JP2000340540A

JP2000340540A - 超臨界乾燥装置

Info

Publication number: JP2000340540A
Application number: JP11151360A
Authority: JP
Inventors: Toshio Nemoto; 利夫根本; Akio Sakazume; 秋郎坂爪; Hideo Ikutsu; 英夫生津; Kazuhiro Fujii; 和博藤井; Koichi Miyazawa; 宏一宮澤
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp; Hitachi Science Systems Ltd; Hitachi Koki Co Ltd
Current assignee: Koki Holdings Co Ltd; Nippon Telegraph and Telephone Corp; Hitachi Science Systems Ltd
Priority date: 1999-05-31
Filing date: 1999-05-31
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】反応処理室への半導体基板の出し入れが容易に
出来る超臨界乾燥装置を提供する。【解決手段】中空の反応処理室および反応処理室に通ず
る出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉め
する蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液処
理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界
乾燥装置にあって、半導体基板を保持し、かつ蓋体に支
持される基板保持部材と、この基板保持部材が反応処理
室に収まるように反応槽に蓋体を近接したり、反応室よ
り基板保持部材を抜き出すように蓋体を反応槽から離し
たりする蓋体の接離移動動作が回転を伴なわずに直線的
に行なわれるように案内する案内手段と、蓋体に接離移
動動作を加える駆動手段とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の洗
浄、エッチングもしくは微細パターンを形成するための
薬液処理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種の処理を行な
う超臨界乾燥装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術を図１０を引用して説明す
る。

【０００３】図１０に示すように反応槽１００の反応処
理室に半導体基板１０１を収納して薬液処理、洗浄処
理、乾燥処理を含む各種の処理をする。そして、例示す
るガスボンベ１０２の圧力で液化炭酸ガスを反応処理室
に注入し、さらにヒータ１０３で熱を加えて洗浄ないし
超臨界流体による乾燥処理を行なった後、減圧弁１０
４、流量計１０５を介して大気中に反応処理室の炭酸ガ
スを排気する。

【０００４】半導体基板１０１の出し入れに際し、蓋体
１０６を反応槽１００に締結する多数のボルト１０７を
外したり、締め付けたりしなければならなく、手間がか
かる。しかも、蓋体１０６は高圧に耐え厚手の鋼板で作
られているので重く取り扱いにくいのである。

【０００５】また反応処理室の底部が平坦で現像／リン
ス処理時に薬液が残留したり、現像／リンスが半導体基
板に全体に渡り平均的に噴射されなかったりする不具合
があった。各種の処理液や流体が反応処理室の上側だけ
から注入されるので、半導体基板は一方から押されて変
形ないし破損する。

【０００６】反応処理室には、高圧がかかるので反応槽
１００を鋼材で形成しているが、反応処理室の内面に機
械加工の傷が残ると、そこに応力が集中して反応槽１０
０が破壊する恐れがある。

【０００７】反応槽１００の加熱や冷却は、ヒータ１０
３やサーモモジュール１０８を外面に取付けたりしてい
たので、反応処理室に熱が伝わりにくかった。反応処理
に置かれる半導体基板は支持台に載置するだけで、固定
されないために処理液や流体の反応処理室内への注入に
より、半導体基板は振動して破損してしまう恐れがあ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点に対処し、次ぎのような目的をしようとするものであ
る。

