KR100571841B1 - 베이크 시스템 - Google Patents

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Abstract

베이크 시스템이 개시된다. 개시된 베이크 시스템은, 상면에 기판이 적재되는 가열 플레이트; 가열 플레이트의 하부에 마련되어 가열 플레이트를 지지하는 케이스; 가열 플레이트의 상부에 마련되는 것으로, 케이스와 결합하여 그 내부에 챔버를 형성하는 제1 커버; 및 제1 커버의 내부에 마련되는 것으로, 베이크 공정시 기판의 상부에 위치하여 기판 상에 열대류가 발생되는 것을 방지하는 제2 커버;를 구비한다.

Description

베이크 시스템{Bake system}
도 1은 종래 베이크 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 시스템을 도시한 도면이다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 시스템에서, 챔버가 오픈된 상태를 도시한 도면이다.
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 시스템에서, 챔버가 닫힌 상태를 도시한 도면이다.
도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 시스템에서, 베이크 공정이 끝난 후 웨이퍼 대기 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 시스템을 도시한 도면이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 시스템에서, 챔버가 오픈된 상태를 도시한 도면이다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 시스템에서, 챔버가 닫힌 상태를 도시한 도면이다.
도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 시스템에서, 베이크 공정이 끝난 후 웨이퍼 대기 상태를 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100,200... 가열 플레이트 101,201,222... 관통홀
110,210... 케이스 120,220... 제1 커버
121,221... 승강홀 130,230... 제2 커버
140,240... 지지부재 141,241... 연결부재
147,247... 로드(rod) 150,250... 챔버
160,260... 실링부재 170,270... 구동원
181,281... 승강핀 182,282... 승강핀 지지대
W... 웨이퍼
본 발명은 베이크 시스템에 관한 것으로, 상세하게는 베이크 공정시 기판 내의 온도 분포를 균일하게 할 수 있는 반도체 제조용 베이크 시스템에 관한 것이다.
반도체 제조를 위한 포토리소그라피(photolithography) 공정에서는, 웨이퍼(wafer)의 표면에 포토레지스트(photoresist)를 도포한 후 이를 가열처리(pre-bake)를 하거나, 포토레지스트를 소정 패턴으로 노광한 후 가열처리(post-exposure bake)를 하는 등의 베이크 공정이 행해진다.
이러한 베이크 공정을 수행하는 베이크 시스템에는 웨이퍼가 적재되는 가열 플레이트와, 이 가열 플레이트에 설치되어 웨이퍼를 가열하는 히터가 구비되어 있다. 여기서, 상기 가열 플레이트와 히터는 베이크 작업이 이루어지는 챔버 내부에 마련된다. 한편, 베이크 공정에서는 공기와 같은 기체가 상기 챔버 측면으로부터 유입되어 웨이퍼 상을 통과한 다음 챔버의 상부를 통하여 외부로 배출하게 되므로, 챔버 내에는 웨이퍼의 외곽부로부터 웨이퍼의 중심부로 향하는 기류가 발생하게 된다. 일반적으로, 베이크 공정 시에는 온도 산포 기준이 엄격하여 웨이퍼 내의 온도 분포가 균일하여야 한다. 예를 들면, 베이크 공정시 웨이퍼의 온도 산포가 대략 0.3℃ 이내가 되어야 한다. 그러나, 상기와 같은 기류에 의하여 열대류(heat convection)가 발생하게 되고, 이러한 열대류로 인하여 웨이퍼 중심부에서의 온도가 웨이퍼의 주변부에서의 온도보다 높아지게 된다. 따라서, 가열 플레이트가 히터에 의해 균일하게 가열될지라도 웨이퍼는 균일한 온도로 가열될 수 없게 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 종래 베이크 시스템이 도 1에 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼(W)가 적재되는 가열 플레이트(51)의 상부에는 커버(62)가 마련되며, 이 커버(62)의 내부에는 베이크 작업이 행해지는 챔버(S)가 형성된다. 그리고, 상기 커버(62)의 상부벽에는 배기구(65)를 둘러싸도록 설치된 환형의 제1 히트 파이프(73)와 상기 제1 히트 파이프(73)의 외측에 설치된 환형의 제2 히트 파이프(74)가 설치된다. 그리고, 상기 제1 히트 파이프(73)와 제2 히트 파이프(74) 사이에는 단열부재(75)가 삽입되어 있다. 한편, 상기 제1 및 제2 히트 파이프(73,74) 내부에는 작동액(L)이 채워지는데, 이러한 작동액(L)은 증발과 응축을 통하여 열을 전송함으로써 커버(62) 상부벽의 온도를 균일하게 하는 역할을 한다. 상기와 같은 구조에서, 베이크 공정시 챔버(S) 내부로 유입되는 기체의 유동에 의하여 커버(62)의 상부벽에 온도차가 존재하게 되면, 온도 제어 기구(80)에 의하 여 상기 제1 및 제2 히트 파이프(73,74)를 제어함으로써 커버(62) 상부벽의 온도를 균일하게 한다.
그러나, 상기와 같은 베이크 시스템에서는 커버(62) 상부벽의 온도가 균일하더라도 웨이퍼(W)에는 기체의 유동에 의한 온도차가 존재할 수 있으며, 또한 커버(62)의 상부벽에 두 개의 히트 파이프(73,84)를 설치하여야 하는 제작상의 어려움이 있고, 온도조절 메카니즘이 복잡하다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 2중 커버구조를 구비하여 베이크 공정시 기판 내의 온도 분포를 균일하게 할 수 있는 베이크 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명에 따른 베이크 시스템은,
상면에 기판이 적재되는 가열 플레이트;
상기 가열 플레이트의 하부에 마련되어 상기 가열 플레이트를 지지하는 케이스;
상기 가열 플레이트의 상부에 마련되는 것으로, 상기 케이스와 결합하여 그 내부에 챔버를 형성하는 제1 커버; 및
상기 제1 커버의 내부에 마련되는 것으로, 베이크 공정시 상기 기판의 상부에 위치하여 상기 기판 상에 열대류가 발생되는 것을 방지하는 제2 커버;를 구비한 다.
상기 제2 커버는 승강가능하도록 설치되며, 베이크 공정시에는 하강하여 상기 기판에 소정 간격 이격되게 위치하는 것이 바람직하다.
상기 제1 커버의 내부에는 상기 제2 커버를 지지하는 지지부재가 승강가능하도록 설치될 수 있다. 여기서, 상기 제2 커버와 지지부재 사이는 연결부재가 마련된다. 그리고, 상기 제1 커버의 측벽에는 상기 지지부재의 승강을 가이드하는 승강홀이 형성되며, 상기 지지부재의 일단부는 상기 승강홀을 통하여 상기 제1 커버의 외부로 돌출된다. 상기 지지부재의 일단부는 상기 지지부재를 승강시키기 위한 구동원에 연결된다. 상기 제1 커버는 상기 구동원에 의하여 승강될 수 있다.
한편, 상기 제2 커버를 지지하는 지지부재는 상기 제1 커버의 상부에 승강가능하도록 설치될 수도 있다. 여기서, 상기 제2 커버와 지지부재 사이는 상기 제1 커버의 상부벽을 관통하는 연결부재가 마련된다. 상기 지지부재의 일단부와 상기 구동수단 사이에는 상기 지지부재와 연동하도록 설치되는 승강부재가 마련될 수 있으며, 이때 상기 제1 커버의 측벽에는 상기 승강부재의 승강을 가이드하는 승강홀이 형성된다.
상기 제1 커버와 케이스 사이에는 사이 챔버를 밀폐시키기 위한 실링(sealing)부재가 마련되는 것이 바람직하다.
상기 케이스의 내부에는 상기 기판을 승강시키기 위한 복수의 승강핀이 상기 가열 플레이트를 관통하여 마련되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설 명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 시스템의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 베이크 시스템은 가열 플레이트(100)와, 상기 가열 플레이트(100)의 하부에 마련되는 케이스(110)와, 상기 가열 플레이트(100)의 상부에 마련되는 제1 커버(120)와, 상기 제1 커버(120)의 내부에 마련되는 제2 커버(130)를 구비한다.
상기 가열 플레이트(100)는 그 상면에 적재되는 기판, 예를 들면 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열하기 위한 것으로, 이러한 가열 플레이트(100)에는 인가되는 전류에 의하여 발열하여 가열 플레이트(100)를 가열시키는 히터(미도시)가 설치된다.
