KR20060073148A - 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Abstract
본 발명은 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치에 관한 것으로서, 베이크 챔버에 설치되어 베이크 공정을 실시하는 웨이퍼를 가열하는 장치에 있어서, 웨이퍼(W)가 상측에 로딩되는 스테이지(110)와, 스테이지(110)에 상하로 이동하도록 설치되며, 웨이퍼(W)를 스테이지(110)로부터 이격되도록 지지하는 복수의 지지핀(120)과, 지지핀(120)을 승강시키는 핀승강수단(130)과, 스테이지(110)에 설치되며, 웨이퍼(W)의 각각의 부분에 대한 온도를 측정하여 감지신호를 출력하는 복수의 온도센서(140)와, 온도센서(140)마다 설치되며, 열을 방출하는 복수의 히터(150)와, 온도센서(140) 각각으로부터 출력되는 감지신호를 수신받으며, 핀승강수단(130) 및 히터(150)를 제어하는 제어부(160)를 포함한다. 따라서, 본 발명은, 웨이퍼에 대한 베이크 공정시 웨이퍼의 온도 균일성을 향상시켜서 안정적인 패턴 형성 공정을 실시하도록 함으로써 웨이퍼내의 선폭을 미세하게 형성하도록 하는 효과를 가지고 있다.
Description
도 1은 종래의 기술에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 도시한 평단면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 도시한 측면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 도시한 평면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 제어하기 위한 블럭도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 스테이지 120 : 지지핀
130 : 핀승강수단 131 : 승강부재
140 : 온도센서 150 : 히터
151 : 히터고정부재 160 : 제어부
170 : 열차단부재 171 : 방열구
본 발명은 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼에 대한 베이크 공정시 웨이퍼의 온도 균일성을 향상시켜서 안정적인 패턴 형성 공정을 실시하도록 하는 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 이온주입 공정, 증착 공정, 확산 공정, 사진식각 공정 등과 같은 여러 가지의 단위 공정을 거쳐서 제조된다. 이러한 공정 중에서, 사진식각 공정은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성하기 위한 반도체 소자의 제조에 필수적으로 요구되는 공정으로서 식각이나 이온주입이 될 부위와 보호될 부위를 선택적으로 정의하기 위해 마스크나 레티클의 패턴을 웨이퍼 상에 형성시키는데, 이러한 사진식각 공정에는 웨이퍼를 소정 온도하에서 굽는 베이크(bake) 공정이 포함된다.
베이크 공정은 통상 4단계로 이루어지는 포토레지스트를 도포하기 전 수분과 표면에 부착된 유기물을 제거하는 프리 베이크(pre-bake)단계와, 포토레지스트 도포 후 실시하는 소프트 베이크(soft-bake)단계와, 노광후 실시되는 포스트 익스포즈 베이크(post expose bake)단계와, 현상 후 실시하는 하드 베이크(hard bake)단계로 이루어진다.
종래의 베이크 공정을 실시하는 베이크 챔버내에 설치되는 웨이퍼 가열장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 기술에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 도시한 평단면도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치(10)는 상측면에 웨이퍼가 안착되는 핫플레이트(11)와, 핫플레이트(11)의 내측에 설치되어 핫플레이트(11)로 열을 공급하는 열선(12)으로 이루어진다. 따라서, 열선(12)에 의해 가열된 핫플레이트(11)가 웨이퍼에 열을 공급함으로써 베이크 공정을 실시한다.
그러나, 종래의 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치(10)는 베이크 공정시 온도를 균일하게 유지하는 것이 중용함에도, 단순히 열선(12)으로 웨이퍼에 일방적으로 열을 공급할 뿐 웨이퍼의 온도를 체크하여 균일한 온도를 유지하기 위한 수단이 없었다. 따라서, 베이크 공정에서 웨이퍼가 열선(12)의 이상이나 그 밖의 다른 이유로 인해 온도가 균일하지 못하게 됨으로써 정상적인 패턴 형성 공정을 실시할 없는 문제점을 가지고 있었다.
특히, 노광장비중 248nm의 파장대를 이용하는 장비의 Deep UV에 사용되는 포토레지스트는 빛의 세기는 강하나, 광량이 부족하므로 노광시간이 길어진다. 따라서, 이를 보완해 주기 위해 CAR(chemically amplified resist)을 사용하는데, CAR을 사용하는 경우 온도에 따라 패턴의 선폭 변화가 심하게 발생하므로 베이크 공정시 온도 균일성을 유지할 수 있는 장치의 개발이 필요하다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼에 대한 베이크 공정시 웨이퍼의 온도 균일성을 향상시켜서 안정적인 패 턴 형성 공정을 실시하도록 함으로써 웨이퍼내의 선폭을 미세하게 형성하도록 하는 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 베이크 챔버에 설치되어 베이크 공정을 실시하는 웨이퍼를 가열하는 장치에 있어서, 웨이퍼가 상측에 로딩되는 스테이지와, 스테이지에 상하로 이동하도록 설치되며, 웨이퍼를 스테이지로부터 이격되도록 지지하는 복수의 지지핀과, 지지핀을 승강시키는 핀승강수단과, 스테이지에 설치되며, 웨이퍼의 각각의 부분에 대한 온도를 측정하여 감지신호를 출력하는 복수의 온도센서와, 온도센서마다 설치되며, 열을 방출하는 복수의 히터와, 온도센서 각각으로부터 출력되는 감지신호를 수신받으며, 핀승강수단 및 히터를 제어하는 제어부를 포함한다.
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 도시한 측면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 제어하기 위한 블록도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치(100)는 상측에 웨이퍼(W)가 로딩되는 스테이지(110)와, 스테이지(110)에 설치되어 웨이퍼(W)를 지지하는 복수의 지지핀(120)과, 지지핀(120)을 승강시키는 핀승강수단(130)과, 스테이지(110)에 설치되는 복수의 온도센서(140) 와, 온도센서(140)마다 설치되는 복수의 히터(150)와, 핀승강수단(130) 및 히터(150)를 제어하는 제어부(160)를 포함한다.
스테이지(110)는 웨이퍼(W)의 베이크 공정이 실시되는 베이크 챔버(미도시) 내측에 설치되며, 상측으로 베이크 공정을 실시하여야 하는 웨이퍼(W)가 웨이퍼트랜스퍼(미도시)에 의해 로딩되며, 복수의 지지핀(120)이 상하로 이동 가능하도록 관통하여 설치된다.
지지핀(120)은 복수로 이루어지는데, 도 3에서 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에서 3 개로 이루어지고, 각각의 하부가 핀승강수단(130)에 의해 상하로 승강하는 승강부재(131)에 의해 서로 일체로 연결되며, 베이크 챔버 내측으로 로딩된 웨이퍼(W)의 백면을 지지하여 웨이퍼(W)가 스테이지(110)로부터 일정 간격 이격되도록 지지한다.
핀승강수단(130)은 모터와 모터의 회전력을 수직방향의 직선운동으로 전환시키는 회전력전달부재로 이루어질 수 있으며, 이에 한하지 않고 유체의 압력에 의해 구동하는 실린더로 구성될 수 있다. 따라서, 스테이지(110)로부터 지지핀(120)을 상하로 승강시킴으로써 웨이퍼트랜스퍼로부터 웨이퍼가 스테이지(110) 상측에 위치하도록 함과 아울러 웨이퍼를 스테이지(110)로부터 이격시켜서 히터(150)의 온도 제어를 통해 웨이퍼(W)의 특정부분에 대한 온도 조절이 가능하도록 한다.
온도센서(140)는 복수로 이루어지며, 스테이지(110)내에 전면적에 걸쳐서 균일하게 분포되며, 지지핀(120)에 지지된 웨이퍼(W) 각각의 부분에 대한 온도를 측정하여 감지신호를 제어부(160)로 출력한다. 한편, 베이크 공정중 온도 균일성이 특히 중요한 노광 후 실시되는 포스트 익스포즈 베이크(post expose bake) 공정에서는 그 공정에 필요한 온도조건을 감안하여 온도센서(140)가 100도씨 내지 150도씨 정도의 온도 구간에서 웨이퍼의 선폭에 대한 콘트롤이 가능하도록 오차범위 0.1도씨 내에서 웨이퍼(W)의 온도를 측정할 수 있는 센서가 사용된다.
히터(150)는 온도센서(140)마다 설치되며, 열을 방출하여 웨이퍼(W)의 각각의 부분을 가열한다. 히터(150)는 공급되는 전류의 양에 따라 가열온도를 손쉽게 조절할 수 있는 열선이 사용되며, 온도센서(140)의 외주면마다 설치된다. 히터(150)가 온도센서(140)의 외주면에 설치되기 위하여 온도센서(140)의 외주면에 결합되는 원통형상의 히터고정부재(151) 내측에 나선형으로 설치된다.
한편, 히터(150)로부터 발생되는 열이 이웃하는 다른 히터(150)나 온도센서(140)로 전달되는 것을 차단하기 위하여 히터(150)마다 외측에 열차단부재(170)가 설치됨이 바람직하다. 열차단부재(170)는 열을 차단하기 위한 재질로 형성되며, 바람직하게는 내열성이 뛰어난 세라믹재질로 형성되며, 히터(150)를 감싸서 히터(150)의 열이 외측으로 방출되는 것을 차단하되, 상측에 형성되는 방열구(171)를 통해 웨이퍼(W)로 열이 방출되도록 가이드한다.