【０００９】本発明の第１の目的は、反応処理室への半
導体基板の出し入れが容易に出来る超臨界乾燥装置を提
供するにある。

【００１０】本発明の第２の目的は、薬液等の残留をよ
り少なくできる超臨界乾燥装置を提供するにある。

【００１１】本発明の第３の目的は、薬液等が半導体基
板に全体に渡り平均的に噴射される超臨界乾燥装置を提
供するにある。

【００１２】本発明の第４の目的は、半導体基板の変形
ないし破損が生じにくい超臨界乾燥装置を提供するにあ
る。

【００１３】本発明の第５の目的は、反応処理室の内面
に機械加工の傷が残っても集中応力に対して丈夫な反応
槽の超臨界乾燥装置を提供するにある。

【００１４】本発明の第６の目的は、反応処理室に熱が
伝わり易い超臨界乾燥装置を提供するにある。

【００１５】本発明の第７の目的は、処理液や流体の反
応処理室内への注入により半導体基板の振動が生じにく
い超臨界乾燥装置を提供するにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の目的に対
する解決手段は、中空の反応処理室および反応処理室に
通ずる出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け
閉めする蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液
処理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨
界乾燥装置にあって、半導体基板を保持し、かつ蓋体に
支持される基板保持部材と、この基板保持部材が反応処
理室に収まるように反応槽に蓋体を近接したり、反応室
より基板保持部材を抜き出すように蓋体を反応槽から離
したりする蓋体の接離移動動作が回転を伴なわずに直線
的に行なわれるように案内する案内手段と、蓋体に接離
移動動作を加える駆動手段とを有することを特徴とする
ものである。

【００１７】本発明の第２の目的に対する解決手段は、
中空の反応処理室および反応処理室に通ずる出し入れ口
を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉めする蓋体を備
え、反応処理室内で半導体基板の薬液処理、洗浄処理、
乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界乾燥装置にあっ
て、反応処理室は、少なくとも下面側が中央部が低くな
る傾斜形状にしたことを特徴とするものである。

【００１８】本発明の第３の目的に対する解決手段は、
中空の反応処理室および反応処理室に通ずる出し入れ口
を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉めする蓋体を備
え、反応処理室内で半導体基板の薬液処理、洗浄処理、
乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界乾燥装置にあっ
て、反応処理室内の半導体基板に薬液や超臨界流体を注
入するスプレーを設け、スプレーの噴射口は、半導体基
板に噴射される噴射流がほぼ均一なるような構造に形成
したことを特徴とするものである。

【００１９】本発明の第４の目的に対する解決手段は、
中空の反応処理室および反応処理室に通ずる出し入れ口
を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉めする蓋体を備
え、反応処理室内で半導体基板の薬液処理、洗浄処理、
乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界乾燥装置にあっ
て、反応処理室に薬液や洗浄超臨界流体が注入する注入
口を設け、この注入口は反応処理室の上部中央および下
部中央に備えるか、もしくは反応処理室の側面でかつ反
応処理室に内位置される半導体基板の上下面に臨む二個
所に備えることを特徴とするものである。

【００２０】本発明の第５の目的に対する解決手段は、
ステンレス鋼で形成する反応槽に設ける反応処理室およ
び出し入れ口３を丈の低い横長溝に形成したことを特徴
とするものである。

【００２１】本発明の第６の目的に対する解決手段は、
中空の反応処理室および反応処理室に通ずる出し入れ口
を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉めする蓋体を備
え、反応処理室内で半導体基板の薬液処理、洗浄処理、
乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界乾燥装置にあっ
て、反応槽の内部に熱媒体を流通する熱媒体流通穴を備
えたことを特徴とするものである。

【００２２】本発明の第７の目的に対する解決手段は、
中空の反応処理室および反応処理室に通ずる出し入れ口
を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉めする蓋体を備
え、反応処理室内で半導体基板の薬液処理、洗浄処理、
乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界乾燥装置にあっ
て、半導体基板を保持したまま反応処理室に出し入れさ
れる基板保持部材を備え、基板保持部材に保持された半
導体基板を基板保持部材に抑えつける抑え具を基板保持
部材に設けたことを特徴とするものである。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、実施
形態を示す図を引用して以下に述べる。

【００２４】まず、図１、図２、図３に沿って超臨界乾
燥装置の全般について述べる。

【００２５】反応槽１は、ステンレス鋼材の鍛造物で形
成されているので機械的強度の高いものである。反応槽
１の内部に反応処理室２が備わる。反応処理室２は反応
槽１の側面から横方向に堀込んで形成されている。反応
処理室２に通ずる出し入れ口３は一つ備わる。反応槽１
は、基板４に支持足５、６を介して支持される。

【００２６】蓋体７は案内手段の案内軸８に支持され
る。案内軸８は、支持体９と反応槽１に形成した支持腕
１０との間に掛け渡して支持されている。支持体９は反
応槽１と同様に支持足１１を介して基板４に支持されて
いる。二本の案内軸８は、平行でしかも基板４と同様に
水平に置かれている。案内軸８の両端はナット１２、１
３で、支持腕１０および支持体９に締め付け固定されて
いる。蓋体７は案内軸８に摺動自在に支持され、接近し
たり、離れたりするように方向に動く。