상기 가열 플레이트(100)는 케이스(110)에 의하여 지지된다. 상기 케이스(110)의 내부에는 가열 플레이트(100) 상에서 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 복수의 승강핀(181) 및 이 승강핀들(181)을 지지하는 승강핀 지지대(182)가 마련되며, 상기 가열 플레이트(100)에는 상기 승강핀들(181)이 관통하는 관통홀들(101)이 형성된다. 한편, 상기 승강핀 지지대(182)의 일단부는 상기 케이스(110)의 외부에 마련되는 구동수단(미도시)에 연결된다.
상기 제1 커버(120)는 상기 가열 플레이트(100)의 상부에 승강가능하도록 설치되며, 베이크 공정시에는 하강하여 상기 케이스(110)와 결합함으로써 그 내부에 베이크 작업이 이루어지는 밀폐된 챔버(150)를 형성하게 된다. 한편, 상기 제1 커 버(120)와 케이스(110) 사이에는 베이크 공정시 챔버(150)의 밀폐를 위한 실링(sealing)부재(160)가 마련된다.
상기 제2 커버(130)는 상기 제1 커버(120)의 내부에서 승강가능하도록 설치되며, 베이크 공정시 하강하여 웨이퍼(W)의 상부를 덮게 된다. 이때, 상기 제2 커버(130)는 베이크 공정시 웨이퍼(W) 상에서 열대류(heat convection)가 발생되지 않도록 상기 웨이퍼(W)와 소정 간격 이격되게 배치된다.
상기 제2 커버(130)는 지지부재(140)에 의하여 지지되며, 상기 지지부재(140)는 제1 커버(120)의 내부에서 제2 커버(130)와 함께 승강하도록 설치된다. 여기서, 상기 지지부재(140)와 제2 커버(130) 사이에는 연결부재(141)가 마련된다. 그리고, 상기 제1 커버(120)의 측벽에는 상기 지지부재(140)의 승강을 가이드하는 승강홀(121)이 형성되며, 이 승강홀(121)을 통하여 상기 지지부재(140)의 일단부가 외부로 돌출된다. 한편, 상기 지지부재(140)의 일단부는 상기 지지부재(140)를 승강시키는 구동원(170)에 연결된다. 여기서, 상기 지지부재(140)의 일단부와 구동원(170)사이에는 구동원(170)으로부터 동력을 전달받아 상기 지지부재(140)를 승강시키는 로드(rod)가 마련된다.
상기와 같은 구조의 베이크 시스템에서, 베이크 공정시 공기가 상기 챔버(150) 내부로 유입되면 챔버(150) 내부에는 열대류를 발생시키는 공기의 유동이 생기게 된다. 그러나, 본 실시예에서는 제2 커버(130)가 웨이퍼(W)의 상부에 상기 웨이퍼(W)와 소정 간격 이격되게 위치하여 상기 웨이퍼(W)를 덮고 있으므로, 웨이퍼(W)와 제2 커버(130) 사이의 공간에서는 공기의 유동이 생기지 않게 된다. 이 에 따라, 웨이퍼(W) 상에는 열유동이 발생되지 않아 웨이퍼(W) 내의 온도 분포는 균일하게 된다. 베이크 공정시 제2 커버(130)와 웨이퍼(W) 사이의 간격은 가열 플레이트(100)와 제2 커버(130) 사이의 온도차, 챔버(150) 내부의 공기온도 등에 의하여 결정된다. 예를 들면, 가열 플레이트(100)와 제2 커버(130) 사이의 온도차가 30℃인 경우에 열대류를 방지할 수 있는 제2 커버(130)와 웨이퍼(W) 사이의 간격은 대략 10mm 정도가 된다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 시스템의 동작에 대해서 설명한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 시스템에서, 챔버(150)가 오픈된 상태, 챔버(150)가 닫힌 상태 및 베이크 공정 후 웨이퍼(W) 대기상태를 각각 도시한 것이다.
먼저 도 3a에 도시된 바와 같이, 구동원(170)에 의하여 로드(147)가 상승하게 되면, 이에 따라 지지부재(140)와 제2 커버(130)도 상승하기 시작한다. 이어서, 상기 지지부재(140)가 계속 상승하게 되면 제1 커버(120)의 승강홀(121) 내부에 있는 지지부재(140)의 일단부가 상기 제1 커버(120)를 밀려 올려서 챔버(도 2의 150)를 오픈시키게 된다. 그리고, 이렇게 챔버(150)가 오픈된 상태에서, 웨이퍼(W)를 가열 플레이트(100)의 상면에 적재하거나, 가열 플레이트(100)의 상면에 적재된 웨이퍼(W)를 꺼내게 된다.
다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 구동원(170)에 의하여 로드(147)가 하강하게 되면, 제1 커버(120)는 지지부재(140)와 함께 하강하기 시작한다. 이어서, 상기 제1 커버(120)가 계속 하강하게 되면 상기 제1 커버(120)는 케이스(110)와 결합하여 챔버(150)를 밀폐시키게 된다. 다음으로, 상기 지지부재(140)는 계속 하강하여 제2 커버(130)가 웨이퍼(W)와 소정 간격 이격되게 웨이퍼(W)의 상부에 위치하게 된다. 이와 같은 상태에서 베이크 작업이 이루어지게 되며, 이때 웨이퍼(W)의 상부에 위치하는 제2 커버(130)로 인하여 웨이퍼(W) 상에는 열대류가 발생되지 않으므로 웨이퍼(W)는 균일한 온도로 가열된다.
이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 베이크 공정이 끝난 후 구동원(170)에 의하여 로드(147)가 상승하게 되면, 지지부재(140)와 제2 커버(130)는 밀폐된 챔버(150) 내부에서 소정 높이 만큼 상승하게 된다. 이때, 웨이퍼(W)도 승강핀들(181)의 구동에 의하여 같은 높이로 상승하게 되는데, 이는 제2 커버(130)와 웨이퍼(W) 사이의 간격을 일정하게 유지함으로써 웨이퍼(W) 내의 온도분포를 균일하게 위한 것이다. 이 상태에서 웨이퍼(W)는 후속의 공정을 위하여 밀폐된 챔버(150) 내부에 대기상태로 있게 된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 시스템의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 시스템은 웨이퍼(W)가 적재되는 가열 플레이트(200)와, 상기 가열 플레이트(200)의 하부에 마련되어 가열 플레이트(200)를 지지하는 케이스(210)와, 상기 가열 플레이트(200)의 상부에 마련되는 제1 커버(220)와, 상기 제1 커버(220)의 내부에 마련되는 제2 커버(230)를 구비한다.
상기 케이스(210)의 내부에는 가열 플레이트(200) 상에서 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 복수의 승강핀(281) 및 승강핀 지지대가(282) 마련되며, 상기 가열 플레이트(200)에는 상기 승강핀들(281)이 관통하는 제1 관통홀들(201)이 형성된다. 한편, 상기 승강핀 지지대(282)의 일단부는 케이스(210)의 외부에 마련되는 구동수단(미도시)에 연결된다.
상기 제1 커버(220)는 가열 플레이트(200)의 상부에 승강가능하도록 설치되며, 베이크 공정시에는 하강하여 케이스(210)와 결합함으로써 그 내부에 베이크 작업이 이루어지는 밀폐된 챔버(250)를 형성하게 된다. 그리고, 상기 제1 커버(220)와 케이스(210) 사이에는 실링부재(260)가 마련된다.
상기 제2 커버(230)는 제1 커버(220)의 내부에서 승강가능하도록 설치되며, 베이크 공정시에는 하강하여 웨이퍼(W)의 상부를 덮게 된다. 이때, 상기 제2 커버(230)는 베이크 공정시 웨이퍼(W) 상에서 열대류가 발생되지 않도록 웨이퍼(W)와 소정 간격 이격되게 배치된다.
상기 제2 커버(230)는 지지부재(240)에 의하여 지지된다. 여기서, 상기 지지부재(240)는 전술한 실시예와는 달리 제1 커버(220)의 외부에 설치된다. 구체적으로, 상기 지지부재(240)는 상기 제1 커버(220)의 상부에 승강하도록 설치되어, 상기 제2 커버(230)와 함께 승강하게 된다. 여기서, 상기 지지부재(240)와 제2 커버(230) 사이에는 연결 부재(241)가 마련되며, 상기 제1 커버(220)의 상부벽에는 상기 연결부재(241)가 관통하여 승강할 수 있도록 제2 관통홀(222)이 형성된다.
상기 지지부재(240)의 일단부는 지지부재(240)를 승강시키는 구동원(270)에 연결되며, 이 지지부재(240)의 일단부와 구동원(270) 사이에는 구동원(270)으로부터 동력을 전달받아 지지부재(240)를 승강시키는 로드(rod)가 마련된다.
한편, 상기 지지부재(240)의 일단부에는 상기 지지부재(240)와 연동하는 승강부재(245)가 더 마련될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 커버(220)의 측벽에는 상기 승강부재(245)의 승강을 가이드하는 승강홀(221)이 형성된다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 시스템의 동작에 대해서 설명한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 다른 베이크 시스템에서, 챔버(250)가 오픈된 상태, 챔버(250)가 닫힌 상태 및 베이크 공정 후 웨이퍼(W) 대기상태를 각각 도시한 것이다.
먼저 도 5a에 도시된 바와 같이, 구동원(270)에 의하여 로드(247)가 상승하게 되면, 이에 따라 승강부재(245) 및 지지부재(240)가 상승하게 된다. 이때, 상기 승강부재(245)는 승강홀(221)을 따라 상승하게 되고, 상기 지지부재(240)와 제2 커버(230)를 연결하는 연결부재(241)는 제2 관통홀(222)을 따라 상승하게 된다. 이어서, 상기 승강부재(245) 및 지지부재(240)가 계속 상승하게 되면 제1 커버(220)의 승강홀(221) 내부에 있는 승강부재(245)가 제1 커버(220)를 밀어 올려서 챔버(도 4의 250)를 오픈시키게 된다. 그리고, 이렇게 챔버(250)가 오픈된 상태에서, 웨이퍼(W)를 가열 플레이트(200)의 상면에 적재하거나, 가열 플레이트(200)의 상면에 적재된 웨이퍼(W)를 밖으로 꺼내게 된다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 구동원(270)에 의하여 로드(247)가 하 강하게 되면, 제1 커버(220)는 지지부재(240) 및 승강부재(245)와 함께 하강하기 시작한다. 이어서, 상기 제1 커버(220)가 계속 하강하면 제1 커버(220)는 케이스(210)와 결합하면서 밀폐된 챔버(250)를 형성하게 된다. 다음으로, 상기 지지부재(240) 및 승강부재(245)는 계속 하강하여 제2 커버(230)가 웨이퍼(W)와 소정 간격 이격되게 웨이퍼(W)의 상부에 위치하게 된다. 이와 같은 상태에서 베이크 공정이 이루어지게 되며, 이때 웨이퍼(W)의 상부에 위치하는 제2 커버(230)로 인하여 웨이퍼(W) 상에는 열대류가 발생되지 않으므로 웨이퍼(W)는 균일한 온도로 가열된다.
이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 베이크 공정이 끝난 후 구동원(270)에 의하여 로드(247)가 상승하게 되면, 상기 지지부재(240)와 제2 커버(220)는 챔버(250) 내부에서 소정 높이 만큼 상승하게 된다. 이때, 웨이퍼(W)도 승강핀들(281)의 구동에 의하여 같은 높이로 상승하게 되는데, 이는 제2 커버(230)와 웨이퍼(W) 사이의 간격을 일정하게 유지함으로써 웨이퍼(W) 내의 온도분포를 균일하게 위한 것이다. 이 상태에서 웨이퍼(W)는 후속의 공정을 위하여 밀폐된 챔버(250) 내부에 대기상태로 있게 된다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 베이크 시스템에 의하면, 챔버 내부에 웨이퍼 상에 열대류가 발생되는 것을 방지하는 커버를 마련함으로써 베이크 공정시 웨이퍼 내의 온도 분포를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 균일한 선폭을 가지는 레지스트 패턴을 얻을 수 있게 된다.

