JPH10335238A - 基板の熱処理装置 - Google Patents
基板の熱処理装置Info
- Publication number
- JPH10335238A JPH10335238A JP15747597A JP15747597A JPH10335238A JP H10335238 A JPH10335238 A JP H10335238A JP 15747597 A JP15747597 A JP 15747597A JP 15747597 A JP15747597 A JP 15747597A JP H10335238 A JPH10335238 A JP H10335238A
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- JP
- Japan
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- heat treatment
- substrate
- cover
- exhaust
- exhaust chamber
- Prior art date
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- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を熱処理した際に基板から蒸発する溶剤
量を基板全面において均一にし、熱処理によって基板表
面に形成される被膜の膜厚を均一化することができる装
置を提供する。 【解決手段】 ホットプレート１０に載置された基板Ｗ
の上方を覆うようにベークカバー２０を配設し、ベーク
カバーの外側を外部カバー２４で囲んでベークカバーの
上部外面との間に排気室２６を形成し、外部カバーに外
気吸入口２８を形成するとともに、排気室に排気口３０
を設け、ホットプレート上の基板から蒸発した溶剤蒸気
を外気と共に排気口を通って排気するようにした。
量を基板全面において均一にし、熱処理によって基板表
面に形成される被膜の膜厚を均一化することができる装
置を提供する。 【解決手段】 ホットプレート１０に載置された基板Ｗ
の上方を覆うようにベークカバー２０を配設し、ベーク
カバーの外側を外部カバー２４で囲んでベークカバーの
上部外面との間に排気室２６を形成し、外部カバーに外
気吸入口２８を形成するとともに、排気室に排気口３０
を設け、ホットプレート上の基板から蒸発した溶剤蒸気
を外気と共に排気口を通って排気するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置（ＬＣＤ）用あるいはフォトマスク用のガ
ラス基板などの基板の表面にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ
ｇｌａｓｓ）材やドーパント材等のシリカ系被膜形成用
塗布液、フォトレジストなどの塗布液を塗布した後に基
板を熱処理したり、化学増幅型レジストが塗布された基
板を露光後にベーク処理したり、あるいは、現像後にお
いて基板を熱処理したりする際に使用される基板の熱処
理装置に関する。
液晶表示装置（ＬＣＤ）用あるいはフォトマスク用のガ
ラス基板などの基板の表面にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ
ｇｌａｓｓ）材やドーパント材等のシリカ系被膜形成用
塗布液、フォトレジストなどの塗布液を塗布した後に基
板を熱処理したり、化学増幅型レジストが塗布された基
板を露光後にベーク処理したり、あるいは、現像後にお
いて基板を熱処理したりする際に使用される基板の熱処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板の表面にフォトレジストなどを塗布
した後に基板を熱処理したり、化学増幅型レジストが塗
布された基板を露光後ベーク（ＰＥＢ）処理したりする
場合などには、ホットプレートを備えた熱処理装置が使
用される。この熱処理装置により、例えば表面に塗布液
が塗布された基板の熱処理を行う場合には、ホットプレ
ート上に基板を、ホットプレートの上面から僅かに浮か
せた状態で載置し、あるいは、ホットプレートの上面に
直接に載置し、基板の温度分布を均一にして、ばらつき
の無い所定の膜厚の塗布膜が得られるように基板を加熱
するために、基板の表面から所定間隔をあけて基板表面
と平行に昇降自在のベークカバーを配置して、基板の上
方をベークカバーで覆い、ホットプレートとベークカバ
ーとの間に熱処理空間が形成されるようにしている。
した後に基板を熱処理したり、化学増幅型レジストが塗
布された基板を露光後ベーク（ＰＥＢ）処理したりする
場合などには、ホットプレートを備えた熱処理装置が使
用される。この熱処理装置により、例えば表面に塗布液
が塗布された基板の熱処理を行う場合には、ホットプレ
ート上に基板を、ホットプレートの上面から僅かに浮か
せた状態で載置し、あるいは、ホットプレートの上面に
直接に載置し、基板の温度分布を均一にして、ばらつき
の無い所定の膜厚の塗布膜が得られるように基板を加熱
するために、基板の表面から所定間隔をあけて基板表面
と平行に昇降自在のベークカバーを配置して、基板の上
方をベークカバーで覆い、ホットプレートとベークカバ
ーとの間に熱処理空間が形成されるようにしている。
【０００３】前記ベークカバーを設置するのは、ホット
プレートによる基板の加熱に伴って、基板の表面に塗布
された塗布液から溶剤が蒸発するので、発生した溶剤蒸
気が装置外へ漏れ出てクリーンルーム内の環境を悪化さ
せたり人体への悪影響を及ぼしたりするのを防止するた
め、また、作業者が高温部分に触れるのを防止するため
である。また、ホットプレートの周囲をベークカバーに
よって囲み、さらに、基板から発生した溶剤蒸気を装置
外へ漏らさないために、ホットプレートの周囲の雰囲気
を排気系により下方へ吸引し、排気口を通って排気する
ようにしている。さらに、熱処理空間の温度分布の均一
性を高めるとともに、基板上の塗布液からの溶剤蒸気の
発生量のばらつきを無くすために、ベークカバーに不活
性ガス、例えば窒素ガスの供給系を流路接続し、ベーク
カバーから基板に向けて均一に窒素ガスを吹き出させ、
その窒素ガスを基板上の塗布液から発生した溶剤蒸気と
共に熱処理空間から排気系によって排気するようにして
いる。
プレートによる基板の加熱に伴って、基板の表面に塗布
された塗布液から溶剤が蒸発するので、発生した溶剤蒸
気が装置外へ漏れ出てクリーンルーム内の環境を悪化さ
せたり人体への悪影響を及ぼしたりするのを防止するた
め、また、作業者が高温部分に触れるのを防止するため
である。また、ホットプレートの周囲をベークカバーに
よって囲み、さらに、基板から発生した溶剤蒸気を装置
外へ漏らさないために、ホットプレートの周囲の雰囲気
を排気系により下方へ吸引し、排気口を通って排気する
ようにしている。さらに、熱処理空間の温度分布の均一
性を高めるとともに、基板上の塗布液からの溶剤蒸気の
発生量のばらつきを無くすために、ベークカバーに不活
性ガス、例えば窒素ガスの供給系を流路接続し、ベーク
カバーから基板に向けて均一に窒素ガスを吹き出させ、
その窒素ガスを基板上の塗布液から発生した溶剤蒸気と
共に熱処理空間から排気系によって排気するようにして
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば、近
年のＩＣの高集積化に伴い、ＳＯＧ材と呼ばれる層間絶
縁膜材が、下地段差の平坦化の目的も兼ねて用いられる
ようになっており、基板の表面へのＳＯＧ膜の形成に、
より高い平坦性を求めて厚膜化が図られるようになって
きた。ところが、このＳＯＧ材が表面に塗布された基板
を上記した従来の基板の熱処理装置により熱処理する
と、基板上のＳＯＧ材からの溶剤の蒸発が活発に起こ
る。また、基板上のＳＯＧ材からの溶剤の蒸発量は、基
板の周囲の雰囲気に非常に影響され易く、ホットプレー
トによって加熱される基板の温度が、例え基板全面で均
一に保たれていても、基板の周囲の雰囲気の溶剤蒸気濃
度が局所的に上昇したり下降したりすると、基板上のそ
の部分のＳＯＧ材からの溶剤蒸発量が減ったり増えたり
する。この結果、ＳＯＧ材からの溶剤蒸発量が多い部分
の膜厚は薄くなり、ＳＯＧ材からの溶剤蒸発量が少ない
部分の膜厚は厚くなって、基板の表面に形成されたＳＯ
Ｇ膜に膜厚むらを生じることとなる。
年のＩＣの高集積化に伴い、ＳＯＧ材と呼ばれる層間絶
縁膜材が、下地段差の平坦化の目的も兼ねて用いられる
ようになっており、基板の表面へのＳＯＧ膜の形成に、
より高い平坦性を求めて厚膜化が図られるようになって
きた。ところが、このＳＯＧ材が表面に塗布された基板
を上記した従来の基板の熱処理装置により熱処理する
と、基板上のＳＯＧ材からの溶剤の蒸発が活発に起こ
る。また、基板上のＳＯＧ材からの溶剤の蒸発量は、基
板の周囲の雰囲気に非常に影響され易く、ホットプレー
トによって加熱される基板の温度が、例え基板全面で均
一に保たれていても、基板の周囲の雰囲気の溶剤蒸気濃
度が局所的に上昇したり下降したりすると、基板上のそ
の部分のＳＯＧ材からの溶剤蒸発量が減ったり増えたり
する。この結果、ＳＯＧ材からの溶剤蒸発量が多い部分
の膜厚は薄くなり、ＳＯＧ材からの溶剤蒸発量が少ない
部分の膜厚は厚くなって、基板の表面に形成されたＳＯ
Ｇ膜に膜厚むらを生じることとなる。
【０００５】そこで、基板の周囲からの排気量を多くし
て、熱処理空間における溶剤蒸気の対流を防止すること
が試みられているが、熱処理空間の内部が負圧になっ
て、装置外からの流入空気の気流やベークカバーから吹
き出される窒素ガスの流れを均一にすることができな
い。このため、基板の周囲の雰囲気の溶剤蒸気濃度が不
均一になって、基板上のＳＯＧ材からの溶剤蒸発量が局
所的に増減し、やはりＳＯＧ膜の膜厚むらが発生して、
最終製品の歩留りの低下を来たすことになる。
て、熱処理空間における溶剤蒸気の対流を防止すること
が試みられているが、熱処理空間の内部が負圧になっ
て、装置外からの流入空気の気流やベークカバーから吹
き出される窒素ガスの流れを均一にすることができな
い。このため、基板の周囲の雰囲気の溶剤蒸気濃度が不
均一になって、基板上のＳＯＧ材からの溶剤蒸発量が局
所的に増減し、やはりＳＯＧ膜の膜厚むらが発生して、
最終製品の歩留りの低下を来たすことになる。
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板を熱処理したときに、その熱処
理に伴って基板から蒸発する溶剤量を基板全面において
均一にすることができ、熱処理によって基板の表面に形
