本の支持軸152の下端部が連結部315aの両端部に固定され、残り1本の支持軸152の下端部が連結部315bと連結部315cとの連結部分に固定される。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
Claims (11)
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内に向けて下方に真空紫外線を照射可能に設けられた光源部と、
前記処理室内でかつ前記光源部の下方で基板が載置される載置部と、
前記処理室内への基板の搬入および前記処理室外への基板の搬出の際に前記載置部が第1の位置にあり、前記光源部による基板への真空紫外線の照射の際に前記載置部が前記第1の位置よりも上方の第2の位置にあるように、前記載置部を昇降させる昇降部とを備え、
前記昇降部は、
前記載置部を支持する複数の支持軸と、
前記複数の支持軸を互いに連結する連結部材と、
前記連結部材を昇降させる昇降駆動機構と、
上下方向に延びる案内部材と、
前記案内部材に沿って上下方向に移動可能に前記連結部材に設けられる移動部とを含む、露光装置。 - 前記昇降駆動機構は、
上下方向に延びるねじ軸と、
前記ねじ軸を回転させる回転駆動部と、
前記ねじ軸の回転により上下方向に移動するように前記ねじ軸に取り付けられるねじ移動部材とを含み、
前記連結部材は、前記ねじ移動部材と一体的に上下方向に移動するように構成される、請求項1記載の露光装置。 - 前記回転駆動部は、前記ねじ軸と平行に延びる回転軸を有し、
前記昇降駆動機構は、
前記ねじ軸と一体的に回転する第1のプーリと、
前記回転軸と一体的に回転する第2のプーリと、
前記第1のプーリの外周面と前記第2のプーリの外周面とに巻き掛けられるベルトとを含む、請求項2記載の露光装置。 - 前記載置部が前記第1の位置にあるときに前記載置部を冷却するように前記処理室に設けられる冷却部をさらに備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記載置部は下面を有し、
前記冷却部は、前記載置部の下面に接触する接触面を有する、請求項4記載の露光装置。 - 前記冷却部から上方に延びる複数の支持ピンをさらに備え、
前記載置部は、基板が載置される上面を有し、
前記複数の支持ピンの各々の上端は前記第1の位置にある前記載置部の前記上面よりも高くかつ前記第2の位置にある前記載置部の前記上面よりも低く、
前記載置部は、前記複数の支持ピンが通過可能な複数の貫通孔を有し、
前記複数の支持ピンは、前記載置部が前記第1の位置にあるときに前記載置部の前記複数の貫通孔を貫通する、請求項4または5記載の露光装置。 - 前記光源部を支持する第1の架台と、
前記処理室を支持する第2の架台と、
前記第1の架台に対して前記第2の架台を移動させる架台移動機構とをさらに備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記架台移動機構は、
回転操作可能な第1のハンドルと、
前記第2の架台を支持しつつ前記第2の架台と一体的に昇降可能な支持昇降部材と、
前記第1のハンドルの回転力を前記支持昇降部材に伝達することにより前記支持昇降部材を昇降させるように構成された昇降伝達機構とを含む、請求項7記載の露光装置。 - 前記架台移動機構は、
回転操作可能な第2のハンドルと、
前記第2の架台を支持しつつ前記第2の架台と一体的に水平方向に移動可能な支持移動部材と、
前記第2のハンドルの回転力を前記支持移動部材に伝達することにより前記支持移動部材を水平方向に移動させるように構成された水平伝達機構とを含む、請求項7または8記載の露光装置。 - 基板に処理液を塗布することにより基板に膜を形成する塗布処理部と、
前記塗布処理部により膜が形成された基板を熱処理する熱処理部と、
前記熱処理部により熱処理された基板を露光する請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置と、
前記露光装置により露光された基板に現像処理を行う現像処理部とを備える、基板処理装置。 - 処理液は、誘導自己組織化材料を含む、請求項10記載の基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017105673A JP6803296B2 (ja) | 2017-05-29 | 2017-05-29 | 露光装置および基板処理装置 |
PCT/JP2018/017408 WO2018221115A1 (ja) | 2017-05-29 | 2018-05-01 | 露光装置および基板処理装置 |
TW107115851A TWI666525B (zh) | 2017-05-29 | 2018-05-10 | 曝光裝置及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017105673A JP6803296B2 (ja) | 2017-05-29 | 2017-05-29 | 露光装置および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018200420A true JP2018200420A (ja) | 2018-12-20 |
JP6803296B2 JP6803296B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=64454569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017105673A Active JP6803296B2 (ja) | 2017-05-29 | 2017-05-29 | 露光装置および基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6803296B2 (ja) |
TW (1) | TWI666525B (ja) |
WO (1) | WO2018221115A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021047335A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US11281108B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-03-22 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Exposure device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102359376B1 (ko) * | 2020-06-03 | 2022-02-08 | 한국고요써모시스템(주) | 기판의 열처리 오븐 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07326584A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JPH08313855A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2002231792A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2003284986A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2012166302A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Tokyo Electron Ltd | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2008806A (en) * | 2011-07-22 | 2013-01-24 | Asml Holding Nv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5890255B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-03-22 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
EP2950328A4 (en) * | 2012-11-30 | 2017-01-25 | Nikon Corporation | Suction apparatus, carry-in method, conveyance system, light exposure device, and device production method |
CN106255924B (zh) * | 2014-05-06 | 2019-12-10 | Asml荷兰有限公司 | 衬底支座、用于在衬底支撑位置上加载衬底的方法、光刻设备和器件制造方法 |
WO2017060028A1 (en) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table and lithographic apparatus |
-
2017
- 2017-05-29 JP JP2017105673A patent/JP6803296B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-01 WO PCT/JP2018/017408 patent/WO2018221115A1/ja active Application Filing
- 2018-05-10 TW TW107115851A patent/TWI666525B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07326584A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JPH08313855A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2002231792A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2003284986A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2012166302A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Tokyo Electron Ltd | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021047335A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US11281108B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-03-22 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Exposure device |
JP7295755B2 (ja) | 2019-09-19 | 2023-06-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201901307A (zh) | 2019-01-01 |
TWI666525B (zh) | 2019-07-21 |
JP6803296B2 (ja) | 2020-12-23 |
WO2018221115A1 (ja) | 2018-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101922260B1 (ko) | 노광 장치, 기판 처리 장치, 기판의 노광 방법 및 기판 처리 방법 | |
JP6543064B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
WO2018221115A1 (ja) | 露光装置および基板処理装置 | |
KR101846652B1 (ko) | 노광 장치 및 기판 처리 장치 | |
KR102103632B1 (ko) | 노광 장치, 기판 처리 장치, 기판의 노광 방법 및 기판 처리 방법 | |
TWI751218B (zh) | 曝光裝置、曝光裝置之調整方法及記憶媒體 | |
JP7124277B2 (ja) | 光処理装置及び基板処理装置 | |
TWI706226B (zh) | 曝光裝置、基板處理裝置、基板之曝光方法及基板處理方法 | |
WO2018190273A1 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
WO2018173344A1 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
WO2018159005A1 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
WO2018159006A1 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
JP2019057640A (ja) | 露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法 | |
JP2019057641A (ja) | 露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法 | |
JP7295754B2 (ja) | 露光装置 | |
KR102233465B1 (ko) | 기판반송유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 | |
KR102223762B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
KR20230014949A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200814 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6803296 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |