KR0121319Y1 - 세정액 분사노즐 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 웨이퍼의 세정을 위한 세정액 분사용 노즐을 개시한다.
본 고안은 분사헤드의 내부에 세정액의 흐름에 따라 유동되는 진동추를 설치하여 웨이퍼의 표면에 분사되는 세정액을 진동시켜 진동하는 세정액으로 웨이퍼 표면의 요철부의 경사면에 묻어있는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 구성을 갖는다.
Description
제1도는 일반적인 세정액 분사노즐과 웨이퍼의 상호 관계를 도시한 개략적인 구성도.
제2도는 제1도 A부의 부분단면도.
제3도는 본 고안과 웨이퍼의 상호관계를 도시한 개략적인 구성도.
제4도는 제3도 B부의 부분 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 및 10:분사노즐 11:노즐헤드
C:챔버 W:웨이퍼
12:진동추 P:불순물
본 고안은 세정액 분사노즐에 관한 것으로서, 특히 내부에 진동추를 설치하여 세정액에 진동 요인을 제공하여 완벽한 세정 효과를 얻을 수 있는 세정액 분사노즐에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에 있어서, 각 단계의 공정이 완료된 후 각 공정 과정에서 표면에 묻게 되는 이물질을 제거하기 위하여 웨이퍼의 세정(洗淨) 공정을 실시하게 된다.
일반적으로 웨이퍼 세정은 세정액으로 사용되는 순수(純水:Deionized Water)를 웨이퍼의 표면에 고압의 상태로 분사시킴으로서 이루어지며, 이에 사용되는 것이 세정액 분사노즐이다.
제1도는 일반적인 세정액 분사노즐과 웨이퍼의 상호 관계를 도시한 개략적인 구성도, 제2도는 제1도 A부의 부분 단면도로서, 분사노즐(1)은 웨이퍼(W)에 대하여 일정 각도 경사진 상태로 설치됨과 동시에 제1도에 도시된 화살표 방향으로 이동하면서 고압의 세정액을 챔버(C) 내에서 일정 속도로 회전하는 웨이퍼(W) 표면에 분사시키는 상태를 도시한다.
웨이퍼(W), 특히 표면에 실리사이드를 증착시키는 실리사이드 증착(Silicide Deposition) 공정 후의 웨이퍼(W) 표면에는 제2도에 도시된 바와 같이 울퉁불퉁한 요철 형태의 단차(Topology)가 형성되며, 이 단차로 인하여 고압으로 분사되는 세정액으로는 만족할 만한 세정 효과를 기대하기 어렵다.
즉, 제2도에서, 웨이퍼(W) 표면 요철부의 경사면에 묻어있는 미세한 불순물(P)은 고압으로 분사되는 세정액으로도 완전하게 제거하기가 어렵게 되며, 특히, 분사노즐(1)은 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 일정 각도 경사진 상태로 설치되기 때문에 상기 문제점(일정 각도를 유지한 상태로 분사되는 세정액으로 인한 웨이퍼 요철부의 경사면에 묻어있는 불순물의 불완전한 제거)을 가중시킨다.
결국, 웨이퍼(W) 표면에 잔존하는 불순물(P)은 최종 제품의 전기적 특성에 심각한 영향을 미치게 되며, 이와 함께 고압으로 분사되는 세정액으로 인하여 웨이퍼(W) 표면에 형성된 각종 구조가 손상될 수도 있어 불량의 원인이 되기도 한다.
본 고안은 웨이퍼 세정에 수반되는 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 분사되는 세정액에 진동 요인을 제공하여 세정액의 진동으로 웨이퍼 표면에 묻어 있는 모든 불순물을 제거할 수 있는 세정액 분사노즐을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 실현하기 위한 본 고안은 분사노즐을 세정액이 웨이퍼 표면에 대하여 수직으로 분사될 수 있도록 설치하고, 노즐헤드의 내부에 상하 및 좌우 방향으로 유동할 수 있는 진동추를 설치한 것을 그 요지로 한다.
이하, 본 고안을 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명한다.
제3도는 본 고안과 웨이퍼의 상호 관계를 도시한 개략적인 구성도, 제4도는 제3도 B부의 부분 단면도로서, 본 고안의 가장 큰 특징은 세정액이 웨이퍼(W) 표면에 대하여 수직으로 분사될 수 있도록 설치한 것과, 세정액에 고압을 부여하는 노즐헤드(11)의 내부에 상하 및 좌우 방향으로 유동할 수 있는 진동추(12)를 설치한 것이다.
이와 같은 분사노즐(10)을 통하여 챔버(C)내에서 회전하는 웨이퍼(W) 표면에 세정액을 분사할 경우 얻어지는 효과를 설명하면 다음과 같다.
A. 분사노즐(10)은 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 수직으로 설치됨과 동시에 수평 방향으로 이동하는 상태로 세정액을 분사하기 때문에 단차가 형성된 웨이퍼(W)의 전표면, 특히 요철부의 경사면에 묻어있는 미세한 불순물(P)까지도 완전하게 제거할 수 있다.
B. 세정액은 웨이퍼(W)로 분사되기 직전에 노즐헤드(11) 내부에 설치된 진동추(12)와 접촉하게 되며, 따라서 진동추(12)에 의하여 세정액에는 일반적인 노즐에 의하여 얻어지는 압력보다는 비교적 낮은 압력이 걸리게 됨과 동시에 세정액의 유동으로 인하여 유동하는 진동추(12)에 의하여 세정액에는 소정이 파장이 전달되어진다. 따라서, 소정의 파장을 갖는 세정액, 진 진동(振動) 상태의 세정액은 웨이퍼(W)로 분사되며, 웨이퍼(W) 표면에 묻어있는 미세 불순물(P)은 세정액의 진동으로 인하여 완전하게 제거되어진다. 또한, 진동추(12)에 의하여 세정액은 비교적 낮은 압력상태로 분사됨으로서 웨이퍼(W) 표면에 발생할 수 있는 손상을 최소화시킬 수 있다.
이상과 같은 구성 및 기능을 갖는 본 고안은 진동하는 세정액을 이용함으로서 효과적으로 불순물을 제거할 수 있으며, 수직 상태로 설치된 노즐에서 분사된 세정액은 단차의 경사면에 묻어있는 불순물도 완전하게 제거함으로서 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Claims (1)
- 웨이퍼의 상부에 설치되어 분사되는 세정액으로 웨이퍼의 표면을 세정하는 세정액 분사노즐에 있어서, 세정액이 웨이퍼 표면에 대하여 수직으로 분사될 수 있도록 분사노즐을 설치하고, 상기 세정액이 분사되는 노즐헤드의 내부에 상하 및 좌우 방향으로 유동할 수 있는 진동추를 설치하여 분사되는 상기 세정액이 진동할 수 있도록 구성한 것을 특징으로 하는 세정액 분사노즐.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR2019940016604U KR0121319Y1 (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 세정액 분사노즐 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR2019940016604U KR0121319Y1 (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 세정액 분사노즐 |
Publications (2)
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KR960006314U KR960006314U (ko) | 1996-02-17 |
KR0121319Y1 true KR0121319Y1 (ko) | 1998-08-01 |
Family
ID=19387701
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KR2019940016604U KR0121319Y1 (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 세정액 분사노즐 |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
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KR100835516B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학 기계적 연마공정의 메가소닉 세척장치 및 이를이용한 세척방법 |
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1994
- 1994-07-06 KR KR2019940016604U patent/KR0121319Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR960006314U (ko) | 1996-02-17 |
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