JP2000294503A - レジスト膜の形成方法およびレジスト塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上形成されたレジスト膜の膜厚の変動に
よっても、現像後の回路パターンの線幅が変動しにくい
レジスト膜の形成方法およびレジスト塗布装置を提供す
ること。 【解決手段】 カップ内に収容されたウエハＷの表面上
に、レジスト液を吐出してレジスト膜を形成するに際
し、予め、レジスト膜の膜厚と、レジスト膜を所定パタ
ーンに露光した後現像した際の回路パターンの線幅との
関係を求めておき、その関係から、指定領域の線幅のう
ちレジスト膜厚の変動に対して線幅の変動が少ない線幅
を選択し、その線幅に対応する膜厚になるようにレジス
ト膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置（ＬＣＤ）基板等の基板の表面上にレジスト
膜を形成するレジスト膜の形成方法およびレジスト塗布
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理
と、レジスト塗布後の半導体ウエハに対して所定パター
ンの露光処理を行った後にそのパターンを現像する現像
処理とが行われている。このレジスト塗布処理において
は、半導体ウエハ表面にレジスト液を均一に塗布するた
めの方法としてスピンコーティング法等が多用されてい
る。

【０００３】図１２は、このスピンコーティング法を利
用した従来の塗布処理ユニットの概要を示すものであ
る。例えばスピンチャック１４１により真空吸着によっ
て半導体ウエハＷを固定保持した状態で、図示しない回
転駆動手段によりスピンチャック１４１とともに半導体
ウエハＷを回転させ、半導体ウエハＷの上方に配置され
たレジストノズル１４２からウエハＷ表面の略中央にレ
ジスト液を滴下する。滴下されたレジスト液は、遠心力
によってウエハＷの径方向外方に向かって広がり、その
後レジスト液の滴下を停止し、半導体ウエハを所定速度
で回転させて、残余のレジストを振り切るとともに乾燥
させている。これにより半導体ウエハ上に所定の膜厚を
有するレジスト膜が形成される。

【０００４】さらに、レジスト液の塗布工程の後工程と
しては、レジスト液を塗布した半導体ウエハにプリベー
ク処理および冷却処理を施し、その後、露光装置により
半導体ウエハに露光処理を施し、続いてポストエクスポ
ージャーベーク処理および冷却処理の後、現像処理を施
して、所定の線幅を有する回路パターンを形成し、その
後ポストベーク処理を施している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハ上のレジスト膜の膜厚と、所定パターンに露光後に現
像されて半導体ウエハ上に形成された回路パターンの線
幅との関係をグラフ化すると、所定の曲線として表され
る。そのため、回路パターンの線幅が指定されると、レ
ジスト膜の膜厚は、この曲線から回路パターンの線幅に
対応して定められる。

【０００６】また、この回路パターンは極めて高精度で
形成される必要があるが、レジスト膜の膜厚はある程度
変動するため、定められたレジスト膜の膜厚によって
は、レジスト膜の変動に対応した線幅の変動が要求精度
を満たさない場合が生じる。したがって、レジスト膜厚
の変動による線幅の変動が少なく、通常のレジスト膜の
変動幅であっても所望精度の線幅が得られることが要求
されている。

【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、現像後の回路パターンの線幅の精度が高く、
あるいは、さらに基板上に形成されたレジスト膜の膜厚
が変動しても現像後の回路パターンの線幅が変動しにく
いレジスト膜の形成方法およびレジスト塗布装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、処理容器内に収容さ
れた基板の表面上に、レジスト液を吐出してレジスト膜
を形成するレジスト膜の形成方法であって、予め、レジ
スト膜の膜厚と、レジスト膜を所定パターンに露光した
後現像した際の回路パターンの線幅との関係を求めてお
き、その関係から、指定領域の線幅のうちレジスト膜厚
の変動に対して線幅の変動が少ない線幅を選択し、その
線幅に対応する膜厚になるようにレジスト膜を形成する
ことを特徴とするレジスト膜の形成方法が提供される。

【０００９】この場合に、前記レジスト膜厚と回路パタ
ーンの線幅との関係が、レジスト膜厚に対して回路パタ
ーンの線幅が波状に変化する関係にあり、その関係か
ら、指定領域の線幅のうち、極大値もしくはその近傍ま
たは極小値もしくはその近傍の線幅を選択し、その線幅
に対応するレジスト膜厚になるようにレジスト膜を形成
することができる。

【００１０】本発明の第２の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に、レジスト液を吐出してレ
ジスト膜を形成するレジスト塗布装置であって、基板を
速度可変で回転させる回転手段と、基板にレジスト液を
吐出するためのレジスト液吐出ノズルと、レジスト膜の
膜厚と、レジスト膜を所定パターンに露光した後現像し
た際の回路パターンの線幅との関係が設定され、その関
係から、指定領域の線幅のうちレジスト膜厚の変動に対
して線幅の変動が少ない線幅を選択し、その線幅に対応
する膜厚になるように、前記回転手段の回転条件および
前記塗布液吐出ノズルの吐出量を制御する制御手段とを
具備することを特徴とするレジスト塗布装置が提供され
る。

