JPH06340975A - 加熱された支持部上のシャドーフレーム及び大型平面基板の整列 - Google Patents
加熱された支持部上のシャドーフレーム及び大型平面基板の整列Info
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- JPH06340975A JPH06340975A JP871494A JP871494A JPH06340975A JP H06340975 A JPH06340975 A JP H06340975A JP 871494 A JP871494 A JP 871494A JP 871494 A JP871494 A JP 871494A JP H06340975 A JPH06340975 A JP H06340975A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板１０８及びシャドーフレーム４０
をサセプタ１１３に対して正確に心出しすることを目的
とする。 【構成】 心出し用ピンアッセンブリ２２０は、サセプ
タ１１３の中心に対して機械的に重ね合わされるが、加
熱されたサセプタ１１３に対するガラス基板１０８の温
度によらない心出し、及び基板１０８に対するシャドー
フレーム４０の心出しを確保するために、独立して動き
うる。シャドーフレーム４０は心出し用ピン１２と係合
するような形状をなしており、これにより基板１０８に
対するシャドーフレーム４０の整列もなされる。整形さ
れた支持ピン２００は、自分自身の重さによってサセプ
タ１１３内で緩く保持されており、きつくはめ合う穴１
１７によってガイドされる。これらのピン２００は、基
板１０８を自動的に交換する間、ガラス基板１０８に対
する支持となる。
をサセプタ１１３に対して正確に心出しすることを目的
とする。 【構成】 心出し用ピンアッセンブリ２２０は、サセプ
タ１１３の中心に対して機械的に重ね合わされるが、加
熱されたサセプタ１１３に対するガラス基板１０８の温
度によらない心出し、及び基板１０８に対するシャドー
フレーム４０の心出しを確保するために、独立して動き
うる。シャドーフレーム４０は心出し用ピン１２と係合
するような形状をなしており、これにより基板１０８に
対するシャドーフレーム４０の整列もなされる。整形さ
れた支持ピン２００は、自分自身の重さによってサセプ
タ１１３内で緩く保持されており、きつくはめ合う穴１
１７によってガイドされる。これらのピン２００は、基
板１０８を自動的に交換する間、ガラス基板１０８に対
する支持となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、サセプタ（suscepto
r ）すなわち加熱支持部（heated support）の上でのＣ
ＶＤ蒸着マスク（以下、「シャドーフレーム」とい
う。）及び大型ガラス基板の整列方法に関するものであ
る。特に、この発明は、基板処理を行い処理チャンバに
対して大型の矩形ガラス基板の自動交換をするために、
基板の整列及び支持を行うための装置に関するものであ
る。
r ）すなわち加熱支持部（heated support）の上でのＣ
ＶＤ蒸着マスク（以下、「シャドーフレーム」とい
う。）及び大型ガラス基板の整列方法に関するものであ
る。特に、この発明は、基板処理を行い処理チャンバに
対して大型の矩形ガラス基板の自動交換をするために、
基板の整列及び支持を行うための装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業は単一基板（シリコンウエ
ハ）式ないし枚葉式の処理チャンバをしばらくの間用い
てきた。なぜなら、チャンバの容積を最小にでき、基板
の汚染が減少し、プロセスの制御性が向上するからであ
り、結果として生産性が改善される。さらに、メイダン
（Maydan）らの米国特許第4,951,601 号に記載されてい
るような真空システムが開発された。このシステムは、
中央の移送チャンバに接続された複数の真空処理チャン
バ内で連続してなされる数段階の処理ステップを可能と
したものであり、これにより、真空の環境から出ること
なく基板上に数段階の処理ステップを施すことができ
る。これは、さらに、基板の汚染の可能性を減少させ
る。
ハ）式ないし枚葉式の処理チャンバをしばらくの間用い
てきた。なぜなら、チャンバの容積を最小にでき、基板
の汚染が減少し、プロセスの制御性が向上するからであ
り、結果として生産性が改善される。さらに、メイダン
（Maydan）らの米国特許第4,951,601 号に記載されてい
るような真空システムが開発された。このシステムは、
中央の移送チャンバに接続された複数の真空処理チャン
バ内で連続してなされる数段階の処理ステップを可能と
したものであり、これにより、真空の環境から出ること
なく基板上に数段階の処理ステップを施すことができ
る。これは、さらに、基板の汚染の可能性を減少させ
る。
【０００３】近年、百万個までのアクティブな薄膜トラ
ンジスタを搭載でき、アクティブマトリックス型のテレ
ビやコンピュータディスプレイに応用される大型ガラス
基板に対する関心が高まっている。このような大型ガラ
ス基板は、一般に３５０×４５０×１ｍｍまでの大きさ
であり、その上に薄膜を蒸着（deposition）させるため
には真空処理チャンバが必要である。基礎的手法及び処
理チャンバ、例えばプラズマ増強型化学蒸着法（plasma
enhanced chemical vapor deposition ；ＰＥＣＶ
Ｄ）、ＰＶＤ、エッチチャンバ及び類似のものは、シリ
コンウエハ上に層を堆積させ、薄膜にパターンを刻むの
に使用されるものと同様である。ガラス基板上で複数の
処理ステップを施すことができる実際のシステムは、本
出願の優先権の基礎となった出願と同時に出願され、”
VACUUM PROCESSING APPARATUS HAVINGIMPROVED THROUGH
PUT”という名称のターナ（Turner）らによる米国特許
出願第０８／０１０６８４号に開示されている。
ンジスタを搭載でき、アクティブマトリックス型のテレ
ビやコンピュータディスプレイに応用される大型ガラス
基板に対する関心が高まっている。このような大型ガラ
ス基板は、一般に３５０×４５０×１ｍｍまでの大きさ
であり、その上に薄膜を蒸着（deposition）させるため
には真空処理チャンバが必要である。基礎的手法及び処
理チャンバ、例えばプラズマ増強型化学蒸着法（plasma
enhanced chemical vapor deposition ；ＰＥＣＶ
Ｄ）、ＰＶＤ、エッチチャンバ及び類似のものは、シリ
コンウエハ上に層を堆積させ、薄膜にパターンを刻むの
に使用されるものと同様である。ガラス基板上で複数の
処理ステップを施すことができる実際のシステムは、本
出願の優先権の基礎となった出願と同時に出願され、”
VACUUM PROCESSING APPARATUS HAVINGIMPROVED THROUGH
PUT”という名称のターナ（Turner）らによる米国特許
出願第０８／０１０６８４号に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板が大型であるために、真空処理チャンバ内でのハン
ドリング及び処理に関していくつかの問題点が指摘され
ている。
基板が大型であるために、真空処理チャンバ内でのハン
ドリング及び処理に関していくつかの問題点が指摘され
ている。
【０００５】処理中は、ガラス基板の端部及び裏側は、
蒸着から保護されていなければならない。半導体処理技
術から拝借してきた技術であるが、蒸着マスク用リング
（または、この場合には矩形体）すなわちシャドーフレ
ームが、処理ガス（processing gases）またはプラズマ
が例えばＣＶＤチャンバ内の基板の端部及び裏側に達す
るのを防止するために、基板周囲のまわりに置かれる。
サセプタは、その上に載せられた基板とともに、基板上
面の周囲を数ｍｍ取り囲んでカバーするシャドーフレー
ムを有することができ、これにより基板の端部及び裏側
を蒸着から保護する。しかし、もしシャドーフレームが
処理中に基板に対して正確に心出しされていないときに
は、基板の各端部を覆う量が等しくなくなり、容認でき
ない。
蒸着から保護されていなければならない。半導体処理技
術から拝借してきた技術であるが、蒸着マスク用リング
（または、この場合には矩形体）すなわちシャドーフレ
ームが、処理ガス（processing gases）またはプラズマ
が例えばＣＶＤチャンバ内の基板の端部及び裏側に達す
るのを防止するために、基板周囲のまわりに置かれる。
サセプタは、その上に載せられた基板とともに、基板上
面の周囲を数ｍｍ取り囲んでカバーするシャドーフレー
ムを有することができ、これにより基板の端部及び裏側
を蒸着から保護する。しかし、もしシャドーフレームが
処理中に基板に対して正確に心出しされていないときに
は、基板の各端部を覆う量が等しくなくなり、容認でき
ない。
【０００６】サセプタに対する基板の整列を複雑にして
いる要因は、以下のようなものである。処理チャンバに
対する基板の自動的移動の正確な設定、較正及びデバッ
グをするためには、これらの作業を室温でなしうること
が重要である。それゆえ、基板の支持及び整列を行うチ
ャンバ部品は、室温において、通常の動作温度における
のと同様に振る舞うような大きさと形状でなければなら
ない。一般にアルミニウムから作られ、それ自身の抵抗
または他の方法によって加熱される大型ガラス基板のサ
セプタすなわち支持部は、非常に大きな熱膨張係数（約
２２×１０-6／℃）を有しており、従って、室温から約
３５０℃である処理温度まで加熱されたときには０．７
２％も大きさが大きくなる。平面パネルディスプレイ工
業で一般に使用されるタイプのガラスは、低い熱膨張係
数（４．６×１０-6／℃）を有しているため、そのガラ
スの大きさは、室温から３５０℃までの間に約０．１５
％しか大きくならない。この違いのために、ガラス板及
びサセプタが高温に加熱されたときには、室温条件に比
べて、ガラス及びサセプタの間で大きさは顕著に異な
り、サセプタ上における加熱されたガラス基板の心出し
または整列維持は困難になる。もう一度述べるが、これ
により各端板に沿って生じるマスク量の不均一性が起こ
り、ガラス板の蒸着領域の位置が許容できないほど変動
してしまう。
いる要因は、以下のようなものである。処理チャンバに
対する基板の自動的移動の正確な設定、較正及びデバッ
グをするためには、これらの作業を室温でなしうること
が重要である。それゆえ、基板の支持及び整列を行うチ
ャンバ部品は、室温において、通常の動作温度における
のと同様に振る舞うような大きさと形状でなければなら
ない。一般にアルミニウムから作られ、それ自身の抵抗
または他の方法によって加熱される大型ガラス基板のサ
セプタすなわち支持部は、非常に大きな熱膨張係数（約
２２×１０-6／℃）を有しており、従って、室温から約
３５０℃である処理温度まで加熱されたときには０．７
２％も大きさが大きくなる。平面パネルディスプレイ工
業で一般に使用されるタイプのガラスは、低い熱膨張係
数（４．６×１０-6／℃）を有しているため、そのガラ
スの大きさは、室温から３５０℃までの間に約０．１５
％しか大きくならない。この違いのために、ガラス板及
びサセプタが高温に加熱されたときには、室温条件に比
べて、ガラス及びサセプタの間で大きさは顕著に異な
り、サセプタ上における加熱されたガラス基板の心出し
または整列維持は困難になる。もう一度述べるが、これ
により各端板に沿って生じるマスク量の不均一性が起こ
り、ガラス板の蒸着領域の位置が許容できないほど変動
してしまう。
【０００７】それゆえ、大型ガラス基板及びシャドーフ
レームをサセプタに対して心出しする方法が求められ
た。
レームをサセプタに対して心出しする方法が求められ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】心出し用ピンアッセンブ
リは、サセプタの中心に対して機械的に重ね合わされる
が、加熱されたサセプタに対する大型ガラス基板の温度
によらない心出し、及び基板に対するシャドーフレーム
の心出しを確保するために、独立して動きうる。シャド
ーフレームは心出し用ピンと係合するような形状をなし
ており、これにより基板に対するシャドーフレームの整
列もなされる。
リは、サセプタの中心に対して機械的に重ね合わされる
が、加熱されたサセプタに対する大型ガラス基板の温度
によらない心出し、及び基板に対するシャドーフレーム
の心出しを確保するために、独立して動きうる。シャド
ーフレームは心出し用ピンと係合するような形状をなし
ており、これにより基板に対するシャドーフレームの整
列もなされる。
【０００９】整形された（shaped）支持ピンは、自分自
身の重さによってサセプタ内で緩く保持されており、き
つくはめ合う穴によってガイドされる。これらのピン
は、基板を自動的に交換する間、大型ガラス基板に対す
る支持となり、定期的なドライエッチングによる清掃サ
イクルの間、基板をダメージから保護する。
身の重さによってサセプタ内で緩く保持されており、き
つくはめ合う穴によってガイドされる。これらのピン
は、基板を自動的に交換する間、大型ガラス基板に対す
る支持となり、定期的なドライエッチングによる清掃サ
イクルの間、基板をダメージから保護する。
【００１０】
【実施例】図１に示すように、この発明の心出し用ピン
１２は、図２のシャドーフレーム（shadow frame）４０
を支持する上面２０及びそこから垂直に伸びた三角形指
状部（triangular finger ）１４を有している。指状部
１４は、一方向に傾斜した第１の外側端部１６を有して
いる。外側端部１６は、シャドーフレーム４０と係合し
て、これを図８の心出し用ピンアッセンブリ２２０に対
して心出しする。指状部１４は、さらに、別の方向に傾
斜した第２の内側端部１８を有している。内側端面１８
は、必要な場合には、ロードシーケンスにおいてガラス
基板１０８がサセプタ１１３と接触する前に、内側に置
かれるガラス基板１０８の心出しをする。
１２は、図２のシャドーフレーム（shadow frame）４０
を支持する上面２０及びそこから垂直に伸びた三角形指
状部（triangular finger ）１４を有している。指状部
１４は、一方向に傾斜した第１の外側端部１６を有して
いる。外側端部１６は、シャドーフレーム４０と係合し
て、これを図８の心出し用ピンアッセンブリ２２０に対
して心出しする。指状部１４は、さらに、別の方向に傾
斜した第２の内側端部１８を有している。内側端面１８
は、必要な場合には、ロードシーケンスにおいてガラス
基板１０８がサセプタ１１３と接触する前に、内側に置
かれるガラス基板１０８の心出しをする。
【００１１】図２は、ここで用いるシャドーフレーム４
０の断面図である。シャドーフレーム４０は、上面４２
を備えている。上面４２には、そこから水平に伸びるリ
ップ部（lip ）４４が設けられており、リップ部４４は
ガラス基板１０８の周辺を覆うものであり、これにより
基板１０８の端部及び底部を蒸着から保護する。テーパ
ー付き側面４６は、心出し用ピン１２の外側の傾斜面１
６と係合する。この実施例のシャドーフレーム４０は、
セラミックまたは陽極酸化された（anodized）アルミニ
ウムであるが、他の好適な材料からも製作しうる。
０の断面図である。シャドーフレーム４０は、上面４２
を備えている。上面４２には、そこから水平に伸びるリ
ップ部（lip ）４４が設けられており、リップ部４４は
ガラス基板１０８の周辺を覆うものであり、これにより
基板１０８の端部及び底部を蒸着から保護する。テーパ
ー付き側面４６は、心出し用ピン１２の外側の傾斜面１
６と係合する。この実施例のシャドーフレーム４０は、
セラミックまたは陽極酸化された（anodized）アルミニ
ウムであるが、他の好適な材料からも製作しうる。
【００１２】図４に示すような通常の条件下において
は、ロボットブレード２３０が基板１０８を上に載せて
チャンバに挿入されて処理のためにチャンバ内にロード
されたとき、基板１０８の位置は適当であり、心出しが
必要でない程度に十分正確に置かれる。しかし、基板１
０８に、２つの対向する心出し用ピン１２の内側の傾斜
面１８によって形成される”捕獲窓（capture windo
w）”の範囲内で何らかの位置決めミスが生じた場合に
は、基板１０８は、心出し用ピンアッセンブリ２２０が
垂直上方に移動してロボットブレード２３０から基板１
０８を持ち上げたときに、基板１０８が心出し用ピン１
２の傾斜面１８にガイドされながら下がることによって
心出しされる。心出し用ピン１２の傾斜面１６の明らか
に同様の機能により、心出し用ピンアッセンブリ２２０
が上方に移動して図５に示す”持ち上げ（lift）”位置
に達したときに、シャドーフレーム４０の心出し状態が
達成され維持される。基板１０８の再整列及び基板１０
８に対するシャドーフレーム４０の整列は受動的であ
り、心出し用ピン１２に対するこれらの部品の重力下の
相互作用によってなされる。
は、ロボットブレード２３０が基板１０８を上に載せて
チャンバに挿入されて処理のためにチャンバ内にロード
されたとき、基板１０８の位置は適当であり、心出しが
必要でない程度に十分正確に置かれる。しかし、基板１
０８に、２つの対向する心出し用ピン１２の内側の傾斜
面１８によって形成される”捕獲窓（capture windo
w）”の範囲内で何らかの位置決めミスが生じた場合に
は、基板１０８は、心出し用ピンアッセンブリ２２０が
垂直上方に移動してロボットブレード２３０から基板１
０８を持ち上げたときに、基板１０８が心出し用ピン１
２の傾斜面１８にガイドされながら下がることによって
心出しされる。心出し用ピン１２の傾斜面１６の明らか
に同様の機能により、心出し用ピンアッセンブリ２２０
が上方に移動して図５に示す”持ち上げ（lift）”位置
に達したときに、シャドーフレーム４０の心出し状態が
達成され維持される。基板１０８の再整列及び基板１０
８に対するシャドーフレーム４０の整列は受動的であ
り、心出し用ピン１２に対するこれらの部品の重力下の
相互作用によってなされる。
【００１３】基板１０８及びシャドーフレーム４０は、
このように、単一の部品、すなわち心出し用ピンアッセ
ンブリ２２０によって互いに心出しされ、サセプタ１１
３上で心出しされる。この整列は、基板１０８の面及び
シャドーフレーム４０の面のｘ及びｙ軸の両方に沿った
並進方向の（translational ）整列である。図９の平面
図に示すように、対向する心出し用ピン１２の４ペアを
用いることにより、ｚ軸のまわりの回転の整列を達成す
ることができる。これらの心出し用ピン１２は基板１０
８及びシャドーフレーム４０の角の近くに作用するよう
に配置されている。図９は、矩形の基板１０８及びシャ
ドーフレーム４０の並進及び回転の心出しをするため
に、心出し用ピン１２が４個の対向するペア（全部で８
個のピン）にいかに配列されるかを示している。
このように、単一の部品、すなわち心出し用ピンアッセ
ンブリ２２０によって互いに心出しされ、サセプタ１１
３上で心出しされる。この整列は、基板１０８の面及び
シャドーフレーム４０の面のｘ及びｙ軸の両方に沿った
並進方向の（translational ）整列である。図９の平面
図に示すように、対向する心出し用ピン１２の４ペアを
用いることにより、ｚ軸のまわりの回転の整列を達成す
ることができる。これらの心出し用ピン１２は基板１０
８及びシャドーフレーム４０の角の近くに作用するよう
に配置されている。図９は、矩形の基板１０８及びシャ
ドーフレーム４０の並進及び回転の心出しをするため
に、心出し用ピン１２が４個の対向するペア（全部で８
個のピン）にいかに配列されるかを示している。
【００１４】心出し用ピンアッセンブリ２２０及びもっ
と重要なものとしてピン支持板１２２は、熱膨張係数の
低い材料から作られている。この実施例ではアルミナで
あり、熱膨張係数は約７．４×１０-6／℃であり、それ
ゆえガラス基板１０８の寸法変化と似た寸法変化を示
す。ガラス基板１０８の寸法変化は、室温から約３５０
℃である処理温度までで約０．２４％にすぎない。
と重要なものとしてピン支持板１２２は、熱膨張係数の
低い材料から作られている。この実施例ではアルミナで
あり、熱膨張係数は約７．４×１０-6／℃であり、それ
ゆえガラス基板１０８の寸法変化と似た寸法変化を示
す。ガラス基板１０８の寸法変化は、室温から約３５０
℃である処理温度までで約０．２４％にすぎない。
【００１５】図３は、大型ガラス基板上に薄膜を蒸着す
る際に用いられる、単一基板用のＣＶＤ処理チャンバの
断面図である。このチャンバには、新規な心出し用ピン
アッセンブリ及びシャドーフレームが使用されている。
る際に用いられる、単一基板用のＣＶＤ処理チャンバの
断面図である。このチャンバには、新規な心出し用ピン
アッセンブリ及びシャドーフレームが使用されている。
【００１６】真空チャンバ１２０は、チャンバ本体１０
２及びヒンジによって本体１０２に装着されたふた１０
３から構成される。反応ガスを分配させる複数の開口部
１０６を内部に有するガス分散板１０４が、ふた１０３
内に取り付けられている。シャドーフレーム４０は、基
板１０８がチャンバ１２０から入口１２６を通して出し
入れされる間に、壁１０２の内面１１２上のたな部（le
dge ）１１０によって支持されている。セラミック製支
持部１１４上に取り付けられたサセプタ／加熱支持部
（susceptor/heated support）１１３は、通常の動作を
するシャフト１１８により上下に動きうる。図示されて
いるように、サセプタ１１３は、図４の下位置すなわち
ロード／アンロード位置と、図５の持ち上げ位置との中
間にある。サセプタ１１３は、図６の上位置すなわち処
理位置にあるときに、その上面１１６上に処理される基
板１０８を支持する。
２及びヒンジによって本体１０２に装着されたふた１０
３から構成される。反応ガスを分配させる複数の開口部
１０６を内部に有するガス分散板１０４が、ふた１０３
内に取り付けられている。シャドーフレーム４０は、基
板１０８がチャンバ１２０から入口１２６を通して出し
入れされる間に、壁１０２の内面１１２上のたな部（le
dge ）１１０によって支持されている。セラミック製支
持部１１４上に取り付けられたサセプタ／加熱支持部
（susceptor/heated support）１１３は、通常の動作を
するシャフト１１８により上下に動きうる。図示されて
いるように、サセプタ１１３は、図４の下位置すなわち
ロード／アンロード位置と、図５の持ち上げ位置との中
間にある。サセプタ１１３は、図６の上位置すなわち処
理位置にあるときに、その上面１１６上に処理される基
板１０８を支持する。
【００１７】分離されたピン支持部１２２上に固く取り
付けられた複数の心出し用ピン１２は、図９の心出し用
ピンアッセンブリ２２０を構成する。このアッセンブリ
もシャフト１１８によって上下に動きうるが、外側シャ
フト１２４に分離して取り付けられている。例えば、サ
セプタ用シャフト１１８のガイドベアリングが、心出し
用ピンアッセンブリ２２０及びサセプタ支持部１１４の
分離した動きを可能としている。処理されるガラス基板
１０８が心出し用ピン１２に対して心出しされるよう
に、心出し用ピン１２の位置はそれらの支持部１２２に
対して固定されている。ピン支持部１２２は、サセプタ
１１３及びそれの支持部１１４の下方に配置されてお
り、心出し用ピン１２はこれらの部品の穴を通過してい
る。
付けられた複数の心出し用ピン１２は、図９の心出し用
ピンアッセンブリ２２０を構成する。このアッセンブリ
もシャフト１１８によって上下に動きうるが、外側シャ
フト１２４に分離して取り付けられている。例えば、サ
セプタ用シャフト１１８のガイドベアリングが、心出し
用ピンアッセンブリ２２０及びサセプタ支持部１１４の
分離した動きを可能としている。処理されるガラス基板
１０８が心出し用ピン１２に対して心出しされるよう
に、心出し用ピン１２の位置はそれらの支持部１２２に
対して固定されている。ピン支持部１２２は、サセプタ
１１３及びそれの支持部１１４の下方に配置されてお
り、心出し用ピン１２はこれらの部品の穴を通過してい
る。
【００１８】図７は、整形された（shaped）支持ピン２
００を示しており、これを複数用いて、ロボットのブレ
ードに対して基板をロード及びアンロードする間に、基
板１０８を支持する。これらのピン２００は、サセプタ
１１３内で自分自身の重さがかかった状態で浮動状態に
あり（are floating）、それらの底面が心出し用ピン支
持部１２２に接触することにより、サセプタ１１３が図
５の持ち上げ位置または図４のロード位置にあるとき
に、サセプタ１１３を通って押し出される。サセプタ１
１３から基板１０８を持ち上げる部品（この実施例で
は、整形されたピン）は、基板の下になければならない
ので、取付穴（access hole(s)）１１７は、これを通し
てものを持ち上げるためには、サセプタ１１３及びそれ
の支持部１１４を貫通していなければならない。しか
し、その穴が基板１０８によって覆われていないと、基
板上のその場所の温度制御性低下を含むいくつかの有害
な効果が生じ、また、プラズマ強化蒸着（plasma enhan
ced deposition）またはエッチ清掃プロセス（etch cle
an process）の場合には、表面１１６上の穴が生じさせ
る非連続性部分に発生する放電が非常に強くされる。こ
の結果として、温度またはスパッタリングによる穴表面
へのダメージが起こりうる。それゆえ、整形された支持
ピン２００は、サセプタ内で浮動し、図５の持ち上げ位
置から図６の処理位置に移動するサセプタ１１３によっ
て運搬されるように設計されている。整形された支持ピ
ン２００の頭部は、サセプタ１１３内の接触テーパ面１
１５の内側にぴったり適合するテーパ付き底面２０５を
有しており、サセプタ１１３内の穴１１７を効果的にシ
ールする。整形された支持ピン２００は、その後、サセ
プタが図６の処理位置にあるときに、支持ピンの面２０
５がサセプタの面１１５の内側に組み合うことによって
サセプタ１１３内で吊られる。この位置では、整形され
た支持ピン２００の上面２０２は、サセプタの面１１６
と同一平面となるか同一平面よりも少しだけ低くならな
ければならない。
００を示しており、これを複数用いて、ロボットのブレ
ードに対して基板をロード及びアンロードする間に、基
板１０８を支持する。これらのピン２００は、サセプタ
１１３内で自分自身の重さがかかった状態で浮動状態に
あり（are floating）、それらの底面が心出し用ピン支
持部１２２に接触することにより、サセプタ１１３が図
５の持ち上げ位置または図４のロード位置にあるとき
に、サセプタ１１３を通って押し出される。サセプタ１
１３から基板１０８を持ち上げる部品（この実施例で
は、整形されたピン）は、基板の下になければならない
ので、取付穴（access hole(s)）１１７は、これを通し
てものを持ち上げるためには、サセプタ１１３及びそれ
の支持部１１４を貫通していなければならない。しか
し、その穴が基板１０８によって覆われていないと、基
板上のその場所の温度制御性低下を含むいくつかの有害
な効果が生じ、また、プラズマ強化蒸着（plasma enhan
ced deposition）またはエッチ清掃プロセス（etch cle
an process）の場合には、表面１１６上の穴が生じさせ
る非連続性部分に発生する放電が非常に強くされる。こ
の結果として、温度またはスパッタリングによる穴表面
へのダメージが起こりうる。それゆえ、整形された支持
ピン２００は、サセプタ内で浮動し、図５の持ち上げ位
置から図６の処理位置に移動するサセプタ１１３によっ
て運搬されるように設計されている。整形された支持ピ
ン２００の頭部は、サセプタ１１３内の接触テーパ面１
１５の内側にぴったり適合するテーパ付き底面２０５を
有しており、サセプタ１１３内の穴１１７を効果的にシ
ールする。整形された支持ピン２００は、その後、サセ
プタが図６の処理位置にあるときに、支持ピンの面２０
５がサセプタの面１１５の内側に組み合うことによって
サセプタ１１３内で吊られる。この位置では、整形され
た支持ピン２００の上面２０２は、サセプタの面１１６
と同一平面となるか同一平面よりも少しだけ低くならな
ければならない。
【００１９】基板をロードする手順は以下のようにな
る。ロボットブレード２３０によって支持されたガラス
基板１０８が、サセプタ１１３及び心出し用ピンアッセ
ンブリ２２０が図４の下位置にある間に、入口ポート１
２６を通して真空チャンバ１２０に入る。整形された支
持ピン２００は、それらの下端でピン支持板１２２に接
触し、それらの上面２０２は、心出し用ピン１２の内側
傾斜端部１８の底部とほぼ水平に整列される。心出し用
ピン１２は、サセプタ１１３に対してガラス基板１０８
を支持し、もし必要なら心出しするために、上方に動か
される。ガラス基板１０８は、図５の持ち上げ位置まで
移動する間に、心出し用ピンの傾斜面１８によって心出
しされ、サセプタ１１３の上に突き出ている整形された
ピン２００の上面２０２によって支持される。ロボット
ブレード２３０は引き出され、入口ポート１２６は閉じ
られる。心出し用ピンアッセンブリ２２０は、整形され
た支持ピン２００と一緒に、心出し用ピン１２の端部１
６がシャドーフレーム４０のテーパ面４６に接触するま
で、上方に動き続ける。シャドーフレーム４０は、すぐ
に上方に持ち上げられ、壁１０２のたな部（ledge ）１
１０から離れ、基板１０８に対して心出しされる。シャ
ドーフレーム４０は、もし必要ならこのように心出しさ
れ、心出し用ピンアッセンブリ２２０がサセプタ１１３
とともに図５の持ち上げ位置まで上方に移動する間、心
出しされた状態で支持される。垂直方向運動の際、この
点で心出し用ピンアッセンブリ２２０は停止し、これ以
上高くは上昇しない。今度はサセプタ１１３が、ガラス
基板１０８及びシャドーフレーム４０のリップ部４４を
支持するまで上方に動かされ、シャドーフレーム４０は
今度は基板１０８のみによって支持される。この点で、
整形されたピン２００は、上昇するサセプタ１１３によ
ってピン支持板１２２から離れて持ち上げられ、サセプ
タの上面１１６と同一平面になる。ガラス基板及びシャ
ドーフレームの最終的な処理位置は図３中の点線１０８
Ａ及び４０Ａによって示され、その詳細は図６に示され
ている。ガラス基板１０８及びシャドーフレーム４０は
近似した熱膨張係数を持つように作りうるため、処理中
にそれら相互間の相対的な大きさは変化せず、シャドー
フレーム４０は基板１０８に対して心出しされた状態を
維持する。
る。ロボットブレード２３０によって支持されたガラス
基板１０８が、サセプタ１１３及び心出し用ピンアッセ
ンブリ２２０が図４の下位置にある間に、入口ポート１
２６を通して真空チャンバ１２０に入る。整形された支
持ピン２００は、それらの下端でピン支持板１２２に接
触し、それらの上面２０２は、心出し用ピン１２の内側
傾斜端部１８の底部とほぼ水平に整列される。心出し用
ピン１２は、サセプタ１１３に対してガラス基板１０８
を支持し、もし必要なら心出しするために、上方に動か
される。ガラス基板１０８は、図５の持ち上げ位置まで
移動する間に、心出し用ピンの傾斜面１８によって心出
しされ、サセプタ１１３の上に突き出ている整形された
ピン２００の上面２０２によって支持される。ロボット
ブレード２３０は引き出され、入口ポート１２６は閉じ
られる。心出し用ピンアッセンブリ２２０は、整形され
た支持ピン２００と一緒に、心出し用ピン１２の端部１
６がシャドーフレーム４０のテーパ面４６に接触するま
で、上方に動き続ける。シャドーフレーム４０は、すぐ
に上方に持ち上げられ、壁１０２のたな部（ledge ）１
１０から離れ、基板１０８に対して心出しされる。シャ
ドーフレーム４０は、もし必要ならこのように心出しさ
れ、心出し用ピンアッセンブリ２２０がサセプタ１１３
とともに図５の持ち上げ位置まで上方に移動する間、心
出しされた状態で支持される。垂直方向運動の際、この
点で心出し用ピンアッセンブリ２２０は停止し、これ以
上高くは上昇しない。今度はサセプタ１１３が、ガラス
基板１０８及びシャドーフレーム４０のリップ部４４を
支持するまで上方に動かされ、シャドーフレーム４０は
今度は基板１０８のみによって支持される。この点で、
整形されたピン２００は、上昇するサセプタ１１３によ
ってピン支持板１２２から離れて持ち上げられ、サセプ
タの上面１１６と同一平面になる。ガラス基板及びシャ
ドーフレームの最終的な処理位置は図３中の点線１０８
Ａ及び４０Ａによって示され、その詳細は図６に示され
ている。ガラス基板１０８及びシャドーフレーム４０は
近似した熱膨張係数を持つように作りうるため、処理中
にそれら相互間の相対的な大きさは変化せず、シャドー
フレーム４０は基板１０８に対して心出しされた状態を
維持する。
【００２０】反応ガスがガス分散板１０４を通して供給
され、処理が完了する。サセプタ１１３、基板１０８及
びシャドーフレーム４０は、その後、図５の持ち上げ位
置まで下げられ、ここでロボットブレード２３０が挿入
される。サセプタ１１３及び心出し用ピンアッセンブリ
２２０は、その後、一緒になって下げられる。基板１０
８はロボットブレードに載せられ、処理されたガラス基
板をチャンバ１２０から運び出すことができる。
され、処理が完了する。サセプタ１１３、基板１０８及
びシャドーフレーム４０は、その後、図５の持ち上げ位
置まで下げられ、ここでロボットブレード２３０が挿入
される。サセプタ１１３及び心出し用ピンアッセンブリ
２２０は、その後、一緒になって下げられる。基板１０
８はロボットブレードに載せられ、処理されたガラス基
板をチャンバ１２０から運び出すことができる。
【００２１】類似しているがあまり好適ではない、この
発明の実施例が図１０に示されている。ロボットの腕２
３０が基板１０８をチャンバ内に置いたとき、心出し用
アッセンブリ２２０が上方に移動する間に、傾斜した内
側の側壁１８が基板１０８を心出しする。サセプタ１１
３が基板１０８を内側のたな部１９から持ち上げ、シャ
ドーフレーム４０と組み合って心出し用ピン１２から持
ち上げる前に、心出しされた基板１０８は、内側に水平
に伸びた、心出し用ピン１２のたな部１９の上に載る。
内側たな部１９が図５に示された整形されたピン２００
の基板支持機能を果たすから、図１０の実施例は整形さ
れたピン２００を必要としない。しかし、心出し用ピン
１２が通すためのサセプタ１１３の穴１１７は、サセプ
タ１１３の中心に向かってもっと広がっていなければな
らず、それゆえ、シャドーフレームのリップ部４４がサ
セプタ１１３の大きな穴を覆うなら、それはもっと長く
なければならない。長いリップ部４４は、しかし、ガラ
ス１０８の使用可能な処理領域を狭くするという好まし
くない効果をもっており、前述のように、覆われていな
い穴は、基板１０８またはサセプタ１１３に有害な効果
をもちうる。
発明の実施例が図１０に示されている。ロボットの腕２
３０が基板１０８をチャンバ内に置いたとき、心出し用
アッセンブリ２２０が上方に移動する間に、傾斜した内
側の側壁１８が基板１０８を心出しする。サセプタ１１
３が基板１０８を内側のたな部１９から持ち上げ、シャ
ドーフレーム４０と組み合って心出し用ピン１２から持
ち上げる前に、心出しされた基板１０８は、内側に水平
に伸びた、心出し用ピン１２のたな部１９の上に載る。
内側たな部１９が図５に示された整形されたピン２００
の基板支持機能を果たすから、図１０の実施例は整形さ
れたピン２００を必要としない。しかし、心出し用ピン
１２が通すためのサセプタ１１３の穴１１７は、サセプ
タ１１３の中心に向かってもっと広がっていなければな
らず、それゆえ、シャドーフレームのリップ部４４がサ
セプタ１１３の大きな穴を覆うなら、それはもっと長く
なければならない。長いリップ部４４は、しかし、ガラ
ス１０８の使用可能な処理領域を狭くするという好まし
くない効果をもっており、前述のように、覆われていな
い穴は、基板１０８またはサセプタ１１３に有害な効果
をもちうる。
【００２２】この発明の第３の実施例が、図１１に３次
元的に示されている。４個のコーナーピン２１２が、ピ
ン支持板１２２の４隅から上に伸びている。介在するサ
セプタは図示されていない。２個の直交する三角形くさ
び部２１３及び２１４がコーナーピン２１２上部の平面
２１５から上方に伸びている。基板１０８は、そのコー
ナー２１６において、くさび部２１３及び２１４の内側
傾斜面２１７によって心出しされ、そのコーナー２１６
はピン上面２１５の内側部分によって支持される。マス
クフレーム（masking frame ）４０は、コーナーピン２
１２の外側傾斜面２１８によって心出しされ、ピン上面
２１５の外側部分によって支持される。これら４個のコ
ーナーピン２１２は、図１０に示した４ペアの心出し用
ピン１２と同じ機能を果たす。
元的に示されている。４個のコーナーピン２１２が、ピ
ン支持板１２２の４隅から上に伸びている。介在するサ
セプタは図示されていない。２個の直交する三角形くさ
び部２１３及び２１４がコーナーピン２１２上部の平面
２１５から上方に伸びている。基板１０８は、そのコー
ナー２１６において、くさび部２１３及び２１４の内側
傾斜面２１７によって心出しされ、そのコーナー２１６
はピン上面２１５の内側部分によって支持される。マス
クフレーム（masking frame ）４０は、コーナーピン２
１２の外側傾斜面２１８によって心出しされ、ピン上面
２１５の外側部分によって支持される。これら４個のコ
ーナーピン２１２は、図１０に示した４ペアの心出し用
ピン１２と同じ機能を果たす。
【００２３】この発明を特定の実施例について説明して
きたが、心出し用ピン、シャドーフレーム及び支持ピン
は、ＣＶＤチャンバ以外の装置においても採用すること
ができ、種々の材料及びチャンバ部品が代替しうること
は、等業者には明らかであろう。この発明は、特許請求
の範囲によってのみ限定されることが意図されている。
きたが、心出し用ピン、シャドーフレーム及び支持ピン
は、ＣＶＤチャンバ以外の装置においても採用すること
ができ、種々の材料及びチャンバ部品が代替しうること
は、等業者には明らかであろう。この発明は、特許請求
の範囲によってのみ限定されることが意図されている。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ガラ
ス基板及びシャドーフレームをサセプタに対して正確に
心出しすることができる、真空処理チャンバ、高温処理
システム、並びにガラス基板のロード及び心出し方法が
得られる。これにより、ガラス基板の周辺に沿ったマス
ク量を均一にすることができ、ガラス基板上の蒸着領域
の位置の変動を許容範囲内に抑えることができる。
ス基板及びシャドーフレームをサセプタに対して正確に
心出しすることができる、真空処理チャンバ、高温処理
システム、並びにガラス基板のロード及び心出し方法が
得られる。これにより、ガラス基板の周辺に沿ったマス
ク量を均一にすることができ、ガラス基板上の蒸着領域
の位置の変動を許容範囲内に抑えることができる。
【図１】この発明の心出し用ピンの第１の実施例の側面
図である。
図である。
【図２】この発明のシャドーフレームの一側面の側断面
図である。
図である。
【図３】この発明の心出し用ピンアッセンブリ及びシャ
ドーフレームが用いられている、大型ガラス基板を処理
するための単一基板用化学蒸着（ＣＶＤ）真空チャンバ
の断面図である。
ドーフレームが用いられている、大型ガラス基板を処理
するための単一基板用化学蒸着（ＣＶＤ）真空チャンバ
の断面図である。
【図４】心出し用ピン及びそれの支持板、整形された支
持ピン、シャドーフレームの一側面、ガラス基板、サセ
プタ／加熱支持部並びにチャンバ本体の側断面図であ
る。可動部品がロード／アンロード位置にあるときの、
これらの部品すべての相互関係を示している。
持ピン、シャドーフレームの一側面、ガラス基板、サセ
プタ／加熱支持部並びにチャンバ本体の側断面図であ
る。可動部品がロード／アンロード位置にあるときの、
これらの部品すべての相互関係を示している。
【図５】心出し用ピン及びそれの支持板、整形された支
持ピン、シャドーフレームの一側面、ガラス基板、サセ
プタ／加熱支持部並びにチャンバ本体の側断面図であ
る。可動部品が持ち上げ位置にあるときの、これらの部
品すべての相互関係を示している。
持ピン、シャドーフレームの一側面、ガラス基板、サセ
プタ／加熱支持部並びにチャンバ本体の側断面図であ
る。可動部品が持ち上げ位置にあるときの、これらの部
品すべての相互関係を示している。
【図６】心出し用ピン及びそれの支持板、整形された支
持ピン、シャドーフレームの一側面、ガラス基板、サセ
プタ／加熱支持部並びにチャンバ本体の側断面図であ
る。可動部品が処理位置にあるときの、これらの部品す
べての相互関係を示している。
持ピン、シャドーフレームの一側面、ガラス基板、サセ
プタ／加熱支持部並びにチャンバ本体の側断面図であ
る。可動部品が処理位置にあるときの、これらの部品す
べての相互関係を示している。
【図７】この発明の整形された支持ピンの側面図であ
る。
る。
【図８】心出し用ピンアッセンブリの側面図である。
【図９】心出し用ピンアッセンブリの上面図である。
【図１０】心出し用ピンの第２の実施例の側面図であ
る。
る。
【図１１】心出し用ピンの第３の実施例の斜視図であ
る。
る。
１２…心出し用ピン、１４…指状部、４０…シャドーフ
レーム、１０８…ガラス基板、１１３…サセプタ、１２
２…ピン支持部、１２６…入口ポート、２００…整形さ
れた支持ピン。
レーム、１０８…ガラス基板、１１３…サセプタ、１２
２…ピン支持部、１２６…入口ポート、２００…整形さ
れた支持ピン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイヴィッド イー． バークストレッサ ー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95030， ロス ガトス， ベアー クリ ーク ロード 19311 (72)発明者 カール ティー． ピーターセン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94536， フレモント， ギルバート シ ィーティー． 1185
Claims (20)
- 【請求項１】 垂直方向に可動な、基板のための基板支
持部を備えた、前記基板を処理するための真空処理チャ
ンバにおいて、 前記基板の裏側が処理されるのを防止するために、前記
基板の外周部に接触するシャドーフレームと複数の垂直
に延在する指状部とを有し、 前記複数の指状部が、各々前記シャドーフレームと係合
するための外側面と、前記基板と係合するための内側面
とを有し、もって前記基板に対して前記シャドーフレー
ムを整列することを特徴とする真空処理チャンバ。 - 【請求項２】 前記基板はガラスを含み、前記指状部を
支持する横方向に延在する支持部は、前記支持部が主に
構成される金属の熱膨張係数よりも前記ガラスの熱膨張
係数に実質的に近い熱膨張係数を有する材料を含むこと
を特徴とする請求項１に記載の真空処理チャンバ。 - 【請求項３】 垂直方向に可動なピン支持部、及び前記
ピン支持部に取り付けられた複数の垂直に伸びたピンで
あって、各ピンが上面に前記指状部を有するものをさら
に備えたことを特徴とする請求項１に記載の真空処理チ
ャンバ。 - 【請求項４】 前記シャドーフレームが、下方で外側に
伸びる水平面、前記外側に伸びる水平面の上方に位置し
て、下方で内側に伸びる、前記基板の上部外周に接触す
るための水平面、並びに前記内側及び外側に伸びる水平
面を接続する傾斜面を備え、 前記ピンの前記上面の各々が、前記シャドーフレームの
前記外側に伸びる水平面と係合するための、前記各ピン
の前記指状部から水平に外側に伸びる面を有する請求項
３の真空処理チャンバ。 - 【請求項５】 前記ピンの前記上面の各々が、前記基板
を支持するための、前記各ピンの前記指状部から水平に
内側に伸びる面を備えた請求項４の真空処理チャンバ。 - 【請求項６】 軸状に伸びた下部と外側に伸びる上部と
を有する複数の整形されたピンをさらに備え、前記下部
は前記基板支持部内に形成された開口部とスライド可能
な状態ではめ合い、前記上部は前記基板支持部の上面か
ら垂直に伸びうる請求項１の真空処理チャンバ。 - 【請求項７】 前記指状部を支持する、垂直に動きうる
指状部支持部をさらに備え、前記基板保持部及び前記指
状部支持部が垂直方向に相対的に遠くなったときに前記
整形されたピンの前記上部は前記基板保持部内に引っ込
み、前記基板保持部及び前記指状部支持部が垂直方向に
相対的に近くなったときに前記上部は前記基板保持部か
ら伸び前記下部は前記指状部支持部に接触する請求項６
の真空処理チャンバ。 - 【請求項８】 前記整形されたピンの前記上部が円錐形
状をなしており、前記基板支持部内の前記開口部が対応
するさら形状をなしている（countersunk ）請求項７の
真空処理チャンバ。 - 【請求項９】 少なくとも４個の対向するペアの前記ピ
ンを備え、前記ピン支持部の矩形の辺の各々が前記ピン
のうち少なくとも２個を有している請求項３の真空処理
チャンバ。 - 【請求項１０】 前記指状部がくさび形状をなしてお
り、前記ピンのうちの４個が前記基板のかどを支持する
ように配列され、２個の前記くさび形状をなした指状部
が各前記ピンの前記上面から垂直に伸びている請求項３
の真空処理チャンバ。 - 【請求項１１】 基板を受け入れるためのポートを有す
る、環境が制御された（controlled environment）処理
チャンバ、 垂直に動きうるピン支持部、 前記ピン支持部に取り付けられた複数の垂直に伸びた心
出し用ピンであって、各前記心出し用ピンは、前記ピン
から上方に伸びる、内側及び外側に逆向きに傾斜する端
面を有する三角形状の指状部を備え、前記内側の傾斜端
面が前記基板を受け取るような大きさにされているも
の、 前記基板を前記心出し用ピンから持ち上げることができ
る、垂直に動きうる基板保持部、及び前記指状部の前記
外側の傾斜端面と係合する下方の傾斜面と、前記基板保
持部が前記基板を前記心出し用ピンから持ち上げたとき
に前記基板の上面の周囲を覆うための内側に水平に伸び
る下面とを有するシャドーフレームを備えた高温処理シ
ステム。 - 【請求項１２】 前記基板保持部が、複数の垂直に伸び
た開口部を備え、スライド可能な状態で前記開口部内に
取り付けられた下部と外側に伸びる上部とを有し、前記
基板を支持するために前記基板保持部から上方に垂直に
伸びる、複数の整形されたピンをさらに備えた請求項１
１のシステム。 - 【請求項１３】 前記整形されたピンが円錐形の頭部を
有し、前記開口部が前記円錐形の頭部を受け入れるため
のさら穴（countersinks）を有し、前記開口部が効果的
に閉じられる請求項１２のシステム。 - 【請求項１４】 処理チャンバのポートを通して、ピン
支持部によって動かされる複数の心出し用ピンの上に基
板をロードするステップであって、前記心出し用ピンが
前記基板を横方向に心出しするための第１の傾斜面を有
したものであるステップ、 前記ピン支持部を垂直上方に移動させて中央開口部を有
するシャドーフレームに係合させ、前記心出し用ピン及
び前記シャドーフレームの接触面が前記シャドーフレー
ムを横方向に心出しするステップ、及び基板保持部を垂
直上方に移動させて前記基板を持ち上げ、前記基板保持
部を垂直上方にさらに移動させて前記シャドーフレーム
を前記基板の上面に係合させ、これにより前記シャドー
フレームを前記心出し用ピンから持ち上げるステップを
備えた処理チャンバ内に基板をロードし心出しする方
法。 - 【請求項１５】 前記シャドーフレームが前記接触面の
うちの第１の傾斜面を有し、前記心出し用ピンが前記接
触面のうちの第２の傾斜面を有している請求項１４の方
法。 - 【請求項１６】 前記ロードするステップにおいて、前
記心出しされた基板を前記ピン支持部から伸びた部材の
上にロードする請求項１４の方法。 - 【請求項１７】 前記部材が前記ピン支持部に固く接続
されており、これにより、前記基板保持部を移動させる
ステップにおいて、前記基板を前記部材から持ち上げる
請求項１６の方法。 - 【請求項１８】 前記部材が、分離可能な状態で前記ピ
ン支持部に接続されて、一定限度まで前記基板保持部内
でスライドし、これにより、前記基板保持部を移動させ
る前記ステップにおいて、前記部材が前記ピン支持部か
ら分離される請求項１６の方法。 - 【請求項１９】 前記心出し用ピンに対する前記基板の
重力（gravitational attraction）のみが、前記ロード
ステップによって捕獲窓（capture window）内で不整列
となった前記基板に捕獲窓を提供する請求項１４の方
法。 - 【請求項２０】 前記心出し用ピンに対する前記シャド
ーフレームの重力のみが、前記基板に対して前記シャド
ーフレームを整列する請求項１９の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/010,892 US5352294A (en) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support |
| US08/010892 | 1993-01-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340975A true JPH06340975A (ja) | 1994-12-13 |
| JP2918780B2 JP2918780B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=21747914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP871494A Expired - Lifetime JP2918780B2 (ja) | 1993-01-28 | 1994-01-28 | 加熱された支持部上のシャドーフレーム及び大型平面基板の整列 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5352294A (ja) |
| JP (1) | JP2918780B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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