JPH07122503A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH07122503A JPH07122503A JP28736993A JP28736993A JPH07122503A JP H07122503 A JPH07122503 A JP H07122503A JP 28736993 A JP28736993 A JP 28736993A JP 28736993 A JP28736993 A JP 28736993A JP H07122503 A JPH07122503 A JP H07122503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- opening
- exhaust pipe
- closing valve
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空排気中に開閉バルブを閉じた際の排気管
中のダストの処理室側へ流れ込みを防止する。 【構成】 ウエハＳの処理室１０と、処理室１０に排気
管１３を介して接続された真空ポンプ１５と、排気管１
３に設けられた開閉バルブ１４とを備えた半導体製造装
置において、処理室１０と開閉バルブ１４との間の排気
管１３内に逆止弁２０を設ける。この逆止弁２０は、複
数のバーを、処理室１０側から開閉バルブ側１４に向け
て一定の勾配を有した状態でかつ放射状に形成すること
により構成されるものであり、また前記バーは開閉バル
ブ１４が閉じられた際に開閉バルブ１４側に向けて気体
を吹出すように構成される。
中のダストの処理室側へ流れ込みを防止する。 【構成】 ウエハＳの処理室１０と、処理室１０に排気
管１３を介して接続された真空ポンプ１５と、排気管１
３に設けられた開閉バルブ１４とを備えた半導体製造装
置において、処理室１０と開閉バルブ１４との間の排気
管１３内に逆止弁２０を設ける。この逆止弁２０は、複
数のバーを、処理室１０側から開閉バルブ側１４に向け
て一定の勾配を有した状態でかつ放射状に形成すること
により構成されるものであり、また前記バーは開閉バル
ブ１４が閉じられた際に開閉バルブ１４側に向けて気体
を吹出すように構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空ポンプを用いてウエ
ハの処理室の排気を行う半導体製造装置に関するもので
ある。
ハの処理室の排気を行う半導体製造装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図８はウエハの表面処理を行う従来の半
導体製造装置の一例を示したものである。図中１０は処
理室であり、処理室１０内には内部に反応ガスＧの導入
路（図示せず）が形成された上部電極１１と、処理時に
ウエハＳが載置される下部電極１２とが設けられてい
る。また、この処理室１０には排気管１３を介して真空
ポンプ１５が接続されており、排気管１３には開閉バル
ブ１４が取り付けられている。
導体製造装置の一例を示したものである。図中１０は処
理室であり、処理室１０内には内部に反応ガスＧの導入
路（図示せず）が形成された上部電極１１と、処理時に
ウエハＳが載置される下部電極１２とが設けられてい
る。また、この処理室１０には排気管１３を介して真空
ポンプ１５が接続されており、排気管１３には開閉バル
ブ１４が取り付けられている。
【０００３】このような装置においては、まず真空ポン
プ１５によって処理室１０内の排気を行い、開閉バルブ
１４で処理室１０内の真空度を調節して所定の真空状態
にする。そしてその後、反応ガスＧを処理室１０内に導
入して反応処理を行うことにより、ウエハＳの表面に成
膜したりウエハＳの表面をエッチングしている。
プ１５によって処理室１０内の排気を行い、開閉バルブ
１４で処理室１０内の真空度を調節して所定の真空状態
にする。そしてその後、反応ガスＧを処理室１０内に導
入して反応処理を行うことにより、ウエハＳの表面に成
膜したりウエハＳの表面をエッチングしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の装置
ではウエハＳの表面の成膜時の反応生成物やエッチング
時に生じた処理室１０内のダストは、真空排気によって
真空ポンプ１５側へと流れ、外部に排気される他、排気
口１３ａや処理室１０近傍の排気管１３の内壁に堆積し
ていた。ところが真空排気している状態で開閉バルブ１
４を閉めると、排気が図９に示したように処理室１０側
へと逆流して、排気に含まれているダストＤが処理室１
０側へ流れてしまい、また開閉バルブ１４を閉じた衝撃
で堆積していたダストＤも剥がれて処理室１０側へと流
れ込んでしまうことがあった。
ではウエハＳの表面の成膜時の反応生成物やエッチング
時に生じた処理室１０内のダストは、真空排気によって
真空ポンプ１５側へと流れ、外部に排気される他、排気
口１３ａや処理室１０近傍の排気管１３の内壁に堆積し
ていた。ところが真空排気している状態で開閉バルブ１
４を閉めると、排気が図９に示したように処理室１０側
へと逆流して、排気に含まれているダストＤが処理室１
０側へ流れてしまい、また開閉バルブ１４を閉じた衝撃
で堆積していたダストＤも剥がれて処理室１０側へと流
れ込んでしまうことがあった。
【０００５】その結果、処理室１０を汚染し、ひいては
ウエハＳの表面を汚染して加工不良等の歩留り低下を起
こすという問題が生じていた。また処理室１０をクリー
ニングするために装置を停止しなければならない等、メ
ンテナンスに時間を要し生産性を低下させるという問題
も発生していた。今後、微細化が進むに伴ってこのダス
トＤの問題は深刻になると予想される。本発明は上記課
題に鑑みてなされたものであり、真空排気中に開閉バル
ブを閉じた際の排気管中のダストの処理室側へ流れ込み
を防止することができる半導体製造装置を提供すること
を目的としている。
ウエハＳの表面を汚染して加工不良等の歩留り低下を起
こすという問題が生じていた。また処理室１０をクリー
ニングするために装置を停止しなければならない等、メ
ンテナンスに時間を要し生産性を低下させるという問題
も発生していた。今後、微細化が進むに伴ってこのダス
トＤの問題は深刻になると予想される。本発明は上記課
題に鑑みてなされたものであり、真空排気中に開閉バル
ブを閉じた際の排気管中のダストの処理室側へ流れ込み
を防止することができる半導体製造装置を提供すること
を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、ウエハの処理室と、該処理室に排気管を介
して接続された真空ポンプと、前記排気管に設けられた
開閉バルブとを備えた半導体製造装置において、前記処
理室と前記開閉バルブとの間の排気管内に、逆止弁を設
けるようにしたものである。また上記装置において前記
逆止弁は、複数のバーを、前記処理室側から前記開閉バ
ルブ側に向けて一定の勾配を有した状態でかつ放射状に
形成することにより構成されると共に、前記バーは前記
開閉バルブが閉じられた際に、前記開閉バルブ側に向け
て気体を吹出すようにしたものである。さらに上記装置
において前記逆止弁は、断面略三角状の複数のバーを前
記排気管の経路に略直交する状態で格子状に設けると共
に、前記断面略三角状の頂点を前記開閉バルブ側に向け
かつ底辺を前記処理室側に向けた状態で配置することに
より構成されるようにしたものである。
に本発明は、ウエハの処理室と、該処理室に排気管を介
して接続された真空ポンプと、前記排気管に設けられた
開閉バルブとを備えた半導体製造装置において、前記処
理室と前記開閉バルブとの間の排気管内に、逆止弁を設
けるようにしたものである。また上記装置において前記
逆止弁は、複数のバーを、前記処理室側から前記開閉バ
ルブ側に向けて一定の勾配を有した状態でかつ放射状に
形成することにより構成されると共に、前記バーは前記
開閉バルブが閉じられた際に、前記開閉バルブ側に向け
て気体を吹出すようにしたものである。さらに上記装置
において前記逆止弁は、断面略三角状の複数のバーを前
記排気管の経路に略直交する状態で格子状に設けると共
に、前記断面略三角状の頂点を前記開閉バルブ側に向け
かつ底辺を前記処理室側に向けた状態で配置することに
より構成されるようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、吹出し機構を備えた逆止弁か
ら吹出された気体によって、開閉バルブを閉じた瞬間に
生じるダストの処理室側への逆流が押し止められる。ま
た排気管の内壁に堆積しているダストにも前記気体が吹
き付けられて、そのダストが剥がれて前記処理室側へ流
れ込むのが防止される。また断面略三角状の複数のバー
からなる逆止弁を設けると、前記ダストを含む排気が前
記処理室側へと逆流した際に、前記バーの底辺付近で渦
となって停滞するため、前記ダストが前記処理室内へ逆
流する割合が少なくなる。また、前記堆積しているダス
トが剥がれても、そのダストは逆流した排気と共に前記
バーの底辺付近で停滞し、前記処理室側へ流れ込むのが
防止される。
ら吹出された気体によって、開閉バルブを閉じた瞬間に
生じるダストの処理室側への逆流が押し止められる。ま
た排気管の内壁に堆積しているダストにも前記気体が吹
き付けられて、そのダストが剥がれて前記処理室側へ流
れ込むのが防止される。また断面略三角状の複数のバー
からなる逆止弁を設けると、前記ダストを含む排気が前
記処理室側へと逆流した際に、前記バーの底辺付近で渦
となって停滞するため、前記ダストが前記処理室内へ逆
流する割合が少なくなる。また、前記堆積しているダス
トが剥がれても、そのダストは逆流した排気と共に前記
バーの底辺付近で停滞し、前記処理室側へ流れ込むのが
防止される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係る半導体製造装置の実施例
を図面に基づいて説明する。図１は本発明の半導体製造
装置の一例を示した概略図である。図中１０は処理室で
あり、処理室１０内には内部に反応ガスＧの導入路（図
示せず）が形成された上部電極１１と、処理時にウエハ
Ｓが載置される下部電極１２とが設けられている。ま
た、この処理室１０には排気管１３を介して真空ポンプ
１５が接続されており、排気管１３には開閉バルブ１４
が取り付けられている。さらにこの半導体製造装置にお
いては、処理室１０と開閉バルブ１４との間の排気管１
３内に逆止弁２０が設けられている。
を図面に基づいて説明する。図１は本発明の半導体製造
装置の一例を示した概略図である。図中１０は処理室で
あり、処理室１０内には内部に反応ガスＧの導入路（図
示せず）が形成された上部電極１１と、処理時にウエハ
Ｓが載置される下部電極１２とが設けられている。ま
た、この処理室１０には排気管１３を介して真空ポンプ
１５が接続されており、排気管１３には開閉バルブ１４
が取り付けられている。さらにこの半導体製造装置にお
いては、処理室１０と開閉バルブ１４との間の排気管１
３内に逆止弁２０が設けられている。
【０００９】図２は本発明の一例の要部断面図であり、
逆止弁２０付近を示している。また図３は図２における
Ａ線矢視図である。図示したように逆止弁２０は、複数
のバー２１を、処理室１０側から開閉バルブ１４側に向
けて一定の勾配を有した状態でかつ放射状に形成するこ
とによって構成される。つまり逆止弁２０は傘の親骨状
に形成され、処理室１０内を真空排気する際の処理室１
０側から開閉バルブ１４側に向けての排気の流れＸに逆
らわないように、各バー２１の排気管１３の内壁側の端
部を開閉バルブ１４側に向けて配置されている。
逆止弁２０付近を示している。また図３は図２における
Ａ線矢視図である。図示したように逆止弁２０は、複数
のバー２１を、処理室１０側から開閉バルブ１４側に向
けて一定の勾配を有した状態でかつ放射状に形成するこ
とによって構成される。つまり逆止弁２０は傘の親骨状
に形成され、処理室１０内を真空排気する際の処理室１
０側から開閉バルブ１４側に向けての排気の流れＸに逆
らわないように、各バー２１の排気管１３の内壁側の端
部を開閉バルブ１４側に向けて配置されている。
【００１０】この実施例では、上記した逆止弁２０を開
閉バルブ１４側に向けて所定の間隔で例えば２つ設けて
おり、２つの逆止弁２０は後述する供給管２３によって
接続されている。なお、逆止弁２０の数はこれに限定さ
れるものではなく、一つ又は複数個設けることも可能で
ある。また逆止弁２０は、開閉バルブ１４が閉じられた
際にバー２１から開閉バルブ１４側に向けて気体Ｆを吹
出す吹出し機構２２を備えている。
閉バルブ１４側に向けて所定の間隔で例えば２つ設けて
おり、２つの逆止弁２０は後述する供給管２３によって
接続されている。なお、逆止弁２０の数はこれに限定さ
れるものではなく、一つ又は複数個設けることも可能で
ある。また逆止弁２０は、開閉バルブ１４が閉じられた
際にバー２１から開閉バルブ１４側に向けて気体Ｆを吹
出す吹出し機構２２を備えている。
【００１１】すなわち、逆止弁２０の各バー２１は筒状
をなし、各バー２１の排気管１３の内壁側の端部には後
述する不活性ガス等の気体Ｆの吹出し口２１ａが形成さ
れている。また逆止弁２０の略中心には、開閉バルブ１
４方向に各バー２１に連通する供給管２３が取り付けら
れている。この供給管２３は不活性ガス等の気体Ｆの供
給源２４に接続されており、開閉バルブ１４が閉じられ
た際に供給源２４から気体Ｆが供給管２３を介して逆止
弁２０の各バー２１に送られ、吹出し口２１ａから開閉
バルブ１４側に向けて吹出されるようになっている。
をなし、各バー２１の排気管１３の内壁側の端部には後
述する不活性ガス等の気体Ｆの吹出し口２１ａが形成さ
れている。また逆止弁２０の略中心には、開閉バルブ１
４方向に各バー２１に連通する供給管２３が取り付けら
れている。この供給管２３は不活性ガス等の気体Ｆの供
給源２４に接続されており、開閉バルブ１４が閉じられ
た際に供給源２４から気体Ｆが供給管２３を介して逆止
弁２０の各バー２１に送られ、吹出し口２１ａから開閉
バルブ１４側に向けて吹出されるようになっている。
【００１２】上記のように構成された半導体製造装置に
おいては、従来と同様に真空ポンプ１５で処理室１０内
を真空排気し、所定の真空状態となった時点で開閉バル
ブ１４を閉じると、それと略同時に吹出し機構２２によ
って各バー２１の吹出し口２１ａから気体Ｆが吹出され
る。この気体Ｆは開閉バルブ１４側に向けて吹出され、
吹出された気体Ｆによって開閉バルブ１４を閉じた瞬間
に生じるダストの処理室１０側への逆流が押し止められ
る。
おいては、従来と同様に真空ポンプ１５で処理室１０内
を真空排気し、所定の真空状態となった時点で開閉バル
ブ１４を閉じると、それと略同時に吹出し機構２２によ
って各バー２１の吹出し口２１ａから気体Ｆが吹出され
る。この気体Ｆは開閉バルブ１４側に向けて吹出され、
吹出された気体Ｆによって開閉バルブ１４を閉じた瞬間
に生じるダストの処理室１０側への逆流が押し止められ
る。
【００１３】そのうえ、図４に示したように排気管１３
の内壁に堆積しているダストＤにも気体Ｆが開閉バルブ
１４側に向けて吹き付けられるので、開閉バルブ１４を
閉じた衝撃によって、堆積しているダストＤが剥がれて
処理室１０側へ流れ込むのが防止される。
の内壁に堆積しているダストＤにも気体Ｆが開閉バルブ
１４側に向けて吹き付けられるので、開閉バルブ１４を
閉じた衝撃によって、堆積しているダストＤが剥がれて
処理室１０側へ流れ込むのが防止される。
【００１４】したがってこの実施例装置によれば、真空
排気中に排気管１３中に開閉バルブ１４を閉じた際のダ
ストの処理室１０側へ流れ込みを防止することができる
ので、ダストの流れ込みによる処理室１０内の汚染を防
ぐことができる。その結果、処理室１０内に載置された
ウエハＳの表面を汚染させることなくその表面に成膜や
エッチング等の処理を施すことができることとなり、良
好に表面処理されたウエハＳを得ることが可能となる。
排気中に排気管１３中に開閉バルブ１４を閉じた際のダ
ストの処理室１０側へ流れ込みを防止することができる
ので、ダストの流れ込みによる処理室１０内の汚染を防
ぐことができる。その結果、処理室１０内に載置された
ウエハＳの表面を汚染させることなくその表面に成膜や
エッチング等の処理を施すことができることとなり、良
好に表面処理されたウエハＳを得ることが可能となる。
【００１５】図５は本発明の他の例の要部断面図であ
り、図６は図５におけるＢ線矢視図である。この実施例
では、上記した半導体製造装置の逆止弁２０に代えて断
面略三角状の複数のバー３１からなる逆止弁３０が配置
される。すなわち逆止弁３０は、排気管１３内に断面略
三角状の複数のバー３１を、排気管１３の経路に略直交
する状態、つまり排気管１３の径方向に所定の間隔で格
子状に設けることにより構成される。またこのとき各バ
ー３１は、その断面略三角状の頂点３１ａを開閉バルブ
１４側に向けかつ底辺３１ｂを処理室１０側に向けた状
態で配置される。
り、図６は図５におけるＢ線矢視図である。この実施例
では、上記した半導体製造装置の逆止弁２０に代えて断
面略三角状の複数のバー３１からなる逆止弁３０が配置
される。すなわち逆止弁３０は、排気管１３内に断面略
三角状の複数のバー３１を、排気管１３の経路に略直交
する状態、つまり排気管１３の径方向に所定の間隔で格
子状に設けることにより構成される。またこのとき各バ
ー３１は、その断面略三角状の頂点３１ａを開閉バルブ
１４側に向けかつ底辺３１ｂを処理室１０側に向けた状
態で配置される。
【００１６】このような逆止弁３０を設けた半導体製造
装置においては、真空排気中に開閉バルブ１４が閉じら
れると、図７に示したようにダストＤを含む排気は処理
室１０側へ逆流し、逆止弁３０の各バー３１間を通過し
た後、バー３１の底辺３１ｂ付近で渦となって停滞す
る。その結果、排気中のダストＤが処理室１０内へ逆流
する割合が少なくなる。
装置においては、真空排気中に開閉バルブ１４が閉じら
れると、図７に示したようにダストＤを含む排気は処理
室１０側へ逆流し、逆止弁３０の各バー３１間を通過し
た後、バー３１の底辺３１ｂ付近で渦となって停滞す
る。その結果、排気中のダストＤが処理室１０内へ逆流
する割合が少なくなる。
【００１７】また、開閉バルブ１４を閉じた衝撃によっ
て堆積しているダストＤが剥がれた場合でも、剥がれた
ダストＤは逆流した排気と共に逆止弁３０のバー３１の
底辺３１ｂ付近で渦となって停滞し、処理室１０側へ流
れ込むのが防止される。また上記渦は、真空ポンプ１５
によって処理室１０内を真空排気する際には発生しない
ため、バー３１の底辺３１ｂ付近に停留している又は底
辺３１ｂに付着したダストＤは、真空ポンプ１５を作動
させかつ開閉バルブ１４を開くことによって外部に排気
される。
て堆積しているダストＤが剥がれた場合でも、剥がれた
ダストＤは逆流した排気と共に逆止弁３０のバー３１の
底辺３１ｂ付近で渦となって停滞し、処理室１０側へ流
れ込むのが防止される。また上記渦は、真空ポンプ１５
によって処理室１０内を真空排気する際には発生しない
ため、バー３１の底辺３１ｂ付近に停留している又は底
辺３１ｂに付着したダストＤは、真空ポンプ１５を作動
させかつ開閉バルブ１４を開くことによって外部に排気
される。
【００１８】したがってこの実施例装置においても、真
空排気中に開閉バルブ１４を閉じた際の排気管１３中の
ダストの処理室１０側へ流れ込みを低減することができ
るので、ダストの流れ込みによる処理室１０内の汚染を
防ぐことができる。したがって、処理室１０内に載置さ
れたウエハＳの表面をほとんど汚染させることなくその
表面に成膜やエッチング等の処理を施すことができ、良
好に表面処理されたウエハＳを得ることができる。
空排気中に開閉バルブ１４を閉じた際の排気管１３中の
ダストの処理室１０側へ流れ込みを低減することができ
るので、ダストの流れ込みによる処理室１０内の汚染を
防ぐことができる。したがって、処理室１０内に載置さ
れたウエハＳの表面をほとんど汚染させることなくその
表面に成膜やエッチング等の処理を施すことができ、良
好に表面処理されたウエハＳを得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
真空排気中に開閉バルブを閉じた際の排気管中のダスト
の処理室側へ流れ込みが防止され、ダストの流れ込みに
よる処理室内の汚染を防ぐことができるので、ウエハを
良好に表面処理することができる。したがって、前記ウ
エハの汚染による歩留りの低下を防止することができる
うえ、前記処理室をのメンテナンスにかかる時間を短縮
することができるので、半導体製造の生産性を向上する
ことができる。
真空排気中に開閉バルブを閉じた際の排気管中のダスト
の処理室側へ流れ込みが防止され、ダストの流れ込みに
よる処理室内の汚染を防ぐことができるので、ウエハを
良好に表面処理することができる。したがって、前記ウ
エハの汚染による歩留りの低下を防止することができる
うえ、前記処理室をのメンテナンスにかかる時間を短縮
することができるので、半導体製造の生産性を向上する
ことができる。
【図１】本発明の半導体製造装置の一例を示した概略図
である。
である。
【図２】本発明の半導体製造装置の一例の要部断面図で
ある。
ある。
【図３】図２におけるＡ線矢視図である。
【図４】吹出し口付近の拡大図である。
【図５】本発明の半導体製造装置の他の例の要部断面図
である。
である。
【図６】図５におけるＢ線矢視図である。
【図７】逆止弁付近の排気の流れの説明図である。
【図８】従来の半導体製造装置の一例を示した概略図で
ある。
ある。
【図９】ダストの逆流を説明する図である。
１０ 処理室 １３ 排気管 １４ 開閉バルブ １５ 真空ポンプ ２０、３０ 逆止弁 ２１、３１ バー ２１ａ 吹出し口 ２２ 吹出し機構 ３１ａ 頂点 ３１ｂ 底辺 Ｄ ダスト Ｆ 気体 Ｓ ウエハ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 (72)発明者 本堀 勲 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 郡山 広久 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエハの処理室と、該処理室に排気管を
介して接続された真空ポンプと、前記排気管に設けられ
た開閉バルブとを備えた半導体製造装置において、 前記処理室と前記開閉バルブとの間の排気管内に、逆止
弁を設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記逆止弁は、複数のバーを、前記処理
室側から前記開閉バルブ側に向けて一定の勾配を有した
状態でかつ放射状に形成することにより構成されると共
に、前記バーは前記開閉バルブが閉じられた際に、前記
開閉バルブ側に向けて気体を吹出すことを特徴とする請
求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記逆止弁は、断面略三角状の複数のバ
ーを前記排気管の経路に略直交する状態で格子状に設け
ると共に、前記断面略三角状の頂点を前記開閉バルブ側
に向けかつ底辺を前記処理室側に向けた状態で配置する
ことにより構成されることを特徴とする請求項１記載の
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28736993A JPH07122503A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28736993A JPH07122503A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122503A true JPH07122503A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17716475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28736993A Pending JPH07122503A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122503A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008202644A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Megatorr Corp | 逆止弁及び真空ポンプ装置 |
| JP2009156441A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Possible Inc | クイッククローズバルブ |
| US9314824B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Powder and deposition control in throttle valves |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP28736993A patent/JPH07122503A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008202644A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Megatorr Corp | 逆止弁及び真空ポンプ装置 |
| JP2009156441A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Possible Inc | クイッククローズバルブ |
| JP4674703B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-04-20 | 株式会社ポシブル | クイッククローズバルブ |
| US9314824B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Powder and deposition control in throttle valves |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6422247B2 (en) | Pod and method of cleaning it | |
| KR100206612B1 (ko) | 화학증착장치 및 이 장치내의 불순물 입자 감소방법 | |
| KR100702844B1 (ko) | 로드락 챔버 및 그를 이용한 반도체 제조설비 | |
| JPH08102460A (ja) | プラズマリアクタ内の半導体ウエハ処理用改善フォーカスリング | |
| US5529626A (en) | Spincup with a wafer backside deposition reduction apparatus | |
| JPH0373523A (ja) | 半導体製造材料をエッチング処理する方法 | |
| US6228208B1 (en) | Plasma density and etch rate enhancing semiconductor processing chamber | |
| US6170496B1 (en) | Apparatus and method for servicing a wafer platform | |
| JP3012328B2 (ja) | 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 | |
| JPH07122503A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3131860B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| KR102586680B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JPH04236425A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000286243A (ja) | 真空処理装置の基板冷却台 | |
| JP3915314B2 (ja) | 枚葉式の処理装置 | |
| JP2000173927A (ja) | 平行平板型ｃｖｄ成膜装置及び成膜方法 | |
| KR20030030161A (ko) | 반도체 제조용 챔버의 배기시스템 | |
| KR20070038257A (ko) | 반도체 제조 설비의 배기 장치 | |
| JPH11243079A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2814864B2 (ja) | エアーロック室、イオン注入装置、並びに、エアーロック室のクリーニング方法 | |
| JPH0555191A (ja) | 洗浄槽 | |
| JPH0714795A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH07307335A (ja) | 半導体基板上における高密度集積回路の製造方法 | |
| KR19990004094A (ko) | 반도체장치 제조설비의 배관 퍼지장치와 그 퍼지방법 및 이들 퍼지장치와 퍼지방법을 이용한 제조설비의 클리닝 방법 | |
| KR20060124314A (ko) | 퓸 배기 다중 통로를 구비한 베벨 식각 공정 장비 |