KR20150120319A - 측벽으로부터의 피처부들을 갖는 프로세싱 챔버 - Google Patents

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Abstract

상단부 및 측벽부들을 갖는 챔버 하우징을 갖는 프로세싱 챔버가 제공된다. 프로세싱 챔버는 챔버 하우징의 측벽부들을 프로세싱 챔버 아래의 하부 챔버의 상단부에 연결하기 위한 시일부 (seal) 를 갖는다. 기판 홀더가 챔버 하우징의 상기 측벽부들에 부착된다. 또한, 측벽부들을 통해 연장하는 사이드 암에 의해 지지되는 웨이퍼 리프트 링은 각각 적어도 하나의 핑거를 갖는 적어도 3 개의 포스트들을 갖고, 핑거들의 상단부는 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인을 규정한다. 하부 챔버는 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인을 규정하는 적어도 하나의 웨이퍼 지지부를 갖고, 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인과 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인 간의 높이는 상기 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인 및 상기 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인으로부터 웨이퍼를 이송시키도록 구성된 이송 암의 최대 수직 스트로크 미만이다.

Description

측벽으로부터의 피처부들을 갖는 프로세싱 챔버{PROCESSING CHAMBER WITH FEATURES FROM SIDE WALL}
본 발명은 프로세싱 챔버에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 전체 시스템 효율에 관련된 목표된 특징부들을 만족시키는 프로세싱 챔버를 엔지니어링하는 것에 관한 것이다.
프로세싱 챔버의 설계시, 높이 제약은 챔버 내로 통합될 수 있는 특징부들의 크기에 영향을 줄 수 있다. 통상적으로 챔버 내부의 원통형 대칭을 유지하기 위해 기판 아래로부터 피처부들이 공급될 것이다.
상기한 바를 달성하기 위해 그리고 본 발명의 목적에 따라, 프로세싱 챔버 장치가 제공된다. 프로세싱 챔버는 상단부 및 측벽부들을 갖는 챔버 하우징을 갖는다. 프로세싱 챔버는 또한 챔버 하우징의 측벽부들을 프로세싱 챔버 아래에 위치된 하부 챔버의 상단부에 연결하기 위한 시일부 (seal) 를 갖는다. 부가적으로, 프로세싱 챔버는 챔버 하우징의 측벽부들에 부착된 기판 홀더를 갖는다. 또한, 프로세싱 챔버는 챔버 하우징의 측벽부들을 통해 연장하는 사이드 암에 의해 지지되는 웨이퍼 리프트 링을 갖는다. 웨이퍼 리프트 링은 수직으로 서 있는 적어도 3 개의 포스트들을 갖고, 상기 포스트 각각은 상기 포스트로부터 수평으로 연장하는 적어도 하나의 핑거를 갖는다. 업 위치 (up position) 의 상기 웨이퍼 리프트 링의 상기 핑거들의 상단부는 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인 (handoff plane) 을 규정한다. 부가적으로 프로세싱 챔버 아래에 위치된 하부 챔버가 제공된다. 상기 하부 챔버는 적어도 하나의 웨이퍼 지지부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 최저 웨이퍼 지지부의 상단부는 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인을 규정한다. 또한, 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인과 상기 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인 간의 높이는 상기 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인 및 상기 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인으로부터 웨이퍼를 이송시키도록 구성된 이송 암의 최대 수직 스트로크 미만이다.
본 발명의 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버 장치가 제공된다. 프로세싱 챔버는 상단부 및 측벽부들을 갖는 챔버 하우징을 갖는다. 프로세싱 챔버는 또한 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 프로세싱 챔버 아래에 위치된 챔버의 상단부에 연결하기 위한 시일부를 갖는다. 부가적으로, 프로세싱 챔버는 챔버 하우징의 상기 측벽부들에 부착된 기판 홀더를 갖는다.
본 발명의 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버가 제공된다. 프로세싱 챔버는 상단부 및 측벽부들을 갖는 챔버 하우징을 갖는다. 프로세싱 챔버는 또한 상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 프로세싱 챔버 아래에 위치된 챔버의 상단부에 연결하기 위한 시일부를 갖는다. 부가적으로, 프로세싱 챔버는 상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들에 부착된 기판 홀더를 갖는다. 기판 홀더는 나선형부 (convolutions) 를 갖는 측면 장착 플렉셔들을 통해 상기 측벽부들에 부착된다. 프로세싱 챔버는 또한 상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 통해 연장하는 사이드 암에 의해 지지되는 웨이퍼 리프트 링을 갖는다.
본 발명의 이들 및 다른 특징들은 이하의 도면들을 참조하여 이하의 본 발명의 상세한 기술에서 보다 상세히 기술될 것이다.
본 발명은 유사한 참조 번호들이 유사한 엘리먼트들을 참조하는, 첨부된 도면들에 의해, 제한이 아닌, 예로서 예시된다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버의 일반화된 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버의 베이스 부분을 예시한다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 도 2의 베이스 부분 및 챔버 하우징을 갖는 프로세싱 챔버의 개략도를 예시한다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (flexure) 의 사시도를 예시한다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔의 부감도 (overhead view) 를 예시한다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 짐벌링 컴포넌트의 사시도를 예시한다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 짐벌링 컴포넌트들의 단면도를 예시한다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 리프트 컴포넌트를 예시한다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 다른 측면-장착된 컴포넌트들과 통합되는 웨이퍼 링 컴포넌트들을 예시한다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 포스트가 암의 파지부에 의해 인게이지 (engage) 되려고 할 때에 웨이퍼 링을 따라 포스트의 근접도를 예시한다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 3-포트 배기 시스템을 예시한다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버 및 이송 암의 일반화된 도면을 예시한다.