成される被膜の膜厚を均一化することができて、最終製
品の歩留りの向上を図ることができる基板の熱処理装置
を提供することを目的とする。
されたものであり、基板を熱処理したときに、その熱処
理に伴って基板から蒸発する溶剤量を基板全面において
均一にすることができ、熱処理によって基板の表面に形
成される被膜の膜厚を均一化することができて、最終製
品の歩留りの向上を図ることができる基板の熱処理装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
上面に基板を直接にもしくは間隔を設けて載置する熱処
理板と、この熱処理板上に載置された基板の上方を覆う
ように配置されて熱処理板との間で熱処理空間を形成す
る熱処理カバーと、前記熱処理板上に載置された基板か
らその熱処理に伴って蒸発した溶剤蒸気を排気する排気
手段とを備えた基板の熱処理装置において、前記熱処理
カバーの外側を外部カバーによって囲んで熱処理カバー
の上部外面との間に排気室を形成し、前記外部カバーに
前記排気室内へ気体を取り入れるための給気口を形成す
るとともに、排気室に排気口を設け、前記熱処理板上に
載置された基板から蒸発した溶剤蒸気を、前記給気口を
通して前記排気室内へ取り入れられた気体と共に前記排
気口を通って前記排気手段により排気するようにしたこ
とを特徴とする。
上面に基板を直接にもしくは間隔を設けて載置する熱処
理板と、この熱処理板上に載置された基板の上方を覆う
ように配置されて熱処理板との間で熱処理空間を形成す
る熱処理カバーと、前記熱処理板上に載置された基板か
らその熱処理に伴って蒸発した溶剤蒸気を排気する排気
手段とを備えた基板の熱処理装置において、前記熱処理
カバーの外側を外部カバーによって囲んで熱処理カバー
の上部外面との間に排気室を形成し、前記外部カバーに
前記排気室内へ気体を取り入れるための給気口を形成す
るとともに、排気室に排気口を設け、前記熱処理板上に
載置された基板から蒸発した溶剤蒸気を、前記給気口を
通して前記排気室内へ取り入れられた気体と共に前記排
気口を通って前記排気手段により排気するようにしたこ
とを特徴とする。
【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１記載の熱
処理装置において、外部カバーに形成された給気口を、
排気室内へ外気を吸入するための外気吸入口としたこと
を特徴とする。
処理装置において、外部カバーに形成された給気口を、
排気室内へ外気を吸入するための外気吸入口としたこと
を特徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の熱処理装置において、熱処理カバーに複数
個の蒸気流出孔を分散して穿設したことを特徴とする。
求項２記載の熱処理装置において、熱処理カバーに複数
個の蒸気流出孔を分散して穿設したことを特徴とする。
【００１０】請求項４に係る発明は、請求項１ないし請
求項３のいずれかに記載の熱処理装置において、排気口
を排気室の全周にわたって設けたことを特徴とする。
求項３のいずれかに記載の熱処理装置において、排気口
を排気室の全周にわたって設けたことを特徴とする。
【００１１】請求項５に係る発明は、請求項１ないし請
求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、基板
が、その表面にＳＯＧ材等のシリカ系被膜形成用塗布液
が塗布されたものであることを特徴とする。
求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、基板
が、その表面にＳＯＧ材等のシリカ系被膜形成用塗布液
が塗布されたものであることを特徴とする。
【００１２】請求項１に係る発明の基板の熱処理装置を
使用して基板の熱処理を行うときは、排気手段に接続さ
れた排気口が形成された排気室と、熱処理板の上面に載
置された基板の上方の熱処理空間とは、熱処理カバーに
よって隔てられているので、排気手段により排気室内を
排気すると、その排気圧により排気室内へ外部カバーの
給気口を通して気体が取り入れられ、熱処理空間からは
強制的な排気は行われない。このため、熱処理板上に載
置された基板から熱処理に伴って蒸発した溶剤蒸気は、
熱処理空間内で対流することなく自然に上昇して、熱処
理空間から排気室内へ流れ込む。したがって、熱処理板
によって加熱された基板からは、基板全面において均一
に溶剤が蒸発する。この結果、熱処理によって基板の表
面に形成される被膜の膜厚が均一化する。排気室内へ流
れ込んだ溶剤蒸気は、外部カバーの給気口を通して排気
室内へ取り入れられた気体と共に排気口を通って排気手
段により排気される。したがって、発生した溶剤蒸気が
装置外へ漏れ出ることがない。また、熱処理カバーは、
その外側を外部カバーによって囲まれており、外部カバ
ーと熱処理カバーの上部外面との間の排気室へは、外部
カバーに形成された給気口を通して気体が取り入れられ
て冷却されるので、外部カバーの外面が高温になること
が防止される。
使用して基板の熱処理を行うときは、排気手段に接続さ
れた排気口が形成された排気室と、熱処理板の上面に載
置された基板の上方の熱処理空間とは、熱処理カバーに
よって隔てられているので、排気手段により排気室内を
排気すると、その排気圧により排気室内へ外部カバーの
給気口を通して気体が取り入れられ、熱処理空間からは
強制的な排気は行われない。このため、熱処理板上に載
置された基板から熱処理に伴って蒸発した溶剤蒸気は、
熱処理空間内で対流することなく自然に上昇して、熱処
理空間から排気室内へ流れ込む。したがって、熱処理板
によって加熱された基板からは、基板全面において均一
に溶剤が蒸発する。この結果、熱処理によって基板の表
面に形成される被膜の膜厚が均一化する。排気室内へ流
れ込んだ溶剤蒸気は、外部カバーの給気口を通して排気
室内へ取り入れられた気体と共に排気口を通って排気手
段により排気される。したがって、発生した溶剤蒸気が
装置外へ漏れ出ることがない。また、熱処理カバーは、
その外側を外部カバーによって囲まれており、外部カバ
ーと熱処理カバーの上部外面との間の排気室へは、外部
カバーに形成された給気口を通して気体が取り入れられ
て冷却されるので、外部カバーの外面が高温になること
が防止される。
【００１３】請求項２に係る発明の熱処理装置では、外
部カバーに形成された外気吸入口を通して排気室内へ外
気が吸入され、排気室内からその取り入れられた外気と
共に溶剤蒸気が排気口を通って排気手段により排気され
る。
部カバーに形成された外気吸入口を通して排気室内へ外
気が吸入され、排気室内からその取り入れられた外気と
共に溶剤蒸気が排気口を通って排気手段により排気され
る。
【００１４】請求項３に係る発明の熱処理装置では、熱
処理板上に載置された基板から蒸発した溶剤蒸気は、そ
のまま上昇して熱処理空間から熱処理カバーの複数個の
蒸気流出孔を通って排気室内へ流入する。
処理板上に載置された基板から蒸発した溶剤蒸気は、そ
のまま上昇して熱処理空間から熱処理カバーの複数個の
蒸気流出孔を通って排気室内へ流入する。
【００１５】請求項４に係る発明の熱処理装置では、熱
処理空間から排気室内へ流入した溶剤蒸気は、外部カバ
ーの給気口を通って排気室内へ取り入れられた気体と共
に、排気室の全周方向から排気口を通って排気手段によ
り排気される。
処理空間から排気室内へ流入した溶剤蒸気は、外部カバ
ーの給気口を通って排気室内へ取り入れられた気体と共
に、排気室の全周方向から排気口を通って排気手段によ
り排気される。
【００１６】請求項５に係る発明の熱処理装置では、熱
処理板上に載置された基板の表面に塗布されたシリカ系
被膜形成用塗布液からその熱処理に伴って溶剤が活発に
蒸発するが、塗布液の溶剤は、基板の表面から自然蒸発
に近いかたちで蒸発し、溶剤の蒸発量は基板全面におい
て均一になる。基板上の塗布液から多量に発生した溶剤
蒸気は、熱処理空間から排気室内へ流入し、外部カバー
に形成された給気口を通して排気室内へ取り入れられた
気体と共に排気口を通って排気手段により排気される。
処理板上に載置された基板の表面に塗布されたシリカ系
被膜形成用塗布液からその熱処理に伴って溶剤が活発に
蒸発するが、塗布液の溶剤は、基板の表面から自然蒸発
に近いかたちで蒸発し、溶剤の蒸発量は基板全面におい
て均一になる。基板上の塗布液から多量に発生した溶剤
蒸気は、熱処理空間から排気室内へ流入し、外部カバー
に形成された給気口を通して排気室内へ取り入れられた
気体と共に排気口を通って排気手段により排気される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１および図２を参照しながら説明する。
について図１および図２を参照しながら説明する。
【００１８】図１は、この発明の１実施形態を示し、基
板の熱処理装置の概略構成を示す模式的縦断面図であ
る。この図においては（図２においても同じ）、ベーク
カバーの支持機構や昇降機構の図示を省略している。
板の熱処理装置の概略構成を示す模式的縦断面図であ
る。この図においては（図２においても同じ）、ベーク
カバーの支持機構や昇降機構の図示を省略している。
【００１９】この熱処理装置は、表面に塗布液、例えば
シリカ系被膜形成用塗布液であるＳＯＧ材（ハロゲン化
シランやアルコキシシラン等のシリコン化合物を、アル
コール類やエステル類等の有機溶剤に溶解させた液や、
シリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入した液など）が
塗布された基板Ｗを直接に、もしくは、１mm以下の微小
球体を基板Ｗの下面との間に介在させることなどにより
間隔を設けて載置するホットプレート１０を有してい
る。ホットプレート１０には、複数個の貫通孔１２が穿
設されており、その各貫通孔１２にリフトピン１４がそ
れぞれ上下方向に摺動自在に挿通されている。複数本の
リフトピン１４は、昇降板１６の上面に固着されてお
り、昇降板１６を上下方向へ往復移動させる駆動機構１
８が設けられている。そして、駆動機構１８によって昇
降板１６を上昇させることにより、各リフトピン１４を
ホットプレート１０の上面より上方へ突出させて、複数
本のリフトピン１４により基板Ｗを持ち上げて支持する
ようになっている。また、複数本のリフトピン１４によ
り基板Ｗを支持した状態で、駆動機構１８によって昇降
板１６を下降させることにより、各リフトピン１４をホ
ットプレートの上面より下方へ引き入れ、これに伴って
基板Ｗがリフトピン１４上からホットプレート１０の上
面へ移載されるようになっている。装置外への基板Ｗの
搬出および装置内への基板の搬入の際に、上記したよう