제어부(160)는 온도센서(140) 각각으로부터 출력되는 감지신호를 수신받으며, 핀승강수단(130) 및 히터(150)를 제어한다. 즉, 제어부(160)는 웨이퍼(W)가 웨이퍼트랜스퍼(미도시)로부터 로딩 또는 언로딩되도록 지지핀(120)을 승강시키는 핀승강수단(130)의 구동을 제어하며, 온도센서(140) 각각으로부터 출력되는 감지신호를 통해 웨이퍼(W)의 온도가 균일가지도록 히터(150)각각의 온도를 제어한다.
이와 같은 구조로 이루어진 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치의 동작은 다음과 같이 이루어진다.
웨이퍼(W)가 웨이퍼트랜스퍼(미도시)에 의해 베이크 챔버(미도시)로 로딩되면, 제어부(160)는 핀승강수단(130)을 구동시켜서 지지핀(120)을 상승시켜서 웨이퍼(W)가 지지핀(120)상에 안착되도록 한 다음 웨이퍼트랜스퍼가 외측으로 언로딩되면 웨이퍼(W)를 공정시 요구되는 높이에 위치시킨다. 이 때, 웨이퍼(W)를 스테이지(110)로부터 이격시키게 되며, 이로 인해 웨이퍼(W) 각부분의 온도가 그 하측에 위치하는 히터(150)의 온도에만 영향을 받도록 한다.
웨이퍼(W)가 스테이지(110)로 로딩을 마치면 제어부(160)는 히터(150)에 전원을 인가하여 웨이퍼(W)를 가열시킨다. 이 때, 온도센서(140) 각각으로부터 출력되는 감지신호에 의해 웨이퍼(W)의 각부분에 대한 온도를 통해서 다른 부분들에 비해 온도가 낮은 부분 또는 높은 부분을 감지한 온도센서(140)에 설치되는 히터(150)의 온도를 높이거나 낮춤으로써 웨이퍼(W) 전부분에 걸쳐 온도가 균일하도록 한다.
열차단부재(170)는 히터(150)의 열이 인근의 온도센서(140)나 히터(150) 등에 영향을 주지 않도록 히터(150) 각각으로부터 방출되는 열을 상측의 방열구(171)를 통해 웨이퍼(W)의 특정부위만 가열시킨다.
한편, 포스트 익스포즈 베이크 공정시에는 온도센서(140)가 0.1도씨의 오차범위 내에서 웨이퍼(W)의 온도를 측정함으로써 웨이퍼의 선폭에 대한 콘트롤이 가능하도록 한다.
이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼에 대한 베이크 공정시 웨이퍼의 온도 균일성을 향상시켜서 안정적인 패턴 형성 공정을 실시하도록 함으로써 웨이퍼내의 선폭을 미세하게 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치는 웨이퍼에 대한 베이크 공정시 웨이퍼의 온도 균일성을 향상시켜서 안정적인 패턴 형성 공정을 실시하도록 함으로써 웨이퍼내의 선폭을 미세하게 형성하도록 하는 효과를 가지고 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
Claims (3)
- 베이크 챔버에 설치되어 베이크 공정을 실시하는 웨이퍼를 가열하는 장치에 있어서,상기 웨이퍼가 상측에 로딩되는 스테이지와,상기 스테이지에 상하로 이동하도록 설치되며, 상기 웨이퍼를 상기 스테이지로부터 이격되도록 지지하는 복수의 지지핀과,상기 지지핀을 승강시키는 핀승강수단과,상기 스테이지에 설치되며, 상기 웨이퍼의 각각의 부분에 대한 온도를 측정하여 감지신호를 출력하는 복수의 온도센서와,상기 온도센서마다 설치되며, 열을 방출하는 복수의 히터와,상기 온도센서 각각으로부터 출력되는 감지신호를 수신받으며, 상기 핀승강수단 및 상기 히터를 제어하는 제어부를 포함하는 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 히터는,상기 온도센서의 외주면마다 설치되는 열선인 것을 특징으로 하는 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 히터마다 외측에 설치되며, 상기 히터의 열이 외측으로 방출되는 것을 차단하되, 상측에 형성되는 방열구를 통해 상기 웨이퍼로 열이 방출되도록 가이드하는 열차단부재를 더 포함하는 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040112016A KR20060073148A (ko) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040112016A KR20060073148A (ko) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060073148A true KR20060073148A (ko) | 2006-06-28 |
Family
ID=37166272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040112016A KR20060073148A (ko) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 베이크 공정에 사용되는 웨이퍼 가열장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20060073148A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100811623B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2008-03-11 | 송해근 | 웨이퍼 가열용 히터 |
| KR101510558B1 (ko) * | 2013-11-28 | 2015-04-08 | 인제대학교 산학협력단 | 온도조절장치가 구비되는 스테이지 |
| CN113658896A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-16 | 上海稷以科技有限公司 | 一种晶圆加工用加热载盘 |
-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN113658896A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-16 | 上海稷以科技有限公司 | 一种晶圆加工用加热载盘 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |