KR19980016831A - 반도체 웨이퍼의 세정 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼를 세정시키기 위한 세정 공정의 QDR 공정에서 탈이온수의 난류성 유동을 제거하여 웨이퍼의 표면상에 형성되는 부산물 및 불순물 입자를 용이하게 제거시킬 수 있는 세정 장치에 관하여 기재하고 있다. 이는, 반도체 웨이퍼가 장착가능한 수납 공간을 갖는 배스와, 상기 배스의 상부에 장착되어서 탈이온수를 상기 배스의 수납 공간에 분무시키는 적어도 2개의 탈이온수 분무 노즐로 이루어져 있고 상기 탈이온수 분무 노즐을 조정 각도로 조절시키기 위한 제어 시스템을 부가적으로 구비한다. 따라서, 본 발명에 따르면, QDR 배스의 수납 공간에 충진되는 탈이온수의 수위를 압력 센서에 의하여 측정한 후 이러한 측정값을 전기적 신호로 수신하는 제어 시스템의 작동에 의하여 탈이온수를 분무시키는 탈이온수 분무 노즐의 분무 각도를 조절시킴으로서 탈이온수의 난류성 유동을 제거하며 그 결과 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 반응 부산물 및 불순물 입자를 효과적으로 제거할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼를 세정시키기 위한 세정 장치에 관한 것으로, 특히 QDR 세정 공정에서 탈이온수의 난류성 유동을 제거하여 반도체 웨이퍼 표면을 용이하게 세정시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 세정시키기 위한 세정 공정은 습식 식각 공정 후 세정 처리를 위해 사용되고 있는 습식 설비에서 이루어진다. 상기 습식 설비내에서 수행되는 세정 공정은 화학적 배스(chemical bath) 처리 공정, QDR(quick dump rinse) 공정, 그리고 최종 세정(final rinse) 공정과 건조(dry) 공정으로 이루어진다.
상기 QDR 공정은 상기 화학적 배스 처리 공정의 결과 발생되는 반응 부산물 및 반도체 웨이퍼 표면에 잔류하는 불순물 입자를 제거하기 위한 공정으로서, N2 버블(bubble) 처리 단계, 탈이온수(DIW) 분무 단계 그리고 배수(quick drain) 단계로 이루어진다. 그러나, 상기 QDR 공정의 수행중 탈이온수의 난류성 유동에 의하여 상기 반응 부산물 및 불순물 입자의 제거는 용이하게 수행되지 못하게 된다. 따라서, 반도체 웨이퍼를 세정시키는 세정 공정을 수행하기 위하여 상기 QDR 공정의 수행 후 최종 세정 공정이 부가적으로 수행되어야 하며 그 결과 세정 공정 비용이 증가하고 또한 세정 공정 시간이 증가한다는 문제점을 야기시킨다.
상기된 바와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위한 본 발명의 기술적 과제는 세정 공정의 QDR 공정에서 반응 부산물 및 불순물 입자의 제거가 용이하게 수행되지 못하는 것을 방지시키는 탈이온수의 난류성 유동을 제거하기 위하여 QDR 배스의 상부에 설치되어 있는 탈이온수 분무 노즐을 소정 각도로 조절시킬 수 있는 세정 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 세정 장치를 개략적으로 도시한 구성도.
도면의 주요 부분에 대한 부호 설명
110. QDR 배스120. 탈이온수 분무 노즐
130. 제어 시스템140. 압력 센서
상기된 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 웨이퍼가 장착가능한 수납 공간을 갖는 QDR 배스; 및 상기 QDR 배스의 상부에 장착되어서 탈이온수를 상기 QDR 배스의 수납 공간에 분무시키는 적어도 2개의 탈이온수 분무 노즐; 상기 탈이온수 분무 노즐을 소정 각도로 조절시키기 위한 제어 시스템; 상기 QDR 배스의 수납 공간에 충진되는 탈이온수의 수위를 측정하기 위한 압력 센서를 부가적으로 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정 장치를 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제어 시스템은 압력 센서를 이용한 탈이온수 수위의 측정에 의하여 작동되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 세정 장치의 QDR 배스를 개략적으로 도시한 구성도이다.
즉, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 세정 장치는 반도체 웨이퍼(10)가 장착가능한 수납 공간을 갖는 QDR 배스(110)와, 상기 QDR 배스(110)의 상부에 장착되어서 탈이온수를 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간에 장착된 반도체 웨이퍼(10)에 분무시키는 적어도 2개의 탈이온수 분무 노즐(120)로 이루어져 있고, 상기 탈이온수 분무 노즐(120)을 조정 각도로 조절시키기 위한 제어 시스템(130) 및 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간을 충진시키는 탈이온수의 수위를 측정하기 위한 압력 센서(140)를 부가적으로 구비한다.
이때, 상기 반도체 웨이퍼(10)의 표면은 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 형성된 패턴을 구비한다. 그리고, 이러한 반도체 웨이퍼(10)의 표면에는 화학적 처리 공정에 의하여 형성된 반응 부산물 및 불순물 입자가 잔류한다. 따라서, 이러한 반응 부산물 및 불순물 입자를 제거하기 위하여 상기 반도체 웨이퍼(10)를 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간에 장착시킨다. 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간에 장착된 반도체 웨이퍼(10)는 N2 버블링 단계에 의하여 상기 반응 부산물 및 불순물 입자를 제거하기 위한 초기 세정 처리된다. 이 후에, 도시되어 있지 않은 탈이온수 저장 탱크로부터 공급되는 탈이온수는 상기 QDR 배스(110)의 상부에 설치된 적어도 2개의 탈이온수 분무 노즐을 통하여 상기 반도체 웨이퍼(10)의 표면에 분무된다.
한편, 상기 탈이온수 분무 노즐(120)을 통하여 탈이온수가 계속적으로 분무되면 이러한 탈이온수의 일부는 상기 QDR 배스(110)의 하부에 설치된 배수구를 통하여 상기 배스(110)의 외부로 배수되지만 나머지 탈이온수는 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간에 충진된다. 이때, 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간에 충진되는 탈이온수의 수위가 증가함에 따라서 상기 탈이온수의 난류성 유동(turbulent flow)이 증가한다. 그 결과 상기 반도체 웨이퍼(10)의 표면으로부터 반응 부산물 및 불순물 입자의 제거가 방해되는 것을 방해시키기 위하여 상기 탈이온수 분무 노즐(120)의 분무 각도를 조절시킨다.
한편, 상기 탈이온수 분무 노즐(120)의 분무 각도 조절은 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간에 설치되어서 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간을 충진시키는 탈이온수의 수위를 측정하는 압력 센서(140)의 신호에 따라서 이루어진다. 즉, 상기 QDR 배스(110)의 수납 공간을 충진시키는 탈이온수가 소정의 수위를 유지한 상태에서 상기 압력 센서(140)와 전기적으로 연결되어 있는 제어 시스템(130)의 작동에 의하여 상기 탈이온수 분무 노즐(120)은 소정의 분무 각도로 조절된다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 첨부된 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지 및 사상을 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, QDR 배스의 수납 공간에 충진되는 탈이온수의 수위를 압력 센서에 의하여 측정한 후 이러한 측정값을 전기적 신호로 수신하는 제어 시스템의 작동에 의하여 탈이온수를 분무시키는 탈이온수 분무 노즐의 분무 각도를 조절시킴으로서 탈이온수의 난류성 유동을 제거하며 그 결과 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 반응 부산물 및 불순물 입자를 효과적으로 제거할 수 있으므로 최종 세정 단계를 생략할 수 있다.
Claims (2)
- 반도체 웨이퍼가 장착가능한 수납 공간을 갖는 QDR 배스; 및상기 QDR 배스의 상부에 장착되어서 탈이온수를 상기 QDR 배스의 수납 공간에 분무시키는 적어도 2개의 탈이온수 분무 노즐를 구비하고 있는 반도체 웨이퍼의 세정 장치에 있어서,상기 탈이온수 분무 노즐을 소정 각도로 조절시키기 위한 제어 시스템; 및상기 QDR 배스의 수납 공간에 충진되는 탈이온수의 수위를 측정하기 위한 압력 센서를 부가적으로 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제어 시스템은상기 압력 센서의 의한 상기 탈이온수의 수위 측정값에 따라서 상기 탈이온수 분무 노즐의 분무 각도를 조절시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960036525A KR19980016831A (ko) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 반도체 웨이퍼의 세정 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019960036525A KR19980016831A (ko) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 반도체 웨이퍼의 세정 장치 |
Publications (1)
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|---|---|
| KR19980016831A true KR19980016831A (ko) | 1998-06-05 |
Family
ID=66322595
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019960036525A KR19980016831A (ko) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 반도체 웨이퍼의 세정 장치 |
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| KR (1) | KR19980016831A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008136895A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Lam Research Corporation | Substrate cleaning techniques employing multi-phase solution |
| KR20150136217A (ko) * | 2014-05-26 | 2015-12-07 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 |
-
1996
- 1996-08-29 KR KR1019960036525A patent/KR19980016831A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008136895A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Lam Research Corporation | Substrate cleaning techniques employing multi-phase solution |
| KR20150136217A (ko) * | 2014-05-26 | 2015-12-07 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 |
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