KR200244927Y1 - 반도체웨이퍼현상장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 현상장치에 관한 것으로, 종래 웨이퍼 현상장치는 웨이퍼에 현상액을 분사하여 현상하는 방식으로서, 웨이퍼에 현상액을 분사시 수 마이크로 크기의 기포(Bubble)가 발생하여 고집적화되어 가는 웨이퍼의 미세패턴 형성이 잘 이루어지지 않는 바, 이에 본 고안은 캐치컵(10) 내부에 일정량의 현상액을 저장할 수 있는 현상액배스(20)를 설치하고, 그 현상액배스(20) 내부에 스핀들(41)에 연결되어 회전가능하도록 웨이퍼척(30)을 설치하고, 그 웨이퍼척(30) 상면에 웨이퍼(W)를 장착하여 디핑방식으로 현상공정을 진행함으로써, 현상공정시 기포 발생에 의한 현상불량을 방지하고 선폭균일도를 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 현상장치

본 고안은 반도체 웨이퍼 현상장치에 관한 것으로, 특히 기포에 의한 현상불량을 방지하여 패턴의 선폭균일도(Critical Dimension Uniformity)를 향상시키기 위해 웨이퍼를 디핑(Dipping)하는 방식의 현상장치에 관한 것이다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 현상장치의 구조를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 웨이퍼 현상장치는 상측이 개구된 일정 공간의 캐치컵(1) 내부에 파지된 웨이퍼를 장착하기 위한 웨이퍼척(2)이 설치되어 있고, 그 웨이퍼척(2)의 하부에는 구동수단(4)에 의해 회전하는 스핀들(3)이 연결 설치되어 있으며, 상기 캐치컵(1)의 상부에는 상기 웨이퍼척(2)에 고정된 웨이퍼의 표면에 현상액을 분사하는 현상액노즐(6)과 세정액을 웨이퍼의 표면에 분사하기 위한 세정액노즐(7)이 설치되어 구성된다.

그리고 상기 캐치컵(1)의 하부에는 상기 구동수단(4)에 연결 설치된 스핀들(3)의 주위로 현상액 및 세정액이 배출되도록 배출구(5)가 형성되어 있다.

이와 같이 구성된 종래 웨이퍼 현상장치의 작동을 보면 다음과 같다.

일단 감광제가 도포되어 감광된 상태의 웨이퍼가 웨이퍼척(2)에 놓여져 진공작용에 의해 고정된 상태에서 현상액노즐(6)이 웨이퍼의 표면에 현상액을 분사하여 현상작업을 실시하게 된다.

일정 시간의 현상작업이 완료되면 세정액노즐(7)을 통해 세정액이 분사되어 현상작업시 발생한 이물들을 제거한다.

이와 같이 세정공정을 완료하면 구동수단(4)에 의해 스핀들(3)이 회전하게 되고, 그 스핀들(3)에 연결 설치된 웨이퍼척(2)이 회전함에 따라 웨이퍼에 남아 있는 세정액을 건조시키며, 건조공정이 끝나면 웨이퍼(W)는 굽기공정이 진행된다.

그러나, 상기와 같은 종래 웨이퍼 현상장치는 웨이퍼(W)에 현상액을 분사하여 현상하는 방식으로서, 웨이퍼(W)에 현상액을 분사시 수 마이크로 크기의 기포(Bubble)가 발생하여 고집적화되어 가는 웨이퍼(W)의 미세패턴 형성이 잘 이루어지지 않는 문제점이 있었다.

따라서, 본 고안은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 디핑방식으로 현상공정을 진행함으로써 기포가 발생하는 것을 방지하여 웨이퍼의 선폭균일도를 향상시켜 제품에 대한 신뢰도를 향상시키는데 적합한 반도체 웨이퍼 현상장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 현상장치의 구조를 보인 단면도,

도 2는 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치의 구조를 보인 단면도.

** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **

10 ; 캐치컵 20 ; 현상액배스

21 ; 공급라인 22 ; 배출라인

30 ; 웨이퍼척 40 ; 구동수단

41 ; 스핀들 50 ; 세정액노즐

상기 목적을 달성하기 위하여 캐치컵 내부에 일정량의 현상액을 저장할 수 있는 현상액배스를 설치하고, 상기 현상액배스의 내부에는 스핀들에 연결되어 회전가능한 웨이퍼 척을 설치하며, 상기 현상액배스의 하부 일측에는 현상액배스 내부로 현상액을 공급하기 위한 공급라인을 연통 설치하고, 타측에는 현상액배스 내부의 현상액을 외부로 배출하기 위한 배출라인을 연통 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 현상장치가 제공된다.

이하, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 고안에 의한 웨이퍼 현상장치의 구조를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치는 현상공정시 현상액이 외부로 분출되는 것을 방지하기 위한 캐치컵(10)이 설치되고, 그 캐치컵(10)의 내부에는 일정량의 현상액을 담아 놓는 현상액배스(20)가 설치되고, 그 현상액배스(20)의 내부에는 웨이퍼(W)를 장착하기 위한 웨이퍼척(30)이 설치되고, 그 웨이퍼척(30)의 저면 중앙에는 구동수단(40)에 의해 회전 가능하도록 스핀들(41)이 연결 설치되며, 상기 캐치컵(10)의 상부에는 현상공정 후 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하기 위한 세정액노즐(50)이 설치된다.

그리고 상기 현상액배스(20)의 저면 일측에는 현상공정시 현상액배스(20) 내부로 현상액을 공급하는 공급라인(21)이 연통 설치되고, 타측에는 현상공정을 완료하여 내부에 저장된 현상액을 외부로 배출하기 위한 배출라인(22)이 연통 설치된다.

상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치의 작용에 대해서 설명하면 다음과 같다.

일단 감광제가 도포되어 감광된 상태의 웨이퍼(W)가 웨이퍼척(30)에 놓여져 진공작용에 의해 고정된 상태에서, 공급라인(21)에 의해 현상액배스(20) 내부로 현상액을 공급하여 현상액배스(20) 내부에 일정량의 현상액이 저장되면 현상작업을 실시하게 된다.

일정 시간의 현상작업이 완료되면 현상액배스(20)는 하강하고, 상기 현상액배스(20) 내부에 저장된 현상액은 배출라인(22)을 통해 외부로 배출하게 되며, 캐치컵(10) 상부에 설치된 세정액노즐(50)을 통해 웨이퍼(W)에 세정액이 분사되어 현상작업시 발생한 이물들을 제거한다.

이와 같이 세정공정을 완료하면 구동수단(40)에 의해 스핀들(41)이 회전하게 되고, 그 스핀들(41)에 연결 설치된 웨이퍼척(30)이 회전함에 따라 웨이퍼(W)에 남아 있는 세정액을 건조시키며, 건조공정이 끝나면 캐치컵(10)이 하강하여 웨이퍼척(30)에 얹혀진 웨이퍼(W)는 도시되지 않은 이송수단에 의해 굽기공정으로 이송된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치는 웨이퍼척에 장착된 웨이퍼를 일정량의 현상액이 저장되어 있는 현상액배스 내부에서 디핑하는 방식으로서, 현상공정시 기포 발생에 의한 현상불량을 방지하고 선폭균일도를 향상시키는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 캐치컵 내부에 일정량의 현상액을 저장할 수 있는 현상액배스를 설치하고, 상기 현상액배스의 내부에는 스핀들에 연결되어 회전가능한 웨이퍼 척을 설치하며, 상기 현상액배스의 하부 일측에는 현상액배스 내부로 현상액을 공급하기 위한 공급라인을 연통 설치하고, 타측에는 현상액배스 내부의 현상액을 외부로 배출하기 위한 배출라인을 연통 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 현상장치.