TWI647737B - Substrate processing method and substrate processing device - Google Patents

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Abstract

因應設定的減低製程將氧濃度減低，之後進行熱處理。如此，由於減低熱處理空間HS內的氧濃度且對基板W進行熱處理，故能使熱處理空間的處理氛圍適用於熱處理製程，而可使成膜適切地進行。除此之外，由於因應配方的氧濃度等級而減低氧濃度，故沒有過度地減低氧濃度的情形，不會降低產能。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係有關於對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、太陽能電池用基板等(以下亦簡稱為基板)進行熱處理的基板處理方法及基板處理裝置。
於最近的製程技術中，作為取代液浸微影、極端紫外線(EUV；Extreme Ultraviolet Lithography)微影的技術，例如DSA(Directed Self Assembly；定向自組裝)製程受到矚目。DSA製程係為了更進一步提高基板上的細微化，而利用了將嵌段共聚物的微相分離予以利用的定向自組裝技術。
上述DSA製程中的以往的基板處理方法係將BCP(Block Co-Polymer；嵌段共聚物)塗布於基板且形成處理膜後，於熱處理室(thermal processing chamber)的熱處理空間中進行將基板的處理膜加熱的熱處理，使處理膜中的二種類的聚合物彼此(相)分離。之後，將(相)分離的一方的 聚合物蝕刻而形成細微的圖案(pattern)(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-22570號公報。
然而，於具有上述構成的以往例子的情形中存有如下問題。
亦即，以往的方法中，存有視形成於熱處理空間的處理氛圍而有無法將處理膜中的聚合物適切地分離的情形的問題。另外，DSA製程以外的製程，例如將SOG(Spin On Glass；旋塗玻璃)溶液塗布於基板後，進行熱處理而生成膜的製程等的在熱處理室內將基板熱處理的製程中亦存有視形成於熱處理空間的處理氛圍而於所成膜的膜的特性、性能產生問題的情形。
本發明係有鑑於上述事情而研發，目的為提供能藉由在熱處理製程中形成適合的熱處理空間的處理氛圍而將成膜適切地進行的基板處理方法及基板處理裝置。
本發明人們等為了解決上述問題而銳意研究之結果，獲得了以下見解。
熱處理室中在熱處理空間的各種處理氛圍進行熱處理後，本發明人們從熱處理空間的各種參數與聚合物的分離狀態的關係中著眼於熱處理空間的氧所致的影響。此乃因發現了會產生聚合物的相分離未適切地進行的現象的是在熱處理空間的氧濃度未完全降低的熱處理的情形。而且，推測於氧濃度未完全降低的情形中，聚合物相分離時受到壞影響而使正常的相分離被阻礙。另外，於DSA製程以外的熱處理製程中起因於氧的氧化也會給成膜的特性帶來壞影響。但是，雖將氧濃度越降低則越可解決上述問題，但氧濃度的減低需要長時間。即使視處理膜不同亦有氧濃度的影響少的膜，但若包含該種情形亦將氧濃度一視同仁地降低，則將產生於氧減低耗費時間而使處理的產能(throughput)降低的另一問題。基於上述見解，本發明係以如下所述的方式構成。
本發明為了達成上述目的而採用如下構成。
亦即，方案1所記載的發明係一種基板處理方法，用以將形成有處理膜的基板在熱處理室內的熱處理空間內進行熱處理；前述基板處理方法係實施：設定步驟，設定在已規定用以處理基板的條件之配方(recipe)中之已因應氧濃度等級的減低製程；以及氧濃度減低步驟，因應設定的前述減低製程而將熱處理空間的氧濃度減低；前述基板處理方法係於實施前述設定步驟以及前述氧濃度減低步驟之後，實施用以 對前述熱處理空間內的基板進行熱處理的熱處理步驟。
(作用、功效)依據方案1所記載的發明，因應以設定步驟所設定的減低製程而在氧濃度減低步驟將氧濃度減低，之後在熱處理步驟進行熱處理。如此，由於將熱處理空間內的氧濃度降低才進行熱處理，故可使熱處理空間的處理氛圍適用於熱處理製程，而可使成膜適切地進行。除此之外，由於只要因應配方的氧濃度等級減低氧濃度即可，故沒有過度地減低氧濃度的情形，不會降低產能。
另外，本發明中，較佳為前述氧濃度減低步驟具有：排氣步驟，將前述熱處理空間的氣體排氣；以及惰性氣體供給步驟，對前述熱處理空間供給惰性氣體(方案2)。
由於將氣體排氣，且更進一步供給惰性氣體，故可以從熱處理空間將氧有效率地放出。
另外，本發明中，較佳為前述氧濃度減低步驟具有：排氣步驟，將前述熱處理空間的氣體排氣(方案3)。
無須供給惰性氣體而僅將氣體排氣地從熱處理空間將氧放出。如此，由於不會消耗惰性氣體，故可抑制製造成本。
另外，本發明中，較佳為前述排氣步驟係從插通有從熱 處理板進退的支撐銷之貫通口排氣(方案4)。
由於從位於基板的下表面側的貫通口排氣，故基板的上表面附近的熱處理氛圍的氣流穩定。如此，可使處理膜的熱處理穩定地進行。
另外，本發明中，較佳為前述排氣步驟係從將熱處理板的周圍包圍之蓋部的排氣口與插通有從前述熱處理板進退的支撐銷之貫通口排氣(方案5)。
由於從排氣口與貫通口排氣，故可在短時間成為一定的低氧濃度。
另外，本發明中，較佳為前述處理膜係由定向自組裝材料構成(方案6)。
可使熱處理空間的處理氛圍適用於DSA製程，並可將聚合物適切地(相)分離。
另外，方案7記載的發明係一種基板處理裝置，用以將形成有處理膜的基板在熱處理空間內進行熱處理；前述基板處理裝置係具有：熱處理板，載置有處理對象的基板；蓋部，將前述熱處理板的周圍包圍而於內部形成熱處理空間；氧濃度減低手段，將前述熱處理空間的氧濃度減低；設定手段， 設定在已規定用以處理基板的條件之配方中之已因應氧濃度等級的減低製程；以及控制部，因應以前述設定手段所設定的減低製程操作前述氧濃度減低手段，將熱處理空間的氧濃度減低並對前述熱處理空間的基板進行熱處理。
(作用、功效)依據方案7所記載的發明，控制部係因應以設定手段所設定的減低製程操作氧濃度減低手段，將熱處理空間的氧濃度減低並對熱處理空間內的基板進行熱處理。如此，由於將熱處理空間內的氧濃度降低才進行熱處理，故可使熱處理空間的處理氛圍適用於熱處理製程，而可使成膜適切地進行。除此之外，由於只要因應配方的氧濃度等級減低氧濃度即可，故沒有過度地減低氧濃度的情形，不會降低產能。
另外，本發明中，較佳為前述氧濃度減低手段係將前述熱處理空間的氣體排氣並對前述熱處理空間供給惰性氣體(方案8)。
由於控制部係將氣體排氣且更進一步地供給惰性氣體，故可從熱處理空間將氧有效率地放出。
另外，本發明中，較佳為前述氧濃度減低手段係將前述熱處理空間的氣體排氣(方案9)。
控制部係無須供給惰性氣體而僅將氣體排氣地從熱處理空間將氧放出。如此，由於不會消耗惰性氣體，故可抑制製造成本。
另外，本發明中，較佳為具有：惰性氣體供給手段，對前述熱處理空間供給惰性氣體；以及貫通口，插通有從前述熱處理板進退的支撐銷；前述氧濃度減低手段係使前述熱處理空間的氣體從前述貫通口排氣，並且從前述惰性氣體供給手段供給惰性氣體(方案10)。
由於氧濃度減低手段係從位於基板的下表面側的貫通口排氣並且從惰性氣體供給手段供給惰性氣體，故基板的上表面附近的熱處理氛圍的氣流穩定。如此，可使處理膜的熱處理穩定地進行。
另外，本發明中，較佳為具有：貫通口，插通有從前述熱處理板進退的支撐銷；以及將前述熱處理板的周圍包圍之蓋部的排氣口；前述氧濃度減低手段係從前述排氣口與前述貫通口進行前述熱處理空間的氣體的排氣(方案11)。
由於氧濃度減低手段係從排氣口與貫通口進行熱處理空間的氣體的排氣，故可在短時間成為一定的低氧濃度。
依據本發明的基板處理方法，由於因應在設定步驟所設定的減低製程而於氧濃度減低步驟將氧濃度減低，之後在熱處理步驟進行熱處理。如此，由於將熱處理空間內的氧濃度降低才進行熱處理，故可使熱處理空間的處理氛圍適用於熱處理製程，而可使成膜適切地進行。除此之外，由於只要對應配方的氧濃度等級減低氧濃度即可，故沒有過度地減低氧濃度的情形，不會降低產能。
1‧‧‧熱處理板部
3‧‧‧熱處理室
5‧‧‧上部氣體供給部
7‧‧‧擋門部
9‧‧‧室排氣部
11‧‧‧支撐銷升降部
13‧‧‧下部氣體供給部
15‧‧‧支撐銷密封排氣部
17‧‧‧控制部
19‧‧‧設定部
21‧‧‧基底板
23‧‧‧熱處理板
25‧‧‧加熱器
27‧‧‧貫通口
29‧‧‧板上表面供給口
31‧‧‧蓋部
33‧‧‧搬入搬出口
35‧‧‧冷卻管
37‧‧‧排氣口
39‧‧‧排氣口蓋
41‧‧‧貫通口
43‧‧‧間隙
45‧‧‧開口
47‧‧‧壓力感測器
49‧‧‧氧濃度感測器
51‧‧‧氣體供給緩衝部
57‧‧‧擋門本體
59‧‧‧致動器
61‧‧‧支撐銷
63‧‧‧岐管
65‧‧‧機械密封
67‧‧‧升降構件
69‧‧‧致動器
71‧‧‧排氣口
HS‧‧‧熱處理空間
t1至t3‧‧‧時點
tc1至tc3‧‧‧目標濃度
W‧‧‧基板
圖1為表示實施例的基板處理裝置之全體構成的概略構成圖。
圖2為示意性表示配方之一例的圖。
圖3為表示第一減低製程所致的氧濃度的減低過程的線圖。
圖4為表示第二減低製程所致的氧濃度的減低過程的線圖。
圖5為表示第三減低製程所致的氧濃度的減低過程的線圖。
圖6為表示基板處理流程的流程圖。
以下，參照圖式對本發明的一實施例進行說明。
圖1為表示實施例的基板處理裝置之全體構成的概略構成圖。
用以實施本實施例的基板處理方法的基板處理裝置係將基板W熱處理。作為一例，本實施例的基板W係於表面形成有由定向自組裝材料所構成的處理膜。
本實施例的基板處理裝置係具有：熱處理板部1、熱處理室3、上部氣體供給部5、擋門(shutter)部7、室排氣部9、支撐銷(support pin)升降部11、下部氣體供給部13、支撐銷密封(support pin seal)排氣部15、控制部17以及設定部19。
熱處理板部1係用以於熱處理板部1的上表面載置基板W且熱處理基板W。熱處理板部1係具有基底(base)板21、熱處理板23以及加熱器(heater)25。基底板21係安裝於熱處理板23的下部，且與熱處理板23一起安裝於熱處理室3的下部。熱處理板23係由例如以銅(Cu)、鋁(Al)等的熱傳導率高的金屬作為基材的材料所構成。熱處理板23係埋設有加熱器25，藉由該加熱器25而調節熱處理板23的溫度。熱處理板23係例如藉由加熱器23而被調溫為300℃至400℃的範圍。該熱處理板23係於熱處理板23的上表面埋設有未圖示的鄰近球(proximity ball)，將基板W的下表面以從熱處理板23的上表面起分隔達預定間隔(例如0.1mm)的方式載置。
熱處理板23係在俯視觀看時與正三角形的頂點相當的位置形成貫通口27。這些貫通口27係形成為從熱處理板23的上表面貫通至下表面且更連基底板21也貫通，並插通有後述的支撐銷。另外，於熱處理板23的中央部附近形成有將熱處理板23及基底板21於上下方向貫通的板上表面供給口29。
熱處理室3係具有蓋(cover)部31。蓋部31係於下部具有開口，於該開口安裝有上述的熱處理板部1。蓋部31係呈現將熱處理板部1的側方及上方包圍的形狀。於蓋部31的天花板面與熱處理板23的上表面之間形成有空間。該空間為熱處理空間HS。於蓋部31的一側的側面形成有搬入搬出口33。該搬入搬出口33係用於將處理的基板W搬入至熱處理空間HS以及將已處理的基板W從熱處理空間HS搬出。於搬入搬出口33的周圍安裝有冷卻管35。該冷卻管35係藉由被供給的冷卻水而將蓋部31冷卻並保護搬入搬出口33的周圍的O形環。
