JPH05226310A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JPH05226310A JPH05226310A JP2311592A JP2311592A JPH05226310A JP H05226310 A JPH05226310 A JP H05226310A JP 2311592 A JP2311592 A JP 2311592A JP 2311592 A JP2311592 A JP 2311592A JP H05226310 A JPH05226310 A JP H05226310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaned
- residue
- frozen
- washing
- hot air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薬品処理後の被洗浄物の洗浄に関し，残渣が
残らないように完全に洗浄するを目的とする。 【構成】 洗浄後の被洗浄物の表面に付着した残渣を減
圧下で凍らせ，凍結した残渣を加圧熱風で吹き飛ばして
除去するように構成する。
残らないように完全に洗浄するを目的とする。 【構成】 洗浄後の被洗浄物の表面に付着した残渣を減
圧下で凍らせ，凍結した残渣を加圧熱風で吹き飛ばして
除去するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造のリソグ
ラフィ工程で用いるマスク，レチクルあるいは半導体ウ
エハの洗浄方法に関する。
ラフィ工程で用いるマスク，レチクルあるいは半導体ウ
エハの洗浄方法に関する。
【０００２】近年，半導体装置の高集積化，微細化に伴
い，マスク，レチクルあるいは半導体ウエハの清浄化が
ますます要求されるようにきた。
い，マスク，レチクルあるいは半導体ウエハの清浄化が
ますます要求されるようにきた。
【０００３】
【従来の技術】従来，マスク，レチクルあるいは半導体
ウエハ等を薬品処理後のウエット洗浄においては，リン
ス水洗に使う純水を温水化し，あるいは流量を増加して
洗浄の完全化をはかっていた。
ウエハ等を薬品処理後のウエット洗浄においては，リン
ス水洗に使う純水を温水化し，あるいは流量を増加して
洗浄の完全化をはかっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来例
では試料上への薬品の残留物や微細な異物等の残渣が完
全に除去できなかった。
では試料上への薬品の残留物や微細な異物等の残渣が完
全に除去できなかった。
【０００５】本発明は薬品処理後の被洗浄物を残渣が残
らないように完全に洗浄することを目的とする。
らないように完全に洗浄することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，洗浄
後の被洗浄物の表面に付着した残渣を減圧下で凍らせ，
凍結した残渣を加圧熱風で吹き飛ばして除去する洗浄方
法により達成される。
後の被洗浄物の表面に付着した残渣を減圧下で凍らせ，
凍結した残渣を加圧熱風で吹き飛ばして除去する洗浄方
法により達成される。
【０００７】
【作用】図１は本発明の原理説明図である。図にいて，
１は被洗浄物でマスク，レチクルあるいはウエハ，２は
開口を持つ被洗浄物支持板，３は加圧熱風ノズル，４は
走査装置，５は冷却装置，６は窒素ガス導入口，７は排
気口，８は洗浄室である。
１は被洗浄物でマスク，レチクルあるいはウエハ，２は
開口を持つ被洗浄物支持板，３は加圧熱風ノズル，４は
走査装置，５は冷却装置，６は窒素ガス導入口，７は排
気口，８は洗浄室である。
【０００８】本発明では洗浄処理後の被洗浄物の表面を
減圧下で凍らせ，凍結した異物を加圧熱風で吹き飛ばし
て処理残渣と微細異物を除去するようにしたものであ
る。ここで，残渣を凍結させてから吹き飛ばす方がその
ま吹き飛ばすより効果的である考えられる理由は以下の
ように考えられる。
減圧下で凍らせ，凍結した異物を加圧熱風で吹き飛ばし
て処理残渣と微細異物を除去するようにしたものであ
る。ここで，残渣を凍結させてから吹き飛ばす方がその
ま吹き飛ばすより効果的である考えられる理由は以下の
ように考えられる。
【０００９】被洗浄物上の残渣は温度が高いほど出やす
く，点状に現れるよりむしろ或る領域が曇った状態にな
って現れる。そのため，残渣全体を凍結さて凝結させて
固体化させた方が，そのままの状態で吹き飛ばすより完
全な除去ができるようになる。
く，点状に現れるよりむしろ或る領域が曇った状態にな
って現れる。そのため，残渣全体を凍結さて凝結させて
固体化させた方が，そのままの状態で吹き飛ばすより完
全な除去ができるようになる。
【００１０】
【実施例】図１を用いて本発明の実施例を説明する。ま
ず，洗浄された被洗浄物１を処理室８内の支持板２に保
持する。窒素ガス導入口６より窒素ガスを導入し，排気
口７より排気して洗浄室８内を減圧状態（10-3〜10-7 T
orr)に保つ。この際, 排気しながら冷却装置５で冷却し
て被洗浄物１の表面を凍結させる。被洗浄物１の冷却温
度は−10〜−80℃とする。
ず，洗浄された被洗浄物１を処理室８内の支持板２に保
持する。窒素ガス導入口６より窒素ガスを導入し，排気
口７より排気して洗浄室８内を減圧状態（10-3〜10-7 T
orr)に保つ。この際, 排気しながら冷却装置５で冷却し
て被洗浄物１の表面を凍結させる。被洗浄物１の冷却温
度は−10〜−80℃とする。
【００１１】支持板２は多数の貫通孔が設けられ，処理
室１の上下が通気できるようになっている。また，冷却
装置５は図示の位置以外のところで支持板２に密着して
被洗浄物１を冷却するように構成される。
室１の上下が通気できるようになっている。また，冷却
装置５は図示の位置以外のところで支持板２に密着して
被洗浄物１を冷却するように構成される。
【００１２】その後，加圧熱風をノズル３から被洗浄物
１に吹きつける。加圧熱風には圧力が３〜６Kg/cm2, 温
度が30〜80℃で, 0.1 μｍ以上の塵が５個／CFの清浄度
の窒素, 空気等の気体を用いる。
１に吹きつける。加圧熱風には圧力が３〜６Kg/cm2, 温
度が30〜80℃で, 0.1 μｍ以上の塵が５個／CFの清浄度
の窒素, 空気等の気体を用いる。
【００１３】加圧熱風ノズル３は走査装置４により被洗
浄物１上を走査して，凍結した残渣を吹き飛ばしてい
く。この際の走査速度は可変できるようにしておく。
浄物１上を走査して，凍結した残渣を吹き飛ばしてい
く。この際の走査速度は可変できるようにしておく。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば，洗浄後の被洗浄物を残
渣が残らないように完全に洗浄することができた。この
結果，半導体装置の製造歩留と信頼性の向上に寄与する
ことができた。
渣が残らないように完全に洗浄することができた。この
結果，半導体装置の製造歩留と信頼性の向上に寄与する
ことができた。
【図１】 本発明の原理説明図
１ 被洗浄物でマスク，レチクルあるいはウエハ ２ 開口を持つ被洗浄物支持板 ３ 加圧熱風ノズル ４ 走査装置 ５ 冷却装置 ６ 窒素ガス導入口 ７ 排気口 ８ 処理室
Claims (1)
- 【請求項１】 洗浄後の被洗浄物の表面に付着した残渣
を減圧下で凍らせ，凍結した残渣を加圧熱風で吹き飛ば
して除去することを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311592A JPH05226310A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311592A JPH05226310A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226310A true JPH05226310A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12101490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311592A Withdrawn JPH05226310A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226310A (ja) |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP2311592A patent/JPH05226310A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |