CN110100301B - 曝光装置、衬底处理装置、衬底曝光方法及衬底处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的曝光装置(100)具备投光部(160)、照度计(183)、遮光部(190)、投光控制部(12)。通过投光部向衬底(W)的被处理面照射真空紫外线。在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间,通过照度计接收一部分真空紫外线,并计测所接收到的真空紫外线的照度。在照射期间,通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。基于通过照度计所计测出的照度,使投光部停止向衬底照射真空紫外线。
Description
技术领域
本发明涉及一种对衬底进行曝光处理的曝光装置、衬底处理装置、衬底曝光方法及衬底处理方法。
背景技术
近年来,为了使形成于衬底的图案微细化,持续开发着利用嵌段共聚物的定向自组装(DSA:Directed Self Assembly)的光刻技术。在这种光刻技术中,对涂布有嵌段聚合物的衬底实施加热处理后,衬底的一面被曝光,由此嵌段聚合物被改质。在该处理中,要求准确调整衬底的曝光量。
专利文献1中记载有一种对衬底上的含有定向自组装材料的膜(DSA膜)进行曝光处理的曝光装置。曝光装置具有能出射截面呈带状的真空紫外线的光出射部,且构成为能使衬底以横切来自光出射部的真空紫外线的路径的方式从光出射部的前方位置向后方位置移动。在曝光处理前,真空紫外线的照度已通过照度传感器预先检测获得,基于所检测出的照度,以照射所希望的曝光量的真空紫外线为目标,计算出衬底的移动速度。在曝光处理时,衬底以所计算出的移动速度移动,由此对衬底上的DSA膜照射所希望的曝光量的真空紫外线。
专利文献1:日本专利特开2016-183990号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
若长时间使用曝光装置,则照度传感器会劣化,并且其特性会变化。因此,照度传感器的更换及维护的频率增加。若频繁进行照度传感器的更换或维护,则曝光装置的运用成本会增加,并且会因为曝光装置的停运时间长期化而导致运转效率降低。
本发明的目的在于,提供一种能提高运转效率的曝光装置、衬底处理装置、曝光方法及衬底处理方法。
[解决问题的技术手段]
(1)本发明的一态样的曝光装置具备:投光部,以能向衬底的被处理面照射真空紫外线的方式设置;照度计,具有在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间接收一部分真空紫外线的受光面,计测所接收到的真空紫外线的照度;遮光部,在照射期间断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射;及投光控制部,以向衬底照射真空紫外线的方式控制投光部,并且基于通过照度计所计测出的照度,以停止向衬底照射真空紫外线的方式控制投光部。
在该曝光装置中,通过投光部向衬底的被处理面照射真空紫外线。在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间,通过照度计接收一部分真空紫外线,并计测所接收到的真空紫外线的照度。在照射期间,通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。基于通过照度计所计测出的照度,使投光部停止向衬底照射真空紫外线。
根据该构成,真空紫外线断断续续地向照度计照射,因此照度计的劣化速度降低。因此,照度计的寿命变长。于是,无需频繁进行照度计的更换及维护。由此,能降低曝光装置的运用成本,并且使曝光装置的停运时间最小化。结果,能提高曝光装置的运转效率。
(2)也可为:照度计设置于在照射期间能接收到来自投光部的一部分真空紫外线的位置,且遮光部包含:遮光部件,能以在照射期间断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射的方式移动;及第1驱动部,使遮光部件移动。在这种情况下,能以简单的构成断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。
(3)也可为:遮光部包含使照度计交替地移动至第1位置与第2位置的第2驱动部,该第1位置是在照射期间能接收到来自投光部的一部分真空紫外线的位置,该第2位置是不能接受到来自投光部的真空紫外线的位置。在这种情况下,能以简单的构成断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。
(4)也可为:投光部构成为向衬底的一面的整体区域及衬底外的区域照射真空紫外线,且照度计于在照射期间真空紫外线至少入射至受光面时,位于衬底外的区域。在这种情况下,照度计能不与衬底发生干涉地计测真空紫外线的照度。
(5)也可为:衬底具有圆形形状,投光部中的真空紫外线的出射部具有矩形形状,该矩形形状内包含相当于衬底的区域的圆形区域,且照度计的受光面是以在照射期间能移动至从投光部的出射部的除了圆形区域以外的角部区域出射的真空紫外线所能入射的位置的方式,或以位置固定的方式配置。在这种情况下,能不使曝光装置大型化地配置照度计。
(6)也可为:照度计是以受光面位于以照射期间的衬底的被处理面为基准的一定高度的方式配置。在这种情况下,从投光部到达衬底的被处理面的真空紫外线的衰减率与从投光部到达照度计的受光面的真空紫外线的衰减率相关。因此,能基于通过照度计所计测出的照度准确获取到向衬底的被处理面照射的真空紫外线的照度。由此,能基于通过照度计所计测出的照度准确计算出衬底的曝光量。
(7)也可为:照度计是以受光面位于与照射期间的衬底的被处理面相同高度的方式配置。在这种情况下,从投光部到达衬底的被处理面的真空紫外线的衰减率与从投光部到达照度计的受光面的真空紫外线的衰减率相等。由此,向衬底的被处理面照射的真空紫外线的照度与通过照度计所计测出的照度相等。结果,能基于通过照度计所计测出的照度更加容易地计算出衬底的曝光量。
(8)也可为:曝光装置还具备:处理室,收容处理对象的衬底;载置部,在处理室内,设置于投光部的下方,载置衬底;及载置控制部,以在处理室内与外部之间交接衬底时,使载置部移动至第3位置,在投光部出射真空紫外线时,使载置部移动至第3位置上方的第4位置的方式,控制载置部。在这种情况下,能使衬底不与投光部发生干涉地在处理室内与外部之间容易地交接。另外,在从投光部向衬底照射真空紫外线时,光源部与衬底近接,因此能以较好的效率将衬底曝光。
(9)也可为:照度计追随着载置部的移动在上下方向移动。这种情况下,即便是在载置部移动的过程中,照度计的受光面也位于以真空紫外线的照射期间的衬底的被处理面为基准的一定高度。因此,即便是在载置部移动的过程中向衬底照射了真空紫外线的情况下,也能计算出衬底的准确曝光量。于是,通过在衬底搬入处理室内后,即便是载置部在第3位置与第4位置之间移动的过程中也向衬底照射真空紫外线,能在更短时间内结束衬底的曝光。
(10)也可为:载置部包含:第1部分,载置衬底;及第2部分,在接收真空紫外线时配置照度计。在这种情况下,能容易地使照度计追随着载置部的移动在上下方向移动。
(11)本发明的另一态样的衬底处理装置具备:涂布处理部,通过对衬底涂布处理液而在衬底形成膜;热处理部,对通过涂布处理部形成有膜的衬底进行热处理;本发明的一态样的曝光装置,将通过热处理部加以热处理后的衬底曝光;及显影处理部,向通过曝光装置加以曝光后的衬底供给溶剂,由此使衬底的膜显影。