なリフトピン１４の昇降動作が行われる。以上の構成
は、従来の熱処理装置と同様であり、また、後述する図
２に示した熱処理装置も同じである。
シリカ系被膜形成用塗布液であるＳＯＧ材（ハロゲン化
シランやアルコキシシラン等のシリコン化合物を、アル
コール類やエステル類等の有機溶剤に溶解させた液や、
シリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入した液など）が
塗布された基板Ｗを直接に、もしくは、１mm以下の微小
球体を基板Ｗの下面との間に介在させることなどにより
間隔を設けて載置するホットプレート１０を有してい
る。ホットプレート１０には、複数個の貫通孔１２が穿
設されており、その各貫通孔１２にリフトピン１４がそ
れぞれ上下方向に摺動自在に挿通されている。複数本の
リフトピン１４は、昇降板１６の上面に固着されてお
り、昇降板１６を上下方向へ往復移動させる駆動機構１
８が設けられている。そして、駆動機構１８によって昇
降板１６を上昇させることにより、各リフトピン１４を
ホットプレート１０の上面より上方へ突出させて、複数
本のリフトピン１４により基板Ｗを持ち上げて支持する
ようになっている。また、複数本のリフトピン１４によ
り基板Ｗを支持した状態で、駆動機構１８によって昇降
板１６を下降させることにより、各リフトピン１４をホ
ットプレートの上面より下方へ引き入れ、これに伴って
基板Ｗがリフトピン１４上からホットプレート１０の上
面へ移載されるようになっている。装置外への基板Ｗの
搬出および装置内への基板の搬入の際に、上記したよう
なリフトピン１４の昇降動作が行われる。以上の構成
は、従来の熱処理装置と同様であり、また、後述する図
２に示した熱処理装置も同じである。
【００２０】ホットプレート１０の上方には、それを覆
うようにベークカバー２０が配設されていて、ベークカ
バー２０とホットプレート１０との間に熱処理空間が形
成されるようになっている。ベークカバー２０には、複
数個の蒸気流出孔２２が平面的に均等に分散されて穿設
されている。このベークカバー２０は、図示しない支持
機構によってホットプレート１０の上面と平行に支持さ
れ、図示しない昇降機構によって上下方向へ往復移動さ
せられるようになっている。そして、ベークカバー２０
は、基板の熱処理時には図示した位置に保持され、基板
Ｗの搬出入時には上方へ移動させられる。
うようにベークカバー２０が配設されていて、ベークカ
バー２０とホットプレート１０との間に熱処理空間が形
成されるようになっている。ベークカバー２０には、複
数個の蒸気流出孔２２が平面的に均等に分散されて穿設
されている。このベークカバー２０は、図示しない支持
機構によってホットプレート１０の上面と平行に支持さ
れ、図示しない昇降機構によって上下方向へ往復移動さ
せられるようになっている。そして、ベークカバー２０
は、基板の熱処理時には図示した位置に保持され、基板
Ｗの搬出入時には上方へ移動させられる。
【００２１】ベークカバー２０の外側には、それを取り
囲むように外部カバー２４が配設されており、外部カバ
ー２４とベークカバー２０の上部外面との間に排気室２
６が形成されている。外部カバー２４の上面部には、排
気室２６内へ外気を取り入れるための複数個の外気吸入
口２８が形成されている。また、外部カバー２４の側面
部には、排気室２６内の排気を行うための排気口３０が
設けられている。排気口３０は、図示しない排気ファン
などの排気手段に流路接続されている。
囲むように外部カバー２４が配設されており、外部カバ
ー２４とベークカバー２０の上部外面との間に排気室２
６が形成されている。外部カバー２４の上面部には、排
気室２６内へ外気を取り入れるための複数個の外気吸入
口２８が形成されている。また、外部カバー２４の側面
部には、排気室２６内の排気を行うための排気口３０が
設けられている。排気口３０は、図示しない排気ファン
などの排気手段に流路接続されている。
【００２２】図１に示したような構成の熱処理装置を使
用して基板Ｗを熱処理したとき、排気手段の排気圧によ
り排気室２６内が負圧となって、排気室２６内へ外部カ
バー２４の外気吸入口２６を通って外気が吸入される。
一方、排気室２６と基板Ｗの上方の熱処理空間とは、ベ
ークカバー２０によって隔てられているので、排気室２
６内へは主として外気吸入口２６から外気が吸入され
て、熱処理空間から排気室２６内への強制的な排気は行
われない。このため、ホットプレート１０によって基板
Ｗが加熱されることにより、基板Ｗの表面に塗布された
ＳＯＧ材から溶剤蒸気が発生するが、それは自然蒸発に
近いものであり、ＳＯＧ材からの溶剤蒸気の発生量は、
基板Ｗの全面において均一となる。そして、基板Ｗ上の
ＳＯＧ材から蒸発した溶剤蒸気は、熱処理空間内で対流
することなく自然に上昇し、そのままベークカバー２０
の複数個の蒸気流出孔２２を通って排気室２６内へ流れ
込む。排気室２６内へ流れ込んだ溶剤蒸気は、外部カバ
ー２４の外気吸入口２８を通して排気室２６内へ取り入
れられた外気と共に排気口３０を通って排気される。
用して基板Ｗを熱処理したとき、排気手段の排気圧によ
り排気室２６内が負圧となって、排気室２６内へ外部カ
バー２４の外気吸入口２６を通って外気が吸入される。
一方、排気室２６と基板Ｗの上方の熱処理空間とは、ベ
