JPH10284407A

JPH10284407A - 露光装置及び露光装置を用いた半導体デバイスの製造方法

Info

Publication number: JPH10284407A
Application number: JP9105214A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Kikuchi; 哲男菊池
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-04-08
Filing date: 1997-04-08
Publication date: 1998-10-23

Abstract

(57)【要約】【課題】露光面の照度均一性の確認時に、多大な光束
が投影光学系に入射して蓄熱しないようにして、スルー
プットを向上させることができる露光装置及びそのよう
な装置を用いた半導体製造方法を提供することを目的と
するものである。【解決手段】パターンが形成されたマスク９を照明す
るための光源と、パターンを感光性基板に投影する投影
レンズ１０と、感光性基板が配置されるべき面に配置さ
れて、投影レンズ１０を介して照明されるこの面におけ
る照度を計測する照度センサ２３と、この面を照明する
光源からの光を制限するレチクルブラインド１７と、照
度センサ２３による面の照度の計測位置に合わせて、レ
チクルブラインド１７とを制御する駆動装置１６と制御
系１４とを備えており、光束を制限して、露光してお
り、投影レンズ１０に蓄積される熱が少なくしスループ
ットが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及びそれ
を用いた半導体デバイスの製造方法に関し、殊に半導体
デバイスの製造工程におけるスループットの向上を図る
ことができる露光装置及びそのような露光装置を用いた
半導体デバイスを製造する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造装置では、その装
置が単位時間に何枚のウエハを処理することができる
か、即ちいわゆるスループットを向上することは、製造
装置の性能の重要な要素である。このことは特に、超Ｌ
ＳＩを経済的に生産する上で重要な事項である。一般
に、スループットを向上させるには、露光装置の露光時
間の短縮が必要であり、そのために超高圧水銀灯等のラ
ンプの電力を上げたり、または装置の光学系の効率を上
げたりすることで露光面での照度をアップさせている。
ところが、露光装置の照明光学系を調整したり、ランプ
を新品と交換する際には、露光面での照度均一性を確認
しなければならない。この時、照度分布のスペックを満
たさない場合にはランプや照明光学系の位置を微調整
し、照度均一性を再測定するという作業が何度も繰り返
して行われ、投影レンズに熱が蓄積される。

【０００３】また、半導体デバイスの製造工程における
露光工程に先だって、露光の照度均一性の確認を、レチ
クルなし、すなわち露光領域に制限を加えない状態で、
露光面内において照度センサーをステップさせて照度の
検出が行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の露光装置では、半導体製造工程の露光工程
に先だって露光面の照度分布を確認する際に、露光領域
に制限が加えられない状態で照明がされるので、投影レ
ンズに限界値以上の多大な光量が入射することになる。
投影レンズに限界値以上の多大な光量が入射すると、そ
の熱によってレンズに歪みが発生して、フォーカスずれ
などによる照射変動が発生する。そこで、照度分布を計
測した後、実際に露光・焼き付けをするまでに、その光
学系が冷却して照射変動が起こらないような状態となっ
てからでないと、露光装置を使用することができない。
このように露光工程の作業時間が長くなり、露光装置の
ダウンタイムがかさんで実質のスループットが低下する
問題があった。

【０００５】本発明は、上述のような課題に鑑みてなさ
れたものであって、露光面の照度均一性の確認時に、多
大な光束・光量が投影光学系に入射して蓄熱することが
ないようにして、スループットを向上させることができ
る露光装置及びそのような半導体デバイスの製造方法を
提供することを目的とするものである。

【０００６】また、本発明は、露光面での照度均一性の
確認時に照度センサーの計測位置にあわせてブラインド
を絞って追尾するようにし、投影光学系に限界値以上の
多大な光量が入射しないようにすることで露光装置の光
学系調整時やランプ交換時の作業時間を大幅に短縮する
ことができる露光装置及びそのような半導体デバイスの
製造方法を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、請求項１の発明の露光装
置は、パターンの形成されたマスクを照明するための光
源と；前記パターンを感光性基板に投影する投影光学系
と；前記感光性基板が配置されるべき第１の面に配置さ
れて、前記投影光学系を介して照明される前記第１の面
における照度を計測する照度検出器と；前記第１の面を
照明する前記光源からの光を制限する光量制限手段と；
前記照度検出器による前記第１の面の照度の計測に合わ
せて、前記光量制限手段を制御する制御系とを備えるこ
とを特徴とする。