【００１１】本発明の上記第１および第２の観点によれ
ば、予め、レジスト膜の膜厚と、レジスト膜を所定パタ
ーンに露光した後現像した際の回路パターンの線幅との
関係を求めておき、その関係から、指定領域の線幅のう
ちレジスト膜厚の変動に対して線幅の変動が少ない線幅
を選択し、その線幅に対応する膜厚になるようにレジス
ト膜を形成するので、基板上形成されたレジスト膜の膜
厚の変動によっても、現像後の回路パターンの線幅を変
動しにくくすることができる。特に、レジスト膜厚と回
路パターンの線幅との関係は、レジスト膜厚に対して回
路パターンの線幅が波状に変化する関係にあるので、そ
の関係から、指定領域の線幅のうち、極大値もしくはそ
の近傍または極小値もしくはその近傍の線幅を選択し、
その線幅に対応するレジスト膜厚になるようにレジスト
膜を形成するようにすれば、レジスト膜厚の変動に対す
る回路パターン線幅の変動を極めて小さいものとするこ
とができる。

【００１２】本発明の第３の観点によれば、基板にレジ
スト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト膜の形
成方法であって、レジスト膜の膜厚と、前記膜厚のレジ
スト膜を露光および現像して得られる回路パターンの線
幅との関係を把握する工程と、その把握した関係に基づ
いてレジスト膜を形成する工程とを具備することを特徴
とするレジスト膜の形成方法が提供される。

【００１３】本発明の第４の観点によれば、基板にレジ
スト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト塗布装
置であって、基板を回転させる回転手段と、基板にレジ
スト液を供給するためのレジスト液供給手段と、レジス
ト膜の膜厚と、前記膜厚のレジスト膜を露光および現像
して得られる回路パターンの線幅との関係に基づいて、
レジスト膜形成条件を制御する制御手段とを具備するこ
とを特徴とするレジスト塗布装置が提供される。

【００１４】本発明の上記第３および第４の観点によれ
ば、前記レジスト膜の膜厚と回路パターンの線幅との関
係に基づいてレジスト膜を形成することにより、目的と
する回路パターンの線幅や精度に適した膜厚のレジスト
膜を形成することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図１ないし図３は、各々本発明の実施
の形態が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と
いう）の塗布現像処理システム１の全体構成の図であっ
て、図１は平面、図２は正面、図３は背面をそれぞれ示
している。

【００１６】この塗布現像処理システム１は、図１に示
すように、被処理基板としてウエハＷをウエハカセット
ＣＲで複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに
搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハ
カセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりする
ためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中
で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーシ
ョン１１と、この処理ステーション１１に隣接して設け
られる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡
しするためのインターフェイス部１２とを一体に接続し
た構成を有している。

【００１７】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向に一列に載置され、このカセット配列方
向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納された
ウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向：垂直方向）に移動可
能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的
にアクセスするようになっている。

【００１８】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ_３の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。

【００１９】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが１組または複数の組に亘って多段に配置されてい
る。

【００２０】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転
される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成し
てもよい。

【００２１】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。

【００２２】また、図１に示すように、この例では、５
つの処理ユニット群Ｇ_１、Ｇ_２、Ｇ _３、Ｇ_４、Ｇ_５が配
置可能な構成であり、第１および第２の処理ユニット群
Ｇ_１、Ｇ_２の多段ユニットは、システム正面（図１にお
いて手前）側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ_３の
多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配
置され、第４の処理ユニット群Ｇ_４の多段ユニットはイ
ンターフェイス部１２に隣接して配置され、第５の処理
ユニット群Ｇ_５の多段ユニットは背面側に配置されるこ
とが可能である。

【００２３】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ_１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および
現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。第２の処理ユニット群Ｇ_２でも、２台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段
に重ねられている。これらレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機械的にもメンテナ
ンスの上でも面倒であることから、このように下段に配
置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に
配置することももちろん可能である。

【００２４】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ_３では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下
から順に例えば８段に重ねられている。

【００２５】第４の処理ユニット群Ｇ_４でも、オーブン
型の処理ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クー
リングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられ
ている。

【００２６】前記インターフェイス部１２は、図１に示
すように、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置２３が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体２４が設け
られている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ_４の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっ
ている。

【００２７】また前記塗布現像処理システム１では、図
１に示すように、上述のように主ウエハ搬送機構２２の
背面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ_５の多
段ユニットが配置できるようになっているが、この第５
の処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットは、案内レール２
５に沿って主ウエハ搬送機構２２からみて、側方へシフ
トできるように構成されている。したがって、この第５
の処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットを図示の如く設け
た場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドする
ことにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機
構２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行え
るようになっている。なお第５の処理ユニット群Ｇ_５の
多段ユニットは、そのように案内レール２５に沿った直
線状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往
復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフ
トさせるように構成しても、主ウエハ搬送機構２２に対
するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。

【００２８】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、カセットステーション１０において、ウエ
ハ搬送体２１によりウエハカセットＣＲから一枚のウエ
ハＷが取り出され、処理ユニット群Ｇ_３のイクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハ
Ｗは、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装置４６によ
り、まず、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）におい
て、レジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭ
ＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、そ
の後ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリン
グユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。引き続
き、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、後述するようにして
塗布膜が形成される。

【００２９】塗布処理終了後、ウエハＷはプリベーキン
グユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にてプリベーク処理さ
れ、その後クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却され
る。冷却されたウエハＷは、アライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、処
理ユニット群Ｇ_４のイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。

【００３０】その後、ウエハＷはウエハ搬送体２４によ
りインターフェース部１２に搬送去れ、周辺露光装置２
３により周辺露光されて余分なレジストが除去された
後、インターフェース部１２に隣接して設けられた図示
しない露光装置により所定のパターンに露光される。

【００３１】露光後のウエハＷは、再びインターフェー
ス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、イクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウ
エハＷは、ウエハ搬送装置４６により、いずれかのポス
トベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送されてポ
ストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。

【００３２】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンを現像する。現像
終了後、ウエハＷはいずれかのポストベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送されてポストベーク処理が施
され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷
却される。このような一連の処理が終了後、処理ユニッ
ト群Ｇ_３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てカセットステーション１０に戻され、いずれかのカセ
ットＣＲに収容される。

【００３３】次に、本実施形態におけるレジスト塗布処
理ユニット（ＣＯＴ）について説明する。図４および図
５は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成
を示す略断面図および略平面図である。

【００３４】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック５２が配置されている。スピ
ンチャック５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持
した状態で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆
動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられた開口５
０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウム
からなるキャップ状のフランジ部材５８を介してたとえ
ばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降ガ
イド手段６２と結合されている。駆動モータ５４の側面
にはたとえばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャケット６４
が取り付けられ、フランジ部材５８は、この冷却ジャケ
ット６４の上半部を覆うように取り付けられている。

【００３５】レジスト塗布時、フランジ部材５８の下端
５８ａは、開口５０ａの外周付近でユニット底板５０に
密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピ
ンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８
との間でウエハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動
手段６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を
上方へ持ち上げることでフランジ部材５８の下端がユニ
ット底板５０から浮くようになっている。

【００３６】ウエハＷの表面にレジスト液を吐出するた
めのレジストノズル８６は、レジスト供給管８８に接続
されており、このレジスト供給管８８には、エアーオペ
バルブ１３０およびサックバックバルブ１３１が接続さ
れている。このレジストノズル８６はレジストノズルス
キャンアーム９２の先端部にノズル保持体１００を介し
て着脱可能に取り付けられている。このレジストノズル
スキャンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向
（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動
可能な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられてお
り、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９
６と一体にＹ方向に移動するようになっている。

【００３７】また、レジストノズルスキャンアーム９２
は、レジストノズル待機部９０でレジストノズル８６を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移
動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方
向にも移動するようになっている。

【００３８】さらに、レジストノズル待機部９０でレジ
ストノズル８６の吐出口が溶媒雰囲気室の口９０ａに挿
入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先
端のレジスト液が固化または劣化しないようになってい
る。また、複数本のレジストノズル８６が設けられ、例
えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズルが使い分
けられるようになっている。

【００３９】また、レジストノズルスキャンアーム９２
の先端部（ノズル保持体１００）には、ウエハ表面への
レジスト液の吐出に先立ってウエハ表面にウエハ表面を
濡らすための溶剤例えばシンナーを吐出するシンナーノ
ズル１０１が取り付けられている。このシンナーノズル
１０１は図示しない溶剤供給管を介してシンナー供給部
に接続されている。シンナーノズル１０１とレジストノ
ズル８６はレジストノズルスキャンアーム９２のＹ移動
方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置するように取り
付けられている。

【００４０】さらに、ガイドレール９４上には、レジス
トノズルスキャンアーム９２を支持する垂直支持部材だ
けでなく、リンスノズルスキャンアーム１２０を支持し
Ｙ方向に移動可能な垂直支持部材も設けられている。こ
のリンスノズルスキャンアーム１２０の先端部にはサイ
ドリンス用のリンスノズル１２２が取り付けられてい
る。Ｙ方向駆動機構（図示せず）によってリンスノズル
スキャンアーム１２０およびリンスノズル１２２はカッ
プＣＰの側方に設定されたリンスノズル待機位置（実線
の位置）とスピンチャック５２に設置されているウエハ
Ｗの周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位置（点線
の位置）との間で並進または直線移動するようになって
いる。

【００４１】図６は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）の制御系の構成を示す図である。塗布処理ユニット
のコントローラ１３３は、レジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）内の各部を制御するものであり、例えば、ウ
エハＷを回転するための駆動モータ５４、レジスト液の
供給と停止とを切り換えるエアーオペバルブ１３０、レ
ジスト液をサックバックするサックバックバルブ１３
１、およびシンナーを供給または停止するためのシンナ
ー供給部１３２を制御するようになっている。また、コ
ントローラ１３３には、記憶部１３４が接続されてお
り、この記憶部１３４に処理のために必要なレシピや他
の情報が記憶されている。

【００４２】次に、このように構成されたレジスト塗布
装置ユニット（ＣＯＴ）におけるレジスト液の塗布動作
について説明する。主ウエハ搬送機構２２の保持部材４
８によってレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内のカ
ップＣＰの真上までウエハＷが搬送されると、そのウエ
ハＷは、例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０
および昇降ガイド手段６２によって上昇してきたスピン
チャック５２によって真空吸着される。主ウエハ搬送機
構２２はウエハＷをスピンチャック５２に真空吸着せし
めた後、保持部材４８をレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）内から引き戻し、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）へのウエハＷの受け渡しを終える。

【００４３】次いで、スピンチャック５２はウエハＷが
カップＣＰ内の定位置まで下降し、駆動モータ５４によ
ってスピンチャック５２の回転駆動が開始される。その
後、レジストノズル待機部９０からのノズル保持体１０
０の移動が開始される。このノズル保持体１００の移動
はＹ方向に沿って行われる。

【００４４】図７の（ａ）に示すように、シンナーノズ
ル１０１の吐出口がスピンチャック５２の中心（ウエハ
Ｗの中心）上に到達したところで、シンナーを回転する
ウエハＷの表面に供給する。ウエハＷの表面に供給され
たシンナーは遠心力によってウエハＷ中心からその周囲
全域にむらなく拡げられる。このように、レジスト液の
塗布に先立ってシンナー等の溶剤で半導体ウエハＷ表面
の表面全体を濡らす、いわゆるプリウエット処理を行う
ことにより、レジストがより拡散しやすくなり、結果と
してより少量のレジスト液量で均一なレジスト膜を形成
することができる。

【００４５】続いて、ノズル保持体１００は、図７の
（ｂ）に示すように、レジストノズル８６の吐出口がウ
エハＷの中心上に到達するまでＹ方向に移動される。そ
して、ウエハＷが所定の回転速度で回転された状態で、
レジストノズル８６の吐出口からレジスト液が、回転す
るウエハＷの表面の中心に滴下され、遠心力によりウエ
ハＷの中心から周辺に向けて拡散されて、ウエハＷ上に
レジスト膜が形成される。この際に、レジスト消費量の
削減の観点からは、比較的高速度、例えば、３０００ｒ
ｐｍ以上で回転される。

【００４６】レジスト液の滴下終了後、必要に応じてウ
エハＷの回転速度が所定時間所定の回転速度まで減速さ
れて膜厚が調整され、次いで、ウエハＷの回転速度が加
速されて、残余のレジスト液が振り切られるとともに乾
燥され、所定厚さのレジスト膜が形成される。

【００４７】その後、ノズル保持体１００がホームポジ
ションに戻され、図示しない洗浄手段により、ウエハＷ
の背面がバックリンスされ、また、必要があれば、図示
しない洗浄手段により、ウエハＷの側縁部がサイドリン
スされる。その後、ウエハＷの回転速度が加速されて、
バックリンスおよびサイドリンスのリンス液が振り切ら
れ、その後、ウエハＷの回転が停止されて、塗布処理工
程が終了する。

【００４８】本発明においては、以上のようなレジスト
液の塗布処理動作に際し、例えば、前記レジスト塗布処
理ユニットの実機か、あるいは実機を想定した条件の実
験装置により、レジスト膜の膜厚と、前記膜厚のレジス
ト膜を露光および現像して得られる回路パターンの線幅
との関係を把握し、この把握されたレジスト膜の膜厚と
回路パターンの線幅との関係に基づいてレジスト液の塗
布動作が制御され、レジスト膜が形成される。

【００４９】次に、図８を参照して、このようなレジス
ト膜の膜厚と回路パターンの線幅との関係を具体的に説
明する。図８は、レジスト膜の膜厚と回路パターンの線
幅との関係を示すグラフである。この図に示すように、
回路パターンの線幅はレジスト膜厚に対して波形に変動
する。これは、レジスト膜を所定パターンに露光する際
に、レジスト膜に入射した入射波とウエハＷで反射した
反射波との干渉により露光強度が変動することに起因す
る。すなわち、入射波と反射波が同位相の場合には、こ
れらが強め合って露光強度が大きくなるから、結果とし
て現像後の線幅が広くなり、入射波と反射波が逆位相の
場合には、これらが弱め合って露光強度が小さくなるか
ら、結果として現像後の線幅が狭くなる。入射波と反射
波の位相の関係は、レジスト膜の膜厚により決まるか
ら、結果として、回路パターンの線幅はレジスト膜厚に
対して波形に変動するのである。

【００５０】このようなレジスト膜厚に対する回路パタ
ーンの線幅の曲線を予め求めておき、その中で所望の線
幅が得られるレジスト膜厚を選択する。例えば、指定さ
れた領域の線幅のうち、極大値もしくはその近傍または
極小値もしくはその近傍の線幅に対応するレジスト膜厚
を選択する。

【００５１】具体的には、図８において、回路パターン
の線幅として、領域Ａが指定された場合、この指定領域
の中での極大値はＡ１点であり、極小値はＡ２点であ
る。したがって、好ましくは、Ａ１点もしくはその近
傍、またはＡ２点もしくはその近傍の線幅を選択し、そ
の選択された線幅に対応するレジスト膜厚でレジスト膜
を形成する。

【００５２】仮に、極大値Ａ１点の値を回路パターンの
線幅として選択した場合、レジスト膜の膜厚は、図８の
曲線のグラフの対応関係からＢ１となる。このように極
大値Ａ１点に対応する線幅を選択して、Ｂ１を膜厚の目
標値としてレジスト膜を形成した場合には、実際にウエ
ハ上に形成されるレジスト膜の膜厚は、例えば図示する
ようにβで示す範囲で比較的大きく変動する。しかし、
回路パターンの線幅はこれに対応して、極大値Ａ１点の
近辺の極狭いαの範囲で変動するだけであり、線幅の変
動を極めて小さく抑えることができる。

【００５３】すなわち、レジスト膜の形成時におけるレ
ジスト膜厚の変動による線幅の変動を著しく小さく抑え
ることができるので、極めて高精度の回路パターンを形
成することができる。

【００５４】なお、極小値Ａ２点の値を回路パターンの
線幅として選択しても同様に回路パターンの線幅の変動
を小さくすることができるが、極小値近傍よりも極大値
近傍の方が線幅変動のカーブが緩やかであるため、極大
値またはその近傍を用いた方がレジスト膜の膜厚の変動
許容範囲（マージン）を大きすることができる。しか
し、極小値またはその近傍を用いた場合には、露光量を
少なくすることができるといった他の利点を有する。

【００５５】また、図８のレジスト膜の膜厚と回路パタ
ーンの線幅との関係を示すグラフのパターンは、露光装
置の光源の波長により変化する。これは前述したよう
に、レジスト膜に入射した入射波とウエハＷで反射した
反射波との干渉により露光強度が変動することに起因す
る。したがって、本発明においては、露光処理で使用す
る光源波長に応じたレジスト膜の膜厚と回路パターンの
線幅との関係に基づいてレジスト膜を形成する。

【００５６】図９に、実際にウエハＷに対してレジスト
塗布、露光および現像を行った際におけるレジスト膜の
膜厚と回路パターンの線幅との関係を示す。ここでは、
回路パターンの線幅として、極小値に対応する約０．２
５μｍを選択し、これに対応して、レジスト膜の膜厚を
約８０５ｎｍに設定している。

【００５７】この図に示すように、膜厚が例えば８００
ｎｍ〜８１０ｎｍの範囲で変動したとしても、線幅は、
ほぼ０．２５μｍ近辺で殆ど変動しない。すなわち、上
述したように、レジスト膜厚の変動による回路パターン
の線幅の変動を著しく小さくすることが可能なことが確
認された。

【００５８】以上のようなレジスト膜厚と回路パターン
の線幅の関係に基づいてレジスト膜を形成するために
は、露光処理で使用する光源波長に応じたレジスト膜厚
と回路パターンの線幅との関係を求め、そのデータを、
図６の記憶部１３４に記憶させておき、そのデータに基
づいてコントローラ１３３において好適なレジスト膜厚
を選定し、その選定された膜厚になるように、スピンチ
ャック５２の回転条件、レジストノズル８６からのレジ
スト液の吐出量、および露光処理後から加熱処理までの
時間等のうち少なくとも１つをコントローラ１３３によ
り適切に制御することが好ましい。

【００５９】この際、レジスト膜厚と回路パターンの線
幅との関係から、目的とする回路パターンの線幅に対応
したレジスト膜の膜厚を選定すれば、より線幅の精度が
高い回路パターンを得ることができ、また、目的の範囲
の線幅に対応したレジスト膜厚のうち、膜厚の変動に対
する線幅の変動が少ない膜厚を選定すれば、変動が少な
く安定した線幅の回路パターンを得ることができる。

【００６０】上記の膜厚の変動に対する線幅の変動が少
ない膜厚として、線幅が極大値もしくはその近傍または
極小値もしくはその近傍となる膜厚が好適であることは
前述した通りであるが、そのような膜厚が複数存在する
場合には、そのうちのいずれかの膜厚を選択する。この
膜厚の選択は、例えば以下のからのようにして行う
ことができる。

【００６１】ランニングコストの観点からは、より小
さい膜厚値を選択することが好ましい。この場合には、
ウエハＷに塗布するレジストの量が少なくて済み、レジ
スト液の消費量を低減することができる。

【００６２】線幅の均一性および安定性の観点から
は、レジスト膜の膜厚の変動許容範囲（マージン）の大
きい方を選択することが好ましい。なお、ここでいうレ
ジスト膜の膜厚の変動許容範囲（マージン）とは、線幅
の変動が許容量の範囲内となる膜厚の変動量のことをい
う。

【００６３】レジスト膜の膜厚の選択は、レジスト液
を塗布する下地の状態等のプロセスに応じてなされるこ
とが好ましい。具体的には、例えばレジスト膜の膜厚と
配線パターンの線幅とが図８に示す関係を有する場合、
絶縁層等を下地とするレジスト膜を形成する際には、上
記で述べたように、より小さい膜厚に対応した極小値
もしくはその近傍を選択すれば、露光量が少なくて済む
ので処理のスループットを向上することができる。一
方、配線層等を下地とする場合には、上記で述べたよ
うに、線幅の均一性および安定性を重視して極大値もし
くはその近傍を選択すれば、レジスト膜の膜厚の変動許
容範囲を多くとることができ、また、線幅が細くなる方
向にしか線幅が変動しないので配線パターンのショート
等の不具合の発生をより低く抑えることができる。

【００６４】上記〜のいずれか、またはこれらの複
合からなる選択条件は、前述した膜厚と線幅との関係の
データとともに前記記憶部１３４に記憶させておき、前
記コントローラ１３３が、設定された露光波長および回
路パターンの線幅から、記憶部１３４の記憶した選択条
件およびデータに基づいて好適な膜厚を選択し、その膜
厚が得られる条件でレジスト処理動作を制御することが
好ましい。この場合には、露光波長および回路パターン
の線幅を設定することにより、自動的に、レジスト膜の
形成条件が求められ、ウエハＷに対するレジスト塗布処
理を行うことができる。

【００６５】また、図８のレジスト膜の膜厚と回路パタ
ーンの線幅との関係を示すグラフとの関係を示すグラフ
のように、回路パターンの線幅領域を設定して、その線
幅領域において極大値またはその近傍が先にきた場合、
つまりその線幅領域においてより膜厚が薄い部分に極大
値またはその近傍が存在する場合、その極大値またはそ
の近傍において膜厚の厚い方に対応する極小値またはそ
の近傍よりもレジスト膜の膜厚の変動許容範囲（マージ
ン）が多くとれれば、その極大値またはその近傍におい
て線幅の均一性が良く、かつレジスト液の消費量も少な
いという利点が得られる。したがって、この場合には設
定された回路パターンの線幅領域において、膜厚の薄い
ほうから数えて第１番目の極大値またはその近傍を選択
することが好ましい。また、逆に、図８の場合とは異な
り、回路パターンの線幅領域を設定して、その線幅領域
において極小値またはその近傍が先にきた場合、つまり
その線幅領域においてより膜厚が薄い部分に極小値また
はその近傍が存在する場合、その極小値またはその近傍
において膜厚の厚い方に対応する極大値またはその近傍
よりもレジスト膜の膜厚の変動許容範囲（マージン）が
多くとれれば、その極小値またはその近傍において線幅
の均一性が良く、かつレジスト液の消費量も少ないとい
う利点が得られる。したがって、この場合には設定され
た回路パターンの線幅領域において、膜厚の薄いほうか
ら数えて第１番目の極小値またはその近傍を選択しても
よいことは言うまでもない。