在该衬底处理装置中,通过涂布处理部对衬底涂布处理液,由此在衬底形成膜。通过热处理部对利用涂布处理部形成有膜的衬底进行热处理。通过所述曝光装置将利用热处理部加以热处理后的衬底曝光。通过显影处理部向利用曝光装置加以曝光后的衬底供给溶剂,由此使衬底的膜显影。
在曝光装置中,真空紫外线断断续续地向照度计照射,因此照度计的劣化速度降低,照度计的寿命变长。由此,能降低曝光装置的运用成本,并且使曝光装置的停运时间最小化。结果,能提高曝光装置的运转效率。
(12)也可为:处理液含有定向自组装材料。在这种情况下,通过对涂布有包含定向自组装材料的处理液的衬底进行热处理,衬底的一面上发生微相分离。另外,通过微相分离使形成有2种聚合物的图案的衬底曝光及显影。由此,能将2种聚合物中的一者去除,而形成经微细化的图案。
(13)本发明的进而另一态样的曝光方法包含如下步骤:通过投光部向衬底的被处理面照射真空紫外线;在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间,通过照度计接收一部分真空紫外线,并计测所接收到的真空紫外线的照度;在照射期间,通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射;及基于通过照度计所计测出的照度,使投光部停止向衬底照射真空紫外线。
根据曝光方法,真空紫外线断断续续地向照度计照射,因此照度计的劣化速度降低,照度计的寿命变长。由此,能降低曝光装置的运用成本,并且使曝光装置的停运时间最小化。结果,能提高曝光装置的运转效率。
(14)本发明的进而另一态样的衬底处理方法包含如下步骤:通过涂布处理部对衬底的被处理面涂布处理液,由此在衬底形成膜;通过热处理部对利用涂布处理部形成有膜的衬底进行热处理;本发明的进而另一态样的曝光方法,是通过曝光装置将利用热处理部加以热处理后的衬底曝光;及通过显影处理部向利用曝光装置加以曝光后的衬底的被处理面供给溶剂,由此使衬底的膜显影。
根据该衬底处理方法,通过真空紫外线来将在形成有膜后且显影前的衬底曝光。在曝光方法中,真空紫外线断断续续地向照度计照射,因此照度计的劣化速度降低,照度计的寿命变长。由此,能降低曝光装置的运用成本,并且使曝光装置的停运时间最小化。结果,能提高曝光装置的运转效率。
[发明效果]
根据本发明,能提高曝光装置的运转效率。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的曝光装置的构成的示意性剖视图。
图2是用来说明照度计的配置的图。
图3是曝光装置的立体剖视图。
图4是曝光装置的纵剖视图。
图5是表示框体内的氧浓度与排气时间的关系的曲线图。
图6是表示通过光源部向衬底照射的真空紫外线的照度与光源部的点亮时间的关系的曲线图。
图7是表示图1的控制部的构成的功能框图。
图8是用来说明曝光装置的动作的示意图。
图9是用来说明曝光装置的动作的示意图。
图10是用来说明曝光装置的动作的示意图。
图11是用来说明曝光装置的动作的示意图。
图12是表示通过图7的控制部所进行的曝光处理的一个例子的流程图。
图13是表示通过图7的控制部所进行的曝光处理的一个例子的流程图。
图14是表示通过图7的控制部所进行的曝光处理的一个例子的流程图。
图15是表示具备图1的曝光装置的衬底处理装置的整体构成的示意性框图。
图16(a)~(d)是表示利用图15的衬底处理装置所实施的衬底的处理的一个例子的示意图。
图17是本发明的第2实施方式中的曝光装置的立体剖视图。
图18是图17的曝光装置的纵剖视图。
图19是本发明的第3实施方式中的曝光装置的立体剖视图。
图20是图19的曝光装置的纵剖视图。
具体实施方式
[1]第1实施方式
(1)曝光装置的构成
以下,使用附图对本发明的第1实施方式的曝光装置、衬底处理装置、曝光方法及衬底处理方法进行说明。此外,在以下的说明中,所谓衬底,是指半导体衬底、用于液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence,电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display,平板显示器)的衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底或太阳电池用衬底等。
图1是表示本发明的第1实施方式的曝光装置的构成的示意性剖视图。如图1所示,曝光装置100包含控制部110、处理室120、闭塞部130、交接部140、升降部150、投光部160、置换部170、计测部180及遮光部190。控制部110从计测部180获取计测值,并且控制闭塞部130、升降部150、投光部160、置换部170及遮光部190的动作。关于控制部110的功能,将在下文进行叙述。
处理室120包含具有上部开口及内部空间的框体121、环状部件122及被覆部件123。在框体121的侧面,形成有用来在框体121的内部与外部之间搬送处理对象的衬底W的搬送开口121a。此外,本实施方式中,在处理对象的衬底W,形成有包含定向自组装材料的膜(以下,称作DSA(Directed Self Assembly)膜)。另外,在框体121的底面,形成有供下述升降部150的连结部件152通过的开口部121b。
下述投光部160的壳体161隔着环状部件122配置在框体121的上部,由此将框体121的上部开口闭塞。在框体121与环状部件122之间、及环状部件122与壳体161之间,分别安装有密封部件s1、s2。另外,以覆盖环状部件122的外周面的方式,在框体121与壳体161之间安装有被覆部件123。
闭塞部130包含挡闸131、棒状的连结部件132、及驱动装置133。连结部件132将挡闸131与驱动装置133连结。驱动装置133例如为步进马达。驱动装置133使挡闸131在挡闸131将搬送开口121a开放的开放位置与挡闸131将搬送开口121a闭塞的闭塞位置之间移动。
在挡闸131安装有密封部件131a。在挡闸131位于闭塞位置的状态下,密封部件131a与框体121的围着搬送开口121a的部分密接,由此使框体121的内部密闭。此外,为了防止密封部件131a与框体121的摩擦,驱动装置133在使挡闸131于开放位置与闭塞位置之间移动时,使挡闸131在与框体121分离的状态下沿上下方向移动。
在驱动装置133,安装有分别检测挡闸131的上限位置及下限位置的位置传感器133a、133b。位置传感器133a、133b将检测结果提供给控制部110。在本实施方式中,驱动装置133及下述驱动装置153、192设置于处理室120之外。因此,即便是在由于驱动装置133、153、192的驱动而产生尘埃的情况下,也能防止尘埃直接侵入框体121内。
交接部140包含例如圆板形状的支撑板141、及多个(在本例中为3个)支撑销142。支撑板141以水平姿势配置于框体121内。在支撑板141的中央部,形成有供下述升降部150的连结部件152通过的开口部141a。多个支撑销142以包围开口部141a的方式从支撑板141的上表面向上方延伸。在多个支撑销142的上端部,能载置处理对象的衬底W。
升降部150包含平板形状的载置板151、棒状的连结部件152、及驱动装置153。载置板151在框体121内,以水平姿势配置于交接部140的支撑板141的上方。在载置板151,形成有与支撑板141的多个支撑销142分别对应的多个贯通孔151a。
连结部件152是以通过框体121的开口部121b及支撑板141的开口部141a且上下延伸的方式配置,驱动装置153配置于框体121的下方。连结部件152将载置板151与驱动装置153连结。在连结部件152的外周面与开口部121b的内周面之间,以连结部件152可沿上下方向滑动的方式配置有密封部件s3。
驱动装置153例如为步进马达,使载置板151在比多个支撑销142的上端部靠上方的处理位置与比多个支撑销142的上端部靠下方的待机位置之间沿上下方向移动。在载置板151位于待机位置的状态下,多个支撑销142分别插通于多个贯通孔151a中。在驱动装置153,安装有分别检测载置板151的上限位置及下限位置的位置传感器153a、153b。位置传感器153a、153b将检测结果提供给控制部110。
投光部160包含具有下部开口及内部空间的壳体161、透光板162、面状的光源部163、及电源装置164。在本实施方式中,透光板162为石英玻璃板。作为透光板162的材料,也可使用能使下述真空紫外线透射的其它材料。如上所述,壳体161以将框体121的上部开口闭塞的方式配置于框体121的上部。透光板162以将壳体161的下部开口闭塞的方式安装于壳体161。框体121的内部空间与壳体161的内部空间以可通过透光板162光学进入的方式隔开。
光源部163及电源装置164收容于壳体161内。在本实施方式中,出射波长约120nm以上且约230nm以下的真空紫外线的多个棒状的光源以指定间隔水平排列,由此构成光源部163。各光源例如可为疝准分子灯,也可为其它准分子灯或氘灯等。光源部163通过透光板162向框体121内出射具有大致均匀的光量分布的真空紫外线。光源部163的真空紫外线的出射面的面积大于衬底W的被处理面的面积。电源装置164向光源部163供给电力。
置换部170包含配管171p、172p、173p、阀171v、172v、及抽吸装置173。配管171p、172p连接于框体121的供气口与惰性气体的供给源之间。在本实施方式中,惰性气体例如为氮气。在配管171p、172p中介插有阀171v、172v。
惰性气体通过配管171p从支撑板141的侧方向框体121内供给。惰性气体通过配管172p从支撑板141的下方向框体121内供给。惰性气体的流量由阀171v、172v来调整。在本实施方式中,使用氮气作为惰性气体。
配管173p分支成支管173a与支管173b。支管173a连接于框体121的排气口,支管173b的端部配置于框体121与挡闸131之间。在配管173p中介插有抽吸装置173。在支管173b中介插有阀173v。抽吸装置173例如为喷射器。配管173p连接于排气设备。抽吸装置173将框体121内的环境气体通过支管173a及配管173p而排出。另外,抽吸装置173将框体121与挡闸131之间的环境气体连同由于挡闸131的移动而产生的尘埃等一起通过支管173b及配管173p而排出。通过抽吸装置173所排出的气体通过排气设备而无害化。
计测部180包含氧浓度计181、臭氧浓度计182及照度计183。氧浓度计181、臭氧浓度计182及照度计183分别通过设置于框体121的连接端口p1、p2、p3连接于控制部110。氧浓度计181例如为原电池式氧传感器或氧化锆式氧传感器,计测框体121内的氧浓度。臭氧浓度计182计测框体121内的臭氧浓度。
照度计183包含光电二极管等受光元件,计测从光源部163向受光元件的受光面照射的真空紫外线的照度。这里,所谓照度,是指向受光面的每单位面积照射的真空紫外线的功率。照度的单位例如用“W/m2”来表示。在本实施方式中,照度计183以受光元件的受光面位于与衬底W的被处理面大致相同的高度的方式安装于载置板151。图2是用来说明照度计183的配置的图。
如图2所示,透光板162具有矩形形状,衬底W具有圆形形状。因此,透光板162的角部附近在俯视下不与处理位置的衬底W重叠。因此,载置板151包含在俯视下与透光板162的中央部重叠的圆形部151b、及在俯视下与透光板162的1个角部附近重叠的角部151c。在曝光处理时,衬底W载置于圆形部151b。照度计183安装于角部151c。根据该配置,照度计183能不与衬底W发生干涉地计测真空紫外线的照度。
图3是图1的曝光装置100的立体剖视图。图4是图3的曝光装置100的纵剖视图。在图3及图4中,为了使曝光装置100的内部构成容易理解,省略了部分构成要件的图示。如图3及图4所示,遮光部190包含遮光部件191、驱动装置192、导向部193、棒状的支撑部件194、及平板形状的连结部件195。
驱动装置192例如为气缸,具有能单向进退的驱动轴192a。驱动装置192安装于框体121的外侧面。导向部193安装于框体121的外侧面,能沿与驱动轴192a的进退方向平行的方向移动地引导支撑部件194。支撑部件194是以通过导向部193且贯通框体121的侧壁的方式设置。
遮光部件191具有由水平板191a及垂直板191b构成的截面倒L字形状。垂直板191b的下端在框体121内安装于支撑部件194的一端部。连结部件195在框体121外将支撑部件194的另一端部与驱动装置192的驱动轴192a的前端部连结。
通过驱动装置192的驱动轴192a进退,如图4中的箭头所示,遮光部件191在遮光位置与非遮光位置之间移动。这里,遮光位置是指水平板191a遮蔽从光源部163向照度计183照射的真空紫外线的遮光部件191的位置。非遮光位置是指水平板191a不遮蔽从光源部163向照度计183照射的真空紫外线的遮光部件191的位置。在图4中,遮光位置处的遮光部件191是用实线图示的,非遮光位置处的遮光部件191是用单点虚线图示的。
(2)曝光装置的概略动作
在图1的曝光装置100中,通过从光源部163向衬底W照射真空紫外线,而进行曝光处理。然而,在框体121内的氧浓度较高的情况下,氧分子会吸收真空紫外线而分离成氧原子,并且分离而成的氧原子会与其它氧分子再键结,由此产生臭氧。在这种情况下,到达衬底W的真空紫外线衰减。真空紫外线的衰减大于波长比约230nm长的紫外线的衰减。
因此,在曝光处理时,框体121内的环境气体会被置换部170置换成惰性气体。由此,框体121内的氧浓度降低。图5是表示框体121内的氧浓度与排气时间的关系的曲线图。图5的纵轴表示氧浓度,横轴表示排气时间。如图5所示,排气时间越长,框体121内的氧浓度降得越低。在通过氧浓度计181所计测出的氧浓度降至预先设定的曝光开始浓度的时间点t0,开始从光源部163向衬底W照射真空紫外线。
这里,所谓曝光开始浓度,是指以真空紫外线能从光源部163到达衬底W且臭氧不会对形成于衬底W被处理面的膜造成损伤的方式预先设定的氧浓度。具体的曝光开始浓度根据形成于处理对象的衬底W的膜的种类及成分而不同,但比被视为框体121内几乎未残存氧的氧浓度1%高,且比大气中的氧浓度低。氧浓度在时间点t1降至1%。本实施方式中,在比氧浓度降至1%的时间点t1早Δt的时间点t0,开始照射真空紫外线。由此,能缩短曝光处理所需的时间。
在通过光源部163向衬底W照射的真空紫外线的曝光量达到预先设定的设定曝光量的情况下,停止照射真空紫外线,从而曝光处理结束。这里,所谓曝光量,是指在曝光处理时向衬底W的被处理面的每单位面积照射的真空紫外线的能量。曝光量的单位例如用“J/m2”来表示。因此,真空紫外线的曝光量通过利用照度计183所计测出的真空紫外线的照度的累计来获取。
图6是表示从光源部163出射的真空紫外线的照度与光源部163的点亮时间的关系的曲线图。图6的纵轴表示照度,横轴表示点亮时间。出射真空紫外线的光源部163的光源的价格相对较高。因此,在不向衬底W照射真空紫外线的期间,优选将从电源装置164向光源部163供给的电力切断,从而熄灭光源部163。由此,能延长光源部163的寿命。
然而,在光源部163刚点亮后,如图6所示,向衬底W照射的真空紫外线的照度便立即随着时间流逝而降低,并在指定时间后收敛于固定值LV。因此,难以在曝光处理前计测出具有固定值LV的照度。本实施方式中,在曝光处理中,真空紫外线同时向衬底W及照度计183照射。因此,在向衬底W照射的真空紫外线的照度发生了变化的情况下,通过照度计183所计测出的真空紫外线的照度也同样地变化。
另外,如上所述,在本实施方式中,照度计183是以受光元件的受光面位于与衬底W的被处理面大致相同的高度的方式设置。因此,即便是在真空紫外线被残存于衬底W与光源部163之间的氧分子部分吸收而衰减的情况下,衬底W的被处理面与照度计183的受光面也会有大致相同程度的真空紫外线到达。向衬底W的被处理面照射的真空紫外线的照度与通过照度计183所计测出的照度相等。结果,能以简单的构成准确计测出到达衬底W的真空紫外线的照度。
另一方面,若向照度计183长时间持续照射真空紫外线,则照度计183容易劣化,照度计183的寿命会缩短。另外,进行照度计183的校正等维护作业的频率会增加。本实施方式中,在曝光处理中,遮光部件191在遮光位置与非遮光位置之间移动。在这种情况下,真空紫外线断断续续地向照度计183照射,这与真空紫外线连续地向照度计183照射的情况相比,照度计183的劣化速度降低。由此,照度计183的寿命变长。另外,能降低照度计183的维护作业的频率。
该构成中,在遮光部件191位于遮光位置的期间(以下,称作遮光期间),无法计测向衬底W照射的真空紫外线的照度。因此,优选在遮光期间内插向衬底W照射的真空紫外线的照度。遮光期间的照度的内插可基于在遮光期间前后通过照度计183所计测出的照度来进行。例如,以样条曲线将在遮光期间前后所计测出的照度的值连接起来,由此能样条内插遮光期间的照度。
(3)控制部
图7是表示图1的控制部110的构成的功能框图。如图7所示,控制部110包含闭塞控制部1、升降控制部2、排气控制部3、供气控制部4、浓度获取部5、浓度比较部6、遮光控制部7、照度获取部8、照度内插部9、曝光量计算部10、曝光量比较部11及投光控制部12。
控制部110例如由CPU(中央运算处理装置)及存储器所构成。在控制部110的存储器中,预先存储有控制程序。控制部110的CPU执行存储于存储器中的控制程序,由此实现控制部110的各部的功能。
闭塞控制部1基于图1的位置传感器133a、133b的检测结果,以使挡闸131在闭塞位置与开放位置之间移动的方式控制驱动装置133。升降控制部2基于图1的位置传感器153a、153b的检测结果,以使载置板151在待机位置与处理位置之间移动的方式控制驱动装置153。
排气控制部3以将图1的框体121内的环境气体、及框体121与挡闸131之间的环境气体排出的方式控制抽吸装置173及阀173v。供气控制部4以向框体121内供给惰性气体的方式控制图1的阀171v、172v。
浓度获取部5获取通过图1的氧浓度计181所计测出的氧浓度的值。浓度比较部6对通过浓度获取部5所计测出的氧浓度与曝光开始浓度进行比较。
遮光控制部7以使图4的遮光部件191在遮光位置与非遮光位置之间往返移动的方式控制驱动装置192。照度获取部8获取通过图1的照度计183所计测出的真空紫外线的照度的值。照度内插部9基于遮光控制部7对遮光部件191的控制时序及通过照度获取部8所获取到的照度的值,对在遮光期间向衬底W照射的真空紫外线的照度进行内插。
曝光量计算部10基于通过照度获取部8所获取到的真空紫外线的照度、通过照度内插部9所内插的真空紫外线的照度、及从图1的光源部163向衬底W照射真空紫外线的照射时间,计算出向衬底W照射的真空紫外线的曝光量。曝光量比较部11对通过曝光量计算部10所计算出的曝光量与预先设定的设定曝光量进行比较。
投光控制部12基于由浓度比较部6所得的比较结果,以使光源部163出射真空紫外线的方式控制从图1的电源装置164向光源部163的电力供给。另外,投光控制部12将从电源装置164向光源部163供给电力的供给时间作为从光源部163向衬底W照射真空紫外线的照射时间而提供给曝光量计算部10。进而,投光控制部12基于由曝光量比较部11所得的比较结果,以使光源部163停止出射真空紫外线的方式控制电源装置164。
(4)曝光处理
图8~图11是用来说明曝光装置100的动作的示意图。在图8~图11中,为了使框体121内及壳体161内的构成容易理解,省略了部分构成要件的图示,并且框体121及壳体161的轮廓是用单点虚线表示的。图12、图13及图14是表示通过图7的控制部110所进行的曝光处理的一个例子的流程图。以下,一边参照图8~图11,一边对通过控制部110所实施的曝光处理进行说明。
如图8所示,在曝光处理的初始状态下,挡闸131位于闭塞位置,载置板151位于待机位置,遮光部件191位于非遮光位置。另外,框体121内的氧浓度由氧浓度计181始终或定期计测,并由浓度获取部5获取。在这个时间点,通过氧浓度计181所计测出的框体121内的氧浓度等于大气中的氧浓度。
首先,如图9所示,闭塞控制部1使挡闸131移动至开放位置(步骤S1)。由此,能通过搬送开口121a将处理对象的衬底W载置于多个支撑销142的上端部。在本例中,通过下述图15的搬送装置220将衬底W载置于多个支撑销142的上端部。
其次,升降控制部2对衬底W是否已载置于多个支撑销142的上端部进行判定(步骤S2)。在未载置衬底W的情况下,升降控制部2待机至衬底W载置于多个支撑销142的上端部为止。在已载置有衬底W的情况下,升降控制部2使挡闸131移动至闭塞位置(步骤S3)。
继而,排气控制部3通过图1的抽吸装置173将框体121内的环境气体排出(步骤S4)。另外,供气控制部4通过图1的配管171p、172p向框体121内供给惰性气体(步骤S5)。步骤S4、S5的处理可为其中任一个步骤先开始,也可为两个步骤同时开始。其后,如图10所示,升降控制部2使载置板151从待机位置上升,由此将衬底W载置于载置板151(步骤S6)。在这个时间点,衬底W的载置面与照度计183的受光面的高度一致。
其次,浓度比较部6对框体121内的氧浓度是否已降至曝光开始浓度进行判定(步骤S7)。在氧浓度尚未降至曝光开始浓度的情况下,浓度比较部6待机至氧浓度降至曝光开始浓度为止。在氧浓度已降至曝光开始浓度的情况下,投光控制部12通过光源部163出射真空紫外线(步骤S8)。由此,真空紫外线从光源部163通过透光板162向衬底W照射,从而开始曝光形成于被处理面的DSA膜L3。另外,升降控制部2使载置板151开始上升(步骤S9)。
继而,照度获取部8使照度计183开始计测真空紫外线的照度,并从照度计183获取所计测出的照度(步骤S10)。进而,遮光控制部7使遮光部件191在遮光位置与非遮光位置之间往返移动多次(步骤S11)。步骤S8~S11的处理可为其中任一步骤先开始,也可为两个步骤同时开始。
照度内插部9对遮光期间的真空紫外线的照度进行内插(步骤S12)。曝光量计算部10将通过照度获取部8所获取到的真空紫外线的照度、及通过照度内插部9所内插的真空紫外线的照度累计起来,由此计算出向衬底W照射的真空紫外线的曝光量(步骤S13)。
其后,升降控制部2对载置板151是否已到达处理位置进行判定(步骤S14)。在载置板151尚未到达处理位置的情况下,升降控制部2进入步骤S16的处理。另一方面,在载置板151已到达处理位置的情况下,升降控制部2使载置板151停止上升(步骤S15)。此外,如图11所示,在载置板151已到达处理位置的情况下,衬底W接近于透光板162。
其次,曝光量比较部11对通过曝光量计算部10所计算出的曝光量是否已达到设定曝光量进行判定(步骤S16)。在曝光量尚未达到设定曝光量的情况下,曝光量比较部11返回至步骤S10的处理。反复实施步骤S10~S16的处理,直至曝光量达到设定曝光量为止。
在曝光量已达到设定曝光量的情况下,投光控制部12使光源部163停止出射真空紫外线(步骤S17)。另外,照度获取部8使照度计183停止计测照度(步骤S18)。进而,遮光控制部7使遮光部件191停止移动(步骤S19)。在本例中,遮光部件191返回至非遮光位置。
其次,如图10所示,升降控制部2使载置板151下降至待机位置(步骤S20)。由此,衬底W被从载置板151交付给多个支撑销142。继而,排气控制部3使抽吸装置173停止将框体121内的环境气体排出(步骤S21)。另外,供气控制部4停止从配管171p、172p向框体121内供给惰性气体(步骤S22)。步骤S17~S22的处理可为其中任一步骤先开始,也可为两个步骤同时开始。
其后,如图9所示,闭塞控制部1使挡闸131移动至开放位置(步骤S23)。由此,能通过搬送开口121a将曝光后的衬底W从多个支撑销142上向框体121的外部搬出。在本例中,通过下述图15的搬送装置220将衬底W从多个支撑销142上向框体121的外部搬出。
其次,闭塞控制部1对衬底W是否已从多个支撑销142上搬出进行判定(步骤S24)。在衬底W尚未被搬出的情况下,闭塞控制部1待机至衬底W从多个支撑销142上搬出为止。在衬底W已被搬出的情况下,如图8所示,闭塞控制部1使挡闸131移动至闭塞位置(步骤S25),并结束曝光处理。通过反复执行所述动作,能对多个衬底W依次进行曝光处理。
在所述曝光处理中,载置板151移动至处理位置前从光源部163向衬底W照射真空紫外线。在这种情况下,载置板151从待机位置向处理位置移动的过程中也向衬底W照射真空紫外线。因此,衬底W的曝光能在更短时间内结束。由此,能进一步提高衬底W的曝光处理的效率。
另一方面,也可为载置板151移动至处理位置后从光源部163向衬底W照射真空紫外线。也就是说,步骤S9、S14、S15的处理可在步骤S6~S8的处理之间执行,也可与步骤S7的处理同时执行。在这种情况下,能在使框体121内的氧浓度降至曝光开始浓度的期间将载置板151移动至待机位置。因此,能在更短时间内结束衬底W的曝光。由此,能进一步提高衬底W的曝光处理的效率。
另外,所述曝光处理中,是在衬底W的曝光量达到设定曝光量后载置板151从处理位置移动至待机位置,但本发明并不限定于此。也可为在衬底W的曝光量达到设定曝光量前载置板151从处理位置移动至待机位置。也就是说,步骤S20的处理也可在步骤S16的处理前执行。这种情况下,在载置板151从处理位置向待机位置移动的过程中也向衬底W照射真空紫外线。因此,能在更早的时间点将衬底W从处理室120搬出,从而使曝光处理结束。由此,能进一步提高衬底W的曝光处理的效率。
(5)衬底处理装置
图15是表示具备图1的曝光装置100的衬底处理装置的整体构成的示意性框图。在以下所说明的衬底处理装置200中,进行利用嵌段共聚物的定向自组装(DSA)的处理。具体来说,在衬底W的被处理面上涂布含有定向自组装材料的处理液。其后,通过定向自组装材料上所发生的微相分离,在衬底W的被处理面上形成2种聚合物的图案。2种聚合物中的1种聚合物的图案会通过溶剂而被去除。
将含有定向自组装材料的处理液称作DSA液。另外,将通过微相分离而形成于衬底W被处理面上的2种聚合物的图案中的一者去除的处理被称作显影处理,显影处理中使用的溶剂被称作显影液。
如图15所示,衬底处理装置200除了曝光装置100以外,还具备控制装置210、搬送装置220、热处理装置230、涂布装置240及显影装置250。控制装置210例如包含CPU及存储器、或微型计算机,控制搬送装置220、热处理装置230、涂布装置240及显影装置250的动作。另外,控制装置210将用来控制图1的曝光装置100的闭塞部130、升降部150、投光部160、置换部170及遮光部190的动作的指令提供给控制部110。
搬送装置220一边保持处理对象的衬底W一边在曝光装置100、热处理装置230、涂布装置240及显影装置250之间搬送该衬底W。热处理装置230在利用涂布装置240实施涂布处理及利用显影装置250实施显影处理的前后进行衬底W的热处理。
涂布装置240通过向衬底W的被处理面供给DSA液,而进行膜的涂布处理。在本实施方式中,使用由2种聚合物所构成的嵌段共聚物作为DSA液。作为2种聚合物的组合,例如可列举聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-PMMA)、聚苯乙烯-聚二甲基硅氧烷(PS-PDMS)、聚苯乙烯-聚二茂铁二甲基硅烷(PS-PFS)、聚苯乙烯-聚环氧乙烷(PS-PEO)、聚苯乙烯-聚乙烯吡咯啶酮(PS-PVP)、聚苯乙烯-聚羟基苯乙烯(PS-PHOST)、及聚甲基丙烯酸甲酯-聚丙烯酸甲酯多面体聚硅氧烷(PMMA-PMAPOSS)等。
显影装置250通过向衬底W的被处理面供给显影液,而进行膜的显影处理。作为显影液的溶剂,例如可列举甲苯、庚烷、丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙二醇甲醚(PGME)、环己酮、醋酸、四氢呋喃、异丙醇(IPA)或氢氧化四甲铵(TMAH)等。
图16是表示通过图15的衬底处理装置200所实施的衬底W的处理的一个例子的示意图。在图16中,以剖视图表示出了每当进行处理时发生变化的衬底W的状态。在本例中,作为衬底W被搬入至衬底处理装置200前的初始状态,如图16(a)所示,以覆盖衬底W的被处理面的方式形成有基底层L1,且基底层L1上形成有例如由光阻剂构成的导向图案L2。以下,使用图15及图16对衬底处理装置200的动作进行说明。
搬送装置220将处理对象的衬底W依次搬送至热处理装置230及涂布装置240。这种情况下,在热处理装置230中,衬底W的温度被调整至适于形成DSA膜L3的温度。另外,在涂布装置240中,向衬底W的被处理面供给DSA液,进行涂布处理。由此,如图16(b)所示,在未形成导向图案L2的基底层L1上的区域,形成由2种聚合物构成的DSA膜L3。
其次,搬送装置220将形成有DSA膜L3的衬底W依次搬送至热处理装置230及曝光装置100。这种情况下,通过在热处理装置230中进行衬底W的加热处理,DSA膜L3上发生微相分离。由此,如图16(c)所示,形成由一聚合物构成的图案Q1、及由另一聚合物构成的图案Q2。在本例中,以沿着导向图案L2的方式,具有指向性地形成线状的图案Q1及线状的图案Q2。
其后,在热处理装置230中,将衬底W冷却。另外,在曝光装置100中,向微相分离后的DSA膜L3整体照射用来使DSA膜L3改质的真空紫外线,进行曝光处理。由此,一聚合物与另一聚合物之间的键结被切断,图案Q1与图案Q2分离。
继而,搬送装置220将利用曝光装置100实施曝光处理后的衬底W依次搬送至热处理装置230及显影装置250。这种情况下,在热处理装置230中,将衬底W冷却。另外,在显影装置250中,向衬底W上的DSA膜L3供给显影液,进行显影处理。由此,如图16(d)所示,图案Q1被去除,最终图案Q2残存于衬底W上。最后,搬送装置220从显影装置250回收显影处理后的衬底W。
(6)效果
在本发明的曝光装置100中,真空紫外线断断续续地向照度计183照射,因此照度计183的劣化速度降低。因此,照度计183的寿命变长。于是,无需频繁进行照度计183的更换及维护。由此,能降低曝光装置100的运用成本,并且使曝光装置100的停运时间最小化。结果,能提高曝光装置100的运转效率。
[2]第2实施方式
