JP6189780B2 - 基板処理システム - Google Patents
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Description
先ず、有機発光ダイオードを製造する方法について説明する。図1は、有機発光ダイオードの製造方法の主な処理フローを示している。
次に、本実施の形態にかかる基板処理システム100について説明する。図4は、基板処理システム100の構成の概略を示す説明図である。なお、基板処理システム100で処理されるガラス基板G上には予め陽極10、隔壁20及び正孔注入層30が形成されており、当該基板処理システム100では正孔輸送層31が形成される。
次に、ロードロック装置125の下流側の装置、すなわち低酸素低露点雰囲気が要求される装置における雰囲気制御について説明する。かかる雰囲気制御を説明するにあたり、先ず、低酸素低露点雰囲気が要求される焼成装置132の構成について説明する。
以上の基板処理システム100は、ガラス基板Gに正孔輸送層31を形成する処理を行っていたが、当該基板処理システム100を用いて、ガラス基板Gに発光層32を形成してもよい。発光層32を形成する際にも、ガラス基板Gの熱処理(発光層32の焼成処理とガラス基板Gの温度調節処理)において、低酸素低露点雰囲気が要求される。したがって、基板処理システム100を用いれば、ガラス基板Gに対する発光層32の形成処理を適切且つ効率よく行うことができる。
10 陽極
30 正孔注入層
31 正孔輸送層
32 発光層
33 電子輸送層
34 電子注入層
40 陰極
100 基板処理システム
101 搬入出ステーション
102 処理ステーション
120 第1基板搬送装置
121 第2基板搬送装置
122 第3基板搬送装置
130 塗布装置
131 減圧乾燥装置
132 焼成装置
134 温度調節装置
140 制御部
200、300、400 処理容器
230、310、410 空気供給部
240、320、420 ガス供給部
250、330、430 排気部
260、340、440 ガス循環システム
261 冷却機
262 フィルタ
263、341、441 精製機
264、343、442 配管
267 精製筒
268、344、443 ガス供給部
271、346、445 排気部
280、281、350、351、450 酸素濃度計
282、352、451 露点温度計
290、360 ドア
342 温度調節機
G ガラス基板
Claims (8)
- 有機発光ダイオードの有機層を基板上に形成する基板処理システムであって、
前記有機層を基板上に塗布し、さらに当該有機層を乾燥させた後、前記有機層を焼成する焼成装置と、
前記焼成装置で前記有機層を焼成後、基板の温度を調節する温度調節装置と、
前記焼成装置と前記温度調節装置に基板を搬送する基板搬送装置と、を有し、
前記焼成装置、前記温度調節装置及び前記基板搬送装置は、それぞれ、
内部の雰囲気が、大気よりも低い所定の酸素濃度、且つ大気よりも低い所定の露点温度の雰囲気に維持される処理容器と、
前記処理容器内に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内を排気する排気部と、
前記処理容器内の雰囲気中の酸素と水分を除去する精製筒を有する精製機と、前記処理容器と前記精製機を接続する第1配管とを備え、当該精製機で精製された雰囲気を前記処理容器内に戻すガス循環システムと、
前記焼成装置の処理容器内と第1配管内の雰囲気、前記温度調節装置の処理容器内と第1配管内の雰囲気、及び前記基板搬送装置の処理容器内と第1配管内の雰囲気を制御する制御部と、を有し、
前記第1配管には、前記ガス供給部が接続され、
前記第1配管は、前記精製機の内部において、前記精製筒が設けられる第2配管と、前記精製筒が設けられない第3配管に分岐し、
前記制御部は、
前記ガス供給部から前記処理容器内に不活性ガスを供給すると共に、前記排気部によって前記処理容器内を排気し、当該処理容器内の雰囲気を不活性ガスに置換して、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気にする第1工程と、
前記ガス供給部からの不活性ガスの供給を停止し、前記ガス循環システムを用いて、前記精製機で精製された雰囲気を前記処理容器内に戻し、前記処理容器内の雰囲気を所定の酸素濃度且つ所定の露点温度に維持する第2工程と、
を行うように、前記ガス供給部、前記排気部及び前記ガス循環システムを制御し、
前記制御部は、前記第1工程において、前記ガス供給部から供給される不活性ガスによって、前記第1配管内及び前記第3配管内の雰囲気を不活性ガスに置換し、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気に制御し、
前記制御部は、前記第1工程において、前記処理容器内の雰囲気が前記第2配管及び前記精製筒を通らないように制御することを特徴とする、基板処理システム。 - 前記焼成装置における処理容器内の雰囲気制御と、前記温度調節装置における処理容器内の雰囲気制御と、前記基板搬送装置における処理容器内の雰囲気制御と、はそれぞれ個別に行われることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記焼成装置の処理容器内の圧力と前記温度調節装置の処理容器内の圧力は、それぞれ大気より陽圧であって、且つ前記基板搬送装置の処理容器内の圧力より陰圧であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板処理システム。
- 前記精製機は、
複数の前記精製筒と、
前記精製筒に水素ガスを含む再生ガスを供給する他のガス供給部と、
前記精製筒内を排気する他の排気部と、を有し、
前記制御部は、前記第2工程において、一の精製筒で前記処理容器内の雰囲気を精製しつつ、他の精製筒に対して前記他のガス供給部から再生ガスを供給すると共に、前記他の排気部によって前記精製筒内を排気して、当該他の精製筒を再生するように、他のガス供給部と前記他の排気部を制御することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記処理容器内の雰囲気の酸素濃度を計測する酸素濃度計と、
前記処理容器内の雰囲気の露点温度を計測する露点温度計と、をさらに有し、
前記制御部は、前記酸素濃度計の計測結果と前記露点温度計の計測結果に基づいて、前記処理容器内の雰囲気を制御することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記処理容器の内部を外部に対して開閉するためのドアをさらに有し、
前記制御部は、前記酸素濃度計の計測結果に基づいて、前記ドアの開閉を制御することを特徴とする、請求項5に記載の基板処理システム。 - 前記焼成装置が備える前記ガス循環システムは、
前記精製機で精製される前の雰囲気を冷却する冷却機と、
前記冷却機で冷却された後であって前記精製機で精製される前の雰囲気中の異物を除去するフィルタと、をさらに有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記温度調節装置が備える前記ガス循環システムは、前記処理容器内の雰囲気の温度を調節する温度調節機をさらに有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理システム。
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