【００６６】次に、図１０のフローチャートを参照し
て、図６に示した制御系を用いたレジスト膜の膜厚の選
定フローについて説明する。ＳＴＡＲＴ−Ａより開始さ
れたレジスト膜の膜厚を選定動作では、まず、初期条件
の設定を行う。すなわち、露光波長として露光に用いる
光源の波長の値を設定し（ＳＴ２００）、回路パターン
・線幅域としては目的とする回路パターンの線幅および
／またはその許容変動範囲の値を設定し（ＳＴ２０
１）、レジスト液の種別を設定する（ＳＴ２０２）。こ
れらの設定された値のデータは、いずれも前記記憶部１
３４に記憶される。

【００６７】次いで、前記記憶部１３４に予め記憶され
たレジスト膜厚と回路パターンの線幅との関係のうち、
上記ＳＴ２００で設定された光源の波長の値、およびＳ
Ｔ２０２で設定されたレジスト液の種別に対応するもの
に基づいて、形成すべきレジスト膜の膜厚が前述のコン
トローラ１３３により演算されて選定され、その選定さ
れた膜厚のレジスト膜を形成するための処理条件が演算
により求められる（ＳＴ２０３）。このようにして選定
された膜厚と処理条件は、前記記憶部１３４に記憶され
る（ＳＴ２０４）。

【００６８】その後、以上のようにして前記記憶部１３
４に記憶された処理条件に基づいて、ウエハＷにレジス
ト液の塗布処理を行う（ＳＴ２０５）。次に、ウエハＷ
を加熱および冷却処理した後、所定の波長のエネルギー
にて露光処理を行い（ＳＴ２０６）、加熱処理を行う
（ＳＴ２０７）。その後、ウエハＷに対して現像処理を
行い（ＳＴ２０８）、所定の回路パターンを形成する。

【００６９】このようにして一旦現像処理が終了した
後、得られたレジスト膜の膜厚、および得られた回路パ
ターンの線幅の少なくとも一方を測定するか否かが判断
される（ＳＴ２０９）。この段階において、膜厚や線幅
を測定すると判断するのは、例えば、１ロットあたり１
回と設定してもよいし、複数ロットあたり１回となるよ
うにに設定してもよい。また、同一処理の一番先のウエ
ハＷ、またはダミーウエハが処理された場合について、
測定するように設定してもよい。

【００７０】膜厚や線幅の測定を行わない判断された場
合には、レジスト膜厚の選定と処理条件の設定は終了す
る。一方、膜厚や線幅の測定を行うと判断された場合、
膜厚および得られた線幅の少なくとも一方が測定され
（ＳＴ２１０）、得られた測定値と、前記選定されたレ
ジスト膜の膜厚、または、初期条件として設定された線
幅との差分が演算により求められる（ＳＴ２１１）。

【００７１】次いで、求められた差分値が所定範囲内に
入っているか否かが判断される（ＳＴ２１２）。その結
果、差分値が所定範囲内であれば、次のウエハＷを前回
の条件と同一の条件でＳＴＡＲＴ−Ｂより開始し、ＳＴ
２０５〜ＳＴ２０８の工程を順次行う。一方、差分値が
所定範囲外である場合には、コントローラ１３３によ
り、前記差分値等に基づいて条件が補正または較正され
（ＳＴ２１３）、その補正または較正された条件が前記
記憶部１３４に記憶される（ＳＴ２０４）。その後、記
憶された条件に基づいて、次のウエハＷについて、レジ
スト塗布処理（ＳＴ２０５）以降の工程が順次行われ
る。

【００７２】なお、前記記憶部１３４にウエハＷ毎の処
理条件を記憶させれば、例えば、不具合等の生じたウエ
ハＷの設定と、不具合の生じなかったウエハＷの設定と
を、作業者等が比較検討することができるので好まし
い。

【００７３】なお、図１０に示したフローチャートで
は、膜厚の測定を現像処理が終了した後に行っている
が、膜厚の測定はレジスト塗布処理（ＳＴ２０５）の
後、露光処理（ＳＴ２０８）の前に行ってもよい。この
場合には、当然、膜厚を測定するか否かの判断は、露光
処理の前に行われる。また、レジスト膜の膜厚を前記選
定値とするために制御され、また、前記測定値が所定範
囲内に入っていない場合に変更されるレジスト膜の形成
条件としては、レジスト塗布処理（ＳＴ２０５）におけ
るウエハＷの回転速度やレジスト液の供給量が挙げられ
るが、露光処理（ＳＴ２０６）の処理後から加熱処理
（ＳＴ２０７）までの時間Ｔであってもよい。この時間
Ｔは回路パターンの線幅に少なからず影響をおよぼすも
のであり、この値を変化させることによっても線幅を所
定範囲内とすることができる。

【００７４】上記のように膜厚や線幅の測定を行うため
には、例えば図１１に示すように、前記塗布現像処理シ
ステム１の前記ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを
搬入・搬出するための前記カセットステーション１０
に、膜厚測定装置２１１および線幅測定装置２１２を有
する測定部２１０が併設されることが好ましい。前記測
定部２１０を処理ステーション１１内に設けてもよい
が、その場合には、それぞれの塗布現像処理システム１
に少なくとも１台ずつの前記測定部２１０を備えなけれ
ばならなくなり、装置１台あたりのコストが高くなる。
これに対して、前記膜厚測定部２１０を取り外し可能な
カセットステーション１０に併設すれば、前記膜厚測定
部２１０を複数の塗布現像処理システム１で共用するこ
とができるので、装置１台あたりのコスト上昇を抑える
ことができる。なお、図１１の（ａ）は、測定部２１０
の併設された塗布現像処理システムの全体構成を示す平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。

【００７５】前記処理ステーション１１内に前記測定部
２１０を設けた場合には、前記測定部２１０を着脱可能
な構成として複数の塗布現像処理システム１で共用する
ことも考えられるが、この場合には前記測定部２１０の
着脱により、処理ステーション１１内の気流の流れまた
は圧力の変動等が生じるので好ましくない。

【００７６】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばＬＣＤ基板にレジスト液を塗布する場合にも
本発明を適用することができる。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
予め、レジスト膜の膜厚と、レジスト膜を所定パターン
に露光した後現像した際の回路パターンの線幅との関係
を求めておき、その関係に基づいて、目的とする回路パ
ターンの線幅やその精度に応じた膜厚のレジスト膜を形
成するので、目的とする線幅を正確に得ることができ、
また、基板上に形成されたレジスト膜の膜厚が変動した
場合に生じる線幅の変動を低く抑えることができる。し
たがって、回路パターンの精度を極めて高くすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成を示す平面図。

【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。

【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。

【図４】図１に示した塗布現像処理システムに装着され
たレジスト塗布処理ユニットの全体構成を示す断面図。

【図５】図４に示したレジスト塗布処理ユニットの平面
図。

【図６】図４および図５に示したレジスト塗布処理ユニ
ットの制御系の構成を示す図。

【図７】シンナーノズルからシンナーを吐出している状
態、およびレジストノズルからレジスト液を吐出してい
る状態を示す模式図。

【図８】レジスト膜の膜厚と回路パターンの線幅との関
係を示す模式的に示すグラフの一例。

【図９】実際に測定されたレジスト膜の膜厚と回路パタ
ーンの線幅との関係を示すグラフ。

【図１０】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の制御
系によるレジスト膜の膜厚を選定する動作のフローチャ
ート。

【図１１】測定部２１０の併設された塗布現像処理シス
テムの全体構成を示す平面図および断面図。

【図１２】従来のレジスト塗布装置の概略構成図。

【符号の説明】

５２……スピンチャック（回転手段） ８６……レジストノズル（塗布液吐出ノズル） ８８……レジスト供給管（塗布液供給管） １３０……エアーオペバルブ １３１……サックバックバルブ １３３……ユニットコントローラ（制御手段） Ｗ……半導体ウエハ（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/26 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/26 ５０１

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内に収容された基板の表面上
   に、レジスト液を吐出してレジスト膜を形成するレジス
   ト膜の形成方法であって、 予め、レジスト膜の膜厚と、レジスト膜を所定パターン
   に露光した後現像した際の回路パターンの線幅との関係
   を求めておき、その関係から、指定領域の線幅のうちレ
   ジスト膜厚の変動に対して線幅の変動が少ない線幅を選
   択し、その線幅に対応する膜厚になるようにレジスト膜
   を形成することを特徴とするレジスト膜の形成方法。
2. 【請求項２】 前記レジスト膜厚と回路パターンの線幅
   との関係が、レジスト膜厚に対して回路パターンの線幅
   が波状に変化する関係にあり、その関係から、指定領域
   の線幅のうち、極大値もしくはその近傍または極小値も
   しくはその近傍の線幅を選択し、その線幅に対応するレ
   ジスト膜厚になるようにレジスト膜を形成することを特
   徴とする請求項１に記載のレジスト膜の形成方法。
3. 【請求項３】 前記極大値もしくはその近傍または極小
   値もしくはその近傍の線幅の選択は、下地の状態に応じ
   てなされることを特徴とする請求項２に記載のレジスト
   膜の形成方法。
4. 【請求項４】 前記レジスト膜の形成は、前記選択され
   た線幅に対応するレジスト膜厚になるように、基板の回
   転速度、レジスト液の吐出量、および露光処理後の基板
   の加熱処理までの時間の少なくとも１つを制御すること
   を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記
   載のレジスト膜の形成方法。
5. 【請求項５】 得られたレジスト膜の膜厚、または、得
   られたレジスト膜を露光および現像して得られる回路パ
   ターンの線幅を測定し、その測定値に基づいて、基板の
   回転速度、レジスト液の吐出量、および露光処理後の基
   板の加熱処理までの時間のうち１つ以上を制御すること
   を特徴とする請求項４に記載のレジスト膜の形成方法。
6. 【請求項６】 処理容器内に収容された基板の表面上
   に、レジスト液を吐出してレジスト膜を形成するレジス
   ト塗布装置であって、 基板を速度可変で回転させる回転手段と、 基板にレジスト液を吐出するためのレジスト液吐出ノズ
   ルと、 レジスト膜の膜厚と、レジスト膜を所定パターンに露光
   した後現像した際の回路パターンの線幅との関係が設定
   され、その関係から、指定領域の線幅のうちレジスト膜
   厚の変動に対して線幅の変動が少ない線幅を選択し、そ
   の線幅に対応する膜厚になるように、前記回転手段の回
   転条件、前記塗布液吐出ノズルの吐出量、および露光処
   理後の基板の加熱処理までの時間のうち少なくとも１つ
   を制御する制御手段とを具備することを特徴とするレジ
   スト塗布装置。
7. 【請求項７】 基板にレジスト液を供給してレジスト膜
   を形成するレジスト膜の形成方法であって、レジスト膜
   の膜厚と、前記膜厚のレジスト膜を露光および現像して
   得られる回路パターンの線幅との関係を把握する工程
   と、その把握した関係に基づいてレジスト膜を形成する
   工程とを具備することを特徴とするレジスト膜の形成方
   法。
8. 【請求項８】 前記レジスト膜の膜厚と得られる回路パ
   ターンの線幅との関係のデータを記憶する工程を具備
   し、前記記憶されたデータに基づいて、レジスト膜を形
   成することを特徴とする請求項７に記載のレジスト膜の
   形成方法。
9. 【請求項９】 前記レジスト膜の膜厚と得られる回路パ
   ターンの線幅との関係に基づいて、目的とする回路パタ
   ーンの線幅が得られる膜厚になるようにレジスト膜を形
   成することを特徴とする請求項７または請求項８に記載
   のレジスト膜の形成方法。
10. 【請求項１０】 前記レジスト膜の膜厚と得られる回路
    パターンの線幅との関係に基づいて、膜厚の変動に対し
    て線幅の変動が少ない膜厚になるようにレジスト膜を形
    成することを特徴とする請求項７から請求項９のいずれ
    か１項に記載のレジスト膜の形成方法。
11. 【請求項１１】 前記レジスト膜の膜厚と得られる回路
    パターンの線幅との関係が、レジスト膜厚に対して回路
    パターンの線幅が波状に変化するものであり、その関係
    に基づいて、線幅が極大値もしくはその近傍または極小
    値もしくはその近傍となる膜厚になるようにレジスト膜
    を形成することを特徴とする請求項１０に記載のレジス
    ト膜の形成方法。
12. 【請求項１２】 前記回路パターンの線幅が極大値もし
    くはその近傍または極小値もしくはその近傍となる膜厚
    のうち、より小さい膜厚を選択し、その選択された膜厚
    になるようにレジスト膜を形成することを特徴とする請
    求項１１に記載のレジスト膜の形成方法。
13. 【請求項１３】 前記回路パターンの線幅が極大値もし
    くはその近傍または極小値もしくはその近傍となる膜厚
    のうち、膜厚の変動に対する線幅の変動がより小さい膜
    厚を選択し、その選択された膜厚になるようにレジスト
    膜を形成することを特徴とする請求項１１または請求項
    １２に記載のレジスト膜の形成方法。
14. 【請求項１４】 前記回路パターンの線幅が極大値もし
    くはその近傍または極小値もしくはその近傍となる膜厚
    のうち、レジスト膜を形成する下地の状態に応じて膜厚
    を選択し、その選択された膜厚になるようにレジスト膜
    を形成することを特徴とする請求項１１から請求項１３
    のいずれか１項に記載のレジスト膜の形成方法。
15. 【請求項１５】 前記膜厚になるようにレジスト膜を形
    成するために、基板の回転速度、レジスト液の吐出量、
    および露光処理後の基板の加熱処理までの時間のうち１
    つ以上を制御することを特徴とする請求項７から請求項
    １４のいずれか１項に記載のレジスト膜の形成方法。
16. 【請求項１６】 レジスト膜の膜厚、および、得られた
    回路パターンの線幅の少なくとも一方を測定し、その測
    定値に基づいてレジスト膜を形成する条件が補正または
    較正されることを特徴とする請求項７から請求項１５の
    いずれか１項に記載のレジスト膜の形成方法。
17. 【請求項１７】 基板にレジスト液を供給してレジスト
    膜を形成するレジスト塗布装置であって、 基板を回転させる回転手段と、 基板にレジスト液を供給するためのレジスト液供給手段
    と、 レジスト膜の膜厚と、前記膜厚のレジスト膜を露光およ
    び現像して得られる回路パターンの線幅との関係に基づ
    いて、レジスト膜形成条件を制御する制御手段とを具備
    することを特徴とするレジスト塗布装置。
18. 【請求項１８】 前記レジスト膜形成条件は、前記回転
    手段の回転速度、前記レジスト液供給手段のレジスト供
    給量、および露光処理後の基板の加熱処理までの時間の
    うち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１７
    に記載のレジスト塗布装置。
19. 【請求項１９】 前記制御手段は、設定された回路パタ
    ーンの線幅から、前記レジスト膜の膜厚と得られる回路
    パターンの線幅との関係に基づいて、目的とするレジス
    ト膜の膜厚を求め、その膜厚のレジスト膜が形成される
    ようにレジスト膜形成条件を制御することを特徴とする
    請求項１７または請求項１８に記載のレジスト塗布装
    置。
20. 【請求項２０】 前記制御手段は、前記レジスト膜の膜
    厚と得られる回路パターンの線幅との関係に基づいて、
    レジスト膜の膜厚の変動に対して線幅の変動が少ない膜
    厚のレジスト膜が形成されるようにレジスト膜形成条件
    を制御することを特徴とする請求項１６から請求項１９
    のいずれか１項に記載のレジスト塗布装置。
21. 【請求項２１】 さらに、得られたレジスト膜の膜厚、
    および、得られた回路パターンの線幅の少なくとも一方
    を測定する測定装置を備え、前記制御手段は前記測定装
    置の測定値に応じて、レジスト膜形成条件を補正または
    較正することを特徴とする請求項１６から請求項２０の
    いずれか１項に記載のレジスト塗布装置。