在與搬入搬出口33的反對側相當的蓋部31的側面形成有排氣口37。該排氣口37係用以將蓋部31內的氣體排出。該排氣口37係具有與熱處理空間HS的縱剖面積相當之程度的流路剖面積。於排氣口37的外側經由O形環而可拆裝地設有排氣口蓋39。蓋部31的天花板面係形成有複數個貫通口41。於蓋部31中之熱處理板部1的周圍且 於蓋部31與熱處理板23的外周面之間存在有俯視為環狀之間隙43。於面向該間隙43的蓋部31的側面形成有連通於間隙43的開口45。開口45係例如設置於俯視觀看時將熱處理板23的中心夾著而對向的二個部位。在開口45的下方，於蓋部31的外表面配置有冷卻管35。該冷卻管35係保護蓋部31與基底板21之間的O形環。下部氣體供給部13係對開口45及板上表面供給口29供給氮氣。下部氣體供給部13係構成為具有複數個流量調整閥、開閉閥而可調整氮氣的流量。
上述排氣口37係通過具有與熱處理空間HS的縱剖面積相當之程度的大流路剖面積的排氣而進行排氣，故可以有效率地進行排氣。
而且，上述貫通口27與排氣口37係相當於本發明的「氧濃度減低手段」。
在蓋部31的上方亦即搬入搬出口33側配置有壓力感測器47。另外，在蓋部31的上方亦即排氣口37側配置有氧濃度感測器49。壓力感測器47係測定熱處理空間HS內的壓力，氧濃度感測器49係測定熱處理空間HS內的氧濃度。而且，氧濃度感測器49係如後所述地僅使用於測定氧濃度成為目標值以下的經過時間之實驗時，故在通常處理時不需要具有。
於蓋部31的上部配置有氣體供給緩衝(gas supply buffer)部51。從蓋部31的上表面中心部供給的氮氣(N2)係在內部一邊朝周圍擴散一邊從較上表面中心部更廣面積的下表面開口部通過複數個貫通口41而供給至熱處理空間HS內。於蓋部31的上表面與氣體供給緩衝部51的下表面之間配置有O形環。於氣體供給緩衝部51的內部配備有冷卻管35。該冷卻管35係保護該O形環。上部氣體供給部5係對上述氣體供給緩衝部51供給氮氣作為惰性氣體。該上部氣體供給部5係構成為例如具有2個流量調整閥等而可將氮氣的流量二階段地切換。
而且，上述板上表面供給口29、開口45以及氣體供給緩衝部51相當於本發明的「惰性氣體供給手段」及「氧濃度減低手段」。
擋門部7係配置於搬入搬出口33的前表面。擋門部7係具有擋門本體57以及致動器59。擋門本體57係藉由動作片於垂直方向進退的致動器59而被升降驅動。擋門本體57係於上升時經由O形環而將搬入搬出口33閉塞。當致動器59動作時，擋門本體57移動至圖1中以實線所示的位置而將搬入搬出口33閉塞，當致動器59成為非動作時，擋門本體57下降至圖1中以二點鍊線所示的位置而將搬入搬出口33開放。
室排氣部9係經由上述的排氣口蓋39而將熱處理空間HS的氣體排出。室排氣部9係具有複數個開閉閥、流量調整閥、抽氣器(aspirator)等，並藉由來自空氣供給源的空氣供給而將熱處理空間HS排氣。而且，亦可取代抽氣器與空氣供給源等而使用排氣泵等。
支撐銷升降部11係具有：三根支撐銷61(圖1中由於圖示的關係而僅示出二根)、岐管(manifold)63、機械密封(mechanical seal)65、升降構件67以及致動器69。各支撐銷61係插通於上述各貫通口27。各支撐銷61係將岐管63貫通，且下端部經由機械密封65連結於升降構件67。於岐管63的上表面與基底板21之間以將各貫通孔27包圍的方式安裝有O形環。機械密封65的上端部安裝於岐管63的下表面。機械密封65係由金屬構件所構成的密封，一邊將支撐銷61的外周面氣密地支撐一邊容許支撐銷61的升降。岐管63係在俯視觀看時呈現三角形狀，於內部形成有一個空間。於岐管63的一部位形成有連通該空間的排氣口71。
升降構件67係於俯視觀看時呈現環狀，藉由致動器69而升降。致動器69係以使動作片於鉛直方向進退的姿勢配置。當致動器69動作時，則支撐銷61突出且移動至圖1中以二點鍊線所示的基板W的授受位置，當致動器69 非動作時，則支撐銷61移動至圖1中以實線所示的退出位置。當該支撐銷61移動至退出位置時，基板W係被載置於熱處理板23的上表面上。
支撐銷密封排氣部15係從上述岐管63的排氣口71進行排氣。支撐銷密封排氣部15係具有複數個開閉閥、流量調整閥、抽氣器等，支撐銷密封排氣部15係藉由來自空氣供給源的空氣供給，經由岐管63及貫通口27而將熱處理空間HS排氣。另外，在機械密封65產生的塵埃也同時地排氣。而且，支撐銷密封排氣部15亦可取代抽氣器與空氣供給源等而使用減壓泵等構成。
由於藉由支撐銷密封排氣部15於熱處理時通過在載置基板W的場所的附近形成的貫通口27而排氣，故可將對於熱處理時的成膜帶來大影響的基板W周圍的氧濃度有效率地減低。另外，由於在機械密封65中藉由支撐銷61的滑動而產生的塵埃不會進入熱處理空間HS而被排出，故可將基板W清淨地處理。
上述上部氣體供給部5、室排氣部9、下部氣體供給部13、支撐銷密封排氣部15以及致動器59、69係被控制部17統整地控制。控制部17係內建有未圖示的CPU(Central Processing Unit；中央處理器)、記憶體、計時器。控制部17係於未圖示的記憶體預先記憶有複數個規定了用以處 理基板的條件的配方。另外，控制部17係將後述的氧濃度等級與氧濃度的減低製程的對應關係預先記憶。設定部19係用以供操作者操作而進行各種指示，例如選擇複數個配方中的一個；或指示開始處理；或指示發生警報時的操作。該設定部19係由例如用以設定配方編號或氧濃度的減低製程的鍵盤所構成。
而且，上述設定部19係相當於本發明的「設定手段」。
在此，參照圖2。而且，圖2為示意性表示配方之一例的圖。
本實施例中，如圖2所示，例如於以配方編號區別的配方預先記憶有氧濃度等級(目標濃度)、室排氣時間、熱處理移行時間、熱處理時間、冷卻時間等，且被控制部17所參照。該熱處理移行時間係在熱處理中的熱處理空間HS的氧的濃度成為目標值以下的排氣開始時點起的經過時間。此係在設置氧濃度感測器49的狀態下於實驗預先計測而決定。上述配方係例如對應DSA製程而決定。尤其，配方內的氧濃度等級係成為規定目標濃度以及到達目標濃度為止的時間。另外，由於影響成膜的程度係因應處理膜、DSA製程而不同，故亦可因應影響程度而以配方規定氧濃度等級。
具體而言，上述氧濃度等級係以下所說明的方式與氧濃度的減低製程附加對應。當氧濃度等級被設定，則減低製程亦決定。在此，參照圖3至圖5。而且，圖3係表示第一減低製程所致的氧濃度的減低經過的線圖，圖4係表示第二減低製程所致的氧濃度的減低經過的線圖，圖5係表示第三減低製程所致的氧濃度的減低經過的線圖。
減低製程係例如以下所述地設有三種類。
第一減低製程係例如藉由以下動作進行氧濃度的減低製程：支撐銷密封排氣部15所致的來自貫通口27的排氣；上部氣體供給部5所致的來自氣體供給緩衝部51的氮氣的供給；以及下部氣體供給部13所致的來自開口45及板上表面供給口29的氮氣的供給。該第一減低製程所致的氧濃度的減低經過係例如例如圖3的方式。在此，t1時點係表示氧濃度在目標濃度tc1(例如，0.5%、0.1%、0.05%)而成為幾乎一定的時間。該t1時點雖可藉由變化氮氣的流量而前後移動，但在此作為代表例而設為在t1時點到達目標濃度tc1而結束減低。依據第一減低製程，由於從位於基板W的下表面側的貫通口27排氣，故基板W的上表面附近的熱處理氛圍HS的氣流穩定。如此，可以使處理膜的熱處理穩定進行。