본 발명은 이제 첨부된 도면들에 예시된 바와 같이, 몇몇 바람직한 실시예들을 참조하여 상세히 기술될 것이다. 이하의 기술에서, 본 발명의 전체적인 이해를 제공하기 위해 다수의 구체적인 상세들이 언급된다. 그러나, 본 발명은 이들 구체적인 상세들 일부 또는 전부가 없이도 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 이해될 것이다. 다른 예들에서, 공지의 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 본 발명들을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다.
프로세싱 챔버들의 설계시, 프로세싱 챔버 내로 통합될 수 있는 특징부들의 선택은 일반적으로 높이 제한들에 영향을 받는다. 이와 같이, 프로세싱 챔버가 상당한 높이를 갖지 않는다면, 웨이퍼 지지부에 설비들을 설치하기에 충분한 수직적 공간이 없을 수도 있다. 높이 제한들을 최소화하는 방법으로서, 본 개시는 플로어보다는 프로세싱 챔버의 측벽들 상에 지지부를 장착하고 설비들을 제공하는 것을 논의한다. 일 예에서, 보다 많은 수직적 공간을 아끼기 위해 챔버 플로어가 생략된다. 이 예에서, 인접한 챔버의 실링 (ceiling) 은 프로세싱 챔버의 플로어로서 기능한다.
챔버 플로어가 기술된 실시예에서 생략되기 때문에, 논의된 실시예의 기판 홀더를 위한 모든 장착 피처부들 및 모든 설비들은 챔버 측벽들로부터 설치되도록 설계되었다. 이는 웨이퍼 리프트 메커니즘뿐만 아니라, 잘 규정된 위치에 기판 홀더를 지지하기 위한 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔, 기판 홀더의 히터들을 위한 전력 공급부, 및 온도 센서들을 수반한다. 이러한 방식으로, 본 발명은 챔버의 플로어로부터 어떠한 장착 또는 지지 피처부들도 없는 챔버 설계를 활용한다. 사실, 챔버 플로어는 완전히 생략되었다. 따라서, 모든 설비들 및 센서들뿐만 아니라 기판 홀더 및 웨이퍼 리프트를 위한 모든 장착 피처부들은 측면에서 지지되고/공급되고 챔버 측벽에 부착된다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버 (100) 의 일반화된 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버 하우징 (104) 은 프로세싱 챔버 (100) 를 형성하기 위해 하부 챔버 (110) 의 상단에 위치된다. 챔버 하우징 (104) 및 하부 챔버 (110) 는 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼들 (115) 을 포함한다. 예를 들어, 프로세싱 챔버 (100) 내에서, 웨이퍼 (115) 는 기판 홀더 (135) 상단에 놓인다. 하부 챔버 (110) 내에서, 웨이퍼들 (115) 은 웨이퍼 지지부들 (116, 117) 상단에 놓인다. 최저 웨이퍼 지지부들 (116) 및 상부 웨이퍼 지지부들 (117) 과 같은 웨이퍼 지지부들은, 도 1의 하부 챔버 (110) 에서 볼 수 있는 바와 같이, 웨이퍼 슬롯들을 포함할 수도 있고, 슬롯들 또는 다른 형태의 웨이퍼 지지부들을 포함할 수도 있다. 웨이퍼들 (115) 은 3 개의 포스트들 (142) 을 갖는 웨이퍼 리프트 링 (140) 을 사용하여 리프트될 수도 있고, 포스트 각각은 핑거 (144) 를 갖는다. 핑거들 (144) 은 캔틸레버링될 (cantilevered) 수도 있다. 부가적으로, 챔버 하우징 (104) 은 하부 챔버 (110) 의 상단부가 프로세싱 챔버 (100) 의 플로어이도록 시일부 (seal) (108) 을 갖는다. 이러한 방식으로, 프로세싱 챔버 (100) 는 무플로어 (floorless) 이고, 이의 플로어는 하부 챔버 (110) 의 실링이다. 또한, 도 1은 전력 측면 공급부 (155) 및 펌프 포트 (160) 를 예시한다.
예들에서, 프로세싱 챔버 (100) 는 이로 제한되는 것은 아니지만, 스트립핑, 어닐링, 탈기 (outgassing) 프로세스, 가열 프로세스, 또는 플라즈마 프로세스를 포함하는 다수의 애플리케이션들에 사용될 수도 있다. 부가적으로, 하부 챔버 (110) 는 전달 챔버일 수도 있다. 그러나, 대안적으로, 하부 챔버 (110) 는 다른 형태의 프로세싱 챔버일 수도 있다. 도 1은 또한 진공 이송 모듈 (VTM: vacuum transport module, 112), 및 VTM 인터페이스 (114) 과 관련하여 프로세싱 챔버 (100) 를 도시한다. 웨이퍼들 (115) 은 전달 챔버를 통해 진공 이송 모듈 (VTM, 112) 내로 전달될 수도 있다. VTM (112) 은 6 개의 챔버들 중 하나에 웨이퍼들 (115) 을 위치시킨다. VTM 인터페이스 (114) 는 VTM (112) 으로 하여금 챔버들 (100, 110) 과 같은, 챔버와 상호작용하게 한다.
보다 구체적인 예에서, 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버 (100) 의 베이스 부분 (102) 을 예시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 프로세싱 챔버 (100) 의 피처부들은 측벽부들 (106) 을 통해 제공된다. 예를 들어, 기판 홀더 (135) 는 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽부들 (106) 에 부착된 플렉셔들 (120) 을 사용하여 위치된다. 프로세싱 챔버 (100) 와 연관된 피처부들의 추가 상세들은 이하에 논의된다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 챔버 하우징 (104) 뿐만 아니라 도 2의 베이스 부분 (102) 을 갖는 프로세싱 챔버 (100) 의 개략도를 예시한다. 챔버 하우징 (104) 은 프로세싱 챔버 (100) 의 상단부를 형성한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽부들 (106) 에 기반한 피처부들을 갖는 프로세싱 챔버 (100) 가 제공된다. 특히, 프로세싱 챔버 (100) 는 측벽부들 (106) 을 갖고, 프로세싱 챔버 (100) 는 무플로어이다. 플로어 대신, 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽부들 (106) 은, 하부 챔버 (110) 의 상단부가 프로세싱 챔버 (100) 의 플로어로서 기능하도록 하부 챔버 (110) 의 상단에 놓인다. 프로세싱 챔버 (100) 가 무플로어이기 때문에, 프로세싱 챔버 (100) 의 특성들은 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽부들 (106) 을 통해 제공된다. 프로세싱 챔버 (100) 와 연관된 피처부들의 추가 상세들은 이하에 논의된다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 의 사시도를 예시한다. 본 발명의 다른 양태들에 따라, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 는 높이 제한들을 최소화하도록 설계된다. 이와 같이, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 를 위한 장착 피처부들 (130) 은 측면에 위치되고 챔버 측벽 (106) 에 부착된다. 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 가 기판 홀더 (135) 에 장착되고 또한 측벽 (106) 으로부터 연장하는 장착 피처 (130) 에 부착된 것으로 도 4에 도시되었다. 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 는 2 개의 스크루들 (126) 을 사용하여 장착 피처부 (130) 에 부착된다. 대안적인 실시예들에서, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 는 단지 하나의 스크루 또는 다수의 스크루들 또는 다른 형태의 부착 메커니즘을 사용하여 장착 피처부 (130) 에 부착된다. 이러한 방식으로, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔들 (120) 은 플로어에 장착되지 않는다. 다시, 프로세싱 챔버 (100) 의 플로어는 프로세싱 챔버 (100) 하부에 있는 하부 챔버 (110) 의 실링으로부터 형성된다.
측면-장착된 기판 홀더 플렉셔들 (120) 은 프로세싱 챔버 (100) 에 들어가는 전력 측면 공급부들 (155) 과 연계하여 (in tandem with) 작동하도록 설계될 수도 있다. 특히, 전력 측면 공급부들 (155) 의 스티프니스 (stiffness) 는 다양한 온도 조건들 하에서 웨이퍼 (115) 의 만족스러운 센터링을 유지하기 위해 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔들 (120) 보다 상당히 더 유연성이 있어야 할 수도 있다. 말하자면, 이상적으로 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔들 (120) 은 기판 홀더 (135) 와 챔버 하우징 (104) 간의 방사상 로딩 (loading) 을 최소화하기 위해 가능한 한 유연성이 있어야 할 뿐만 아니라, 기판 홀더 (135) 가 상이한 열적 조건들을 겪을 때, 기판 홀더 (135) 의 센터링을 유지하기 위해 충분한 스티프니스를 가져야 한다. 또한, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔들 (120) 은 기판 홀더 (135) 가 수직 구조상 중간 플레인에 장착될 때, 또한 이하에 논의되듯이, 상부 기판 홀더 (135) 상부 표면이 깨끗하고 여전히 웨이퍼 리프트 링 (140) 위에 있도록 충분히 박형일 수도 있다. 바람직한 애플리케이션에서, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔들 (120) 은 플렉셔들 (120) 이 목표된 기판 홀더 (135) 온도 설정 지점에서 최소 압축 응력을 갖거나 압축 응력을 갖지 않도록 상온에서 기판 홀더 (135) 에 대한 장력 (tension) 을 갖는다. 그러나, 대안적인 실시예들에서, 프로세싱 챔버 (100) 동작 조건에 따라 기판 홀더 플렉셔들 (120) 은 상온에서 응력을 갖지 않거나 심지어 상온에서 압축력을 갖도록 설계될 수도 있다.
측면-장착된 기판 홀더 플렉셔들 (120) 은 고온 동작들 동안 기판 홀더 (135) 의 열 손실을 최소화하도록 설계된다. 이는 최상의 웨이퍼 상의 균일성 퍼포먼스를 보장하고, 가열된 기판 홀더 (135) 리-사이징 (re-sizing), 가열기 비용 및 복잡도를 최소화한다. 바람직한 애플리케이션은 냉각기 챔버 하우징 (104) 에 장착하는 플렉셔 (120) 를 강하게 싱크 (sink) 시키고, 가능한 낮은 온도로 플렉셔 (120) 의 고 응력 영역들을 유지하고, 이어서, 기판 홀더 (135) 로의 플렉셔 (120) 연결부를 강하게 열 차단하고 (choke) 또한 기판 홀더 장착부 (128) 로부터 플렉셔 (120) 로의 경로를 열 차단하는 것이다. 이러한 설계 특징은 본 발명의 실시예들에 따른 도 4의 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 의 부감도를 예시하는 도 5에서 볼 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 는 2 개의 연결 지점들 (128) 에서 기판 홀더 (135) 에 부착된 플렉셔 (120) 의 연장된 베이스 부분 (122) 을 갖는다. 플렉셔 (120) 의 연장된 베이스 부분 (122) 대부분과 기판 홀더 (135) 사이에 열 차단부로서 기능하는 에어 갭이 있다. 부가적으로, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 는 또한 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽 (106) 에 이르기 전에 긴 경로를 통과하기 위해 열을 요구함으로써 다른 열 차단로서 기능하는 구불구불한 부분 (124) 을 갖는다.