Claims (14)

  1. 상면에 기판이 적재되는 가열 플레이트;
    상기 가열 플레이트의 하부에 마련되어 상기 가열 플레이트를 지지하는 케이스;
    상기 가열 플레이트의 상부에 마련되는 것으로, 상기 케이스와 결합하여 그 내부에 챔버를 형성하는 제1 커버; 및
    상기 제1 커버의 내부에 승강가능하도록 설치되는 것으로, 베이크 공정시 하강하여 상기 기판과 소정 간격 이격되게 위치하여 상기 기판 상에 열대류가 발생되는 것을 방지하는 제2 커버;를 구비하고,
    상기 제1 커버의 내부에는 상기 제2 커버를 지지하는 지지부재가 설치되며, 상기 제1 커버의 측벽에는 상기 지지부재의 승강을 가이드하는 승강홀이 형성되고, 상기 지지부재의 일단부는 상기 승강홀을 통하여 상기 제1 커버의 외부로 돌출되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 커버와 지지부재 사이는 연결부재가 마련되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부재의 일단부는 상기 지지부재를 승강시키기 위한 구동원에 연결되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 커버는 상기 구동원에 의하여 승강되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
  8. 상면에 기판이 적재되는 가열 플레이트;
    상기 가열 플레이트의 하부에 마련되어 상기 가열 플레이트를 지지하는 케이스;
    상기 가열 플레이트의 상부에 마련되는 것으로, 상기 케이스와 결합하여 그 내부에 챔버를 형성하는 제1 커버; 및
    상기 제1 커버의 내부에 승강가능하도록 설치되는 것으로, 베이크 공정시 하강하여 상기 기판과 소정 간격 이격되게 위치하여 상기 기판 상에 열대류가 발생되는 것을 방지하는 제2 커버;를 구비하고,
    상기 제1 커버의 상부에는 상기 제2 커버를 지지하는 지지부재가 설치되며, 상기 지지부재의 일단부는 상기 지지부재를 승강시키기 위한 구동원에 연결되고, 상기 지지부재의 일단부와 상기 구동원 사이에는 상기 지지부재와 연동하는 승강부재가 마련되며, 상기 제1 커버의 측벽에는 상기 승강부재의 승강을 가이드하는 승강홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 커버와 지지부재 사이는 상기 제1 커버의 상부벽을 관통하는 연결부재가 마련되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 커버는 상기 구동원에 의하여 승강되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
  13. 제 1 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 커버와 케이스 사이에는 사이 챔버를 밀폐시키기 위한 실링(sealing)부재가 마련되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
  14. 제 1 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 케이스의 내부에는 상기 기판을 승강시키기 위한 복수의 승강핀이 상기 가열 플레이트를 관통하여 마련되는 것을 특징으로 하는 베이크 시스템.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101356537B1 (ko) 2012-12-28 2014-01-29 주식회사 테스 기판 처리 장치
KR20150120319A (ko) * 2014-04-17 2015-10-27 램 리써치 코포레이션 측벽으로부터의 피처부들을 갖는 프로세싱 챔버
KR20210000364A (ko) * 2019-06-24 2021-01-05 세메스 주식회사 가열 처리 장치
KR20220034304A (ko) * 2020-09-10 2022-03-18 세메스 주식회사 베이크 장치 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4901323B2 (ja) * 2006-06-20 2012-03-21 東京応化工業株式会社 基板処理装置
JP2008166729A (ja) * 2006-12-08 2008-07-17 Canon Anelva Corp 基板加熱処理装置及び半導体製造方法
JP6181358B2 (ja) * 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 ベーク処理システム及び有機el素子の有機機能膜の積層体の製造方法
KR102359531B1 (ko) * 2014-08-29 2022-02-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
EP4078666A4 (en) * 2019-12-20 2024-06-26 Applied Materials, Inc. BURNING DEVICES FOR HANDLING AND EVEN BURNING OF SUBSTRATES

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5837555A (en) * 1996-04-12 1998-11-17 Ast Electronik Apparatus and method for rapid thermal processing
US6046439A (en) * 1996-06-17 2000-04-04 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US6222161B1 (en) * 1998-01-12 2001-04-24 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
KR200243530Y1 (ko) 1999-06-30 2001-09-29 이영원 반도체 웨이퍼의 베이크장치
SG105487A1 (en) * 2000-03-30 2004-08-27 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3494435B2 (ja) * 2001-02-27 2004-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20050035300A (ko) * 2002-09-10 2005-04-15 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 뚜껑을 가진 열처리 장소
JP2004134674A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Toshiba Corp 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101356537B1 (ko) 2012-12-28 2014-01-29 주식회사 테스 기판 처리 장치
KR20150120319A (ko) * 2014-04-17 2015-10-27 램 리써치 코포레이션 측벽으로부터의 피처부들을 갖는 프로세싱 챔버
KR102399208B1 (ko) 2014-04-17 2022-05-17 램 리써치 코포레이션 측벽으로부터의 피처부들을 갖는 프로세싱 챔버
KR20210000364A (ko) * 2019-06-24 2021-01-05 세메스 주식회사 가열 처리 장치
KR102224987B1 (ko) 2019-06-24 2021-03-11 세메스 주식회사 가열 처리 장치
KR20220034304A (ko) * 2020-09-10 2022-03-18 세메스 주식회사 베이크 장치 및 기판 처리 장치
KR102545752B1 (ko) 2020-09-10 2023-06-20 세메스 주식회사 베이크 장치 및 기판 처리 장치

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