KR100672928B1 - 포토레지스터 코팅 설비 - Google Patents

포토레지스터 코팅 설비 Download PDF

Info

Publication number
KR100672928B1
KR100672928B1 KR1020000027073A KR20000027073A KR100672928B1 KR 100672928 B1 KR100672928 B1 KR 100672928B1 KR 1020000027073 A KR1020000027073 A KR 1020000027073A KR 20000027073 A KR20000027073 A KR 20000027073A KR 100672928 B1 KR100672928 B1 KR 100672928B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
holes
opening
chemical liquid
supply line
Prior art date
Application number
KR1020000027073A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010105108A (ko
Inventor
허승만
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020000027073A priority Critical patent/KR100672928B1/ko
Publication of KR20010105108A publication Critical patent/KR20010105108A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100672928B1 publication Critical patent/KR100672928B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 포토레지스터 코팅 설비에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스터 코팅 설비는 반도체 웨이퍼 상에 약액을 분사하기 위한 분사 노즐과; 약액 분사 공정의 전후에 상기 분사 노즐에 묻어 있는 약액 파티클을 세정하기 위한 수단을 갖는다. 이와 같은 포토레지스터 공정 설비에 의하면, 약액 분사 공정 전후에 상기 분사 노즐에 묻어있는 이물질 등을 세정함으로 약액 분사 공정시 오염된 분사 노즐로 인한 코팅 불량을 사전에 예방할 수 있다.

Description

포토레지스터 코팅 설비{PHOTORESIST COATING EQUIPMENT}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스터 코팅 설비를 개략적으로 설명하기 위한 도면;
도 2는 도 1에 도시된 스탠바이 용기를 설명하기 위한 도면;
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스터 코팅 설비의 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
102 : 캐치 컵 104 : 스핀 척
110 : 분사 노즐 112 : 팁
120 : 액츄에이터 130 : 노즐 스탠바이 용기
132 : 오프닝 142 : 제 1 홀
144 : 제 2 홀 146 : 신나 공급라인
148 : 질소가스 공급라인 180 : 반도체 웨이퍼
본 발명은 반도체 공정 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 포토레지스터 코팅 설비에 관한 것이다.
반도체 디바이스와 액정 디스플레이 디바이스의 포토리소그라픽 공정에서 원하는 회로 패턴은 상기 반도체 웨이퍼와 액정 디스플레이 기판에 레지스트를 코팅하고, 상기 코팅된 레지스트를 빛에 노광시킨다. 그리고 현상액으로 노광된 레지스트를 현상시킨다. 이와 같은 기술은 Kiba et al.에 의한 U.S.Pat. No. 5,866,307에 개시되어 있다.
상기 포토레지스터 코팅 설비에서 반도체 웨이퍼 상에 감광액을 분사하기 위한 분사노즐은 감광액이 반도체 웨이퍼에 도포 되면서 발생되는 감광액의 품(fume) 성분이 묻으면서 오염된다. 특히, 상기 분사 노즐은 반도체 웨이퍼의 감광액 코팅 공정 전후에 실시하는 더미 디스펜스 모드(dummy dispense mode) 동작시 기포와 감광액이 분사될 때 발생되는 감광액의 튀는 현상으로 감광액이 노즐의 팁 부분에 묻으면서 오염된다. 이러한 상기 분사 노즐의 오염은 불안정한 분사로 인한 감광액 코팅 불량을 유발시키는 주요 원인으로 작용하게 된다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 분사 노즐의 오염으로 인한 공정 불량을 방지할 수 있는 새로운 형태의 반도체 공정 설비를 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 공정 설비는 반도체 웨이퍼 상에 약액을 분사하기 위한 분사 노즐과; 약액 분사 공정의 전후에 상기 분사 노즐에 묻어 있는 약액 파티클을 세정하기 위한 수단을 포함한다.