第二減低製程係例如藉由以下動作進行氧濃度的減低 製程：支撐銷密封排氣部15所致的來自貫通口27的排氣；室排氣部3所致的來自排氣口37的排氣；上部氣體供給部5所致的來自氣體供給緩衝部51的氮氣的供給；以及下部氣體供給部13所致的來自開口45及板上表面供給口29的氮氣的供給。該第二減低製程所致的氧濃度的減低經過係成為例如如圖4所示。在此，t2時點係表示氧濃度在目標濃度tc2(例如，1%至5%)成為幾乎一定的時間，表示到達目標濃度tc2的時間。該t2時點雖可藉由變化排氣流量與氮氣的流量而前後移動，但在此作為代表例而設為在t2時點到達目標濃度tc2而結束減低。依據第二減低製程，由於將氣體排氣且更供給氮氣，故可以有效率地從熱處理空間HS將氧放出。另外，由於從排氣口37與貫通口27排氣，故可以在短時間成為一定的低氧濃度。
第三減低製程係例如僅藉由以下動作進行氧濃度的減低製程：支撐銷密封排氣部15所致的來自貫通口27的排氣；以及室排氣部3所致的來自排氣口37的排氣。該第三減低製程所致的氧濃度的減低經過係成為例如圖5所示。在此，t3時點係表示氧濃度在目標濃度tc3(例如，10%)成為幾乎一定的時間。該t3時點雖可藉由變化排氣流量而前後移動，但在此作為代表例而設為在t3時點到達目標濃度tc3而結束減低。依據第三減低製程，不須供給惰性氣體而僅將氣體排氣而從熱處理空間HS將氧放出。如此，由於不會消耗惰性氣體，故可抑制製造成本。
而且，至上述各減低製程的結束時點為止的時間關係係成為例如t3>t1>t2。但是，目標濃度的大小關係係成為tc1<tc2<tc3。如此，由於熱處理移行時間係依照第二減低製程、第一減低製程、第三減低製程的順序變長，故在熱處理時間相同時，將依照該順序而使產能降低。另外，由於目標濃度係影響成膜的完成度，故必須將於DSA製程所要求的產能與成膜的品質納入考量而選擇任一種減低製程，故在配方預先記載有氧濃度等級。
然後，參照圖6，對上述裝置所致的熱處理進行說明。而且，圖6為表示基板處理流程的流程圖。
步驟S1、S2(設定步驟)
裝置的操作者係操作設定部19，指定配方編號而設定配方。藉此，設定處理基板W的條件並且控制部17係因應配方所規定的氧濃度等級而設定減低製程。
而且，當未於配方規定氧濃度等級的情形中，操作者亦可操作設定部19而以手動設定。
步驟S3
控制部17係操作致動器59而使擋門本體57下降，藉由未圖示的搬送機構而將基板W搬入至熱處理空間HS 內。此時，基板W係被於授受位置進出的支撐銷61支撐。
步驟S4(氧濃度減低步驟)
控制部17係因應設定的減低配方而操作各部。例如，於設定第二減低製程時，藉由支撐銷密封排氣部15所致的從貫通口27的排氣、室排氣部3所致的從排氣口37的排氣而實施「排氣步驟」，並且藉由上部氣體供給部5所致的來自氣體供給緩衝部51的氮氣的供給、下部氣體供給部13所致的來自開口45及板上表面供給口29的氮氣的供給而實施「惰性氣體供給步驟」。
步驟S5(熱處理步驟)
控制部17係在達到配方所規定的熱處理移行時間時，操作致動器59而使支撐銷61退出至退出位置。藉此，基板W被載置於熱處理板23並開始熱處理。
步驟S6
控制部17係在經過配方所規定的熱處理時間時，操作致動器69而使支撐銷61於授受位置進出。然後，操作致動器59而使擋門本體下降，藉由未圖示的搬送機構而將熱處理結束的基板W從熱處理空間HS搬出。
依據本實施例，因應設定的減低製程而減低氧濃度，之後進行熱處理。如此，由於降低熱處理空間HS內的氧 濃度並對基板W進行熱處理，故熱處理空間的處理氛圍適合熱處理製程，可使成膜適切地進行。除此之外，由於因應配方的氧濃度等級而減低氧濃度，故沒有過度地減低氧濃度的情形，不會降低產能。
本發明不限於上述實施形態，可如下所述地變形實施。
(1)上述實施例中，雖說明基板W為被附著有由定向自組裝材料構成的處理膜，但本發明不限定於上述基板W。例如，可適用於熱處理空間HS的氧濃度會給予壞影響的處理，例如，亦可適用於對於塗布了SOG溶液等的基板的處理。
(2)上述實施例中，雖將減低製程設定為三種類，但本發明不限定於此。例如，亦可於上述各減低製程精細地設定排氣、惰性氣體的供給的流量而以四種類以上的減低製程進行設定，且因應基板的處理製程使精細設定的氧濃度等級對應。