【００２７】この動きは、直線的で、かつ蓋体７の回転
が伴わないものである。蓋体７はステンレス鋼材で形成
され、案内軸８との摺動部には滑り易く、摩耗に強いブ
ッシュ１４を備えている。

【００２８】支持体９の中央には、蓋体７を反応槽１に
押し付けたり、離したりする接離移動動作を加える駆動
手段としてのスクリューシャフト１５が備わる。ねじ込
み状態でスクリューシャフト１５が支持体９に取り付け
られているのである。スクリューシャフト１５の一端に
設けられた大径部１６は、蓋体７に回転自在に支持さ
れ、かつ止め板１７で抑えられている。大径部１６と蓋
体７の摺動部には摩耗を少なくするための処置が施され
ている。例えば、テフロン（登録商標）シートを介在さ
せている。

【００２９】スクリューシャフト１５の他端にはハンド
ル１８が備わる。ハンドル１８でスクリューシャフト１
５を回すことにより、蓋体７は反応槽１に近づけたり、
離したりすることができる。ハンドル１８に代えてモー
タで回したり、他の駆動手段で蓋体７を直接動かすよう
にしても良い。

【００３０】蓋体７には半導体基板１９を保持する基板
保持部材２０が支持される。基板保持部材２０は蓋体７
の前側に突き出す支持部２１に取り付けて、ねじ２１１
で固定する。この基板保持部材２０については、後でさ
らに詳しく述べる。

【００３１】反応槽１には反応処理室２に通ずる三つの
注入口２２、２３、２４が備わる。注入口２２は、反応
処理室２の上面中央に臨むように貫通するものである。
注入口２３は、反応処理室２の側面に臨むように貫通す
るものである。注入口２４は、反応処理室２の下面中央
に臨むように貫通するものである。

【００３２】薬液処理に供される現像液の薬液タンク２
５は、バルブ２６および配管等介して注入口２２に連通
している。また薬液タンク２５は、さらにバルブ２７、
２８および配管等を介して注入口２３に連通し、さらに
またバルブ２９および配管等を介して注入口２４に連通
している。現像液の薬液タンク２５の他にリンス、アル
コール、窒素、純水等の各種タンクが備わるのである。

【００３３】洗浄／乾燥処理に供される液化炭酸ガスの
ガスボンベ３０は、バルブ３１、加圧ポンプユニット３
２、バルブ３３および配管等を介して注入口２２に連通
される。このガスボンベ３０の注入口２３、２４への連
通は、薬液タンク２５の場合と同様にして行われる。

【００３４】廃液タンク３４はバルブ３５、流量計３
６、減圧弁３７、バルブ３８、バルブ２９および配管を
介して注入口２４に連通される。

【００３５】反応槽１の内部には多数の温水流通穴（熱
媒体流通穴）３９および冷水流通穴（熱媒体流通穴）４
０を備える。温水流通穴３９は反応処理室２に近い方に
位置している。温水流通穴（熱媒体流通穴）３９に連通
した温水チラー４１、冷水流通穴４０に連通した冷水チ
ラー４２で反応槽１の温度がコントロールされるのであ
る。

【００３６】次ぎに図４を加えて、反応処理室２および
出し入れ口３について詳しく述べる。

【００３７】図４は図２をＱ−Ｑの矢印し方向反応槽１
を見て表したもので、図示のとおり、出し入れ口３は丈
の低い横長の溝になっている。出し入れ口３の両端の側
面部４３は円弧形状にしている。しかも側面部４３の上
下丈が出し入れ口３の丈よりも少し高くしている。この
形状で出し入れ口３は、奥に延在して反応処理室２につ
づいているのである。反応処理室２および出し入れ口３
は横に形成しているが、縦にすることも可能である。

【００３８】反応処理室２は、点線で示すように、側面
部４３の上下から中央に向かうにしたがって丈が広がる
形状になっている。つまり、反応処理室２は、側面部が
出し入れ口３の側面部４３と同じ形状で、上面が中央に
向かって上り勾配の傾斜形状に、下面が中央に向かって
下り勾配の傾斜形状になって居るのである。反応処理室
２の上下面が傾斜形状にしたので、反応処理室２内の薬
剤や水滴の流れが良く、残留が少なくなる。

【００３９】また反応処理室２は、側面部、上下面が溌
水性の表面にしているので薬剤や水滴の付着が少なく、
水切れが良い。具体的にはフッソ樹脂コーティング処理
を施す。

【００４０】シールパッキング４４は反応処理室２をぐ
るりと囲うように反応槽１に備えられ、図３に示すよう
に出し入れ口３を蓋体７で閉じたときに反応処理室２の
気密を高めるのである。反応処理室２は、間口を広く掘
ったものとは違って、断面積の小さい細長形状であるた
め、シールパッキング４４は小さく、シールパッキング
４４の範囲が狭くなる分、気密性を高める上で有利であ
る。また反応処理室２の体積を小さくしたことから、反
応処理室２の内表面積が小さくなり、これにより受圧面
積が小さくなるため、反応処理室２の中から外に向けて
押し広げようとする全体的な力も小さくなるので、反応
槽１は強度の面でも有利である。反応処理室２は、切削
機械加工で形成するので、切削傷が残り場合がある。そ
の切削傷に応力が多少多めにかかっても、反応槽１自体
が強度の面で有利になっているので破損に耐えるもので
ある。また応力緩和を計るために粉末混入放電加工法に
より反応処理室２の内面を鏡面仕上げにすることが望ま
しい。反応処理室２および出し入れ口３の側面部は円弧
状になっているので、応力集中が緩和されるのである。

【００４１】次ぎに図２、図３、図５、図６に基づき、
基板保持部材２０について詳しく説明する。

【００４２】テフロン樹脂で形成又はステンレス材料に
テフロンコーティングを施して形成された基板保持部材
２０は、円形の保持穴４５と、半円弧の環状部４６と、
根本部４７を有し、根本部４７から環状部４６の先端ま
でほぼ同じ厚さで真っすぐ延在する形状になっている。
環状部４６の外周および根本部４７の両側面部は円弧形
状に形成されている。保持穴４５は、内周の中段に載置
突起４８を有する。この載置突起４８は複数個設けられ
ている。

【００４３】抑え具４９は、保持穴４５の上段に位置す
るように置かれ、基板保持部材２０にヒンジで開閉自在
に支持されている。抑え具４９には抑え突起５０が形成
されている。抑え具４９は、ステンレス鋼板で形成さ
れ、表面にフッソ樹脂コーティング処理を施している。

【００４４】半導体基板１９は、基板保持部材２０の載
置突起４８に支持される。半導体基板１９は回路形成面
が上側になるように載置する。半導体基板１９を載置し
た後、抑え具４９を図５に示すように閉じた状態で半導
体基板１９は基板保持部材２０と一緒に反応処理室２に
セットされ、各種の処理が行なわれるのであるが、半導
体基板１９は抑え具４９で抑えられているので、振動し
たり、動いたりすることがなく、変形や破損が生じない
のである。

【００４５】基板保持部材２０は、環状部４６の外周お
よび根本部４７の両側面部は円弧形状に形成されている
ので、反応処理室２の円弧形状をなす側面部および出し
入れ口３の円弧形状を側面部４３に座り良く収まる。こ
のため基板保持部材２０は反応処理室２および出し入れ
口３に安定した状態で保持され、各種の処理が行なわれ
る際に基板保持部材２０自体が振動してしまうような不
具合は生じないのである。

【００４６】基板保持部材２０は、根本部４７から環状
部４６の先端までほぼ同じ厚さで真っすぐ延在する形状
になっている。この基板保持部材２０を支持する蓋体７
が回転することなく、直線的に移動する移動動作で、基
板保持部材２０が反応処理室２に出入りするので、反応
処理室２の大きさは基板保持部材２０より若干大きい程
度の大きさに抑えることができるのである。このため、
前述したように小さな反応処理室２による強度上の有利
さを実現できたのである。

【００４７】図３に示すように反応処理室２に臨む注入
口２２の先端には、ノズル５１が備わる。ノズル５１
は、下方に向かって円錐状に拡がる噴出口を有する。さ
らにノズル５１には噴出口に向かって流れる流体に旋回
動作を加える螺旋状の流通が噴出口の手前に備わる。こ
のため、円錐状に拡がる噴出口から流体が噴出する際に
流体に旋回運動をしているので噴出流体は大きく拡がり
半導体基板の表面に均一に降りかかるのである。

【００４８】図３、図６に示すように基板保持部材２０
の環状部４６には、反応処理室２の側面に備わる注入口
２３に対向する位置に４つの流入噴出口５２が貫通する
ように形成されている。前述した半導体基板１９は上側
に配置された二つ流入噴出口５２と下側に配置された二
つの流入噴出口５２との間に位置するように置かれる。
注入口２３から供給されて流入噴出口５２から噴出する
流体は、半導体基板１９の上面と下面に分かれて両面に
沿うように流れるために半導体基板１９の上下面の圧力
が均一になるのである。

【００４９】次ぎに薬液処理、洗浄処理、乾燥処理を含
む各種処理に関し、要点をしぼって述べる。

【００５０】反応処理室２に基板保持部材２０をもって
半導体基板１９をセットした後、バルブ２６、バルブ２
７、バルブ２８、バルブ２９を開いて、薬液タンク２５
の現像液を反応処理室２に注入することにより、半導体
基板１９の現像は行なわれる。

【００５１】現像液の注入に際し、注入口２２の注入は
反応処理室２の上面から、注入口２２の注入は反応処理
室２の上面から、それぞれ一緒に行なわれるので、半導
体基板１９の上下面にかかる圧力は均衡が保たれ、半導
体基板１９を変形したり傷めたりすることは生じない。
また注入口２３から供給される現像液は、上下の流入噴
出口５２から半導体基板１９の上下面に沿うように流れ
るので半導体基板１９の上下面の圧力が均一になる。バ
ルブ２７を閉じることで、注入口２３および注入口２４
側からの注入は止めることができる。バルブ２９を閉じ
ることで、注入口２２、注入口２３からの注入にするこ
とができる。この場合、半導体基板１９の上下面の圧力
差が生じ易いので、関係する流路のバルブの開き加減を
工夫する必要がある。

【００５２】現像が済んだら、バルブ２９、バルブ３
８、バルブ３５を開いて廃液タンク３４に現像液を回収
する。この回収で、反応処理室２内の現像液が排出され
る際に、反応処理室２の下面は中央が低くなる傾斜にな
っているので良く排水され、残るようなことはない。上
面は、中央が高くなる傾斜になっているので、付着して
いる液滴は流れ落ちるので、液の残留はないのである。

【００５３】リンス、アルコール、窒素、純水等による
処理も上記と同様な要領で行なわれ、廃液タンク３４に
回収されるのである。

【００５４】最後に炭酸ガスによる洗浄／乾燥の処理が
行なわれる。

【００５５】バルブ３１、バルブ３３を開いて加圧ポン
プユニット３２による加圧注入を行なうと、反応処理室
２に液化炭酸ガスが入る。反応処理室２の圧力は６０気
圧程度の高圧で半導体基板１９の表面や反応処理室２内
に残留する不純物の洗浄が行なわれる。そして、その高
気圧のもとで反応処理室２の温度を２３℃程度から３５
℃程度まで高めると、液化炭酸ガスの液体が超臨界流体
の変化して乾燥が行なわれるのである。その後、バルブ
２９、バルブ３８、バルブ３５を開けて行くと、徐々に
反応処理室２の圧力が低下しながら超臨界流体から気体
に変わって廃液タンク３４に回収される。なお、超臨界
流体は圧力の低下にともなって気体になる性質がある。

【００５６】超臨界流体は、洗浄にも利用できる。高圧
／高温のもとで、超臨界流体を反応処理室２に送り込み
ながら、抜くことにより洗浄と乾燥を一緒にできるので
ある。

【００５７】次ぎに他の実施形態について図７、図８お
よび図９を引用して述べる。

【００５８】これらの図に示す基板保持部材５５は、前
述した基板保持部材２０と同様に円形の保持穴５６と、
半円弧の環状部５７と、根本部５８を有し、根本部５８
から環状部５７の先端までほぼ同じ厚さで真っすぐ延在
する形状になっている。保持穴５６の内側に取外し自在
なるアダプター５９が備わる。基板保持部材５５、アダ
プター５９はテフロン樹脂で形成されている。アダプタ
ー５９は、後述するサイズの小さな半導体基板を保持す
る場合に用いる。前述したサイズの大きい半導体基板１
９を保持する場合にはアダプター５９は不要である。