이와 같은 본 발명의 반도체 공정 설비는 상기 약액 분사 공정 전후에 분사 노즐이 대기하기 위한 그리고 상기 분사 노즐로부터 떨어지는 상기 약액의 방울을 받아내기 위한 노즐 스탠바이 용기를 구비하고, 상기 노즐 스탠바이 용기에는 상기 분사 노즐의 팁 부분이 위치되는 오프닝이 형성되어 있다.
이와 같은 본 발명의 반도체 공정 설비는 포토레지스터 코팅 설비이며, 상기 노즐 세정 수단은 상기 노즐 스탠바이 용기에 상기 오프닝과 연통되도록 형성되는 적어도 두 개의 제 1 홀 및 제 2 홀과, 상기 오프닝 상으로 세정액을 공급하기 위하여 상기 제 1 홀에 연결되는 제 1 공급 라인 및, 상기 오프닝 상으로 드라이 가스를 공급하기 위하여 상기 제 2 홀에 연결되는 제 2 공급 라인을 구비할 수 있다. 상기 제 1 공급 라인과 제 2 공급 라인 상에는 각각 상기 세정액과 드라이 가스의 양을 제어하기 위한 플로미터와 레귤레이터가 설치되며, 상기 세정액은 신나이고 상기 드라이 가스는 질소이다.
이와 같은 포토레지스터 공정 설비에 의하면, 약액 분사 공정 전후에 상기 분사 노즐에 묻어있는 이물질 등을 세정함으로 약액 분사 공정시 오염된 분사 노즐로 인한 코팅 불량을 사전에 예방할 수 있다.
이하, 첨부된 도면 도 1 내지 도 3을 참조하면서 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스터 코팅 설비를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 도 1에 도시된 스탠바이 용기를 설명하기 위한 도면 이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스터 코팅 설비의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 포토레지스터 코팅 설비(photoresist coating equipment)는 크게 캐치 컵(catch cap;102), 스핀 척(spin chuck;104), 감광액 분사 노즐(110), 액츄에이터(actuator;120), 노즐 스탠바이 용기(nozzle stand by vessel;130) 그리고 노즐 세정 수단을 구비한다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 반도체 웨이퍼(180)를 지지하기 위한 스핀 척(104), 상기 스핀 척(104)에 마운팅된(mounted) 상기 반도체 웨이퍼(180)에 감광액(resist solution)을 분사하기 위한 분사 노즐(110), 상기 감광액 분사 공정 전후에 상기 분사 노즐(110)이 대기하기 위한 노즐 스탠바이 용기(130), 상기 노즐 스탠바이 용기(130)에 놓여진 분사 노즐(110)을 상기 반도체 웨이퍼의 상부까지 이동시키기 위한 액츄에이터(120) 그리고 감광액 분사 공정 전후에 상기 노즐 스탠바이 용기(130)에서 대기하고 있는 상기 분사 노즐(110)을 세정하기 위한 수단으로 이루어진다. 예컨대, 상기 반도체 웨이퍼(180)를 마운팅하고 있는 스핀척(104)은 하부에 모터가 연결되어 상기 반도체 웨이퍼를 회전시킬 수 있다.
상기 노즐 스탠바이 용기(130)는 감광액 분사 공정 전후에 상기 분사 노즐(110)이 대기하기 위한 그리고 상기 분사 노즐(110)로부터 떨어지는 감광액을 받아내기 위한 것이다. 상기 노즐 스탠바이 용기(130)의 상면에는 2개의 오프닝(132)이 형성되어 있다. 상기 노즐 스탠바이 용기(130)에는 상기 분사 노즐(110)들이 놓여지며, 그 분사 노즐(110)의 팁(112) 부분은 상기 오프닝(132)에 위치된다. 상기 분사 노즐(110)의 팁(112)에서 떨어지는 감광액은 용기의 하부 챔 버(138)로 모여져 배수 라인(139)을 통해 배출된다. 상기 노즐 스탠바이 용기(130)는 상기 캐치 컵(102)과 인접하게 위치되는 것이 바람직하다.
상기 세정 수단은 신나 공급 라인(146)이 연결된 제 1 홀(142)들과 질소가스 공급 라인(148)이 연결된 제 2 홀(144)들을 구비한다. 상기 제 1 홀(142)들과 제 2 홀(144)들은 상기 노즐 스탠바이 용기(130)의 측면으로부터 상기 분사 노즐(110)의 팁(112)이 위치되는 오프닝(132)으로 연통되도록 형성되어 있다. 상기 오프닝(132)상에는 상기 제 1 홀(142)들과 제 2 홀(144)들이 서로 대응되게 위치된다. 상기 신나 공급 라인(146)과 상기 질소가스 공급 라인(148) 상에는 상기 신나와 질소가스의 양을 제어하기 위한 플로미터(flow meter;150)와 레귤레이터(regulator;152)가 각각 설치된다. 노즐 세정 공정시 신나와 질소 가스는 각각 상기 공급 라인들(146,148)을 통해 상기 제 1 홀(142)들과 제 2 홀(144)들로 공급되어 상기 오프닝(132)상에 위치된 노즐 팁(112) 부분으로 뿌려지게 된다. 상기 분사 노즐의 팁(112) 부분에 묻어있는 감광액 파티클는 신나에 의해 제거되며, 상기 분사 노즐의 팁 부분은 질소가스에 의해 드라이된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 포토레지스터 코팅 설비(100)에서 코팅 공정은 다음과 같이 이루어진다. 반도체 웨이퍼(180)가 상기 스핀 척(104)에 로딩된 상태에서, 상기 분사 노즐(110)은 상기 액츄에이터(120)에 의해 상기 캐치 컵(102) 상으로 이동하여 상기 반도체 웨이퍼(180) 표면에 감광액을 도포한다. 그런 다음 상기 분사 노즐(110)은 홈 영역(home area)인 노즐 스탠바이 용기(130)에서 대기(waiting)하게 된다. 이때, 상기 분사 노즐의 팁(112) 부분은 상기 노즐 스탠바이 용기(130)의 오프닝(132)상에 위치된다.
한편, 상기 분사 노즐(110)이 대기하는 위치(홈 영역)인 상기 노즐 스탠바이 용기(130)에서는 상기 분사 노즐(110)내에 사용하지 않은 감광액의 오염방지 및 감광액의 굳는 현상을 방지하기 위한 감광액의 더미 디스펜스 공정이 이루어진다. 상기 더미 디스펜스란 감광액 공급 라인(또는 노즐)상에 정체되어 그 성질이 변해버린 케미컬을 노즐(110)에서 밀어내 버리는 작업을 말한다. 더미 디스펜스 공정은 일정하게 정해진 시간 또는 1 롯(LOT)의 첫 반도체 웨이퍼가 진행할 때 실시하는 것이 보편적이다. 이때, 상기 분사 노즐(110)로부터 감광액을 디스펜스하기 전에 노즐 세정 단계가 실시된다.