【０００８】このように構成すると、投影光学系に供給
される光量を制限するものであるが、光量制御手段は、
例えば、照明領域を制限するレチクルブラインドで光束
を制限して、計測位置に合わせて移動させて、多大の光
束が投影レンズに通過して、熱が蓄積されるの防止し、
また、光量制限手段として光束を時間的に遮断するシャ
ッターを用いて、照度計測時のみシャッターを開くよう
にするような構成とすることもできる。

【０００９】また、請求項２の発明では請求項１に記載
の発明おいて、前記光量制限手段は、前記マスクが実質
的に配置されるべき面またはその面と実質的に共役な第
２の面に配置されて、前記第２の面の照明される領域を
制限するブラインドを含み；前記制御系は、前記ブライ
ンドを前記第２の面内で駆動する駆動装置と、前記第１
の面の前記照度検出器で照度を計測する位置に合わせ
て、前記ブラインドを追尾するように前記駆動装置を制
御する制御器とを備えることを特徴とする。

【００１０】この発明では、制御器によってブラインド
を追尾することで、計測面だけを照射しながら照度を計
測することができる。

【００１１】また、請求項３の発明では、パターンの形
成されたマスクを照明するための光源と；前記光源から
の光に基づいて複数の光源像を形成するオプティカルイ
ンテグレータと；前記複数の光源像からの光により前記
マスクを照明するためのコンデンサレンズ系と；前記コ
ンデンサレンズを介して照明されたマスク上のパターン
を感光性基板に投影する投影光学系と；前記感光性基板
が配置されるべき第１の面に配置されて、前記投影光学
系を介して照明される前記第１の面における照度を計測
する照度検出器と；前記マスクが実質的に配置されるべ
き面またはその面と実質的に共役な第２の面に配置され
て、前記第２の面の照明される領域を制限するブライン
ドを含み；前記照度検出器による前記第１の面の照度の
計測位置に合わせて、前記ブラインドの位置を制御する
制御系とを備えることを特徴とする。

【００１２】この発明では、制御系によってブラインド
を追尾することで、計測面だけを照射しながら照度を計
測することができるので、投影光学系に熱を蓄積させる
ことがない。

【００１３】また、請求項４の発明のように、請求項１
に記載の発明において、前記光量制限手段が、前記光源
からの光を断続的に遮断するシャターを含むように構成
すると、断続的に光束を入射するので、投影レンズに熱
が蓄積されないので、スループットを高めることができ
る。

【００１４】また、請求項５の発明による半導体デバイ
スを製造する方法は、マスク上に形成されたパターンを
感光性基板に投影する投影光学系を備えた露光装置を用
いて半導体デバイを製造する方法において；前記マスク
が実質的に配置されるべき面に向けて照明光を供給する
工程と；前記投影光学系の像面内での計測位置に前記照
明光の１部を導くために、前記マスクが実質的に配置さ
れるべき面またはその面と実質的に共役な面において、
前記照明光を制限する工程と；前記投影光学系の像面内
で前記計測位置を移動させることに応じて、前記制限さ
れた照明光が前記投影光学系の像面上にて集光される位
置を前記計測位置と一致するように追尾させて制御する
工程と；前記投影光学系の像面内で前記計測位置を移動
させながら前記計測位置での照度を計測することによ
り、前記投影光学系の像面内での照度を計測する工程
と；前記照度を計測する工程による計測結果に基づい
て、前記投影光学系の像面内での照度を調整する工程
と；前記マスク上のパターンを投影光学系を介して感光
性基板に投影露光する工程と；を備える。

【００１５】この発明では、半導体デバイス製造におけ
る露光工程に先立ち、最小限の光量で行う照度の計測結
果に基づいて、照度均一性を調整して半導体装置の露光
を行い、短時間に露光工程に進むことができる。

【００１６】上記のように、本発明では、照明領域を制
限する可変視野絞り（ブラインド）を露光面での照度均
一性を確認する際に、照度センサーがステップする計測
位置にあわせてブラインドを絞って追尾するようにし、
投影レンズに限界値以上の多大な光束が入射しないよう
にしたものだある。また、シャッタによって照度計測時
のみ、シャッタ開いて照度を計測する。