이러한 방식으로, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 는, 기판 홀더 (135) 가 가열되는 때에, 기판 홀더 (135) 가 챔버 하우징 (104) 에 대하여 방사상으로 연장할 수 있도록 설계된다. 기판 홀더 (135) 는 챔버 하우징 (104) 이 동일한 위치에 유지되는 때에 확장되기 때문에, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 는 챔버 하우징 (104) 상 또는 기판 홀더 (135) 상에 많은 방사상 부하를 유도하지 않고 이러한 확장을 흡수하기 위한 스프링을 가져야 한다. 이를 위해, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 내에 이에 대해 유연성이 있는 스프링 특성을 생성하기 위해 구불구불한 부분 (124) 이 있다. 다른 설계 특징은 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 에 대하여 알루미늄 컴포넌트를 사용하도록 하는 선택이다. 알루미늄은 이의 제한된 상한 작동 온도 범위 및 제한된 피로 수명 (fatigue life) 으로 인해, 상승된 온도 동적 스프링 애플리케이션들을 위해 통상적으로 선택되지 않는다. 그러나, 유도된 상승된 온도 동적 응력들을 관리하기 위해 상승된 온도와 관련된 크립 (creep) 또는 새그 (sag) 를 관리하기 위해 적절히 크기가 정해지고, 가스 화학적 양립성으로 인해, 순수 (bare) 알루미늄이 프로세스 환경 애플리케이션의 본 실시예에 대해 선택된 재료이다. 열 차단부뿐만 아니라 나선형부들 (124) 의 이용에 기초하여, 기판 홀더 (135) 외부로 유출되는 열 또는 전력 손실이 최소여서, 기판 홀더 (135) 표면 상의 저온 지점들 (cold spots) 이 방지된다. 이상적으로, 기판 홀더 (135) 표면은 2 ℃ 범위로 유지된다.
일부 실시예들에서, 수평화 시스템 (leveling system) (210) 이 기판 홀더 플렉셔 (220) 에 부가될 수도 있다. 이 수평화 시스템 (210) 은 모든 실시예들에서 요구되지 않을 수도 있고, 일부 실시예들은 기판 홀더 장착 시스템 내에 충분한 정밀도의 허용 오차를 가질 수도 있다. 그러나, 수평화 시스템 (210) 으로부터 이익을 취할 수 있는 실시예들에 대해, 도 6 및 도 7은 각각 짐벌링 컴포넌트들을 갖는 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (220) 의 사시도 및 단면도를 예시한다. 짐벌링 피처부들은 기판 홀더 수평화 시스템의 일부로서 사용될 수도 있다. 도 6 및 도 7에 도시된 짐벌링 시스템은 매우 낮은 애스팩트 비 프로파일을 가짐으로써 높이 효율을 최적화하도록 설계되었다. 이러한 방식으로, 짐벌링 피처부들은 3-지점 짐벌링 시스템을 사용하여 챔버 하우징 (104) 에 대해 기판 홀더 (135) 를 수동으로 수평화하도록 사용될 수도 있어서, 목표된 위치로 수평화하고 고정 (lock) 하는데 적합한 자유도를 갖게 된다.
도 6 및 도 7에 기술된 바와 같은 짐벌링 시스템은 3 개의 플렉셔 위치들 각각에 하나의 포인트씩, 3 개의 포인트들을 갖는다. 도 7에 도시된 바와 같이, 일 플렉셔의 일 포인트는 X, Y, 또는 Z 방향으로 이동할 자유 없이, 회전형 짐벌로서만 기능한다. 이 짐벌은 기판 홀더 (135) 의 X, Y, Z 위치를 제어한다. 도 7에서 실제 짐벌은 장착 스크루 (205) 및 중심점 (225) 의 위치들 사이에서 발생한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 다른 2 개의 플렉셔 위치들에서의 지점들은 이전에 기술된 단일 회전형 짐벌 플렉셔 지점에 대하여, 이들 두 위치들을 리프트하거나 드롭 (drop) 하기 위해 잭 스크루들 (230) 을 활용한다. 잭 위치들인, 이들 2 개의 플렉셔 위치들에 대해, 수평화 동작이 완료된 후 위치의 견고한 고정을 위해 설계된 짐벌 장착 스크루 (205) 가 여전히 존재한다. 따라서 수평화 동작이 완료될 때, 모든 3 개의 플렉셔 위치들에서 장착 스크루들 (205) 은 수평화 시스템의 모든 자유도를 고정하기 위해 특정화된 토크를 요구한다. 따라서, 중심점은 장착 스크루 (205) 내에 위치된다. 본 발명의 실시예들에 따른 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (220) 의 사시도를 제공하는, 장착 스크루 (205) 가 도 6에 예시된다. 구형 컴포넌트를 갖는, 중심점은 위 또는 아래 또는 측면으로 이동하지 않고, 오히려 단순히 짐벌링한다. 본 발명의 실시예들에 따른 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (220) 의 단면도를 제공하는 중심점 (225) 이 도 7에 도시된다. 중심점 (225) 은 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (220) 내의 짐벌링 시스템의 제 1 쉘프 (227) 와 제 2 쉘프 (229) 사이에 위치된다.
기판 홀더 (135) 가 중심점 (225) 을 중심으로 짐벌링하는 동안, 장착 스크루 (205) 는 매우 타이트하게 맞지는 (synch) 않는다. 일 예에서, 장착 스크루 (205) 는 손으로 조여질 수 있어서 (hand-tightened) 기판 홀더 (135) 는 중심점 (225) 을 중심으로 짐벌하게 된다. 도 6에서, 수평화 시스템은 기판 홀더의 피치 (pitch) 및 요 (yaw) 를 조정하도록 사용될 수도 있는 2 개의 잭킹 피처부들을 포함한다. 잭킹 피처부 각각은 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (220) 의 개구부 내로 들어가는 한 쌍의 잭킹 스크루 (230) 이다. 다른 플렉셔에 대해, 일 플렉셔 상의 한 쌍의 잭킹 스크루들 (230) 을 조임으로써, 부착된 기판 홀더 (135) 의 피치 및 요가 조정될 수도 있다. 일단 목표된 수평화가 달성되면, 장착 스크루 (205) 는 장착 피처부 (130) 에 플렉셔 (220) 를 고정시키도록 사용될 수도 있다. 일단 장착 스크루들 (205) 이 조여지면, 모든 자유도가 고정된다.
무플로어 프로세싱 챔버 (100) 의 다른 측면-장착된 특징부는 웨이퍼 리프트이다. 특히, 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽부들 (106) 로부터 장착된 웨이퍼 리프트 메커니즘이 제공된다. 이는 ICS 챔버 하우징 (104) 의 측면에 장착된, 작은 하우징 내에 리프트 드라이브 (150) 를 장착하고, 리프트 드라이브 (150) 로부터 웨이퍼 리프트 접촉 피처부들까지 캔틸레버링된 리프트 지지 암 (152) 을 연장하는 것을 수반한다. 진공 공급 관통부가 리프트 드라이브 (150) 와 캔틸레버링된 리프트 지지 암 (152) 사이에 위치된다. 상부 및 하부 스트로크 한계치들, 상향 및 하향 스트로크 속도/모션, 및 웨이퍼 접촉 레벨을 조정하는 것과 관련된 기능적 측면들이 모두 기능적으로 유지되었다. 부가적으로, 웨이퍼 리프트 컴포넌트들은, 이들의 조성들 및/또는 노출 위치들로 인해, 요구된 웨이퍼 프로세스들과 양립가능하다. 이러한 방식으로, 웨이퍼 리프트 메커니즘은 프로세싱 챔버 (100) 의 플로어로부터 어떠한 장착 또는 지지 피처부들을 갖지 않고 작동하도록 설계된다. 본 개시의 프로세싱 챔버 (100) 는 무플로어이기 때문에, 웨이퍼 리프트 메커니즘을 위한 모든 장착 피처부들은 측면에 지지되고/되거나 공급되어 챔버 측벽에 부착된다. 따라서, 도 8 내지 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 리프트 컴포넌트의 도면을 예시한다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 리프트 컴포넌트를 예시한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 리프트 링 (140) 은 웨이퍼 (115) 를 지지하는 3 개의 포스트들 (142) 을 갖는다. 3 개의 포스트들 (142) 은 서로 120도 떨어져 배열되지만, 대안적인 실시예들에서 이들은 상이한 거리로 이격될 수도 있다. 부가적으로, 포스트들 (142) 은 대칭적인 특성으로 배열되어 기판 홀더뿐만 아니라 웨이퍼 (115) 와 정렬된다. 웨이퍼 리프트 링 (140) 에 부가하여, 리프트 드라이브 (150) 는 웨이퍼 리프트 링 (140) 의 측면에 제공되고 캔틸레버링된다. 실시예들에서, 리프트 드라이브 (150) 는 프로세싱 챔버 (100) 의 측면 상에 장착되고 리프트 드라이브 (150) 는 웨이퍼 리프트 링 (140) 까지 연장하도록 조정가능한 암 (152) 을 갖는다. 암 (152) 은 웨이퍼 리프트 링 (140) 에 인게이지하고 웨이퍼 리프트 링 (140) 을 수직으로 들어올릴 수 있는 파지부 (154) 를 갖는다.
종래 기술의 애플리케이션들에서, 웨이퍼 리프트 링은 하단부로부터 리프트되지만, 본 개시에서 논의된 프로세싱 챔버 (100) 는 무플로어이기 때문에 도 8 내지 도 10에서 도시된 바와 같은 웨이퍼 리프트 시스템은 웨이퍼 (115) 를 지지하는 웨이퍼 리프트 링 (140) 을 들어올리기 위해 사이드 암 (152) 을 채택한다. 특히, 암 (152) 은 웨이퍼 리프트 링 (140) 에 접촉한 후 암 (152) 을 사용하여 웨이퍼 리프트 링 (140) 을 들어올리도록 도달하는 파지부 (154) 를 갖는다. 수직으로 리프트 드라이브 (150) 의 사용은 매끄러운, 수직적 모션을 제공하는 것과 연관된 기술적 과제들을 발생한다. 예를 들어, 암 (152) 이 웨이퍼 리프트 링 (140) 을 수직으로 들어올리기 위해 사용될 때, 공기 벤트 (air vent) 배치와 같은 피처부들에 대한 상이한 파라미터들뿐만 아니라 리프트 드라이브 (150) 액추에이터에 대한 보다 높은 벤딩 모멘트 (bending moment) 가 존재하여 공기는 적절한 위치들에서 릴리즈된다. 웨이퍼 리프트 시스템의 다른 양태에서, 측면 공급 웨이퍼 리프트 캔틸레버링된 설계는 웨이퍼들 (115) 를 만족스럽게 지지하고 이송하기에 충분히 구조적으로 강해야 하지만 (rigid), 매끄러운 웨이퍼 리프트 드라이브 모션 및 수명의 중량 및 모멘트 한계치를 넘지 않도록 충분히 가벼워야 한다. 알루미늄 이외에 프로세스와 양립가능한 재료들이 이러한 목적을 달성하기 위해 활용된다.
도 9는 본 발명의 다른 측면-장착된 컴포넌트들과 통합되는 웨이퍼 링 컴포넌트를 예시한다. 본 개시의 다른 양태들과 관련하여 사용된 바와 같이, 웨이퍼 리프트 링 (140) 은 기판 홀더 (135) 아래에 놓인다. 웨이퍼 리프트 링 (140) 이 들어올려 질 때, 포스트들 (142) 이 기판 홀더 (135) 의 상단 표면의 포켓들 (137) 내에 정렬되어 포스트들 (142) 의 캔틸레버링된 핑거들 (144) 이 기판 홀더 (135) 내의 포켓들 (137) 내에 놓인다. 도 9에 도시된 바와 같이, 포스트들 (142) 의 핑거들 (144) 은, 웨이퍼 (115) 의 오정렬이 있더라도 웨이퍼 (115) 가 3 개의 포스트들 (142) 각각에 의해 지지되는 것을 보장하기 위해 충분히 길어야 한다. 이러한 오정렬 공차는 포켓들 (137) 의 방사상 깊이에 의해 제한되는, 핑거들 (144) 의 길이에 의존한다. 부가적으로, 도 10은 암 (152) 의 파지부 (154) 에 대해, 웨이퍼 리프트 링 (140) 을 따라 포스트 (142) 의 근접도를 예시한다. 도 10에 도시된 바와 같이, 포스트 (142) 는 포스트 (142) 로부터 내부로 향하는 핑거 (144) 를 갖는다. 핑거 (144) 는 웨이퍼 (115) 가 놓이는 부분 상에 패드 (146) 를 갖는다.