【００５９】根本部５８の両側にはガイド部６０を有す
る。ガイド部６０は、根本部５８の丈（板厚）より少し
径の大きい円弧形状に形成されている。環状部５７は、
外周側に円弧形状の側面部を有する。この側面部の円弧
は、ガイド部６０の円弧より少し径が小さく形成されて
いる。側面部の円弧の径は、根本部５８の丈（板厚）と
同じにしている。

【００６０】環状部５７の側面部には中心部を円周に沿
って走るように形成した流通溝６１を備え、流通溝６１
の左右中間に円形の受溝６２を形成している。流通溝６
１から斜め上方に向かって延在する旋回溝６３を環状部
５７の側面部に複数形成している。

【００６１】こうすることにより、注入口２３から円形
の受溝６２に入った流体は流通溝６１を流れて旋回溝６
３から斜め上に放出される。その放出流体で反応処理室
２の上面はよく洗われるのである。

【００６２】保持穴５６の内周側の中段には載置段部６
４が備わる。この載置段部６４に前記アダプター５９が
載置されるのである。アダプター５９の内周端には載置
突起部６５が複数設けられる。載置突起部６５の上面
は、保持穴５６の載置段部６４にアダプター５９を載置
した際に、載置段部６４の上面と同一レベルなるように
している。

【００６３】抑え具６６は、保持穴５６の上段に位置す
るように置かれ、基板保持部材５５にヒンジで開閉自在
に支持されている。抑え具６６には抑え突起６７が形成
されている。抑え具６６は、ステンレス鋼板で形成さ
れ、表面にフッソ樹脂コーティング処理を施している。
抑え具６６には、ヒンジの反対側に取っ手６８を備え、
止めねじ６９で取っ手６８を抑え具６６に止めている。
取っ手６８の上外周側はガイド部６０の円弧と面一にし
ている。

【００６４】さて、アダプター５９の載置突起部６５に
小サイズの半導体基板７０を載置し、抑え具６６を閉じ
ることで、半導体基板７０は抑え突起６７で抑えられて
基板保持部材５５に保持されることになるのである。

【００６５】前述したように載置突起部６５の上面が載
置段部６４の上面と同一レベルになるようにしているの
で、アダプター５９を用いても、用いなくとも基板保持
部材５５に保持される半導体基板１９ないし小サイズ半
導体基板７０は、同じ高さのところに支持されるように
したものである。このため、抑え具６５の抑え突起６７
による抑えは、半導体基板１９の場合でも小サイズ半導
体基板７０の場合でも同じように確実に抑えることがで
きるのである。

【００６６】また取っ手６８の上外周側がガイド部６０
の円弧と面一にしているので、基板保持部材５５を反応
処理室２にセットしたときに、取っ手６７が反応処理室
２の円弧形状をなす側面部ないし出し入れ口３の円弧形
状をなす側面部４３に当接するようになる。このため、
抑え具６５の閉じ状態が拘束され、半導体基板１９、７
０の保持がより確実に行われるのである。

【００６７】

【発明の効果】以上に述べたとおり、本発明によるば、
反応処理室への半導体基板の出し入れがしやすく、薬液
等の残留少なく、薬液等の半導体基板への噴射が平均に
良く行われる。また半導体基板の変形ないし破損が生じ
なく、丈夫で反応槽が破損することがなく、反応処理室
への熱の伝わりよく、反応処理室での処理時に半導体基
板の振動がしない等の優れた超臨界乾燥装置を提供する
ことができるのである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態にかかるもので、超臨界乾
燥装置の正面図である。

【図２】本発明の一実施形態にかかるもので、超臨界乾
燥装置の平面図である。

【図３】本発明の一実施形態にかかるもので、反応槽の
拡大図である。

【図４】本発明の一実施形態にかかるもので、図２をＱ
−Ｑの矢印方向から見た図である。

【図５】本発明の一実施形態にかかるもので、図４に示
す反応槽に半導体基板および基板保持部材を加えた図で
ある。

【図６】本発明の一実施形態にかかるもので、図２をＰ
矢印方向から見た図である。

【図７】本発明の他の実施形態にかかるもので、基板保
持部材の平面図である。

【図８】本発明の他の実施形態にかかるもので、図７の
Ａ−Ａ断面図である。

【図９】本発明の他の実施形態にかかるもので、図７を
Ｒ矢印方向から見た図である。

【図１０】従来例を示す図である。

【符号の説明】

１…反応槽、２…反応処理室、３…出し入れ口、７…蓋
体、１５…スクリューシャフト１５、１９…半導体基
板、２０…基板保持部材、２５…薬液タンク２５、３０
…ガスボンベ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者根本利夫茨城県ひたちなか市武田1060番地日立工機株式会社内 (72)発明者坂爪秋郎茨城県ひたちなか市武田1060番地日立工機株式会社内 (72)発明者生津英夫東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内 (72)発明者藤井和博茨城県ひたちなか市大字1040番地株式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者宮澤宏一茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地株式会社日立サイエンスシステムズ内Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB42 AB47 BB02 BB24 BB32 BB62 BB90 BB91 BB92 BB99 CC01 CC12 CD22 3L113 AA01 AB02 AB05 AC01 AC20 AC45 AC46 AC48 AC49 AC54 AC57 AC63 AC67 AC75 AC76 AC77 AC79 AC90 BA34 DA02 DA07 DA18 DA24 DA30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】中空の反応処理室および反応処理室に通
ずる出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉
めする蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液処
理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界
乾燥装置において、半導体基板を保持し、かつ蓋体に支持される基板保持部
材と、この基板保持部材が反応処理室に収まるように反応槽に
蓋体を近接したり、反応室より基板保持部材を抜き出す
ように蓋体を反応槽から離したりする蓋体の接離移動動
作が回転を伴なわずに直線的に行なわれるように案内す
る案内手段と、蓋体に接離移動動作を加える駆動手段とを有することを
特徴とする超臨界乾燥装置。
【請求項２】中空の反応処理室および反応処理室に通
ずる出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉
めする蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液処
理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界
乾燥装置において、反応処理室は、少なくとも下面側が中央部が低くなる傾
斜形状にしたことを特徴とする超臨界乾燥装置。
【請求項３】請求項１または２に記載したものにおい
て、反応処理室は水をはじく溌水表面にしたことを特徴
とする超臨界乾燥装置。
【請求項４】請求項３に記載したものにおいて、溌水
表面をフッ素樹脂コーティングで形成したことを特徴と
する超臨界乾燥装置。
【請求項５】中空の反応処理室および反応処理室に通
ずる出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉
めする蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液処
理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界
乾燥装置において、反応処理室内の半導体基板に薬液や超臨界流体を注入す
るスプレーを設け、スプレーの噴射口は、半導体基板に
噴射される噴射流がほぼ均一なるような構造に形成した
ことを特徴とする超臨界乾燥装置。
【請求項６】中空の反応処理室および反応処理室に通
ずる出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉
めする蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液処
理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界
乾燥装置において、反応処理室に薬液や洗浄超臨界流体が注入する注入口を
設け、この注入口は反応処理室の上部中央および下部中
央に備えるか、もしくは反応処理室の側面でかつ反応処
理室に内位置される半導体基板の上下面に臨む二個所に
備えることを特徴とする超臨界乾燥装置。
【請求項７】中空の反応処理室および反応処理室に通
ずる出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉
めする蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液処
理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界
乾燥装置において、反応処理室および出し入れ口は、側面部を円弧形状に形
成し、半導体基板を保持したまま反応処理室に出し入れ
される基板保持部材は外縁を反応処理室および出し入れ
口の側面部に合う円弧形状にしたことを特徴とする超臨
界乾燥装置。
【請求項８】中空の反応処理室および反応処理室に通
ずる出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉
めする蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液処
理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界
乾燥装置において、反応槽の内部に熱媒体を流通する熱媒体流通穴を備えた
ことを特徴とする超臨界乾燥装置。
【請求項９】中空の反応処理室および反応処理室に通
ずる出し入れ口を有する反応槽と、出し入れ口を開け閉
めする蓋体を備え、反応処理室内で半導体基板の薬液処
理、洗浄処理、乾燥処理を含む各種処理を行なう超臨界
乾燥装置において、半導体基板を保持したまま反応処理室に出し入れされる
基板保持部材を備え、基板保持部材に保持された半導体
基板を基板保持部材に抑えつける抑え具を基板保持部材
に設けたことを特徴とする超臨界乾燥装置。