【００１７】また、本発明では、露光面での照度均一性
を確認する際に、照度センサーがステップする計測位置
にあわせてブラインドを絞って追尾するようにした。こ
れにより投影レンズに限界値以上の多大な光束が制限さ
れ、入射しないため、投影レンズが照射変動することも
なく作業効率が大幅に向上した。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。以下の実施の形態の露光
装置は、超ＬＳＩ等の半導体素子の製造に用いられる投
影型露光装置である。なお、各図において互いに同一あ
るいは相当する部材には同一符号を付し、重複した説明
は省略する。

【００１９】図１は、本発明の第１の実施の形態を示す
露光装置の概略図である。同図に示される投影露光装置
は、レチクル９に形成されたパターンを所定の倍率でウ
エハ１２上に投影してパターンを焼き付ける装置であ
る。まず楕円鏡２の第１焦点位置に超高圧水銀灯１が置
かれており、その第１焦点と第２焦点との間には反射ミ
ラー３が水銀灯１の光路上に配置されている。そのミラ
ー３による反射光が収斂する点は、ミラー３により移動
した前記楕円鏡２の第２焦点である。

【００２０】第２焦点を通る光軸に沿って、コレクター
レンズ４、波長選択フィルタ５、オプティカルインテグ
レータであるフライアイレンズ６がこの順に配列されて
いる。このフライアイレンズ６は、多数の正レンズが束
ねられたものである。さらにフライアイレンズ６の先に
は、折り曲げミラー７が入射した光束を垂直に曲げるよ
うに配置されており、その光束の向かう方向に、コンデ
ンサー光学系としてのコンデンサーレンズ８、レチクル
９の載置されるレチクルステージ（不図示）、投影レン
ズ１０、ウエハ１２を載置するウエハステージ１３が以
上の順に配置されている。

【００２１】ここで、レチクル相当位置９とコンデンサ
ーレンズ８との間には、レチクル９の照明領域を制限す
るためのブラインド１７があり、装置全体の動作を制御
するコントローラ１４がウエハの位置に応じて、ブライ
ンド１７を駆動する駆動装置１６を制御するように接続
されている。

【００２２】また、ウエハステージ１３の移動は、干渉
計等の位置検出部１８により検出され、この位置検出情
報はコントローラ１４に入力されており、コントローラ
ー１４は、位置検出部１８からの位置情報に基づいて、
ステージ駆動部１９を介してウエハステージ１３の位置
を制御している。

【００２３】また、フライアイレンズ６の射出面には、
絞り部材１５が設けられており、投影レンズ１０の光軸
方向及びこの光軸に垂直な平面内でウエハの位置決めを
行うウエハステージ１３上には光電変換素子としての照
度計センサー２３が設置されている。

【００２４】以下、この装置の作動を説明する。楕円鏡
２の第１焦点位置に配された超高圧水銀灯１から発光し
た照明光束は、楕円鏡２によって反射され、更に、ミラ
ー３で反射させて、楕円鏡２の第２焦点位置２２に収斂
された後、発散してコレクターレンズ４によって並行光
束に変換される。この並行光束は狭帯域の波長選択フィ
ルタ５に入射され、露光波長が選択された後に、フライ
アイレンズ６に入射される。このフライアイレンズ６の
射出側に正レンズの数に等しい数の光源像が形成され
る。フライアイレンズ６は、多数光源像形成手段として
機能し、実質的に面光源を形成する。フライアイレンズ
６の射出面に設けられた絞り部材１５により、照明条件
を決定するσ値を設定する。なお、σ値は投影レンズの
瞳の開口径に対するその瞳面上での光源像の口径の比で
ある。

【００２５】フライアイレンズ６により形成された多数
の光源像からの光束は、ミラー７により垂直に曲げら
れ、コンデンサーレンズ８により集光され、レチクル９
のパターンを重畳的に照明し、前記パターンを投影レン
ズ１０によりウエハ１２上に縮小投影する。レチクル相
当位置９とコンデンサーレンズ８との間に設けられたブ
ラインド１７は、レチクル９の照明領域を制限するよう
に作用し、装置全体の動作を制御するコントローラ１４
により駆動装置１６を介して自由に設定される。

【００２６】また、フライアイレンズ６の射出面に設け
られた絞り部材１５の開口内の像が投影レンズ１０の入
射瞳面１１上に形成され、いわゆるケーラー照明を実現
している。照度計センサー２３からの出力信号及び位置
情報がコントローラ１４に供給され、ウエハ１２の位置
決めを行うウエハステージ１３とブラインド１７とが投
影レンズ１０の光軸に直交する面内で位置を制御され
る。

【００２７】ここでブラインド１７は、実際の投影露光
用の可変視野絞りを、照度計測に必要最小限の小領域に
絞り込み可能にし、かつ照明領域の特定の位置にその絞
り込んだ領域を設定できるようにして用いてもよいし、
前記のような小領域の開口を有する照度計測専用の視野
絞りを用意して用いてもよい。

【００２８】次に、このような構成において、露光装置
の光学系を調整したり、または超高圧水銀灯１が消耗し
新品と交換する場合の露光面での照度均一性の確認方法
について説明する。

【００２９】ウエハ１２への焼き付けに先立ち、照度均
一性の測定の仕方に関しては、コントローラ１４は、レ
チクル９なしの状態でウエハステージ上に設置された照
度センサー２３を駆動部１９を介して光軸Ａｘと垂直な
平面内に一定間隔でステップさせ、コントローラ１４の
内部の照度分布検出部にて、それぞれの出力をそのポイ
ントの照度の情報として取り込む。そしてその照度分布
検出部にて、これらのポイントでの値を比較し、露光面
内での照度均一性を求めている。

【００３０】この時照度センサー２３のステップ位置に
合わせてコントローラ１４は、駆動装置１６を介してブ
ラインド１７の位置を制御し、同時に露光面と光学的に
共役であるレチクル相当位置での照射範囲を所定の範囲
となるようにブラインド１７の形状を規定するために、
ブラインド１７を駆動させて、照度を計測する。

【００３１】そしてコントローラ１４内部の照度分布検
出部にて得られた検出結果は、コントローラ１４に電気
的に接続されたＣＲＴモニター等の表示装置２０によっ
て表示される。

【００３２】ここで、ブラインド１７の形状としては、
たとえば図２（ａ）のような２枚のＬ字羽根２５ａ、２
５ｂや、図２（ｂ）のような独立した４枚羽根２６ａ〜
２６ｄ、またはこれらを組み合わせたものなどが有効で
あるが、計測時のみ一定の開口をもつ視野絞りを挿入し
駆動させてもよい。無論、ブラインド１７の開口部は、
図２に示した四角形に限定することなく、丸であっても
よい。

【００３３】続いて、本発明の第２の実施の形態につい
て、図３を参照して説明する。第１の実施の形態では、
ブラインド１７の位置をレチクル相当位置９とメインコ
ンデンサレンズ８との間とした。しかし、この位置は光
学的にウエハ１２の露光面と共役でないためブラインド
羽根のエッジによる回折光が生じ、フレアー等の発生に
より精度が低下する可能性がある。

【００３４】このような観点から、コンデンサレンズ８
と投影レンズ１０との間にリレーレンズ１８を設け、こ
のリレーレンズ１８とコンデンサレンズ８との間の、光
学的にウエハ１２の露光面と共役な位置にブラインド１
７を配置し、照明視野を制御して、このブラインド１７
を光軸に直交する面内で移動させて、ウエハ１２の露光
面に対応する照度計測位置に合わせ計測している。した
がって、投影レンズ１０に熱が蓄積されないので、精度
の向上が期待できるとともに、スループットが向上す
る。なお、他の部分の構成は第１の実施の形態と同一で
あるので、その構成についての説明は省略する。

【００３５】次に、図１または図３を参照して、本実施
形態の露光装置による半導体装置の製造における露光方
法について説明する。この露光装置による半導体デバイ
ス製造における露光方法は、先ず、レチクル９等のマス
クが実質的に配置されるべき面に向けて照明光を供給す
る。投影レンズ１０の像面内での計測位置に照明光の１
部を導くために、レチクル（マスク）が実質的に配置さ
れるべき面９またはその面と実質的に共役な面で、ブラ
インド１７で照明光を制限する。

【００３６】そして、投影レンズ１０の光軸に直交する
面である像面内で計測位置を移動（照度センサー２３を
移動）させることに応じて、制限された照明光が投影レ
ンズ１０の像面上にて集光される位置を計測位置（照度
センサー２３の受光面）と一致するようにブラインド１
７を追尾させて制御する。その後、投影レンズ１０の像
面内の計測位置を移動（照度センサー２３を移動）させ
ながら各計測位置での照度を照度センサー２３にて順次
計測することにより、投影レンズ１０の像面内での照度
を計測する。

【００３７】この投影光学系１０の結像面（露光面）で
の照度分布は、前述の如く、各計測位置にて検出される
照度センサー２３からの出力に基づいて、コントローラ
ー１４内部に設けられた照度分布検出部にて検出され
る。そして、この検出結果は、表示装置２０にて表示さ
れる。

【００３８】以上の検出結果に基づいて、照明光学系を
構成するレンズ等の光学素子を光軸Ａｘの方向あるいは
光軸Ａｘと直交した方向へ移動させることにより、投影
光学系１０の結像面（露光面）での照度ムラを調整する
ことができる。例えば、コレクターレンズ４、オプティ
カルインテグレータとしてのフライアイレンズ５、コン
デンサー光学系８の内の少なくとも１を光軸方向あるい
は光軸と直交した方向へ移動させることにより、照度ム
ラを調整することができる。さらには、投影光学系とし
ての投影レンズ１０を構成するレンズ等の光学素子、あ
るいは光源自身を移動させて照度ムラを調整することも
可能である。

【００３９】なお、図１及び図８では、コンデサー光学
系８またはコンデサー光学系８を構成する１部のレンズ
等の光学素子を光軸Ａｘの方向あるいは光軸Ａｘと直交
した方向へ移動させることを一例として示している。

【００４０】また、図１及び図８に示した装置におい
て、コントローラー１４内部に設けられた照度分布検出
部からの出力に基づいて、コンデンサー光学系８または
コンデンサー光学系８を構成する１部のレンズ（光学素
子）の移動量を算出する補正量算出部をコントローラー
１４内部に設け、この補正量算出部（又は、コントロー
ラー１４）は、駆動部２１を介して、コンデンサー光学
系８またはコンデンサー光学系８を構成する１部のレン
ズ等の光学素子の位置を自動調整するように構成しても
良い。

【００４１】このように照度均一性を確保した露光装置
を用いて、マスク上のパターンを投影レンズ１０を介し
てウエハのような感光性基板１２に投影露光して、半導
体デバイスの製造を行う。

【００４２】具体的には、以上にて説明した照度調整の
工程が完了すると、次に、感光性基板としてのウエハ１
２上にレチクルパターンを露光するフォトリソグラフィ
工程に移行する。

【００４３】まず、コントローラー１４は、実際に露光
を行うレチクル上のパターン領域に露光光が導かれるよ
うに、ブラインド１７の開口の大きさを再設定する。こ
の再設定により、レチクル上では、露光のための照明領
域がブラインド１７にて規定される。

【００４４】次に、レチクルが配置されるべきレチクル
面９に回路パターン等の所定パターンが形成されたレチ
クルが不図示のレチクルステージに保持され、その後、
照明光学系を介してレチクルが照明され、投影光学系と
しての投影レンズ１０を介してレチクルのパターンがウ
エハ１２に投影され、レチクルのパターン像がウエハ上
に転写される。

【００４５】図１及び図３に示した露光装置による露光
の工程（フォトリソグラフィ工程）を経たウエハＷは、
現像する工程を経てから現像したレジスト以外の部分を
除去するエッチングの工程、エッチングの工程後の不要
なレジストを除去するレジスト除去の工程等を経てウエ
ハプロセスが終了する。そして、ウエハプロセスが終了
すると、実際の組立工程にて、焼き付けられた回路毎に
ウエハを切断してチップ化するダイシング、各チップに
配線等を付与するボンディイング、各チップ毎にパッケ
ージングするパッケージング等の各工程を経て、最終的
に半導体装置としての半導体デバイス（ＬＳＩ等）が製
造される。

【００４６】なお、以上には、投影露光装置を用いたウ
エハプロセスでのフォトリソグラフィ工程により半導体
素子を製造する例を示したが、露光装置を用いたフォト
リソグラフィ工程によって、半導体デバイスとして、液
晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）を
製造することができる。

【００４７】また、本発明では、ブラインド１７の制御
方法としてウエハステージ１３上の照度センサーのステ
ップ毎にブラインド１７を動かし、照明視野を制限する
ことで投影レンズ１０に限界値以上の多大な光束が入射
しないようにしているが、必ずしも照度センサー２３の
ステップ毎にブラインド１７を動作させる必要はなく、
ブラインド１７の駆動装置１６の追随スピードにより全
体の１／４や１／９の照明視野に制限したり、ある測定
ライン毎に制限することも可能であることは言うまでも
ない。