예컨대, 본 발명에 따른 노즐 세정은 다음과 같이 이루어진다. 먼저, 상기 노즐 스탠바이 용기(130)의 오프닝(132)에 위치된 상기 분사 노즐의 팁(112) 부분에 신나를 일정 시간동안 분사하여 그 팁(112) 부분에 묻어있는 감광액과 파티클 등의 이물질을 제거한다. 그런 후 양쪽 상기 제 2 홀(144)에서 상기 팁(112) 부분으로 질소 가스를 분사하여 상기 팁(112) 부분을 드라이시킨다. 이러한 방식으로 노즐 세정이 끝난 후에는 상기 분사 노즐(110)에서 감광액을 디스펜스한다. 상기 분사 노즐(110)을 세정한 신나와 디스펜스된 감광액은 상기 노즐 스탠바이 용기(130)의 드레인 라인(139)을 통해 배출된다. 예컨대, 상기 세정 수단은 상기 분사 노즐(110)의 세정 효율을 극대화시키기 위하여 상기 팁(112) 부분으로 신나와 질소가스를 고압으로 분사하기 위한 분사 노즐들을 더 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 노즐 세정은 상기 노즐 스탠바이 용기 상에서 대기 중인 분사 노즐들을 대상으로 실시하기 때문에 다른 공정 진행에 별다른 영향을 주지 않는 이점이 있다. 뿐만 아니라, 상기 노즐 세정 수단을 다수의 분사 노즐들이 대기할 수 있는 노즐 스탠바이 용기에 설치할 경우, 한번에 여러개의 노즐들을 세정시킬 수 있는 이점이 있다. 예컨대, 상기 분사 노즐은 감광액 분사 노즐 외에 현상액 분사 노즐 또는 초순수 분사 노즐로도 이해할 수 있는 것이다.
한편, 이와 같이 본 발명의 실시예에서 보인 노즐 세정 수단은 다양한 형태로 변경 사용될 수 있다는 것을 예측할 수 있을 것이다.
이상에서, 본 발명에 따른 포토레지스터 코팅 설비의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이와 같은 본 발명의 포토레지스터 코팅 설비에 의하면, 노즐 스탠바이 용기에서 대기중인 분사 노즐을 신나와 질소 가스를 사용하여 세정함으로써, 추후 감광액 도포 공정시 노즐 팁 부분에 묻어 있는 이물질로 인한 코팅 불량을 사전에 예방할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 공정 설비에 있어서:
    내부에 포토레지스트 코팅 공정을 수행하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 캐치컵과;
    공정시 상기 캐치컵 내부에서 웨이퍼를 지지 및 회전시키는 스핀척과;
    공정시 상기 스핀척에 의해 지지 및 회전되는 반도체 웨이퍼 상에 약액을 분사하기 위한 분사 노즐과;
    상기 약액 분사 공정 전후에 상기 분사 노즐이 대기하는, 그리고 상기 분사 노즐로부터 떨어지는 상기 약액의 방울을 받아내기 위해 상기 분사 노즐의 대기시 상기 분사 노즐의 팁 부분이 위치되는 복수의 오프닝이 형성되는 노즐 스탠바이 용기를 포함하되,
    상기 노즐 스탠바이 용기에는,
    상기 노즐 스탠바이 용기에 상기 오프닝과 연통되며, 상기 오프닝의 중심을 기준으로 상기 오프닝을 따라 일정한 각도로 복수개가 형성되는 제1 홀들과;
    상기 제1 홀들과 동일한 수평선상에서, 상기 오프닝의 중심을 기준으로 상기 오프닝을 따라 일정한 각도로 복수개가 형성되는 제2 홀들과;
    각각의 상기 제1 홀들 각각에 연결되어 상기 오프닝 상으로 세정액을 공급하는 제1 공급라인, 그리고;
    각각의 상기 제2 홀들 각각에 연결되어 상기 오프닝 상으로 드라이 가스를 공급하는 제2 공급라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들은,
    상기 오프닝의 중심을 기준으로 서로 수직하는 방향으로 제공되고,
    상기 제1 공급라인 및 상기 제2 공급라인 상에는,
    각각 상기 세정액과 상기 드라이 가스의 양의 제어를 위한 플로미터와 레귤레이터가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 설비.
  3. 제 1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 세정액은 신나이고,
    상기 드라이 가스는 질소인 것을 특징으로 하는 반도체 공정 설비.
KR1020000027073A 2000-05-19 2000-05-19 포토레지스터 코팅 설비 KR100672928B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000027073A KR100672928B1 (ko) 2000-05-19 2000-05-19 포토레지스터 코팅 설비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000027073A KR100672928B1 (ko) 2000-05-19 2000-05-19 포토레지스터 코팅 설비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010105108A KR20010105108A (ko) 2001-11-28
KR100672928B1 true KR100672928B1 (ko) 2007-01-23

Family

ID=41562957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000027073A KR100672928B1 (ko) 2000-05-19 2000-05-19 포토레지스터 코팅 설비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100672928B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450127B1 (ko) * 2001-12-22 2004-09-30 동부전자 주식회사 포토 레지스트 노즐용 홈 배스
JP4069980B2 (ja) * 2004-02-24 2008-04-02 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
KR100678302B1 (ko) * 2005-06-28 2007-02-02 동부일렉트로닉스 주식회사 도포장치에서 발생되는 포토레지스트 파티클 발생 억제장치 및 그 방법
KR100940405B1 (ko) * 2007-11-30 2010-02-02 주식회사 동부하이텍 포토레지스트 노즐팁 세정장치
KR101880219B1 (ko) * 2016-03-11 2018-07-20 주식회사 선익시스템 노즐 세정 모듈 및 그를 구비한 노즐젯 시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0780385A (ja) * 1993-09-10 1995-03-28 Hirata Corp 塗布ヘッド洗浄装置及び塗布ヘッドの洗浄方法
JPH1174179A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズル洗浄装置
JP2000084466A (ja) * 1998-09-09 2000-03-28 Tokyo Electron Ltd 塗布装置及び塗布方法
KR20010060129A (ko) * 1999-12-31 2001-07-06 박종섭 반도체 제조용 코팅액의 디스펜스 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0780385A (ja) * 1993-09-10 1995-03-28 Hirata Corp 塗布ヘッド洗浄装置及び塗布ヘッドの洗浄方法
JPH1174179A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズル洗浄装置
JP2000084466A (ja) * 1998-09-09 2000-03-28 Tokyo Electron Ltd 塗布装置及び塗布方法
KR20010060129A (ko) * 1999-12-31 2001-07-06 박종섭 반도체 제조용 코팅액의 디스펜스 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010105108A (ko) 2001-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8562753B2 (en) Nozzle cleaning method and a computer-readable storage medium storing nozzle cleaning program
US7914843B2 (en) Slit coater having pre-applying unit and coating method using the same
KR100700237B1 (ko) 기판 코팅용 시스템 및 방법
JPH0573245B2 (ko)
KR100700181B1 (ko) 노즐대기부를 구비한 슬릿코터 및 이를 이용한 코팅방법
KR20070036865A (ko) 노즐 세정 장치
JPH08139007A (ja) 洗浄方法および装置
KR100672928B1 (ko) 포토레지스터 코팅 설비
KR100749544B1 (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
JP2006245381A (ja) 基板洗浄乾燥装置および方法
US20060147618A1 (en) Slit coater with a service unit for a nozzle and a coating method using the same
KR20070107874A (ko) 케미컬 용액 공급 노즐용 세정 장치
KR100327331B1 (ko) 스핀 코팅 장치 및 이를 이용한 감광막 도포방법
JPH04118067A (ja) 塗布装置および塗布処理方法
KR970000385Y1 (ko) 반도체 코팅장비의 웨이퍼 후면 잔류 세척액 건조장치
JPH11274125A (ja) 洗浄処理装置
KR0132530B1 (ko) 캐치 컵
KR20000003937A (ko) 스프레이식 감광막 현상장치 및 그를 이용한 현상방법
JPH10270318A (ja) 飛散防止カップの洗浄方法及び塗布装置
KR20030037908A (ko) 반도체소자 제조용 포토레지스트 현상장치
KR101041449B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 건조 방법
KR200242615Y1 (ko) 웨이퍼 테두리에 도포된 감광막 제거장치
JPH1076213A (ja) 塗布方法及び塗布装置
KR100826095B1 (ko) 반도체 제조용 현상장치
JP2001176793A (ja) 塗布や現像のための工程システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee