KR20000020310U - 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조 - Google Patents
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Abstract
본 고안 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조는 몸체(11)의 내측에 케미컬 분사관(12)이 삽설하고, 그 케미컬 분사관(12)의 양측에 린스액 라인(13)(13')을 형성하여 린스작업시 케미컬 분사관의 양측에서 린스액이 공급되도록 함으로서, 케미컬 분사관에 잔류 케미컬이 남지 않는다.
Description
본 고안은 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조에 관한 것으로, 특히 케미컬 분사관의 양측에서 린스액이 공급되도록 하여 케미컬 분사관에 케미컬이 잔류하는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조에 관한 것이다.
도 1은 종래 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐 헤드의 구성을 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐 헤드는 몸체(1)의 내측에 린스액 라인(2)이 형성되어 있고, 그 린스액 라인(2)의 내측에 작은 틈(3)을 두고 케미컬 분사관(4)이 삽설되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 코팅장비의 노즐헤드를 이용하여 에스 오 지 코팅을 실시할때는 회전하는 웨이퍼의 상측으로 노즐 헤드(6)를 이동한 다음, 웨이퍼의 상면에 케미컬 분사관(4)을 통하여 케미컬을 분사하게 되는데, 이와 같이 분사된 케미컬은 회전하는 웨이퍼의 원심력에 의하여 상면에 일정두께로 도포된다.
상기와 같이 케미컬분사를 실시한 다음에는 석백(SUCK BACK)을 실시하여 케미컬이 떨어지지 않도록 하고, 상기 린스액 라인(2)을 통하여 케미컬 분사관(4)에 린스액을 공급하여 케미컬 분사관(4)에 묻어 있는 잔류 케미컬을 제거한 다음, 석백을 실시하여 린스액이 떨어지지 않도록 한다.
그러나, 상기와 같은 종래 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조는 상기 린스액 라인(2)에서 공급되는 린스액이 케미컬 분사관(4)의 일측에서만 공급되어 케미컬 분사관(4)에 부착되어 있는 잔류 케미컬이 완전히 제거되지 않는 경우가 발생되며, 이와 같이 발생된 잔류 케미컬이 후작업시 웨이퍼의 상면에 떨어져서 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 케미컬 분사관에 부착되어 있는 잔류 케미컬에 의하여 웨이퍼가 오염되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조를 제공함에 있다.
도 1은 종래 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조를 보인 종단면도.
도 2는 본 고안 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조를 보인 종단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 몸체 12 : 케미컬 분사관
13,13' : 린스액 라인
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 몸체와, 그 몸체의 내측에 삽설되어 있으며 에스 오 지용액을 분사하기 위한 케미컬 분사관과, 그 케미컬 분사관의 양측에 형성되며 상기 케미컬 분사관에 부착되는 잔류 케미컬을 씻어내기 위한 린스액 라인을 구비하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 고안 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조는 몸체(11)의 내부에 상,하방향으로 케미컬 분사관(12)이 설치되어 있고, 그 케미컬 분사관(12)의 단부를 향하도록 몸체(11)의 내부 양측에는 린스액 라인(13)(13')이 형성되어 있다.
즉, 종래에는 케미컬 분사관(4)의 일측에만 린스액 라인(2)이 형성되어 있었으나, 본 고안에서는 케미컬 분사관(12)의 양측에 린스액 라인(13)(13')이 형성되어 있어서 린스작업시 케미컬 분사관(12)의 양측에서 린스액이 분사되도록 되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 고안의 노즐헤드구조를 갖는 에스 오 지 코팅장비에서 코팅작업을 진행하는 순서는 먼저, 회전하는 웨이퍼의 상측으로 노즐 헤드(14)를 이동한 다음, 웨이퍼의 상면에 케미컬 분사관(12)을 통하여 케미컬을 분사하고, 이와 같이 분사된 케미컬은 회전하는 웨이퍼의 원심력에 의하여 상면에 일정두께로 도포된다.
그리고, 상기와 같이 케미컬분사를 실시한 다음에는 석백(SUCK BACK)을 실시하여 케미컬이 떨어지지 않도록 하고, 상기 린스액 라인(13)(13')을 통하여 케미컬 분사관(12)에 린스액을 공급하여 케미컬 분사관(12)에 묻어 있는 잔류 케미컬을 제거한 다음, 석백을 실시하여 린스액이 떨어지지 않도록 한다.
즉, 상기 케미컬 분사관(12)의 양측에서 린스액이 분사되기 때문에 케미컬 분사관(12)에 부착되어 있는 잔류 케미컬이 완전히 제거된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조는 케미컬 분사관의 양측에 린스액 라인을형성하여, 린스작업시 케미컬 분사관의 양측에서 린스액을 분사하게 되어, 케미컬 분사관에 잔류 케미컬이 남지 않도록 완전히 린스가 이루어진다.
Claims (1)
- 몸체와, 그 몸체의 내측에 삽설되어 있으며 에스 오 지용액을 분사하기 위한 케미컬 분사관과, 그 케미컬 분사관의 양측에 형성되며 케미컬 분사관에 부착되는 잔류 케미컬을 씻어내기 위한 린스액 라인을 구비하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019990007362U KR20000020310U (ko) | 1999-05-03 | 1999-05-03 | 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR2019990007362U KR20000020310U (ko) | 1999-05-03 | 1999-05-03 | 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR20000020310U true KR20000020310U (ko) | 2000-12-05 |
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ID=54762372
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KR2019990007362U KR20000020310U (ko) | 1999-05-03 | 1999-05-03 | 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20000020310U (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20030079134A (ko) * | 2002-04-02 | 2003-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 코팅 장비의 노즐 |
-
1999
- 1999-05-03 KR KR2019990007362U patent/KR20000020310U/ko not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20030079134A (ko) * | 2002-04-02 | 2003-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 코팅 장비의 노즐 |
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