KR20060124314A - 퓸 배기 다중 통로를 구비한 베벨 식각 공정 장비 - Google Patents

퓸 배기 다중 통로를 구비한 베벨 식각 공정 장비 Download PDF

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KR20060124314A
KR20060124314A KR1020050046163A KR20050046163A KR20060124314A KR 20060124314 A KR20060124314 A KR 20060124314A KR 1020050046163 A KR1020050046163 A KR 1020050046163A KR 20050046163 A KR20050046163 A KR 20050046163A KR 20060124314 A KR20060124314 A KR 20060124314A
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fume
exhaust
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김용목
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삼성전자주식회사
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

퓸(fume) 배기 다중 통로를 구비한 베벨 식각 공정 장비를 제시한다. 본 발명에 따르면, 하우징(housing) 내에 설치된 상측이 열린 스핀 챔버(spin chamber) 내에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지부, 웨이퍼 상에 대응되게 도입된 베벨 헤드(bevel head), 베벨 헤드 측부에 설치되어 웨이퍼의 가장 자리 영역에 화학액을 분사하는 노즐(nozzle), 하우징 상측에 설치되어 하우징 내로 유입되는 분위기 가스를 필터링하는 헤파 필터(hepa filter), 및 스핀 챔버 및 하우징 내에 발생된 퓸을 분위기 가스의 흐름에 의해 외부로 배출하기 위해 하우징에 설치되되, 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭적으로 설치되는 다수 개의 배기구를 포함하는 베벨 식각 공정 장비를 제시한다.
베벨 식각, 퓸 배기, 역류, 다중 배기구, 흡착

Description

퓸 배기 다중 통로를 구비한 베벨 식각 공정 장비{Bevel etching process apparatus with multi-paths for fume exhaust}
도 1은 종래의 베벨 식각 공정 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 베벨 식각 공정 장비의 퓸(fume) 배기를 위한 다중 통로를 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 정면도 및 평면도이다.
본 발명은 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로, 특히, 베벨 식각 공정(bevel etching process) 시 발생된 퓸(fume)을 원활하게 배출할 수 있는 베벨 식각 공정 장비에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 데 이용되는 베벨 식각 공정은 반도체 소자를 제조하는 데 사용되는 세정 공정 중의 하나로 이해될 수 있다. 베벨 식각 공정은 예컨대 웨이퍼(wafer) 상에 물질막을 스핀 코팅(spin coating) 등으로 도포한 후, 웨이퍼의 가장 자리 부분(edge) 상의 도포된 물질막 부분의 일부 영역, 즉, 웨이퍼의 테두리로부터 내측으로의 일정 영역을 선택적으로 제거하는 공정으로 이해될 수 있다. 이러한 베벨 식각 공정은 포토레지스트(photoresist)를 웨이퍼 상에 도포한 후 수행될 수 있다.
이러한 베벨 식각 공정은 베벨 식각을 주된 공정 단계로 포함하여 수행되고, 베벨 식각 단계 전 후에 각각 세정 및 린스 처리 단계를 더 포함하여 수행될 수 있도록 구성된 베벨 식각 공정 장비에서 수행되고 있다.
도 1은 종래의 베벨 식각 공정 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 베벨 식각 공정을 위한 장비는, 포토레지스트와 같은 물질막이 경면 상에 도포된 웨이퍼(10)가 장착되는 내측에 설치되는 스핀 챔버(spin chamber: 21)와, 스핀 챔버(21)가 내부에 설치되는 외측의 하우징(housing: 25)을 포함하고, 스핀 챔버(21) 내부에 웨이퍼(10)를 지지하는 지지핀(31)들을 구비하는 웨이퍼 지지부(30) 또는 척(chuck)이 설치되고, 장착된 웨이퍼(10) 상에 대향되는 스핀 챔버(21) 상측에 도입되게 설치된 베벨 헤드(bevel head: 40)를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 베벨 헤드(40)의 측부에는 베벨 식각 처리를 위한 화학액, 예컨대, 불산(HF)이 순수(deionized water)에 2:1로 희석된 식각액을 공급하기 위한 화학액 공급 노즐(nozzle: 41)이 설치될 수 있다. 베벨 헤드(40) 및 화학액 공급 노즐(41)의 구성은 베벨 식각 처리 시 웨이퍼(10)의 가장 자리 이외의 부분에는 식각 처리가 수행되지 않고, 웨이퍼(10)의 가장 자리 부분에만 선택적으로 식각 처리가 수행 되도록 하는 구성된다.
이러한 베벨 헤드(40)를 지지하는 헤드 지지대(43)가 내측의 스핀 챔버(21)의 외측에 설치된다. 그리고, 베벨 헤드(40)에는 질소 가스(N2)와 같은 비활성 가스를 웨이퍼(10)의 중심 부분에 공급하기 위한 가스 공급 라인(gas suppling line:45)이 더 설치될 수 있다.
한편, 웨이퍼(10)를 지지하는 웨이퍼 지지부(30)는 장비 내의 스핀 챔버(21) 내에서 수행되는 베벨 처리, 린스 처리, 또는/ 및 LAL500 등과 같은 세정액 처리 등과 같은 서로 구분되는 처리 시에 각각 그 높이가 달라지게 이동될 수 있다. 예컨대, 린스 처리 시에는 가장 높은 위치로 웨이퍼 지지부(30)가 올려지고, 베벨 처리 시에는 중간 높이로 웨이퍼 지지부(30)가 이동되고, LAL 500 등을 이용하는 처리 시에는 가장 낮은 높이로 웨이퍼 지지부(30)가 이동된다. 린스 처리 등에 사용되는 순수의 공급을 위한 순수 공급 노즐(50)이 또한 웨이퍼(10) 상에 도입 설치된다.
이와 같은 베벨 식각 공정 장비를 이용하여 베벨 처리를 할 때, 린스 처리 또는/ 및 LAL 500 세정액 또는 식각액을 이용한 세정 처리 등이 연속적으로 수반될 수 있다. 따라서, 스핀 챔버(21) 내에는 이들 서로 다른 세정액 또는 순수, 화학액의 배출을 위한 배출 통로(도시되지 않음)들이 구비될 수 있다.
한편, 이러한 베벨 식각 공정이 수행될 때, 베벨 처리 시에 또는 다른 처리 단계에서, 세정액 또는/ 및 여러 화학액 등을 사용됨에 따라, 이러한 세정액 또는/ 및 화학액의 사용 시 화학 성분의 퓸(fume)이 발생된다. 이러한 퓸은 웨이퍼(10) 상의 막질에 유해하므로, 원활히 하우징(25) 외부로 배기되는 것이 바람직하다.
이러한 퓸의 배기를 위해서 하우징(25) 상부에는 헤파 필터(hepa filter: 60)가 도입되고, 이러한 헤파 필터(60)를 통해 상측으로부터 하측으로의 기류의 흐름(80)을 발생시키고 있다. 이러한 기류의 흐름(80)은 질소 가스와 같은 비활성 가스를 포함하는 기류의 흐름으로, 하우징(25) 내부에 발생된 퓸을 하우징(25)의 일단에 마련된 배기구(70)로 흐르도록 유도하는 역할을 한다.
기류의 흐름(80)에 의한 퓸의 흐름(90)은 웨이퍼(10) 상으로 역류되지 않고 배기구(70)로 원활히 배기되도록 형성되는 것이 바람직하다. 그러나, 종래의 베벨 식각 공정 장비에서는 이러한 배기구(70)가 하우징(25)의 일단 측면에만 설치되고 있다. 따라서, 배기 흐름이 균일하고 원활하게 형성되지 못할 수 있다. 즉, 배기구(70)에 인접해서는 원활한 기류 흐름(80) 및 이에 따른 원활한 퓸 흐름(90)이 형성될 수 있으나, 배기구(70)의 반대측과 같이 배기구(70)로부터 상대적으로 먼 위치에서는, 불균일한 아래에서 위로 역류된 기류 흐름(81)이 발생될 수 있고, 이에 따라, 역류된 퓸의 흐름(91)이 발생될 수 있다.
역류된 퓸의 흐름(91)은 웨이퍼(10) 상에 퓸이 낙하(drop)하도록 하는 요인으로 작용할 수 있으며, 웨이퍼(10) 상에 낙하 흡착된 퓸은 웨이퍼(10) 상의 막질에 침해를 발생시켜 막질 결함(defect)을 발생시키는 요인으로 작용할 수 있다. 따라서, 베벨 식각 공정에서 퓸에 의한 웨이퍼(10) 상의 막질의 결함을 방지하기 위해서는 보다 원활한 기류 흐름을 하우징(25) 내에 형성하는 것이 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 베벨 식각 공정에서 화학적 퓸에 의한 웨이퍼 상의 막질의 결함을 방지하기 위해서 보다 원활한 기류 흐름을 하우징 내에 형성할 수 있는 베벨 식각 공정 장비의 구성을 제시하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 하우징(housing), 상기 하우징 내에 설치된 상측이 열린 스핀 챔버(spin chamber), 상기 스핀 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지부, 상기 웨이퍼 상에 대응되게 도입된 베벨 헤드(bevel head), 상기 베벨 헤드 측부에 설치되어 상기 웨이퍼의 가장 자리 영역에 화학액을 분사하는 노즐(nozzle), 상기 하우징 상측에 설치되어 상기 하우징 내로 유입되는 분위기 가스를 필터링하는 헤파 필터(hepa filter), 및 상기 스핀 챔버 및 상기 하우징 내에 발생된 퓸(fume)을 상기 분위기 가스의 흐름에 의해 외부로 배출하기 위해 상기 하우징에 설치되되 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭적으로 설치되는 다수 개의 배기구를 포함하는 베벨 식각 공정 장비를 제시한다.
상기 배기구들 중 어느 두 배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭되는 상기 하우징의 측면 부위에 각각 설치되는 것일 수 있다. 또는, 상기 배기구들 중 어느 두 배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭되는 상기 하우징의 바닥 부위에 각각 설치되는 것일 수 있다.
또는, 상기 배기구들 중 어느 두 제1배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상 호 간에 대칭되는 상기 하우징의 측면 부위에 각각 설치되고, 상기 배기구들 중 다른 어느 두 제2배기구는 상기 제1배기구에 대해 수직한 방향에 설치되되 상호 간에 대칭되게 설치되는 것일 수 있다.
본 발명에 따르면, 베벨 식각 공정 장비의 하우징의 바닥 및 측면에 균형이 이루어지도록 배기구들을 다수 구비하여, 퓸의 배기 통로가 다수 개가 형성될 수 있도록 하여, 퓸의 배기 시 퓸의 흐름에 역류가 발생되는 것을 방지하며 퓸의 배기가 원활하게 이루어지도록 하는 베벨 식각 공정 장비를 제시할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에서는, 베벨 식각 공정이 수행되는 장비에 베벨 식각 공정의 수행 시 발생되는 퓸의 배기를 위한 배기 통로를 다수 개 균형되게 설치하여, 퓸의 배기가 원활하게 이루어지도록 하고 퓸의 역류에 따른 웨이퍼 상의 결함 발생을 방지한다. 퓸의 배기를 위한 배기구는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 지지부가 설치되는 스핀 챔버의 외측에 설치되는 하우징의 바닥 및 측면에 다수 개가 설치된다. 이러한 배기구들은 스핀 챔버를 중심으로 대칭적으로 다수 개가 설치될 수 있다.
다수 개의 배기구들이 하우징에 설치됨에 따라, 헤파 필터를 통해 제공되는 분위기 가스의 흐름, 예컨대, 하우징 상측에서 하측으로 흐르는 분위기 가스의 기류 흐름이 원활하게 각각 배치된 배기구로 향하게 안정되게 형성될 수 있다. 이에 따라, 기류 흐름에 불안정한 와류 등이 발생되는 것이 방지되며, 또한, 기류 흐름에 의해 배기되는 퓸의 배기 흐름 또한 안정화되게 된다. 따라서, 퓸의 흐름에 역류가 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 이에 따라, 퓸의 역류에 의해 웨이퍼 상에 퓸이 낙하 흡착되어, 웨이퍼 상의 막질에 퓸에 의한 침해 또는 결함 등이 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 베벨 식각 공정 장비의 퓸(fume) 배기를 위한 다중 통로를 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 정면도 및 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 베벨 식각 공정을 위한 장비는, 하우징(250)에 퓸의 배기를 위한 다수 개의 배기구(710, 750)들을 설치하여, 퓸의 원활할 배기 흐름이 형성되도록 유도한다. 하우징(250) 내에는 스핀 챔버(210)가 설치되는 데, 스핀 챔버(210) 내에는 포토레지스트와 같은 물질막이 경면 상에 도포된 웨이퍼(100)가 장착되게 된다.
배기구(710, 750)들은 이러한 스핀 챔버(210)를 중심으로 상호 대칭되는 위치에 설치될 수 있다. 예컨대, 도 3에 제시된 바와 같이 하우징(250)의 서로 대향되는 두 측면에 두 개의 제1배기구(710)들이 설치될 수 있다. 또한, 제1배기구(710)들에 대해 평면에서 볼 때 수직한 방향에 제2배기구(750)들이 설치될 수 있다. 제2배기구(750)들은 스핀 챔버(210)를 중심으로 상호 대칭되는 하우징(250)의 바닥에 설치될 수 있다.
이와 같이 배기구(710, 750)들이 베벨 식각 공정이 실질적으로 수행되는 스핀 챔버(210)를 중심으로 사방에 상호 대칭적으로 설치됨에 따라, 기류의 배기 흐름이 이러한 배기구(710, 750)들로 원활하게 향하게 형성되어, 스핀 챔버(210) 방향으로의 배기 기류의 역류 흐름의 생성을 효과적으로 방지할 수 있다. 종래의 경우 하우징(도 1의 25)의 일단에 하나의 배기구(70)가 설치됨에 따라, 배기 기류의 흐름이 원활하지 못하여 역류 발생이 수반되었으나, 본 발명의 실시예에서는 스핀 챔버(210)를 중심으로 대칭적인 위치에 다수 개의 배기구(710, 750)들을 설치함으로써, 배기 흐름에 역류가 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
스핀 챔버(210) 내에는 웨이퍼(100)의 베벨 식각 공정이 수행되기 위해서, 웨이퍼(100)를 지지하는 웨이퍼 지지부(300) 또는 척이 지지핀(301)을 구비하여 설치될 수 있다. 이러한 웨이퍼 지지부(300)는 베벨 식각 공정 중에 스핀 회전할 수 있다. 그리고, 장착된 웨이퍼(100) 상에 대향되는 스핀 챔버(210) 상측에는 베벨 헤드(400)가 설치되며, 베벨 헤드(400)에는 웨이퍼(100) 가장 자리부에 베벨 식각을 위한 식각액 또는 세정액과 같은 화학액을 분사하기 위한 화학액 공급 노즐(410)이 설치된다.
베벨 헤드(400)는 베벨 식각을 위한 화학액, 예컨대, 불산(HF)이 순수(DIW)에 2:1로 희석된 식각액이 웨이퍼(100)의 중심 부분에 제공되지 못하게 웨이퍼(100)의 대응되는 원통형으로 형성될 수 있다. 이러한 베벨 헤드(400)는 웨이퍼(100) 상에 질소 가스와 같은 비활성 가스를 공급하기 위한 가스 공급 라인(450)을 구비할 수 있고, 또한, 웨이퍼(100) 상에 순수와 같은 린스 또는 세정액을 공급하기 위한 순수 공급 라인(470)을 더 구비할 수 있다. 이러한 가스 공급 라인(450) 또는/ 및 순수 공급 라인(470)은 베벨 헤드(400)의 웨이퍼(100) 대응면의 중앙부에 그 공급단이 위치하게 설치될 수 있다.