ークカバー２０によって隔てられているので、排気室２
６内へは主として外気吸入口２６から外気が吸入され
て、熱処理空間から排気室２６内への強制的な排気は行
われない。このため、ホットプレート１０によって基板
Ｗが加熱されることにより、基板Ｗの表面に塗布された
ＳＯＧ材から溶剤蒸気が発生するが、それは自然蒸発に
近いものであり、ＳＯＧ材からの溶剤蒸気の発生量は、
基板Ｗの全面において均一となる。そして、基板Ｗ上の
ＳＯＧ材から蒸発した溶剤蒸気は、熱処理空間内で対流
することなく自然に上昇し、そのままベークカバー２０
の複数個の蒸気流出孔２２を通って排気室２６内へ流れ
込む。排気室２６内へ流れ込んだ溶剤蒸気は、外部カバ
ー２４の外気吸入口２８を通して排気室２６内へ取り入
れられた外気と共に排気口３０を通って排気される。
【００２３】図２は、この発明の別の実施形態を示し、
基板の熱処置装置の概略構成を示す模式的縦断面図であ
る。図２において図１と同一符号を付した部材について
は、その説明を省略する。
基板の熱処置装置の概略構成を示す模式的縦断面図であ
る。図２において図１と同一符号を付した部材について
は、その説明を省略する。
【００２４】図２に示した熱処理装置には、ホットプレ
ート１０の上方に、基板Ｗを覆うように平板状のベーク
カバー３２が配設されていて、ベークカバー３２とホッ
トプレート１０との間に熱処理空間が形成されるように
なっている。このベークカバー３２には、図１に示した
装置のベークカバー２０とは異なり、蒸気流出孔が形成
されていない。また、このべークカバー３２も、図示し
ない支持機構によってホトプレート１０の上面と平行に
支持され、図示しない昇降機構によって上下方向へ往復
移動させられるようになっている。ベークカバー３２の
外側には、それを取り囲むように外部カバー３４が配設
されており、外部カバー３４とベークカバー３２の上面
との間に排気室３６が形成されている。排気室３６と基
板Ｗの上方の熱処理空間とは、ベークカバー３２の外周
部と外部カバー３４の側面部との間に形成された通気路
３８を通して連絡している。外部カバー３４の上部中央
部には、給気口４０が形成されている。この給気口４０
は、排気室３６内へ外気を取り入れるため、装置の外部
雰囲気に開口している。なお、給気口４０を不活性ガ
ス、例えば窒素ガスの供給源に流路接続させて、排気室
３６内へ窒素ガス等の不活性ガスを取り入れるようにし
てもよい。また、外部カバー３４の側面部には、排気室
３６の全周にわたって排気口４２が形設されている。排
気口４２は、図示しない排気ポンプなどの排気手段に流
路接続されている。
ート１０の上方に、基板Ｗを覆うように平板状のベーク
カバー３２が配設されていて、ベークカバー３２とホッ
トプレート１０との間に熱処理空間が形成されるように
なっている。このベークカバー３２には、図１に示した
装置のベークカバー２０とは異なり、蒸気流出孔が形成
されていない。また、このべークカバー３２も、図示し
ない支持機構によってホトプレート１０の上面と平行に
支持され、図示しない昇降機構によって上下方向へ往復
移動させられるようになっている。ベークカバー３２の
外側には、それを取り囲むように外部カバー３４が配設
されており、外部カバー３４とベークカバー３２の上面
との間に排気室３６が形成されている。排気室３６と基
板Ｗの上方の熱処理空間とは、ベークカバー３２の外周
部と外部カバー３４の側面部との間に形成された通気路
３８を通して連絡している。外部カバー３４の上部中央
部には、給気口４０が形成されている。この給気口４０
は、排気室３６内へ外気を取り入れるため、装置の外部
雰囲気に開口している。なお、給気口４０を不活性ガ
ス、例えば窒素ガスの供給源に流路接続させて、排気室
３６内へ窒素ガス等の不活性ガスを取り入れるようにし
てもよい。また、外部カバー３４の側面部には、排気室
３６の全周にわたって排気口４２が形設されている。排
気口４２は、図示しない排気ポンプなどの排気手段に流
路接続されている。
【００２５】図２に示した熱処理装置では、排気手段の
排気圧によって排気室３６内へ外部カバー３４の給気口
４０を通って外気（場合によっては窒素ガス）が吸入さ
れる一方、排気室３６と基板Ｗの上方の熱処理空間とが
ベークカバー３２によって隔てられているので、熱処理
空間から排気室３６内への強制的な排気は行われない。
このため、ホットプレート１０によって加熱された基板
Ｗ上のＳＯＧ材からは、自然蒸発に近い状態で溶剤蒸気
が発生し、ＳＯＧ材からの溶剤蒸気の発生量は、基板Ｗ
の全面において均一となる。そして、基板Ｗ上のＳＯＧ
材から蒸発した溶剤蒸気は、熱処理空間内で対流するこ
となく自然に上昇した後、ベークカバー３２の下面に沿
って外周方向へ流れ、通気路３８を通って排気室３６内
へ流れ込む。排気室３６内へ流れ込んだ溶剤蒸気は、外
部カバー３４の給気口４０を通して排気室３６内へ取り
入れられた外気（場合によっては窒素ガス）と共に、排
気室３６の全周方向から排気口４２を通って排気され
る。
排気圧によって排気室３６内へ外部カバー３４の給気口
４０を通って外気（場合によっては窒素ガス）が吸入さ
れる一方、排気室３６と基板Ｗの上方の熱処理空間とが
ベークカバー３２によって隔てられているので、熱処理
空間から排気室３６内への強制的な排気は行われない。
このため、ホットプレート１０によって加熱された基板
Ｗ上のＳＯＧ材からは、自然蒸発に近い状態で溶剤蒸気
が発生し、ＳＯＧ材からの溶剤蒸気の発生量は、基板Ｗ
の全面において均一となる。そして、基板Ｗ上のＳＯＧ
材から蒸発した溶剤蒸気は、熱処理空間内で対流するこ
となく自然に上昇した後、ベークカバー３２の下面に沿
って外周方向へ流れ、通気路３８を通って排気室３６内
へ流れ込む。排気室３６内へ流れ込んだ溶剤蒸気は、外
部カバー３４の給気口４０を通して排気室３６内へ取り
入れられた外気（場合によっては窒素ガス）と共に、排
気室３６の全周方向から排気口４２を通って排気され
る。
【００２６】
【発明の効果】請求項１に係る発明の基板の熱処理装置
を使用すると、熱処理に伴って基板から蒸発する溶剤量
が基板全面において均一になるので、熱処理によって基
板の表面に形成される被膜の膜厚を均一化することがで
き、最終製品の歩留りを向上させることができる。ま
た、基板から発生した溶剤蒸気が装置外へ漏れ出ること
がないので、クリーンルーム内の環境を悪化させたり人
体への悪影響を及ぼしたりする、といった心配が無い。
さらに、外部カバーの外面が高温になることがないの
で、作業者が外部カバーに触れても安全である。
を使用すると、熱処理に伴って基板から蒸発する溶剤量
が基板全面において均一になるので、熱処理によって基
板の表面に形成される被膜の膜厚を均一化することがで
き、最終製品の歩留りを向上させることができる。ま
た、基板から発生した溶剤蒸気が装置外へ漏れ出ること
がないので、クリーンルーム内の環境を悪化させたり人
体への悪影響を及ぼしたりする、といった心配が無い。
さらに、外部カバーの外面が高温になることがないの
で、作業者が外部カバーに触れても安全である。
【００２７】請求項２に係る発明の熱処理装置では、排
気室内へ外気が取り入れられるようになっており、従来
の装置のように窒素ガス等の不活性ガスを使用しなくて
済む。
気室内へ外気が取り入れられるようになっており、従来
の装置のように窒素ガス等の不活性ガスを使用しなくて
済む。
【００２８】請求項３に係る発明の熱処理装置では、熱
処理板上に載置された基板から蒸発した溶剤蒸気は、そ
のまま上昇して熱処理空間から排気室内へ流入するの
で、熱処理空間において溶剤蒸気の対流を生じる可能性
がより少なくなる。
処理板上に載置された基板から蒸発した溶剤蒸気は、そ
のまま上昇して熱処理空間から排気室内へ流入するの
で、熱処理空間において溶剤蒸気の対流を生じる可能性
がより少なくなる。
【００２９】請求項４に係る発明の熱処理装置では、熱
処理板上に載置された基板から蒸発した溶剤蒸気は、上
昇して排気室内へ流入し排気室の全周方向から排気され
るので、熱処理空間において溶剤蒸気の対流を生じる可
能性がより少なくなる。
処理板上に載置された基板から蒸発した溶剤蒸気は、上
昇して排気室内へ流入し排気室の全周方向から排気され
るので、熱処理空間において溶剤蒸気の対流を生じる可
能性がより少なくなる。
【００３０】請求項５に係る発明の熱処理装置では、熱
処理板上に載置された基板の表面に塗布されたシリカ系
被膜形成用塗布液からその熱処理に伴って溶剤が活発に
蒸発するが、溶剤の蒸発量は基板全面において均一にな
るので、熱処理によって基板の表面に形成されるシリカ
系被膜の膜厚を均一化することができる。
処理板上に載置された基板の表面に塗布されたシリカ系
被膜形成用塗布液からその熱処理に伴って溶剤が活発に
蒸発するが、溶剤の蒸発量は基板全面において均一にな
るので、熱処理によって基板の表面に形成されるシリカ
系被膜の膜厚を均一化することができる。
【図１】この発明の１実施形態を示し、基板の熱処理装
置の概略構成を示す模式的縦断面図である。
置の概略構成を示す模式的縦断面図である。
【図２】この発明の別の実施形態を示し、基板の熱処置
装置の概略構成を示す模式的縦断面図である。
装置の概略構成を示す模式的縦断面図である。
Ｗ 基板 １０ ホットプレート ２０、３２ ベークカバー ２２ ベークカバーの流出孔 ２４、３４ 外部カバー ２６、３６ 排気室 ２８ 外気吸入口 ３０、４２ 排気口 ３８ 通気路 ４０ 給気口
Claims (5)
- 【請求項１】 上面に基板を直接にもしくは間隔を設け
て載置する熱処理板と、 この熱処理板上に載置された基板の上方を覆うように配
置されて熱処理板との間で熱処理空間を形成する熱処理
カバーと、 前記熱処理板上に載置された基板からその熱処理に伴っ
て蒸発した溶剤蒸気を排気する排気手段とを備えた基板
の熱処理装置において、 前記熱処理カバーの外側を外部カバーによって囲んで熱
処理カバーの上部外面との間に排気室を形成し、前記外
部カバーに前記排気室内へ気体を取り入れるための給気
口を形成するとともに、排気室に排気口を設け、前記熱
処理板上に載置された基板から蒸発した溶剤蒸気を、前
記給気口を通して前記排気室内へ取り入れられた気体と
共に前記排気口を通って前記排気手段により排気するよ
うにしたことを特徴とする基板の熱処理装置。 - 【請求項２】 外部カバーに形成された給気口が、排気
室内へ外気を吸入するための外気吸入口である請求項１
記載の基板の熱処理装置。 - 【請求項３】 熱処理カバーに、複数個の蒸気流出孔が
分散して穿設された請求項１または請求項２記載の基板
の熱処理装置。 - 【請求項４】 排気口が、排気室の全周にわたって設け
