JP7295755B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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(1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図2は、図1の基板処理装置100のうち一部の構成要素の動作を説明するための斜視図である。図1に示すように、基板処理装置100は、露光装置であり、光出射部10、処理室20、下蓋部材30、基板支持部40、給気部50、排気部60、昇降駆動部70および制御部80を含む。
図3~図5は、図1の下蓋部材30および基板支持部40の構成を示す断面図である。図3~図5に示すように、下蓋部材30は、平板部31および複数の収容管32を含む。平板部31は、図1の光出射部10の出射面13Sに対向する平坦な上面31aと、その反対の下面31bとを有する。複数の支持部材33は、平板部31の上面31に設けられる。複数の収容管32は、複数の貫通孔34にそれぞれ対応する。各収容管32は、平板部31の下面31bから一定距離下方に延びる内周面32aと、底面32bとを有する。
上記のように、基板処理装置100においては、基板Wに例えば172nmの波長を有する真空紫外線が照射されることにより基板処理が行われる。ここで、基板Wに向かう真空紫外線の経路上に多量の酸素が存在すると、酸素分子が真空紫外線を吸収して酸素原子に分離するとともに、分離した酸素原子が他の酸素分子と再結合することによりオゾンが発生する。この場合、基板Wに到達する真空紫外線が減衰する。真空紫外線の減衰は、約230nmよりも長い波長の紫外線の減衰に比べて大きい。そこで、基板処理装置100においては、酸素濃度が低く維持された処理空間20S内で基板Wに真空紫外線が照射される。以下、露光処理時における基板処理装置100の基本動作について説明する。
図12は、図1の制御部80の構成を示す図である。図13および図14は、図12の制御部80により実行される露光処理のアルゴリズムの一例を示すフローチャートである。図12に示すように、制御部80は、機能部として、搬入出部81、密閉部82、置換部83、濃度判定部84および露光部85を含む。制御部80のCPUがメモリに記憶された露光プログラムを実行することにより、制御部80の機能部が実現される。制御部80の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。以下、図12の制御部80ならびに図13および図14のフローチャートを用いて露光処理を説明する。
図15は、図1の基板処理装置100を備える基板処理システムの一例を示す模式的ブロック図である。図15に示すように、基板処理システム200は、基板処理装置100に加えて、制御装置210、搬送装置220、熱処理装置230、塗布装置240および現像装置250を備える。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、基板Wを収容可能な処理空間20Sを形成する処理室20の下方に下蓋部材30が配置される。各支持ピン41の外面41aが下蓋部材30の対応する貫通孔34を通して上下方向に延びる。各支持ピン41の外面41aを取り囲みかつ下蓋部材30に接するようにシール部材38が配置される。各支持ピン41の外面41aから外方に突出しかつ外面41aを取り囲むように突出部41Aが設けられる。
(1)基板処理装置の構成
第1の実施の形態に係る基板処理装置100においては、下蓋部材30は複数の支持部材33を含むが、実施の形態はこれに限定されない。下蓋部材30が複数の支持部材33を含まなくてもよい。図16は、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置100の構成を示す模式的断面図である。図16の基板処理装置100が図1の基板処理装置100と異なる点を説明する。
図19~図21は、図16の下蓋部材30および基板支持部40の構成を示す断面図である。図19~図21に示すように、各貫通孔34は、下部孔34aと、下部孔34aの上部に配置された上部孔34bとを有し、平板部31を貫通するように形成される。本実施の形態における下部孔34aおよび上部孔34bの寸法は、第1の実施の形態における下部孔34aおよび上部孔34bとそれぞれ同様である。各上部孔34b内には、シール部材38が設けられる。
図22~図27は、図16の基板処理装置100の基本動作を説明するための模式的側面図である。基板処理装置100に電源が投入される前の初期状態において、エアシリンダ72の駆動軸72aは突出位置pc2にあるとする。この場合、下蓋部材30は閉塞位置pa2にあり、複数の支持ピン41は処理位置pb2にある。基板処理装置100の電源がオン状態になると、エアシリンダ72の駆動軸72aが退避位置pc1に移動することにより、図22に白抜きの矢印a11,a12で示すように、下蓋部材30が開放位置pa1に移動するとともに複数の支持ピン41が受け渡し位置pb1に移動する。
図28は、第2の実施の形態における露光処理のアルゴリズムの一例を示すフローチャートである。図28に示すように、本実施の形態における露光処理は、ステップS1,S3,S12に代えてステップS1A,S3A,S12Aが実行される点を除き、第1の実施の形態における図13および図14の露光処理と基本的に同様である。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、昇降駆動部70により、下蓋部材30が閉塞位置pa2とその下方の開放位置pa1との間で上下方向に移動され、複数の支持ピン41が処理位置pb2とその下方の受け渡し位置pb1との間で上下方向に移動される。下蓋部材30が開放位置pa1に移動されることにより、処理室20の下部開口22が開放される。また、各支持ピン41が受け渡し位置pb1に移動されることにより、基板処理装置100の外部から複数の支持ピン41の上端部41bに基板Wを渡すとともに、複数の支持ピン41の上端部41bから基板処理装置100の外部に基板Wを渡すことが可能になる。
(1)第1の実施の形態において、下蓋部材30は複数の収容管32を含むが、実施の形態はこれに限定されない。平板部31の上下方向の厚みが十分に大きく、各支持ピン41の上端部41bおよび各支持ピン41に設けられた突出部41Aが対応する貫通孔34内に収容可能である場合には、下蓋部材30は複数の収容管32を含まなくてもよい。
上記実施の形態においては、基板Wが基板の例であり、基板処理装置100が基板処理装置の例であり、処理空間20Sが処理空間の例であり、下部開口22が下部開口の例である。処理室20が処理室の例であり、貫通孔34が貫通孔の例であり、開放位置pa1が開放位置の例であり、閉塞位置pa2が閉塞位置の例であり、下蓋部材30が閉塞部材の例である。
[5]参考形態
(1)本参考形態に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を収容可能な処理空間を形成するとともに下部開口を有する処理室と、貫通孔が形成されるとともに処理室の下方に配置され、閉塞位置で下部開口を閉塞可能でかつ閉塞位置の下方の開放位置で下部開口を開放可能な閉塞部材と、貫通孔を通して上下方向に延びる外面を有しかつ閉塞部材が開放位置にあるときに閉塞部材よりも上方で基板の下面を支持可能な第1の上端部を有する第1の基板支持部と、閉塞位置と開放位置との間で閉塞部材を上下方向に移動させる昇降駆動部と、第1の基板支持部の外面を取り囲みかつ閉塞部材に接するように配置されたシール部材と、第1の基板支持部の外面から外方に突出しかつ外面を取り囲むように設けられ、閉塞部材が閉塞位置にあるときに、シール部材に密着することにより第1の基板支持部と閉塞部材の貫通孔との間を密封する突出部とを備える。
この基板処理装置においては、基板を収容可能な処理空間を形成する処理室の下方に閉塞部材が配置される。第1の基板支持部の外面が閉塞部材の貫通孔を通して上下方向に延びる。第1の基板支持部の外面を取り囲みかつ閉塞部材に接するようにシール部材が配置される。第1の基板支持部の外面から外方に突出しかつ外面を取り囲むように突出部が設けられる。昇降駆動部により、閉塞部材が閉塞位置とその下方の開放位置との間で上下方向に移動される。
この構成によれば、閉塞部材が開放位置に移動されることにより、処理室の下部開口が開放される。この場合、基板処理装置の外部から第1の基板支持部の第1の上端部に基板を渡すとともに、第1の基板支持部の第1の上端部から基板処理装置の外部に基板を渡すことが可能になる。
一方、閉塞部材が閉塞位置に移動されることにより、処理空間に基板を収容した処理室の下部開口が閉塞される。そのため、処理空間内で基板の処理を行うことが可能になる。また、突出部とシール部材とが密着することにより、第1の基板支持部と閉塞部材の貫通孔との間が密封される。これにより、閉塞部材が貫通孔を有する場合でも、処理室の気密性が低下することが防止される。その結果、処理室を高い気密性で密閉することができる。
(2)基板処理装置は、閉塞部材が閉塞位置にあるときに処理空間内で基板の下面を支持可能な第2の上端部を有し、閉塞部材に設けられる第2の基板支持部をさらに備え、第1および第2の基板支持部は、昇降駆動部が閉塞部材を開放位置から閉塞位置に上昇させることにより下部開口を閉塞したときに第1の基板支持部の第1の上端部で支持されていた基板が第2の基板支持部の第2の上端部で支持され、昇降駆動部が閉塞部材を閉塞位置から開放位置に下降させることにより下部開口を開放したときに第2の基板支持部の第2の上端部で支持されていた基板が第1の基板支持部の第1の上端部で支持されるように設けられてもよい。
この場合、閉塞部材が開放位置から閉塞位置に上昇されることにより、基板が第1の基板支持部から第2の基板支持部に渡され、第2の基板支持部により処理空間内で基板が支持される。そのため、簡単な制御で基板を処理空間に収容しつつ処理室を高い気密性で密閉することができる。また、閉塞部材が閉塞位置から開放位置に下降されることにより、基板が第2の基板支持部から第1の基板支持部に渡される。そのため、簡単な制御で基板を処理空間から取り出し、基板処理装置の外部に搬出することができる。
(3)第2の基板支持部の第2の上端部は、閉塞部材が開放位置にあるときに第1の基板支持部の第1の上端部よりも下方に位置し、閉塞部材が閉塞位置にあるときに第1の基板支持部の第1の上端部よりも上方に位置してもよい。この場合、簡単な構成で閉塞部材が開放位置から閉塞位置に上昇される際に、基板を第1の基板支持部から第2の基板支持部に渡すことができる。また、簡単な構成で閉塞部材が閉塞位置から開放位置に下降される際に、基板を第2の基板支持部から第1の基板支持部に渡すことができる。
(4)閉塞部材は、上面および下面を有する平板部と、平板部の下面から下方に延びる内周面および底面を有する収容管とを含み、貫通孔は、収容管の底面に形成されかつ第1の内径を有する下部孔と、平板部に形成されかつ第1の内径よりも大きい第2の内径を有する上部孔と、第1の内径よりも大きい第3の内径を有する収容管の内部空間とにより構成され、シール部材は、収容管の内部空間に収容されるように収容管の底面に配置され、突出部および第1の基板支持部の第1の上端部は、閉塞部材が閉塞位置にあるときに収容管の内部空間に収容されてもよい。
この場合、閉塞部材の全体が上下方向に厚くなることを防止しつつ、第1の基板支持部の第1の上端部を収容管の内部空間に収容することが可能である。そのため、閉塞部材が閉塞位置にあるときには、第1の基板支持部が閉塞部材から上下方向に突出しない。これにより、処理空間を小型化することができる。
(5)第1の基板支持部は、閉塞部材が閉塞位置にあるときに処理位置で基板を支持し、閉塞部材が開放位置にあるときに処理位置の下方の受け渡し位置で基板を支持するように上下方向に移動可能に構成されてもよい。この場合、第1の基板支持部により処理空間内で基板が支持された状態で、処理室を高い気密性で密閉することができる。
(6)昇降駆動部は、閉塞部材のストロークが第1の基板支持部のストロークよりも大きくなるように閉塞部材および第1の基板支持部を上下方向に移動させてもよい。この場合、閉塞部材が閉塞位置にありかつ第1の基板支持部が処理位置にあるときに、突出部とシール部材とを容易に密着させることができる。これにより、第1の基板支持部と閉塞部材の貫通孔との間を容易に密封することができる。
(7)基板処理装置は、昇降駆動部として、閉塞部材を上下方向に移動させる第1の昇降駆動部と、第1の基板支持部を上下方向に移動させる第2の昇降駆動部と備えてもよい。この場合でも、閉塞部材が閉塞位置にありかつ第1の基板支持部が処理位置にあるときに、突出部とシール部材とを容易に密着させることができる。これにより、第1の基板支持部と閉塞部材の貫通孔との間を容易に密封することができる。
(8)貫通孔は、第1の内径を有する下部孔と、第1の内径よりも大きい第2の内径を有する上部孔とを有し、シール部材は、下部孔と上部孔との段差面上に配置されてもよい。この場合、シール部材の少なくとも一部が貫通孔内に配置されるので、閉塞部材からのシール部材の上下方向の突出量が小さくなる。これにより、処理空間を小型化することができる。
(9)上部孔は、シール部材を収容するとともに、突出部の少なくとも一部を収容可能に構成されてもよい。この場合、シール部材が閉塞部材から上下方向に突出しない。これにより、処理空間をより小型化することができる。
(10)基板処理装置は、突出部による第1の基板支持部と閉塞部材の貫通孔との間の密封時に第1の基板支持部を下方に押圧する押圧部材をさらに備えてもよい。この場合、閉塞部材の貫通孔がより強固に密封される。これにより、処理室の気密性をより向上させることができる。
(11)処理室は、上部開口をさらに有し、基板処理装置は、上部開口を塞ぐように処理室の上方に設けられかつ処理空間に露光光を出射可能な光出射部をさらに備えてもよい。この構成によれば、処理室が上部開口を有する場合でも、上部開口が光出射部により塞がれるので、処理室の気密性が低下することが防止される。そのため、密閉された処理室内の処理空間において、高い精度で基板に露光処理を行うことができる。
(12)基板処理装置は、処理空間に不活性ガスを供給する給気部と、処理空間内の雰囲気を処理空間の外部へ排出する排気部とをさらに備えてもよい。この場合、処理室が高い気密性で密閉されているので、処理空間内の雰囲気を高い効率で不活性ガスに置換することができる。また、処理空間内の酸素濃度が低減された環境下で基板に処理を行うことができる。
(13)シール部材は、Oリングまたはパッキンを含んでもよい。この場合、基板支持部と閉塞部材の貫通孔との間を容易に密封することができる。
Claims (13)
- 基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板を収容可能な処理空間を形成するとともに下部開口を有する処理室と、
前記処理室の上方に設けられ、前記処理空間に露光光を出射可能な光出射部と、
貫通孔が形成されるとともに前記処理室の下方に配置され、閉塞位置で前記下部開口を閉塞可能でかつ前記閉塞位置の下方の開放位置で前記下部開口を開放可能な閉塞部材と、
前記貫通孔を通して上下方向に延びる外面を有しかつ前記閉塞部材が前記開放位置にあるときに前記閉塞部材よりも上方で基板の下面を支持可能な第1の上端部を有する第1の基板支持部と、
前記閉塞位置と前記開放位置との間で前記閉塞部材を上下方向に移動させる昇降駆動部と、
前記第1の基板支持部の前記外面を取り囲みかつ前記閉塞部材に接するように配置されたシール部材と、
前記第1の基板支持部の前記外面から外方に突出しかつ前記外面を取り囲むように設けられ、前記閉塞部材が前記閉塞位置にあるときに、前記シール部材に密着することにより前記第1の基板支持部と前記閉塞部材の前記貫通孔との間を密封する突出部と、
前記閉塞部材が前記閉塞位置にあるときに、基板の上面が前記光出射部に一定距離まで近接する状態で、前記処理空間内で基板の下面を支持可能な第2の上端部を有し、前記閉塞部材に設けられる第2の基板支持部とを備える、基板処理装置。 - 前記第1および第2の基板支持部は、前記昇降駆動部が前記閉塞部材を前記開放位置から前記閉塞位置に上昇させることにより前記下部開口を閉塞したときに前記第1の基板支持部の前記第1の上端部で支持されていた基板が前記第2の基板支持部の前記第2の上端部で支持され、前記昇降駆動部が前記閉塞部材を前記閉塞位置から前記開放位置に下降させることにより前記下部開口を開放したときに前記第2の基板支持部の前記第2の上端部で支持されていた基板が前記第1の基板支持部の前記第1の上端部で支持されるように設けられる、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第2の基板支持部の前記第2の上端部は、前記閉塞部材が前記開放位置にあるときに前記第1の基板支持部の前記第1の上端部よりも下方に位置し、前記閉塞部材が前記閉塞位置にあるときに前記第1の基板支持部の前記第1の上端部よりも上方に位置する、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記閉塞部材は、上面および下面を有する平板部と、前記平板部の下面から下方に延びる内周面および底面を有する収容管とを含み、
前記貫通孔は、前記収容管の前記底面に形成されかつ第1の内径を有する下部孔と、前記平板部に形成されかつ前記第1の内径よりも大きい第2の内径を有する上部孔と、前記第1の内径よりも大きい第3の内径を有する前記収容管の内部空間とにより構成され、
前記シール部材は、前記収容管の前記内部空間に収容されるように前記収容管の前記底面に配置され、
前記突出部および前記第1の基板支持部の前記第1の上端部は、前記閉塞部材が前記閉塞位置にあるときに前記収容管の前記内部空間に収容される、請求項2または3記載の基板処理装置。 - 前記第1の基板支持部は、前記閉塞部材が前記閉塞位置にあるときに処理位置で基板を支持し、前記閉塞部材が前記開放位置にあるときに前記処理位置の下方の受け渡し位置で基板を支持するように上下方向に移動可能に構成される、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記昇降駆動部は、前記閉塞部材のストロークが前記第1の基板支持部のストロークよりも大きくなるように前記閉塞部材および前記第1の基板支持部を上下方向に移動させる、請求項5記載の基板処理装置。
- 前記昇降駆動部として、前記閉塞部材を上下方向に移動させる第1の昇降駆動部と、前記第1の基板支持部を上下方向に移動させる第2の昇降駆動部と備える、請求項5記載の基板処理装置。
- 前記貫通孔は、第1の内径を有する下部孔と、前記第1の内径よりも大きい第2の内径を有する上部孔とを有し、
前記シール部材は、前記下部孔と前記上部孔との段差面上に配置される、請求項5~7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記上部孔は、前記シール部材を収容するとともに、前記突出部の少なくとも一部を収容可能に構成される、請求項8記載の基板処理装置。
- 前記突出部による前記第1の基板支持部と前記閉塞部材の前記貫通孔との間の密封時に前記第1の基板支持部を下方に押圧する押圧部材をさらに備える、請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理室は、上部開口をさらに有し、
前記光出射部は、前記上部開口を塞ぐように前記処理室の上方に設けられる、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理空間に不活性ガスを供給する給気部と、
前記処理空間内の雰囲気を前記処理空間の外部へ排出する排気部とをさらに備える、請求項1~11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記シール部材は、Oリングまたはパッキンを含む、請求項1~12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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