베벨 헤드(400)는 헤드 지지대(430)에 의해서 상측이 열린 원통형 스핀 챔버(210) 상에 도입되게 지지된다. 헤드 지지대(430)는 스핀 챔버(210)의 외측의 하우징(250)의 바닥에 설치된다.
한편, 웨이퍼(100)를 지지하는 웨이퍼 지지부(300)는 장비 내의 스핀 챔버(210) 내에서 수행되는 베벨 처리, 린스 처리, 또는/ 및 LAL500 등과 같은 세정액 처리 등과 같은 서로 구분되는 처리 시에, 각각 그 높이가 달라지게 이동될 수 있다. 예컨대, 린스 처리 시에는 가장 높은 위치로 웨이퍼 지지부(300)가 올려지고, 베벨 처리 시에는 중간 높이로 웨이퍼 지지부(300)가 이동되고, LAL 500 등을 이용하는 처리 시에는 가장 낮은 높이로 웨이퍼 지지부(300)가 이동될 수 있다.
또한, 린스 처리 등에 사용되는 순수의 공급을 위한 순수 공급 노즐(500)이 또한 웨이퍼(100) 상에 도입되게 설치될 수 있다. 이러한 베벨 식각 공정 장비는 4개의 챔버가 일련되게 구성될 수 있으며, 이에 따라, 한 번에 4매의 웨이퍼가 처리될 수 있다.
이와 같은 베벨 식각 공정 장비를 이용하여 베벨 처리를 할 때, 린스 처리 또는/ 및 LAL 500 세정액 또는 식각액을 이용한 세정 처리 등이 연속적으로 수반될 수 있다. 따라서, 스핀 챔버(210) 내에는 이들 서로 다른 세정액 또는 순수, 화학 액의 배출을 위한 배출 통로(도시되지 않음)들이 각각 구비될 수 있다.
한편, 이러한 베벨 식각 공정이 수행될 때, 베벨 처리 시에 또는 다른 처리 단계에서, 세정액 또는/ 및 여러 화학액 등을 사용됨에 따라, 이러한 세정액 또는/ 및 화학액의 사용 시 화학 성분의 퓸이 발생된다. 이러한 퓸은 웨이퍼(100) 상의 막질에 유해하므로, 원활히 하우징(250) 외부로 배기되는 것이 바람직하다.
이러한 퓸의 원활한 배기를 위해서 하우징(250) 상부에는 헤파 필터(600)가 도입되고, 이러한 헤파 필터(600)를 통해 상측으로부터 하측으로의 기류의 흐름(800)이 생성되게 된다. 이러한 기류의 흐름(800)은 질소 가스와 같은 비활성 가스를 포함하는 기류의 흐름으로, 하우징(250) 내부에 발생된 퓸을 하우징(250)에 설치된 다수 개의 배기구(710, 750)들로 흐르도록 유도하는 역할을 한다.
이때, 본 발명의 실시예서는 다수 개의 배기구(710, 750)들이 상호 간에 대칭적으로 설치되므로, 기류의 흐름(800)은 이러한 배기구(710, 750)들을 향하는 원활한 흐름으로 형성될 수 있다. 다수 개의 배기구(710, 750)들이 도 3에 제시된 바와 같이 스핀 챔버(210)를 중심으로 상호 대칭적으로 다수 개가 설치되므로, 기류의 흐름(800)은 스핀 챔버(210) 내에로의 역류의 발생이 효과적으로 방지되며 원활히 형성될 수 있다. 이에 따라, 이러한 기류의 흐름(800)에 의한 퓸의 배기 흐름(900) 또한 원활히 이루어질 수 있다.
예컨대, 도 2의 좌측의 제1배기구(710)로의 제1기류 흐름(801)은 스핀 챔버(210) 내부에서 발생되는 퓸을 좌측의 제1배기구(710)로 흐르는 퓸의 제1흐름(901)이 형성되게 유도할 수 있다. 또한, 스핀 챔버(210)를 중심으로 반대쪽에서는 우측 의 제1배기구(710)로의 제2기류 흐름(803)이 원활히 형성되는 데, 제2기류 흐름(803)은 스핀 챔버(210) 내부에서 발생되는 퓸을 좌측의 제1배기구(710)로 흐르는 퓸의 제2흐름(903)이 형성되게 유도할 수 있다.
마찬가지로, 도 3에 제시된 제2배기구(750)들 또한 스핀 챔버(210)를 중심으로 대칭적으로 배치되므로, 각각의 영역에서 원활한 기류의 흐름들이 각각 형성되고, 이에 따라, 원활한 퓸의 배기를 위한 흐름이 형성되게 된다. 따라서, 도 1에 제시된 바와 같은 종래의 경우와 달리 퓸의 흐름에 역류가 발생되는 것이 효과적으로 방지될 수 있다.
역류된 퓸의 흐름은 웨이퍼 상에 퓸이 낙하(drop)하도록 하는 요인으로 작용할 수 있으며, 웨이퍼 상에 낙하 흡착된 퓸은 웨이퍼 상의 막질에 침해를 발생시켜 막질 결함(defect)을 발생시키는 요인으로 작용할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 다수 개의 배기구(710, 750)들을 상호 대칭적으로 설치함으로써, 퓸의 역류를 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 퓸의 역류에 따른 웨이퍼 상의 막질에의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
상술한 본 발명에 따르면, 베벨 식각 공정이 수행될 때 하우징 외부로의 배기를 위한 배기구들을 하우징에 다수 개 상호 대칭적으로 설치함으로써, 퓸의 배기 통로를 다수 개 구현할 수 있다. 이에 따라, 퓸의 배기는 보다 원활해질 수 있으며, 하우징 전체에 걸쳐 균형있게 또는 균일하게 퓸의 배기가 이루어질 수 있다. 이에 따라, 퓸의 배기 흐름에 역류가 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있 어, 퓸의 역류에 따른 웨이퍼 상의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.

Claims (4)

  1. 하우징(housing);
    상기 하우징 내에 설치된 상측이 열린 스핀 챔버(spin chamber);
    상기 스핀 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지부;
    상기 웨이퍼 상에 대응되게 도입된 베벨 헤드(bevel head);
    상기 베벨 헤드 측부에 설치되어 상기 웨이퍼의 가장 자리 영역에 화학액을 분사하는 노즐(nozzle);
    상기 하우징 상측에 설치되어 상기 하우징 내로 유입되는 분위기 가스를 필터링하는 헤파 필터(hepa filter); 및
    상기 스핀 챔버 및 상기 하우징 내에 발생된 퓸(fume)을 상기 분위기 가스의 흐름에 의해 외부로 배출하기 위해 상기 하우징에 설치되되 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭적으로 설치되는 다수 개의 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 베벨 식각 공정 장비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기구들 중 어느 두 배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭되는 상기 하우징의 측면 부위에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 베벨 식각 공정 장비.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배기구들 중 어느 두 배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭되는 상기 하우징의 바닥 부위에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 베벨 식각 공정 장비.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배기구들 중 어느 두 제1배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭되는 상기 하우징의 측면 부위에 각각 설치되고
    상기 배기구들 중 다른 어느 두 제2배기구는 상기 제1배기구에 대해 수직한 방향에 설치되되 상호 간에 대칭되게 설치되는 것을 특징으로 하는 베벨 식각 공정 장비.
KR1020050046163A 2005-05-31 2005-05-31 퓸 배기 다중 통로를 구비한 베벨 식각 공정 장비 KR20060124314A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100768558B1 (ko) * 2006-12-29 2007-10-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100895032B1 (ko) * 2007-08-08 2009-04-24 세메스 주식회사 스핀 헤드

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