(3)上述實施例中，雖藉由設定配方而設定減低製程，但本發明不限定於上述形態。例如，亦可採用未於配方規定氧濃度等級，而與設定配方一起地設定氧濃度等級而設定減低製程的方式。
(4)上述實施例中，作為惰性氣體，雖舉氮氣為例而進行說明，但亦可使用例如氬氣、氦氣等的其他惰性氣體。
(產業可利用性)
如以上所述，本發明適合對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL顯示裝置等FPD用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、太陽能電池用基板等進行熱處理。

Claims (12)

  1. 一種基板處理方法，係用以將形成有處理膜的基板在熱處理室內的熱處理空間內進行熱處理；前述基板處理方法係實施：設定步驟，設定在已規定用以處理基板的條件之配方中之已因應氧濃度等級的減低製程；以及氧濃度減低步驟，因應設定的前述減低製程而將熱處理空間的氧濃度減低；前述基板處理方法係於實施前述設定步驟以及前述氧濃度減低步驟之後，實施用以對前述熱處理空間內的基板進行熱處理的熱處理步驟。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述氧濃度減低步驟係具有：排氣步驟，將前述熱處理空間的氣體排氣；以及惰性氣體供給步驟，對前述熱處理空間供給惰性氣體。
  3. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述氧濃度減低步驟係具有：排氣步驟，將前述熱處理空間的氣體排氣。
  4. 如請求項2所記載之基板處理方法，其中前述排氣步驟係從插通有從熱處理板進退的支撐銷之貫通口排氣。
  5. 如請求項2或3所記載之基板處理方法，其中前述排氣步驟係從將熱處理板的周圍包圍之蓋部的排氣口與插通有從前述熱處理板進退的支撐銷之貫通口排氣。
  6. 如請求項1至4中任一項所記載之基板處理方法，其中前述處理膜係由定向自組裝材料構成。
  7. 一種基板處理裝置，係用以將形成有處理膜的基板在熱處理空間內進行熱處理，前述基板處理裝置係具有：熱處理板，載置有處理對象的基板；蓋部，將前述熱處理板的周圍包圍而於內部形成熱處理空間；氧濃度減低手段，將前述熱處理空間的氧濃度減低；設定手段，設定在已規定用以處理基板的條件之配方中之已因應氧濃度等級的減低製程；以及控制部，因應以前述設定手段所設定的減低製程操作前述氧濃度減低手段，將熱處理空間的氧濃度減低並對前述熱處理空間的基板進行熱處理。
  8. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中前述氧濃度減低手段係將前述熱處理空間的氣體排氣並對前述熱處理空間供給惰性氣體。
  9. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中前述氧濃度減低手段係將前述熱處理空間的氣體排氣。
  10. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中係具有： 惰性氣體供給手段，對前述熱處理空間供給惰性氣體；以及貫通口，插通有從前述熱處理板進退的支撐銷；前述氧濃度減低手段係使前述熱處理空間的氣體從前述貫通口排氣，並且從前述惰性氣體供給手段供給惰性氣體。
  11. 如請求項8或9所記載之基板處理裝置，其中係具有：貫通口，插通有從前述熱處理板進退的支撐銷；以及將前述熱處理板的周圍包圍之蓋部的排氣口；前述氧濃度減低手段係從前述排氣口與前述貫通口進行前述熱處理空間的氣體的排氣。
  12. 如請求項7至10中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述處理膜係由定向自組裝材料構成。
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