られた請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板
の熱処理装置。 - 【請求項５】 基板が、その表面にシリカ系被膜形成用
塗布液が塗布されたものである請求項１ないし請求項４
のいずれかに記載の基板の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15747597A JPH10335238A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 基板の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15747597A JPH10335238A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 基板の熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335238A true JPH10335238A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15650501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15747597A Pending JPH10335238A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 基板の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335238A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100378049B1 (ko) * | 2000-04-17 | 2003-03-29 | 다이닛뽕스크린세이조오가부시키가이샤 | 기판 열처리 장치 |
| US6881058B2 (en) | 2000-12-26 | 2005-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing substrate and method of processing the same |
| US7074458B2 (en) * | 2001-07-18 | 2006-07-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of drying a web coated with a solution |
| JP2009194239A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理方法、疎水化処理装置、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP15747597A patent/JPH10335238A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100378049B1 (ko) * | 2000-04-17 | 2003-03-29 | 다이닛뽕스크린세이조오가부시키가이샤 | 기판 열처리 장치 |
| US6881058B2 (en) | 2000-12-26 | 2005-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing substrate and method of processing the same |
| US7005249B2 (en) | 2000-12-26 | 2006-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing substrate and method of processing the same |
| US7005238B2 (en) | 2000-12-26 | 2006-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing substrate and method of processing the same |
| US7662546B2 (en) | 2000-12-26 | 2010-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing substrate and method of processing the same |
| US7074458B2 (en) * | 2001-07-18 | 2006-07-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of drying a web coated with a solution |
| JP2009194239A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理方法、疎水化処理装置、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
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