【００４８】また、照度計測時のみ光路を開くシャッタ
ーを、いずれかの位置に設けて照度を計測してもよい。

【００４９】なお、図１及び図３では、照度センサー２
３をウエハステージ１３の一端に設けた例を示したが、
ウエハ１２と共役となる位置、即ちレチクルを保持する
レチクルステージ上に照度センサーを設けてもよい。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、投影レ
ンズに限界値以上の多大な光束が入射しなくなるので、
投影レンズが熱の蓄積による照射変動が少なく、その結
果、作業効率を大幅に向上させることが可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による露光装置の第１の実施の形態を示
す概略図である。

【図２】図１中に配置されている可変視野絞り（ブライ
ンド）の例を示す図である。

【図３】本発明による露光装置の第２の実施の形態を示
す概略図である。

【符号の説明】

１超高圧水銀灯２楕円鏡３、７折り曲げミラー４コレクターレンズ５波長選択フィルタ６フライアイレンズ８コンデンサーレンズ９レチクル相当位置１０投影レンズ１１投影レンズの入射瞳面１３ウエハステージ１４コントローラ１５ σ絞り１６ブラインドの駆動装置１７ブラインド１８リレーレンズ２２焦点位置２３照度センサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パターンの形成されたマスクを照明する
ための光源と；前記パターンを感光性基板に投影する投
影光学系と；前記感光性基板が配置されるべき第１の面
に配置されて、前記投影光学系を介して照明される前記
第１の面における照度を計測する照度検出器と；前記第
１の面を照明する前記光源からの光を制限する光量制限
手段と；前記照度検出器による前記第１の面の照度の計
測に合わせて、前記光量制限手段を制御する制御系とを
備えることを特徴とする；露光装置。
【請求項２】前記光量制限手段は、前記マスクが実質
的に配置されるべき面またはその面と実質的に共役な第
２の面に配置されて、前記第２の面の照明される領域を
制限するブラインドを含み；前記制御系は、前記ブライ
ンドを前記第２の面内で駆動する駆動装置と、前記第１
の面の前記照度検出器で照度を計測する位置に合わせ
て、前記ブラインドを追尾するように前記駆動装置を制
御する制御器とを備えることを特徴とする；請求項１に
記載の露光装置。
【請求項３】パターンの形成されたマスクを照明する
ための光源と；前記光源からの光に基づいて複数の光源
像を形成するオプティカルインテグレータと；前記複数
の光源像からの光により前記マスクを照明するためのコ
ンデンサレンズ系と；前記コンデンサレンズを介して照
明されたマスク上のパターンを感光性基板に投影する投
影光学系と；前記感光性基板が配置されるべき第１の面
に配置されて、前記投影光学系を介して照明される前記
第１の面における照度を計測する照度検出器と；前記マ
スクが実質的に配置されるべき面またはその面と実質的
に共役な第２の面に配置されて、前記第２の面の照明さ
れる領域を制限するブラインドを含み；前記照度検出器
による前記第１の面の照度の計測位置に合わせて、前記
ブラインドの位置を制御する制御系とを備えることを特
徴とする；露光装置。
【請求項４】前記光量制限手段が、前記光源からの光
を断続的に遮断するシャターを含む；請求項１に記載の
露光装置。
【請求項５】マスク上に形成されたパターンを感光性
基板に投影する投影光学系を備えた露光装置を用いて半
導体デバイを製造する方法において；前記マスクが実質
的に配置されるべき面に向けて照明光を供給する工程
と；前記投影光学系の像面内での計測位置に前記照明光
の１部を導くために、前記マスクが実質的に配置される
べき面またはその面と実質的に共役な面において、前記
照明光を制限する工程と；前記投影光学系の像面内で前
記計測位置を移動させることに応じて、前記制限された
照明光が前記投影光学系の像面上にて集光される位置を
前記計測位置と一致するように追尾させて制御する工程
と；前記投影光学系の像面内で前記計測位置を移動させ
ながら前記計測位置での照度を計測することにより、前
記投影光学系の像面内での照度を計測する工程と；前記
照度を計測する工程による計測結果に基づいて、前記投
影光学系の像面内での照度を調整する工程と；前記マス
ク上のパターンを投影光学系を介して感光性基板に投影
露光する工程と；を備える半導体デバイスを製造する方
法。