기판 (135) 에 대한 웨이퍼 리프트 수직 정렬은 리프트 드라이브 (150) 에 위치된 상부 범프 중지부 및 하부 범프 중지부에서 수동으로 조정된다. 이어서 웨이퍼 리프트 3 웨이퍼 접촉부들 (146) 은 레벨 높이로 위 또는 아래로 개별적으로 조정된다. 이는 웨이퍼들이 웨이퍼 (115) 이송 동안 웨이퍼 (115) 를 측방향으로 시프트하지 않고 기판 (135) 및/또는 (로봇 말단 이펙터와 같은) 이송 암 (118) 으로/으로부터 이송될 수 있다는 것을 보장한다.
무플로어 프로세싱 챔버 (100) 의 다른 특징부는 전력 측면 공급부 (155) 이다. 도 11은 전력 측면 공급부 (155) 를 갖는 무플로어 프로세싱 챔버 (100) 를 예시한다. 전력 측면 공급부 (155) 는 기판 홀더 (135) 의 히터들의 전력 공급을 위한 가요성 측면-공급 진공 연결부이다. 종래 양태들과 함께, 도 4 및 도 5에서 논의된 바와 같이, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔 (120) 는 가요성, 전력 측면 공급부 (155) 와 연계하여 작동하도록 설계되어야 한다. 특히, 가요성, 전력 측면 공급부 (155) 스티프니스는 모든 온도 조건들 하에서 기판 홀더 (135) 의 만족스러운 센터링을 유지하기 위해 측면 장착 기판 플렉셔 (120) 보다 상당히 유연성이 있어야 한다. 부가적으로, 가요성 측면 공급부 (155) 는 기판 홀더 (135) 열 손실을 적절히 차단하고 수용가능한 방위각 웨이퍼 스트립 균일도 퍼포먼스를 유지할 수 있는 재료들 및 설계 특징들을 활용해야 한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 전력 측면 공급부 (155) 는 프로세싱 챔버 (100) 내로 들어간다.
공간 제약들로 인해, 무플로어 프로세싱 챔버 (100) 를 하부 챔버 (110) 와 같은 다른 챔버 위에 위치시키기 위한 노력들은 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽부들 (106) 로부터 프로세싱 챔버 (100) 를 배기할 필요성을 초래한다. 이것이 프로세스 균일성이 있다는 것을 보장하기 위해 대부분의 프로세싱 챔버들이 하단부 상의 단일 유출부로부터 배기되는 종래 기술의 챔버들과의 차이점이다. 그러나, 본 명세서에 제공된 무플로어 프로세싱 챔버 (100) 에서, 3 개의 펌프 포트들 (160) 이 거의 균일한 프로세스 배기 펌핑을 실현하기 위해 서로 거의 120도 이격되어 배치된다. 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 3-포트 배기 시스템을 예시한다. 이들 배기 포트들 (160) 은 프로세스 압력 제어 펜들럼 밸브가 압력 제어를 실현하는 지점인, 프로세싱 챔버 (100) 의 외측에서 중앙 수집기 (162) 에 연결된다. 도 11에 도시된 바와 같이, 해법의 바람직하고 현 구현된 실시예는 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽 (106) 에 위치된 3 개의 배기 포트들 (160) 을 갖는 챔버를 수반한다. 배기 포트들 (160) 은 프로세싱 챔버 (100) 가 무플로어이기 때문에 측벽 (106) 상에 위치된다. 이들 배기 포트들 (160) 은 거의 같은 크기이고 서로 120도 이격된다. 3 개의 배기 포트들 (160) 은 프로세싱 챔버 (100) 내로 균일하게 펌프할 수 있는 능력을 제공하고 웨이퍼 (115) 에서 적절한 내부 압력 균일성을 제공한다. 펌프 포트들은 외부 매니폴드 및 압력 제어 디바이스를 통해 단일 펌프 소스에 연결된다. 특히, 1차 펌프 연결부는 이 단일 압력 제어 펌프의 다운스트림이다. 대안은 프로세스 균일성 튜닝을 더 실현하기 위해 다수의 외부 압력 제어 디바이스들을 사용하는 것이다. 획득된 장점들은 정확히 균일한 펌핑 구성을 갖지 않고도 웨이퍼 (115) 위에 균일한 가스 압력 및 가스 흐름들의 진전을 포함한다.
개시된 발명에 따른 예시적인 프로세스는 무플로어 프로세싱 챔버 (100) 내에 위치되는 웨이퍼 (115) 로 시작될 수도 있다. 처음에, 웨이퍼 (115) 는 하부 챔버 (110) 를 통해 VTM (112) 내로 들어올 수도 있다. VTM (112) 은 웨이퍼 (115) 를 상이한 프로세스들을 겪는 다른 챔버들로 이동시킬 수도 있다. 이어서 웨이퍼 (115) 는 VTM 인터페이스 (114) 를 통해 프로세싱 챔버 (100) 내로 통과될 수도 있다.
일단 웨이퍼 (115) 가 기판 홀더 (135) 상단에 놓이면, 웨이퍼 (115) 의 프로세싱이 시작될 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼 (115) 는 웨이퍼 (115) 가 프로세스되기 때문에 가열될 수도 있다. 특히, 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽부들 (106) 을 따라 위치된 전력 측면 공급부들 (155) 은 기판 홀더 (135) 에 열을 제공할 수도 있고, 결국 웨이퍼 (115) 를 가열한다. 웨이퍼 (115) 가 가열되기 때문에, 기판 홀더 (135) 는 방사상으로 연장될 수도 있어서, 측면-장착된 기판 홀더 플렉셔들 (120) 의 구불구불한 부분 (124) 을 압축한다. 부가적으로, 웨이퍼 (115) 를 프로세싱하는 동안 프로세싱 챔버 (100) 에 제공된 프로세스 가스들은 프로세싱 챔버 (100) 의 측벽부들 (106) 에 위치된 배기 포트들 (160) 을 사용하여 무플로어 프로세싱 챔버 (100) 외부로 배기될 수도 있다. 일단 웨이퍼 (115) 프로세싱이 완료되면, 웨이퍼 (115) 는 측면-장착된 웨이퍼 리프트 링 (140) 을 사용하여 기판 홀더 (135) 로부터 들어올려 질 수도 있다. 이어서 웨이퍼 (115) 는 VTM 인터페이스 (114) 및 VTM (112) 을 통해 제거될 수도 있다.
프로세싱 챔버 (100) 의 설계는 높이가 결합된 프로세싱 챔버 (100) 및 하부 챔버 (110) 내에서 최소화되게 한다. 특히, 도 12에 도시된 바와 같이, 최소화된 높이는 먼저, 에어록 (하부 챔버 (110)) 내에 웨이퍼 (115) 를 홀딩하는 최저 웨이퍼 지지부들 (116) 및 다음으로, 스트립 챔버 (프로세싱 챔버 (100)) 내의 “업 (up)” 위치에서 웨이퍼 리프트 링 (140) 의 3 개의 포스트들 (142) 에 의해 규정된 2 개의 플레인들 사이의 거리로 규정된다. 이 높이는 도 1에서 “H”로 나타낸다. 이러한 방식으로, 이들의 “업” 위치에서 웨이퍼 리프트 링 (140) 의 포스트들 (142) 의 핑거들 (144) 의 상단부들은 가장 높은 웨이퍼 핸드오프 플레인에 대해 웨이퍼 안치 위치 (wafer resting position) 를 규정한다. 또한, 최저 웨이퍼 지지부는 최저 웨이퍼 핸드오프 플레인에 대해 제 2 웨이퍼 안치 위치를 규정한다. 양 플레인들은 수직 스트로크로 제한된, 이송 암 (118) 에 의해 도달가능해야 한다. 이송 암 (118) 의 예들은 진공 로봇 암, VTM 로봇 암, EFEM 로봇 암, 등을 포함한다. 실시예들에서, 이송 암 (118) 의 수직 스트로크는 90 ㎜ 미만으로 제한된다.
(고도 10 ㎜의) 최저 웨이퍼 지지부 (116) 로부터 (이들의 “업” 위치에서 높이 91 ㎜의) 포스트들 (142) 로 웨이퍼 (115) 를 이송하는 예에서, 이송 암 (118) 은 하부 챔버 (110) 에 높이 7 ㎜에서 들어갈 수도 있다. 고도는 결합된 프로세싱 챔버 (100) 및 하부 챔버 (110) 내에서 하부 챔버 (110) 의 하단부로부터의 거리로서 측정된다. 이송 암 (118) 은 7 ㎜의, 최저 웨이퍼 지지부 (116) 고도 아래 3 ㎜에서 하부 챔버 (110) 로 들어갈 수도 있어서 웨이퍼 (115) 아래의 적절한 간격을 보장한다. 이송 암 (118) 의 최초 고도 7 ㎜로부터, 이송 암 (118) 은 웨이퍼 (115) 로 3 ㎜ 들어올려 질 수도 있고 웨이퍼 지지부 (116) 로부터 웨이퍼 (115) 를 제거하기 위해 다시 3 ㎜ 들어올려 질 수도 있다. 이어서 이송 암 (118) 은 하부 챔버 (110) 로부터 프로세싱 챔버 (100) 로 웨이퍼 (115) 를 이송할 수도 있다.
제 1 실시예에서, 이송 암 (118) 은 높이 87 ㎜에서 프로세싱 챔버 (100) 로 들어갈 수도 있다. 이어서 높이 87 ㎜로부터, 포스트들 (142) 이 91 ㎜의 “업” 위치로 들어올려 질 수도 있고, 포스트들을 사용하여 웨이퍼 (115) 를 91 ㎜로 들어올린다. 본 제 1 실시예에서, 이송 암 (118) 이 높이 87 ㎜로 프로세싱 챔버 (100) 로 들어가고, 포스트들 (142) 이 웨이퍼 (115) 를 이송 암 (118) 으로부터 리프트한다. 이와 같이, 제 1 실시예에서, 이송 암 (118) 은 7 ㎜의 높이로부터 80 ㎜의 수직적 스트로크를 거쳐 87 ㎜의 높이로 이동될 것이다.
제 2 실시예에서, 이송 암 (118) 이 프로세싱 챔버 (100) 로 들어갈 수도 있어서, 웨이퍼를 “업” 위치의 포스트들 (142) 상단에 위치시킨다. 본 제 2 실시예에서, 이송 암 (118) 은 높이 95 ㎜로 프로세싱 챔버 (100) 로 들어가고, 이어서 91 ㎜의 “업” 위치의 포스트들 (142) 상에 웨이퍼 (115) 를 위치시키도록 4 ㎜ 낮춰진다. 이와 같이, 제 2 실시예에서, 이송 암 (118) 은 7 ㎜의 높이로부터 88 ㎜의 수직적 스트로크를 거쳐 95 ㎜의 높이로 이동될 것이다. 양 실시예들에서, 이송 암 (118) 을 벗어난 높이는 상기에 기술된 바와 같이 높이 “H”에 의존한다.
높이 “H”는 조합된 프로세싱 챔버 (100) 및 하부 챔버 (110) 의 단축 컴포넌트로 감소될 수도 있다. 예를 들어, 도 12에서, 프로세싱 챔버 (100) 와 하부 챔버 (110) 사이에 “T”로 나타낸, 챔버 벽 두께가 16 ㎜일 때, (고도 10 ㎜의) 최저 웨이퍼 지지부 (116) 와 이들의 “업” 위치에서 (고도 91 ㎜의) 포스트들 (142) 간의 높이 “H”는 81 ㎜일 수도 있다. 프로세싱 챔버 (100) 와 하부 챔버 (110) 간의 챔버 벽 두께 “T”를 감소시킴으로써, 2 개의 챔버들 (100, 110) 내에서 이 높이 “H”는 더 감소될 수도 있다. 예를 들어, 챔버들 간의 장벽이 16 ㎜ 대신 14 ㎜의 두께를 갖는다면, 2 개의 챔버들 (100, 110) 내에서 전체 높이 감소는 81 ㎜ 내지 79 ㎜로 감소될 것이다. 이러한 방식으로, 조합된 2 개의 챔버들 (100, 110) 내에서 높이 “H”는 추가 감소가 개발됨에 따라 계속해서 최소화될 수도 있다.
본 발명이 몇몇 바람직한 실시예들로 기술되었지만, 본 발명의 범위 내의 대체, 치환, 수정, 및 다양한 대용 등가물들이 있다. 또한 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하는 많은 대안적인 방식들이 있다는 것을 주의해야 한다. 따라서 이하의 첨부된 청구항들이 본 발명의 진정한 정신 및 범위 내에 있는 모든 이러한 대체, 치환, 및 다양한 대용 등가물들을 포함하는 것으로 해석되도록 의도된다.

Claims (17)

  1. 프로세싱 챔버로서,
    상단부 및 측벽부들을 갖는 챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 상기 프로세싱 챔버 아래에 위치된 하부 챔버의 상단부에 연결하기 위한 시일부 (seal);
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들에 부착된 기판 홀더;
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 통해 연장하는 사이드 암에 의해 지지되는 웨이퍼 리프트 링으로서, 상기 웨이퍼 리프트 링은 수직으로 서 있는 적어도 3 개의 포스트들을 갖고, 상기 포스트들 각각은 해당 포스트로부터 수평으로 연장하는 적어도 하나의 핑거를 갖고, 업 위치 (up position) 의 상기 웨이퍼 리프트 링의 상기 핑거들의 상단부는 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인 (handoff plane) 을 규정하는, 상기 웨이퍼 리프트 링; 및
    상기 프로세싱 챔버 아래에 위치된 하부 챔버로서, 상기 하부 챔버는 적어도 하나의 웨이퍼 지지부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 최저 웨이퍼 지지부의 상단부는 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인을 규정하는, 상기 하부 챔버를 포함하고,
    상기 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인과 상기 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인 간의 높이는 상기 제 1 웨이퍼 핸드오프 플레인 및 상기 제 2 웨이퍼 핸드오프 플레인으로부터 웨이퍼를 이송시키도록 구성된 이송 암의 최대 수직 스트로크 (stroke) 미만인, 프로세싱 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송 암의 최대 수직 스트로크는 90 ㎜ 미만인, 프로세싱 챔버.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 핑거들은 상기 웨이퍼 링이 하강된 위치에 있을 때 상기 기판 홀더의 포켓들 내에 놓이는, 프로세싱 챔버.
  4. 프로세싱 챔버로서,
    상단부 및 측벽부들을 갖는 챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 상기 프로세싱 챔버 아래에 위치된 챔버의 상단부에 연결하기 위한 시일부; 및
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들에 부착된 기판 홀더를 포함하는, 프로세싱 챔버.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 홀더는 측면 장착 플렉셔 (flexure side mounting) 를 통해 상기 측벽부들에 부착되는, 프로세싱 챔버.
  6. 제 5 항에 있어서,
    짐벌링 피처부들 (gimbaling features) 이 상기 측면 장착 플렉셔들 내에 통합되는, 프로세싱 챔버.
  7. 제 6 항에 있어서,
    적어도 하나의 짐벌링 피처부는 짐벌링 스크루를 갖는, 프로세싱 챔버.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 짐벌링 피처부는 상기 짐벌링 스크루 주변의 2 개의 잭킹 스크루들 (jacking screws) 을 갖는, 프로세싱 챔버.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 통해 수평으로 지지되는 웨이퍼 리프트 링을 더 포함하는, 프로세싱 챔버.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 통해 제공된 전력 측면 피드부들을 더 포함하는, 프로세싱 챔버.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 따라 각각 위치된 3 개의 배기 포트들을 더 포함하는, 프로세싱 챔버.
  12. 프로세싱 챔버로서,
    상단부 및 측벽부들을 갖는 챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 상기 프로세싱 챔버 아래에 위치된 챔버의 상단부에 연결하기 위한 시일부;
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들에 부착된 기판 홀더로서, 상기 기판 홀더는 나선형부들 (convolutions) 을 갖는 측면 장착 플렉셔들을 통해 상기 측벽부들에 부착되는, 상기 기판 홀더; 및
    상기 챔버 하우징의 상기 측벽부들을 통해 연장하는 사이드 암에 의해 지지되는 웨이퍼 리프트 링을 포함하는, 프로세싱 챔버.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 측면 장착 플렉셔들은 기판 홀더 장착부들을 통해 기판 홀더에 부착되는, 프로세싱 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 홀더 장착부들은 상기 기판 홀더와 상기 측면 장착 플렉셔들 사이에 열 차단 (heat choke) 을 제공하는, 프로세싱 챔버.
  15. 제 12 항에 있어서,
    짐벌링 피처부들은 상기 측면 장착 플렉셔들 내에 통합되는, 프로세싱 챔버.
  16. 제 15 항에 있어서,
    적어도 하나의 짐벌링 피처부는 짐벌링 스크루를 갖는, 프로세싱 챔버.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 짐벌링 피처부는 상기 짐벌링 스크루 주변의 2 개의 잭킹 스크루들을 갖는, 프로세싱 챔버.
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