KR19980064247U - 반도체 세정장비의 노즐 플레이트 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 세정장비의 노즐 플레이트에 관한 것으로, 종래에는 웨이퍼의 세정 공정을 수행하는 DI가 식각 공정을 수행하는 과정에서 컵월부(CUP WALL)에 묻은 케미칼을 깨끗이 씻어주지 못하고 상단과 중단에 케미칼을 남기게 되어 이물의 발생원인이 되는 문제점이 있었던바, 본 고안의 반도체 세정장비의 노즐 플레이트는 웨이퍼 스테이지부의 중심부에 DI를 분사하도록 설치되는 제 1 노즐 분사구와, 웨이퍼 스테이지부의 측부에 설치된 컵월부의 상단 내벽에 묻은 케미칼을 씻어 내도록 소정의 각도로 경사지게 설치되는 제 2 노즐 분사구를 포함하여 구성됨으로써, 웨이퍼에 남아있는 잔여 케미칼과 이물을 쉽게 제거할 수 있으며, 컵월부에 묻은 케미칼을 제거하여 컵월부의 내벽을 깨끗이 할 수 있게 한 것이다.

Description

반도체 세정장비의 노즐 플레이트

본 고안은 반도체 세정장비의 노즐 플레이트에 관한 것으로, 특히 식각 공정 후 잔여 케미칼 및 이물을 효과적으로 제거하기 위한 반도체 세정장비의 노즐 플레이트에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 디바이스를 제조하는 공정에서 금속 배선 건식각 공정을 수행하고 난 후 웨이퍼에 남아있는 폴리머(polymer)나 이물질을 제거하기 위해 스핀(SPIN) 방식의 웨트 스테이션 타입 세정장비를 사용한다.

종래의 반도체 세정장비는, 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼를 얹어 놓는 웨이퍼 스테이지부(1)와, 상기 웨이퍼 스테이지부(1)의 측부에 설치되는 컵월부(CUP WALL)(2)와, 세정 공정을 수행하는 순수(이하, DI라 한다)를 분사하는 DI 노즐 플레이트(3a)와, 식각 공정을 수행하는 케미칼(chemical)을 분사하는 케미칼 노즐부(6)와, 식각 공정을 마친 케미칼과 세정 공정을 마친 DI를 밖으로 배출시키는 배출구(7)로 구성된다.

DI 노즐 플레이트(3a)는 DI를 분사하는 분사구(4a)가 1개 장착되어 있다.

상기와 같은 구성의 반도체 세정장비의 작동을 설명하면 다음과 같다.

금속 배선 건식각 공정을 마친 웨이퍼(미도시됨)는 웨이퍼 스테이지부(1)에 안착되고, 상기 케미칼 노즐부(6)가 60°회전하여 케미칼 공급 라인으로부터 케미칼을 분사함으로써 식각 공정을 수행한다.

이때, 웨이퍼 스테이지부(1)는 자체 회전하여 분사되는 케미칼을 웨이퍼의 전표면에 골고루 적셔주고 배출구(7)로 흘러나가게 된다.

케미칼의 분사가 끝난 후 케미칼 노즐부(6)는 제위치로 복귀하고 DI 노즐 플레이트(3a)가 60°회전하여 웨이퍼에 DI를 분사하면서 잔여 케미칼을 씻어주게 된다.

DI 분사시에도 웨이퍼 스테이지부(1)는 자체 회전하여 웨이퍼의 중심에서부터 바깥쪽으로 케미칼 및 이물을 씻어주게 된다.

그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 세정장비는 식각 공정에서 웨이퍼 스테이지부(1)의 측부에 설치되는 컵월부(2)에 케미칼이 묻게되고, 세정 공정시 DI가 컵월부(2)의 하단부분만 씻어주게 되어 컵월부(2)의 상단과 중단에 케미칼을 남기게 되는 문제점이 있었다.

상기와 같이 세정 공정시 제거되지 못하고 컵월부(2)에 남은 케미칼은 이물질의 근원이 되는 문제점이 있었던바, 이에 대한 보완이 요구되어 왔다.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, DI 노즐 분사구를 추가로 형성하여 DI의 분사를 웨이퍼의 중심과 바깥쪽에 골고루 분사하고 웨이퍼의 회전력에 의해 세정 공정이 진행되는 동안 케미칼이 묻은 컵월부의 내벽을 깨끗이 씻어줄 수 있는 반도체 세정장비의 노즐 플레이트를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 반도체의 식각장비 및 세정장비를 개략적으로 도시한 도,

도 2는 본 고안의 반도체의 식각장비 및 세정장비를 개략적으로 도시한 도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1; 웨이퍼 스테이지부 2; 컵월부(CUP WALL)

3; DI 노즐 플레이트4; 제 1 노즐 분사구

5; 제 2 노즐 분사구 6; 케미칼 노즐부

7; 배출구

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 웨이퍼 스테이지부의 중심부에 DI를 분사하도록 설치되는 제 1 노즐 분사구와, 상기 웨이퍼 스테이지부의 측부에 설치된 컵월부의 상단 내벽에 묻은 케미칼을 씻어 내도록 소정의 각도로 경사지게 설치되는 제 2 노즐 분사구를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 세정장비의 노즐 플레이트가 제공된다.

이하, 본 고안의 반도체 세정장비의 노즐 플레이트의 일실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.

본 고안의 반도체 세정장비는, 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼를 얹어 놓는 웨이퍼 스테이지부(1)와, 상기 웨이퍼 스테이지부(1)의 양측에 설치되는 컵월부(CUP WALL)(2)와, 세정 공정을 수행하는 DI를 분사하는 DI 노즐 플레이트(3)와, 식각 공정을 수행하는 케미칼(chemical)을 분사하는 케미칼 노즐부(6)와, 식각 공정을 마친 케이칼과 세정 공정을 마친 DI를 밖으로 배출시키는 배출구(7)로 구성되는 것은 종래와 동일하다.

상기 DI 노즐 플레이트(3)는 웨이퍼 스테이지부(1)의 중심부에 DI를 분사하도록 설치되는 제 1 노즐 분사구(4)와, 상기 웨이퍼 스테이지부(1)의 측부에 설치된 컵월부(2)의 내벽에 묻은 케미칼을 씻어 내도록 상기 웨이퍼 스테이지부(1)의 가장자리에 소정의 각도로 경사지게 설치되는 제 2 노즐 분사구(5)로 구성된다.

상기와 같은 구성의 반도체 세정장비의 작동을 설명하면 다음과 같다.

금속 배선 건식각 공정을 마친 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지부(1)에 안착되고, 상기 케미칼 노즐부(6)가 60°회전하여 케미칼 공급 라인으로부터 케미칼을 분사함으로 식각 공정을 수행한다.

이때, 웨이퍼 스테이지부(1)는 자체 회전하여 분사되는 케미칼을 웨이퍼의 전표면에 골고루 적셔주고 배출구(7)로 흘러나가게 된다.

케미칼의 분사가 끝난 후 케미칼 노즐부(6)는 제위치로 복귀하고 DI 노즐 플레이트(3)가 60°회전하여 웨이퍼에 DI를 분사하면서 잔여 케미칼을 씻어주게 된다.

상기 DI 노즐 플레이트(3)의 제 1 노즐 분사구(4)는 웨이퍼 스테이지부(1)의 중심부의 상부에 위치하도록 설치되어 있으므로 DI가 분사되면 종래와 같이 웨이퍼에 남아있는 잔여 케미칼 및 이물을 씻어내게 된다.

또한, DI 노즐 플레이트(3)의 제 2 노즐 분사구(5)는 상기 웨이퍼 스테이지부(1)의 가장자리에 소정의 각도로 경사지게 설치되어 있으므로, DI가 분사되면 그 분사되는 각도에 의해 웨이퍼에 부딪히고 나서 컵월부(2)의 보다 상단에 부딪히게 되므로 컵월부의 하단뿐만 아니라 상단과 중단도 씻어줄 수 있게 된다.

본 고안의 반도체 세정장비의 노즐 플레이트에 의하면 웨이퍼에 남아있는 잔여 케미칼과 이물을 쉽게 제거할 수 있으며, 웨이퍼 스테이지부의 측면에 설치되는 컵월부의 중단과 상단의 이물을 제거할 수 있어 깨끗한 세정 공정을 수행할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 웨이퍼 스테이지부의 중심부에 순수를 분사하도록 설치되는 제 1 노즐 분사구와, 상기 웨이퍼 스테이지부의 측부에 설치된 컵월부의 상단 내벽에 묻은 케미칼을 씻어 내도록 소정의 각도로 경사지게 설치되는 제 2 노즐 분사구를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 세정장비의 노즐 플레이트.