关于第2实施方式的曝光装置及衬底处理装置,对与第1实施方式的曝光装置及衬底处理装置不同之处进行说明。图17是本发明的第2实施方式中的曝光装置的立体剖视图。图18是图17的曝光装置100的纵剖视图。在图17及图18中,为了使曝光装置100的内部构成容易理解,省略了部分构成要件的图示。
如图18所示,在本实施方式的曝光装置100中,照度计183通过固定部件124固定于框体121的内侧面。照度计183是以在俯视下与透光板162的1个角部附近重叠,且受光元件的受光面位于与处理位置中的衬底W的被处理面大致相同的高度的方式配置。如此,在本实施方式中,照度计183不安装于载置板151,因此载置板151不具有用来安装照度计183的图2的角部151c。
另外,如图17及图18所示,本实施方式的曝光装置100包含遮光部190A来代替图3的遮光部190。遮光部190A包含遮光部件191、驱动装置192及棒状的支撑部件194。遮光部件191例如为挡闸,是以能在遮蔽从光源部163向照度计183照射的真空紫外线的遮光位置与不遮蔽真空紫外线的非遮光位置之间移动的方式设置。
驱动装置192例如为步进马达,具有能旋转的驱动轴192a。驱动装置192以驱动轴192a朝向上方的方式安装于框体121的下表面。支撑部件194以沿上下方向延伸的方式将遮光部件191与驱动装置192的驱动轴192a连结。驱动装置192的驱动轴192a以与上下方向平行的轴为中心而旋转,由此遮光部件191在遮光位置与非遮光位置之间移动。
在本实施方式中,照度计183不在上下方向移动。因此,在曝光处理中,优选衬底W移动至处理位置,从而衬底W的被处理面与照度计183的受光元件的受光面变成大致相同的高度后,从光源部163出射真空紫外线。因此,在本实施方式的曝光处理中,图12~图14的步骤S9、S14、S15的处理优选在步骤S6~S8的处理之间执行。
[3]第3实施方式
关于第3实施方式的曝光装置及衬底处理装置,对与第1实施方式的曝光装置及衬底处理装置不同之处进行说明。图19是本发明的第3实施方式中的曝光装置的立体剖视图。图20是图19的曝光装置100的纵剖视图。在图19及图20中,为了使曝光装置100的内部构成容易理解,省略了部分构成要件的图示。
如图19及图20所示,本实施方式的曝光装置100包含遮光部190B来代替图3的遮光部190。遮光部190B具有除了不包含遮光部件191之处以外,其它与图3的遮光部190相同的构成。支撑部件194通过一端部支撑照度计183,而不再是支撑遮光部件191。与第2实施方式同样地,在本实施方式中,照度计183不安装于载置板151,因此载置板151不具有用来安装照度计183的图2的角部151c。
通过驱动装置192的驱动轴192a进退,如图20中的箭头所示,照度计183在能接收到真空紫外线的非遮光位置与不能接收到真空紫外线的遮光位置之间移动。在图20中,非遮光位置处的照度计183是用实线图示的,遮光位置处的照度计183是用单点虚线图示的。具体来说,非遮光位置是在俯视下与透光板162的1个角部附近重叠的位置。遮光位置是在俯视下比透光板162靠外侧的位置。
也就是说,本实施方式中,在曝光处理中,并非遮光部件191而是照度计183在非遮光位置与遮光位置之间移动。因此,在本实施方式的曝光处理中,图13的步骤S11中并非使遮光部件191而是使照度计183在非遮光位置与遮光位置之间移动。另外,图13的步骤S19中并非使遮光部件191而是使照度计183停止移动。
另外,在本实施方式中,仍优选在非受光期间对朝衬底W照射的真空紫外线的照度进行内插。本实施方式的非受光期间的照度的内插方式与第1实施方式的遮光期间的照度的内插方式相同。
进而,在本实施方式中,与第2实施方式同样地,照度计183不在上下方向移动。因此,在曝光处理中,优选衬底W移动至处理位置,从而衬底W的被处理面与照度计183的受光元件的受光面变成大致相同的高度后,从光源部163出射真空紫外线。因此,在本实施方式的曝光处理中,图12~图14的步骤S9、S14、S15的处理优选在步骤S6~S8的处理之间执行。
[4]其它实施方式
(1)在第1~第3实施方式中,使用DSA液作为处理液,但本发明并不限定于此。也可使用与DSA液不同的其它处理液。
(2)在第1~第3实施方式中,真空紫外线的出射面大于衬底W的被处理面,进行衬底W的整面曝光,但本发明并不限定于此。真空紫外线的出射面也可小于衬底W的被处理面,也可不出射面状的真空紫外线。在这种情况下,使真空紫外线的出射面与衬底W的被处理面相对性地移动,由此向衬底W的被处理面整体照射真空紫外线。
(3)在第1~第3实施方式中,曝光处理时向框体121内供给惰性气体,但本发明并不限定于此。在曝光处理时框体121内的氧浓度能充分降低的情况下,也可不向框体121内供给惰性气体。
(4)在第1~第3实施方式中,透光板162具有矩形形状,但本发明并不限定于此。透光板162也可具有矩形形状以外的多边形状、圆形形状、长圆形形状或椭圆形形状等其它形状。在这种情况下,照度计183配置于在俯视下透光板162与衬底W的被处理面的非重复区域重叠的位置。由此,照度计183能不与衬底W发生干涉地计测真空紫外线的照度。
(5)在第1实施方式中,照度计183安装于载置板151,但本发明并不限定于此。只要照度计183能追随着载置板151的移动在上下方向移动,照度计183也可不安装于载置板151。在这种情况下,照度计183可构成为能通过与载置板151共通的驱动装置153而移动,也可构成为能通过与驱动装置153不同的驱动装置而移动。
(6)第2实施方式中,在曝光装置100设置有遮光部190A,但本发明并不限定于此。也可在曝光装置100不设置遮光部190A,而设置有与第1实施方式相同的遮光部190。
(7)在第2实施方式中,构成为照度计183被固定,遮光部件191能通过驱动装置192而移动,但本发明并不限定于此。也可构成为遮光部件191被固定,照度计183能通过驱动装置192而移动。也就是说,照度计183与遮光部件191只要能相对性地移动即可。在该构成中,照度计183与遮光部件191俯视下重叠的位置成为遮光位置,照度计183与遮光部件191俯视下不重叠的位置成为非遮光位置。
此外,在第1实施方式中,同样也可构成为遮光部件191被固定,照度计183能通过驱动装置192而移动。在这种情况下,安装有照度计183的载置板151的角部151c优选构成为能独立于圆形部151b而在水平面内移动。
(8)在第1~第3实施方式中,照度计183是以受光面与处理位置处的衬底W的被处理面变成大致相同的高度的方式配置,但本发明并不限定于此。照度计183也能以受光面位于以处理位置处的衬底W的被处理面为基准的一定高度的方式配置。另外,在照度计183能以充分的准确性计测出真空紫外线的照度的情况下,第2及第3实施方式中,也可计测对朝处理位置移动的过程中的衬底W照射的真空紫外线。
(9)第1~第3实施方式中,在氧浓度降至曝光开始浓度的时间点开始从光源部163向衬底W照射真空紫外线,但本发明并不限定于此。也可在氧浓度降至比曝光开始浓度低的氧浓度(例如不会产生臭氧的氧浓度)的时间点开始从光源部163向衬底W照射真空紫外线。
(10)在第1~第3实施方式中,进行遮光期间的照度的内插,但本发明并不限定于此。也可不进行遮光期间的照度的内插。因此,控制部110也可不包含遮光控制部7及照度内插部9。
[5]技术方案的各构成要件与实施方式的各部的对应关系
以下,对技术方案的各构成要件与实施方式的各构成要件的对应例进行说明,但本发明并不限定于下述例子。
在所述实施方式中,衬底W是衬底的例子,投光部160是投光部的例子,照度计183是照度计的例子,遮光部190、190A、190B是遮光部的例子。投光控制部12是投光控制部的例子,曝光装置100是曝光装置的例子,遮光部件191是遮光部件的例子,驱动装置192是第1或第2驱动部的例子,透光板162是出射部的例子。
处理室120是处理室的例子,载置板151是载置部的例子,升降控制部2是载置控制部的例子,圆形部151b是第1部分的例子,圆形部151b是第2部分的例子。涂布装置240是涂布处理部的例子,热处理装置230是热处理部的例子,显影装置250是显影处理部的例子,衬底处理装置200是衬底处理装置的例子。
作为技术方案的各构成要件,也可使用具有技术方案所记载的构成或功能的其他各种构成要件。
Claims (14)
1.一种曝光装置,具备:
投光部,以能向衬底的被处理面照射真空紫外线的方式设置;
照度计,具有在从所述投光部向衬底照射真空紫外线而对衬底进行处理的照射期间接收一部分真空紫外线的受光面,计测所接收到的真空紫外线的照度;
遮光部,在所述照射期间的衬底处理中,断断续续地遮挡真空紫外线向所述照度计的所述受光面的入射;及
投光控制部,以向衬底照射真空紫外线的方式控制所述投光部,并且基于通过所述照度计所计测出的照度,以停止向衬底照射真空紫外线的方式控制所述投光部。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其中所述照度计设置于在所述照射期间能接收到来自所述投光部的一部分真空紫外线的位置,且
所述遮光部包含:
遮光部件,能以在所述照射期间断断续续地遮挡真空紫外线向所述照度计的所述受光面的入射的方式移动;及
第1驱动部,使所述遮光部件移动。
3.根据权利要求1所述的曝光装置,其中所述遮光部包含使所述照度计交替地移动至第1位置与第2位置的第2驱动部,该第1位置是在所述照射期间能接收到来自所述投光部的一部分真空紫外线的位置,该第2位置是不能接受到来自所述投光部的真空紫外线的位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光装置,其中所述投光部构成为向衬底的一面的整体区域及衬底外的区域照射真空紫外线,且
所述照度计于在所述照射期间真空紫外线至少入射至所述受光面时,位于所述衬底外的区域。
5.根据权利要求4所述的曝光装置,其中衬底具有圆形形状,
所述投光部中的真空紫外线的出射部具有矩形形状,该矩形形状内包含相当于衬底的所述整体区域的圆形区域,且
所述照度计的所述受光面是以在所述照射期间能移动至从所述投光部的所述出射部的除了所述圆形区域以外的角部区域出射的真空紫外线所能入射的位置的方式,或以位置固定的方式配置。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光装置,其中所述照度计是以所述受光面位于以所述照射期间的衬底的被处理面为基准的一定高度的方式配置。
7.根据权利要求6所述的曝光装置,其中所述照度计是以所述受光面位于与所述照射期间的衬底的被处理面相同高度的方式配置。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光装置,还具备:
处理室,收容处理对象的衬底;
载置部,在所述处理室内,设置于所述投光部的下方,载置衬底;及
载置控制部,以在所述处理室内与外部之间交接衬底时,使所述载置部移动至第3位置,在所述投光部出射真空紫外线时,使所述载置部移动至所述第3位置上方的第4位置的方式,控制所述载置部。
9.根据权利要求8所述的曝光装置,其中所述照度计追随着所述载置部的移动在上下方向移动。
10.根据权利要求9所述的曝光装置,其中所述载置部包含:
第1部分,载置衬底;及
第2部分,在接收真空紫外线时配置所述照度计。
11.一种衬底处理装置,具备:
涂布处理部,通过对衬底涂布处理液而在衬底形成膜;
热处理部,对通过所述涂布处理部形成有膜的衬底进行热处理;
根据权利要求1至10中任一项所述的曝光装置,将通过所述热处理部加以热处理后的衬底曝光;及
显影处理部,向通过所述曝光装置加以曝光后的衬底供给溶剂,由此使衬底的膜显影。
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置,其中处理液含有定向自组装材料。
13.一种曝光方法,包含如下步骤:
通过投光部向衬底的被处理面照射真空紫外线;
在从所述投光部向衬底照射真空紫外线而对衬底进行处理的照射期间,通过照度计接收一部分真空紫外线,并计测所接收到的真空紫外线的照度;
在所述照射期间的衬底处理中,通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向所述照度计的受光面的入射;及
基于通过所述照度计所计测出的照度,使所述投光部停止向衬底照射真空紫外线。
14.一种衬底处理方法,包含如下步骤:
通过涂布处理部对衬底的被处理面涂布处理液,由此在衬底形成膜;
通过热处理部对利用所述涂布处理部形成有膜的衬底进行热处理;
根据权利要求13所述的曝光方法,是通过曝光装置将利用所述热处理部加以热处理后的衬底曝光;及
通过显影处理部向利用所述曝光装置加以曝光后的衬底的被处理面供给溶剂,由此使衬底的膜显影。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017038236A JP6768561B2 (ja) | 2017-03-01 | 2017-03-01 | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
JP2017-038236 | 2017-03-01 | ||
PCT/JP2017/036074 WO2018159005A1 (ja) | 2017-03-01 | 2017-10-04 | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110100301A CN110100301A (zh) | 2019-08-06 |
CN110100301B true CN110100301B (zh) | 2023-07-21 |
Family
ID=63370897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780077239.0A Active CN110100301B (zh) | 2017-03-01 | 2017-10-04 | 曝光装置、衬底处理装置、衬底曝光方法及衬底处理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6768561B2 (zh) |
KR (1) | KR102307596B1 (zh) |
CN (1) | CN110100301B (zh) |
TW (1) | TWI649642B (zh) |
WO (1) | WO2018159005A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11968772B2 (en) * | 2019-05-30 | 2024-04-23 | Kla Corporation | Optical etendue matching methods for extreme ultraviolet metrology |
TWI747490B (zh) * | 2019-09-19 | 2021-11-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 曝光裝置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6124064A (en) * | 1997-02-14 | 2000-09-26 | Nikon Corporation | Light exposure controlling method |
US6492649B1 (en) * | 1997-07-25 | 2002-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus, projection exposure method, optical cleaning method and method of fabricating semiconductor device |
US6842500B1 (en) * | 1998-09-17 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method using same |
JP2007148360A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Orc Mfg Co Ltd | 周辺露光装置およびその方法 |
JP2013104934A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置及び露光方法 |
TW201704888A (zh) * | 2015-03-25 | 2017-02-01 | 思可林集團股份有限公司 | 曝光裝置及基板處理裝置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3378271B2 (ja) * | 1992-06-11 | 2003-02-17 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びに前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JPH10284407A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Nikon Corp | 露光装置及び露光装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
JPH11251220A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2001110710A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、および半導体デバイスの製造方法 |
US6211942B1 (en) * | 2000-03-10 | 2001-04-03 | Howa Machinery Ltd. | Double-sided exposure system |
JPWO2006006730A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2008-05-01 | 株式会社ニコン | 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP4485282B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2010-06-16 | シャープ株式会社 | 露光装置、露光量制御方法、露光量制御プログラムとその記録媒体 |
JP4859660B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-01-25 | 東京応化工業株式会社 | 基板処置装置 |
JP6535197B2 (ja) * | 2014-04-28 | 2019-06-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及び露光方法 |
JP6543064B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2019-07-10 | 株式会社Screenホールディングス | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
-
2017
- 2017-03-01 JP JP2017038236A patent/JP6768561B2/ja active Active
- 2017-10-04 CN CN201780077239.0A patent/CN110100301B/zh active Active
- 2017-10-04 WO PCT/JP2017/036074 patent/WO2018159005A1/ja active Application Filing
- 2017-10-04 KR KR1020197023927A patent/KR102307596B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-18 TW TW106135708A patent/TWI649642B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6124064A (en) * | 1997-02-14 | 2000-09-26 | Nikon Corporation | Light exposure controlling method |
US6492649B1 (en) * | 1997-07-25 | 2002-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus, projection exposure method, optical cleaning method and method of fabricating semiconductor device |
US6842500B1 (en) * | 1998-09-17 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method using same |
JP2007148360A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Orc Mfg Co Ltd | 周辺露光装置およびその方法 |
JP2013104934A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置及び露光方法 |
TW201704888A (zh) * | 2015-03-25 | 2017-02-01 | 思可林集團股份有限公司 | 曝光裝置及基板處理裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018147918A (ja) | 2018-09-20 |
WO2018159005A1 (ja) | 2018-09-07 |
CN110100301A (zh) | 2019-08-06 |
KR102307596B1 (ko) | 2021-09-30 |
KR20190102289A (ko) | 2019-09-03 |
TWI649642B (zh) | 2019-02-01 |
TW201833670A (zh) | 2018-09-16 |
JP6768561B2 (ja) | 2020-10-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |