KR20060124314A - Bevel etching process apparatus with multi-paths for fume exhaust - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 베벨 식각 공정 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically illustrating a conventional bevel etching process equipment.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 베벨 식각 공정 장비의 퓸(fume) 배기를 위한 다중 통로를 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 정면도 및 평면도이다. 2 and 3 are schematic front and plan views, respectively, to illustrate multiple passages for fume exhaust of a bevel etching process apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로, 특히, 베벨 식각 공정(bevel etching process) 시 발생된 퓸(fume)을 원활하게 배출할 수 있는 베벨 식각 공정 장비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, to a bevel etching process equipment capable of smoothly discharging fumes generated during a bevel etching process.
반도체 소자를 제조하는 데 이용되는 베벨 식각 공정은 반도체 소자를 제조하는 데 사용되는 세정 공정 중의 하나로 이해될 수 있다. 베벨 식각 공정은 예컨대 웨이퍼(wafer) 상에 물질막을 스핀 코팅(spin coating) 등으로 도포한 후, 웨이퍼의 가장 자리 부분(edge) 상의 도포된 물질막 부분의 일부 영역, 즉, 웨이퍼의 테두리로부터 내측으로의 일정 영역을 선택적으로 제거하는 공정으로 이해될 수 있다. 이러한 베벨 식각 공정은 포토레지스트(photoresist)를 웨이퍼 상에 도포한 후 수행될 수 있다. The bevel etching process used to manufacture the semiconductor device may be understood as one of the cleaning processes used to manufacture the semiconductor device. The bevel etching process is performed by, for example, spin coating of a material film on a wafer, and then a partial region of the coated material film part on an edge of the wafer, that is, an inner side from the edge of the wafer. It can be understood as a process for selectively removing a certain area of the furnace. This bevel etching process may be performed after applying a photoresist on the wafer.
이러한 베벨 식각 공정은 베벨 식각을 주된 공정 단계로 포함하여 수행되고, 베벨 식각 단계 전 후에 각각 세정 및 린스 처리 단계를 더 포함하여 수행될 수 있도록 구성된 베벨 식각 공정 장비에서 수행되고 있다. The bevel etching process is performed by including the bevel etching as a main process step, and is carried out in the bevel etching process equipment configured to be further performed before and after the bevel etching step, respectively.
도 1은 종래의 베벨 식각 공정 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically illustrating a conventional bevel etching process equipment.
도 1을 참조하면, 종래의 베벨 식각 공정을 위한 장비는, 포토레지스트와 같은 물질막이 경면 상에 도포된 웨이퍼(10)가 장착되는 내측에 설치되는 스핀 챔버(spin chamber: 21)와, 스핀 챔버(21)가 내부에 설치되는 외측의 하우징(housing: 25)을 포함하고, 스핀 챔버(21) 내부에 웨이퍼(10)를 지지하는 지지핀(31)들을 구비하는 웨이퍼 지지부(30) 또는 척(chuck)이 설치되고, 장착된 웨이퍼(10) 상에 대향되는 스핀 챔버(21) 상측에 도입되게 설치된 베벨 헤드(bevel head: 40)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 1, a device for a conventional bevel etching process includes a
이때, 베벨 헤드(40)의 측부에는 베벨 식각 처리를 위한 화학액, 예컨대, 불산(HF)이 순수(deionized water)에 2:1로 희석된 식각액을 공급하기 위한 화학액 공급 노즐(nozzle: 41)이 설치될 수 있다. 베벨 헤드(40) 및 화학액 공급 노즐(41)의 구성은 베벨 식각 처리 시 웨이퍼(10)의 가장 자리 이외의 부분에는 식각 처리가 수행되지 않고, 웨이퍼(10)의 가장 자리 부분에만 선택적으로 식각 처리가 수행 되도록 하는 구성된다. At this time, the side of the
이러한 베벨 헤드(40)를 지지하는 헤드 지지대(43)가 내측의 스핀 챔버(21)의 외측에 설치된다. 그리고, 베벨 헤드(40)에는 질소 가스(N2)와 같은 비활성 가스를 웨이퍼(10)의 중심 부분에 공급하기 위한 가스 공급 라인(gas suppling line:45)이 더 설치될 수 있다. The head support 43 for supporting the
한편, 웨이퍼(10)를 지지하는 웨이퍼 지지부(30)는 장비 내의 스핀 챔버(21) 내에서 수행되는 베벨 처리, 린스 처리, 또는/ 및 LAL500 등과 같은 세정액 처리 등과 같은 서로 구분되는 처리 시에 각각 그 높이가 달라지게 이동될 수 있다. 예컨대, 린스 처리 시에는 가장 높은 위치로 웨이퍼 지지부(30)가 올려지고, 베벨 처리 시에는 중간 높이로 웨이퍼 지지부(30)가 이동되고, LAL 500 등을 이용하는 처리 시에는 가장 낮은 높이로 웨이퍼 지지부(30)가 이동된다. 린스 처리 등에 사용되는 순수의 공급을 위한 순수 공급 노즐(50)이 또한 웨이퍼(10) 상에 도입 설치된다. On the other hand, the wafer support 30 for supporting the
이와 같은 베벨 식각 공정 장비를 이용하여 베벨 처리를 할 때, 린스 처리 또는/ 및 LAL 500 세정액 또는 식각액을 이용한 세정 처리 등이 연속적으로 수반될 수 있다. 따라서, 스핀 챔버(21) 내에는 이들 서로 다른 세정액 또는 순수, 화학액의 배출을 위한 배출 통로(도시되지 않음)들이 구비될 수 있다. When the bevel treatment is performed using such a bevel etching process equipment, a rinse treatment and / or a cleaning treatment using an
한편, 이러한 베벨 식각 공정이 수행될 때, 베벨 처리 시에 또는 다른 처리 단계에서, 세정액 또는/ 및 여러 화학액 등을 사용됨에 따라, 이러한 세정액 또는/ 및 화학액의 사용 시 화학 성분의 퓸(fume)이 발생된다. 이러한 퓸은 웨이퍼(10) 상의 막질에 유해하므로, 원활히 하우징(25) 외부로 배기되는 것이 바람직하다. On the other hand, when such a bevel etching process is performed, at the time of beveling or in other processing steps, a cleaning liquid and / or various chemical liquids are used, so that the fume of the chemical component in the use of such cleaning liquid and / or chemical liquid ) Is generated. Since the fume is harmful to the film quality on the
이러한 퓸의 배기를 위해서 하우징(25) 상부에는 헤파 필터(hepa filter: 60)가 도입되고, 이러한 헤파 필터(60)를 통해 상측으로부터 하측으로의 기류의 흐름(80)을 발생시키고 있다. 이러한 기류의 흐름(80)은 질소 가스와 같은 비활성 가스를 포함하는 기류의 흐름으로, 하우징(25) 내부에 발생된 퓸을 하우징(25)의 일단에 마련된 배기구(70)로 흐르도록 유도하는 역할을 한다. A
기류의 흐름(80)에 의한 퓸의 흐름(90)은 웨이퍼(10) 상으로 역류되지 않고 배기구(70)로 원활히 배기되도록 형성되는 것이 바람직하다. 그러나, 종래의 베벨 식각 공정 장비에서는 이러한 배기구(70)가 하우징(25)의 일단 측면에만 설치되고 있다. 따라서, 배기 흐름이 균일하고 원활하게 형성되지 못할 수 있다. 즉, 배기구(70)에 인접해서는 원활한 기류 흐름(80) 및 이에 따른 원활한 퓸 흐름(90)이 형성될 수 있으나, 배기구(70)의 반대측과 같이 배기구(70)로부터 상대적으로 먼 위치에서는, 불균일한 아래에서 위로 역류된 기류 흐름(81)이 발생될 수 있고, 이에 따라, 역류된 퓸의 흐름(91)이 발생될 수 있다. The flow of
역류된 퓸의 흐름(91)은 웨이퍼(10) 상에 퓸이 낙하(drop)하도록 하는 요인으로 작용할 수 있으며, 웨이퍼(10) 상에 낙하 흡착된 퓸은 웨이퍼(10) 상의 막질에 침해를 발생시켜 막질 결함(defect)을 발생시키는 요인으로 작용할 수 있다. 따라서, 베벨 식각 공정에서 퓸에 의한 웨이퍼(10) 상의 막질의 결함을 방지하기 위해서는 보다 원활한 기류 흐름을 하우징(25) 내에 형성하는 것이 요구되고 있다.The backflow of
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 베벨 식각 공정에서 화학적 퓸에 의한 웨이퍼 상의 막질의 결함을 방지하기 위해서 보다 원활한 기류 흐름을 하우징 내에 형성할 수 있는 베벨 식각 공정 장비의 구성을 제시하는 데 있다. An object of the present invention is to propose a configuration of a bevel etching process equipment capable of forming a more smooth air flow in the housing in order to prevent film defects on the wafer due to chemical fume in the bevel etching process.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 하우징(housing), 상기 하우징 내에 설치된 상측이 열린 스핀 챔버(spin chamber), 상기 스핀 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지부, 상기 웨이퍼 상에 대응되게 도입된 베벨 헤드(bevel head), 상기 베벨 헤드 측부에 설치되어 상기 웨이퍼의 가장 자리 영역에 화학액을 분사하는 노즐(nozzle), 상기 하우징 상측에 설치되어 상기 하우징 내로 유입되는 분위기 가스를 필터링하는 헤파 필터(hepa filter), 및 상기 스핀 챔버 및 상기 하우징 내에 발생된 퓸(fume)을 상기 분위기 가스의 흐름에 의해 외부로 배출하기 위해 상기 하우징에 설치되되 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭적으로 설치되는 다수 개의 배기구를 포함하는 베벨 식각 공정 장비를 제시한다. One aspect of the present invention for achieving the above technical problem is a housing (housing), a spin chamber (top side) is installed in the housing is open, a wafer support is installed in the spin chamber to support the wafer, on the wafer A bevel head introduced in correspondence to the bevel head, a nozzle disposed at the bevel head side to inject a chemical solution into an edge region of the wafer, and an atmospheric gas installed at the upper side of the housing to flow into the housing. A hepa filter for filtering, and fumes generated in the spin chamber and the housing are installed in the housing to discharge to the outside by the flow of the atmospheric gas, and are symmetrical with respect to the spin chamber. A bevel etching process apparatus is provided that includes a plurality of vents that are typically installed.
상기 배기구들 중 어느 두 배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭되는 상기 하우징의 측면 부위에 각각 설치되는 것일 수 있다. 또는, 상기 배기구들 중 어느 두 배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상호 간에 대칭되는 상기 하우징의 바닥 부위에 각각 설치되는 것일 수 있다. Any two of the exhaust ports may be installed at side portions of the housing that are symmetrical with respect to the spin chamber. Alternatively, any two of the exhaust ports may be installed at bottom portions of the housing that are symmetrical with each other about the spin chamber.
또는, 상기 배기구들 중 어느 두 제1배기구는 상기 스핀 챔버를 중심으로 상 호 간에 대칭되는 상기 하우징의 측면 부위에 각각 설치되고, 상기 배기구들 중 다른 어느 두 제2배기구는 상기 제1배기구에 대해 수직한 방향에 설치되되 상호 간에 대칭되게 설치되는 것일 수 있다. Alternatively, any two first exhaust ports of the exhaust ports are respectively provided at side portions of the housing which are mutually symmetrical with respect to the spin chamber, and any other two second exhaust ports of the exhaust ports are provided with respect to the first exhaust port. Installed in a vertical direction but may be installed symmetrically to each other.
본 발명에 따르면, 베벨 식각 공정 장비의 하우징의 바닥 및 측면에 균형이 이루어지도록 배기구들을 다수 구비하여, 퓸의 배기 통로가 다수 개가 형성될 수 있도록 하여, 퓸의 배기 시 퓸의 흐름에 역류가 발생되는 것을 방지하며 퓸의 배기가 원활하게 이루어지도록 하는 베벨 식각 공정 장비를 제시할 수 있다. According to the present invention, a plurality of exhaust ports are provided so that the bottom and side surfaces of the housing of the bevel etching process equipment are balanced, so that a plurality of exhaust passages of the fume can be formed, so that a backflow occurs in the flow of the fume when the fume is exhausted. Bevel etching process equipment can be proposed to prevent the build-up and to facilitate the evacuation of the fume.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the invention are preferably to be interpreted as being provided to those skilled in the art to more fully describe the invention.
본 발명의 실시예에서는, 베벨 식각 공정이 수행되는 장비에 베벨 식각 공정의 수행 시 발생되는 퓸의 배기를 위한 배기 통로를 다수 개 균형되게 설치하여, 퓸의 배기가 원활하게 이루어지도록 하고 퓸의 역류에 따른 웨이퍼 상의 결함 발생을 방지한다. 퓸의 배기를 위한 배기구는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 지지부가 설치되는 스핀 챔버의 외측에 설치되는 하우징의 바닥 및 측면에 다수 개가 설치된다. 이러한 배기구들은 스핀 챔버를 중심으로 대칭적으로 다수 개가 설치될 수 있다. In an embodiment of the present invention, a plurality of exhaust passages for exhausting the fumes generated when the bevel etching process is performed in the equipment in which the bevel etching process is performed are provided in a balanced manner so that the exhaust of the fume is smoothly made and the backflow of the fume is performed. To prevent defects on the wafer. A plurality of exhaust ports for exhausting the fume are installed on the bottom and side of the housing which is installed outside the spin chamber where the wafer support on which the wafer is mounted is installed. A plurality of such exhaust ports may be installed symmetrically about the spin chamber.
다수 개의 배기구들이 하우징에 설치됨에 따라, 헤파 필터를 통해 제공되는 분위기 가스의 흐름, 예컨대, 하우징 상측에서 하측으로 흐르는 분위기 가스의 기류 흐름이 원활하게 각각 배치된 배기구로 향하게 안정되게 형성될 수 있다. 이에 따라, 기류 흐름에 불안정한 와류 등이 발생되는 것이 방지되며, 또한, 기류 흐름에 의해 배기되는 퓸의 배기 흐름 또한 안정화되게 된다. 따라서, 퓸의 흐름에 역류가 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 이에 따라, 퓸의 역류에 의해 웨이퍼 상에 퓸이 낙하 흡착되어, 웨이퍼 상의 막질에 퓸에 의한 침해 또는 결함 등이 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. As the plurality of exhaust ports are installed in the housing, the flow of the atmospheric gas provided through the HEPA filter, for example, the air flow of the atmospheric gas flowing from the upper side to the lower side of the housing, can be stably formed to be smoothly disposed toward the exhaust ports respectively disposed. This prevents the generation of unstable vortices and the like in the air flow, and also stabilizes the exhaust flow of the fume exhausted by the air flow. Therefore, it is possible to effectively prevent the backflow from occurring in the flow of the fume. Accordingly, the fume is dropped and adsorbed onto the wafer due to the backflow of the fume, thereby effectively preventing the fume intrusion or defects, etc. from occurring in the film quality on the wafer. You can prevent it.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 베벨 식각 공정 장비의 퓸(fume) 배기를 위한 다중 통로를 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 정면도 및 평면도이다. 2 and 3 are schematic front and plan views, respectively, to illustrate multiple passages for fume exhaust of a bevel etching process apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 베벨 식각 공정을 위한 장비는, 하우징(250)에 퓸의 배기를 위한 다수 개의 배기구(710, 750)들을 설치하여, 퓸의 원활할 배기 흐름이 형성되도록 유도한다. 하우징(250) 내에는 스핀 챔버(210)가 설치되는 데, 스핀 챔버(210) 내에는 포토레지스트와 같은 물질막이 경면 상에 도포된 웨이퍼(100)가 장착되게 된다. 2 and 3, the equipment for the bevel etching process according to an embodiment of the present invention, by installing a plurality of exhaust ports (710, 750) for the exhaust of the fume in the
배기구(710, 750)들은 이러한 스핀 챔버(210)를 중심으로 상호 대칭되는 위치에 설치될 수 있다. 예컨대, 도 3에 제시된 바와 같이 하우징(250)의 서로 대향되는 두 측면에 두 개의 제1배기구(710)들이 설치될 수 있다. 또한, 제1배기구(710)들에 대해 평면에서 볼 때 수직한 방향에 제2배기구(750)들이 설치될 수 있다. 제2배기구(750)들은 스핀 챔버(210)를 중심으로 상호 대칭되는 하우징(250)의 바닥에 설치될 수 있다. The
이와 같이 배기구(710, 750)들이 베벨 식각 공정이 실질적으로 수행되는 스핀 챔버(210)를 중심으로 사방에 상호 대칭적으로 설치됨에 따라, 기류의 배기 흐름이 이러한 배기구(710, 750)들로 원활하게 향하게 형성되어, 스핀 챔버(210) 방향으로의 배기 기류의 역류 흐름의 생성을 효과적으로 방지할 수 있다. 종래의 경우 하우징(도 1의 25)의 일단에 하나의 배기구(70)가 설치됨에 따라, 배기 기류의 흐름이 원활하지 못하여 역류 발생이 수반되었으나, 본 발명의 실시예에서는 스핀 챔버(210)를 중심으로 대칭적인 위치에 다수 개의 배기구(710, 750)들을 설치함으로써, 배기 흐름에 역류가 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. As the
스핀 챔버(210) 내에는 웨이퍼(100)의 베벨 식각 공정이 수행되기 위해서, 웨이퍼(100)를 지지하는 웨이퍼 지지부(300) 또는 척이 지지핀(301)을 구비하여 설치될 수 있다. 이러한 웨이퍼 지지부(300)는 베벨 식각 공정 중에 스핀 회전할 수 있다. 그리고, 장착된 웨이퍼(100) 상에 대향되는 스핀 챔버(210) 상측에는 베벨 헤드(400)가 설치되며, 베벨 헤드(400)에는 웨이퍼(100) 가장 자리부에 베벨 식각을 위한 식각액 또는 세정액과 같은 화학액을 분사하기 위한 화학액 공급 노즐(410)이 설치된다. In the
베벨 헤드(400)는 베벨 식각을 위한 화학액, 예컨대, 불산(HF)이 순수(DIW)에 2:1로 희석된 식각액이 웨이퍼(100)의 중심 부분에 제공되지 못하게 웨이퍼(100)의 대응되는 원통형으로 형성될 수 있다. 이러한 베벨 헤드(400)는 웨이퍼(100) 상에 질소 가스와 같은 비활성 가스를 공급하기 위한 가스 공급 라인(450)을 구비할 수 있고, 또한, 웨이퍼(100) 상에 순수와 같은 린스 또는 세정액을 공급하기 위한 순수 공급 라인(470)을 더 구비할 수 있다. 이러한 가스 공급 라인(450) 또는/ 및 순수 공급 라인(470)은 베벨 헤드(400)의 웨이퍼(100) 대응면의 중앙부에 그 공급단이 위치하게 설치될 수 있다. The
베벨 헤드(400)는 헤드 지지대(430)에 의해서 상측이 열린 원통형 스핀 챔버(210) 상에 도입되게 지지된다. 헤드 지지대(430)는 스핀 챔버(210)의 외측의 하우징(250)의 바닥에 설치된다. The
한편, 웨이퍼(100)를 지지하는 웨이퍼 지지부(300)는 장비 내의 스핀 챔버(210) 내에서 수행되는 베벨 처리, 린스 처리, 또는/ 및 LAL500 등과 같은 세정액 처리 등과 같은 서로 구분되는 처리 시에, 각각 그 높이가 달라지게 이동될 수 있다. 예컨대, 린스 처리 시에는 가장 높은 위치로 웨이퍼 지지부(300)가 올려지고, 베벨 처리 시에는 중간 높이로 웨이퍼 지지부(300)가 이동되고, LAL 500 등을 이용하는 처리 시에는 가장 낮은 높이로 웨이퍼 지지부(300)가 이동될 수 있다. On the other hand, the
또한, 린스 처리 등에 사용되는 순수의 공급을 위한 순수 공급 노즐(500)이 또한 웨이퍼(100) 상에 도입되게 설치될 수 있다. 이러한 베벨 식각 공정 장비는 4개의 챔버가 일련되게 구성될 수 있으며, 이에 따라, 한 번에 4매의 웨이퍼가 처리될 수 있다. In addition, a pure
이와 같은 베벨 식각 공정 장비를 이용하여 베벨 처리를 할 때, 린스 처리 또는/ 및 LAL 500 세정액 또는 식각액을 이용한 세정 처리 등이 연속적으로 수반될 수 있다. 따라서, 스핀 챔버(210) 내에는 이들 서로 다른 세정액 또는 순수, 화학 액의 배출을 위한 배출 통로(도시되지 않음)들이 각각 구비될 수 있다. When the bevel treatment is performed using such a bevel etching process equipment, a rinse treatment and / or a cleaning treatment using an
한편, 이러한 베벨 식각 공정이 수행될 때, 베벨 처리 시에 또는 다른 처리 단계에서, 세정액 또는/ 및 여러 화학액 등을 사용됨에 따라, 이러한 세정액 또는/ 및 화학액의 사용 시 화학 성분의 퓸이 발생된다. 이러한 퓸은 웨이퍼(100) 상의 막질에 유해하므로, 원활히 하우징(250) 외부로 배기되는 것이 바람직하다. On the other hand, when such a bevel etching process is performed, at the time of beveling or in another processing step, as the cleaning liquid and / or various chemical liquids are used, the fume of the chemical component is generated when the cleaning liquid and / or chemical liquid is used. do. Since the fume is harmful to the film quality on the
이러한 퓸의 원활한 배기를 위해서 하우징(250) 상부에는 헤파 필터(600)가 도입되고, 이러한 헤파 필터(600)를 통해 상측으로부터 하측으로의 기류의 흐름(800)이 생성되게 된다. 이러한 기류의 흐름(800)은 질소 가스와 같은 비활성 가스를 포함하는 기류의 흐름으로, 하우징(250) 내부에 발생된 퓸을 하우징(250)에 설치된 다수 개의 배기구(710, 750)들로 흐르도록 유도하는 역할을 한다.In order to smoothly discharge the fume, a
이때, 본 발명의 실시예서는 다수 개의 배기구(710, 750)들이 상호 간에 대칭적으로 설치되므로, 기류의 흐름(800)은 이러한 배기구(710, 750)들을 향하는 원활한 흐름으로 형성될 수 있다. 다수 개의 배기구(710, 750)들이 도 3에 제시된 바와 같이 스핀 챔버(210)를 중심으로 상호 대칭적으로 다수 개가 설치되므로, 기류의 흐름(800)은 스핀 챔버(210) 내에로의 역류의 발생이 효과적으로 방지되며 원활히 형성될 수 있다. 이에 따라, 이러한 기류의 흐름(800)에 의한 퓸의 배기 흐름(900) 또한 원활히 이루어질 수 있다. At this time, in the embodiment of the present invention, since the plurality of
예컨대, 도 2의 좌측의 제1배기구(710)로의 제1기류 흐름(801)은 스핀 챔버(210) 내부에서 발생되는 퓸을 좌측의 제1배기구(710)로 흐르는 퓸의 제1흐름(901)이 형성되게 유도할 수 있다. 또한, 스핀 챔버(210)를 중심으로 반대쪽에서는 우측 의 제1배기구(710)로의 제2기류 흐름(803)이 원활히 형성되는 데, 제2기류 흐름(803)은 스핀 챔버(210) 내부에서 발생되는 퓸을 좌측의 제1배기구(710)로 흐르는 퓸의 제2흐름(903)이 형성되게 유도할 수 있다. For example, the
마찬가지로, 도 3에 제시된 제2배기구(750)들 또한 스핀 챔버(210)를 중심으로 대칭적으로 배치되므로, 각각의 영역에서 원활한 기류의 흐름들이 각각 형성되고, 이에 따라, 원활한 퓸의 배기를 위한 흐름이 형성되게 된다. 따라서, 도 1에 제시된 바와 같은 종래의 경우와 달리 퓸의 흐름에 역류가 발생되는 것이 효과적으로 방지될 수 있다. Similarly, since the second exhaust holes 750 shown in FIG. 3 are also symmetrically disposed about the
역류된 퓸의 흐름은 웨이퍼 상에 퓸이 낙하(drop)하도록 하는 요인으로 작용할 수 있으며, 웨이퍼 상에 낙하 흡착된 퓸은 웨이퍼 상의 막질에 침해를 발생시켜 막질 결함(defect)을 발생시키는 요인으로 작용할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 다수 개의 배기구(710, 750)들을 상호 대칭적으로 설치함으로써, 퓸의 역류를 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 퓸의 역류에 따른 웨이퍼 상의 막질에의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다. The flow of backflowed fume may act to cause the fume to drop on the wafer, and the fume adsorbed onto the wafer may cause an impairment of the film quality on the wafer, thereby causing a film defect. Can be. In the exemplary embodiment of the present invention, the plurality of
상술한 본 발명에 따르면, 베벨 식각 공정이 수행될 때 하우징 외부로의 배기를 위한 배기구들을 하우징에 다수 개 상호 대칭적으로 설치함으로써, 퓸의 배기 통로를 다수 개 구현할 수 있다. 이에 따라, 퓸의 배기는 보다 원활해질 수 있으며, 하우징 전체에 걸쳐 균형있게 또는 균일하게 퓸의 배기가 이루어질 수 있다. 이에 따라, 퓸의 배기 흐름에 역류가 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있 어, 퓸의 역류에 따른 웨이퍼 상의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다. According to the present invention described above, when the bevel etching process is performed by a plurality of mutually symmetrically installed in the housing for the exhaust port for the exhaust to the outside of the housing, it is possible to implement a plurality of the exhaust passage of the fume. Accordingly, the fume can be more smoothly discharged, and the fume can be discharged in a balanced or uniform manner throughout the housing. Accordingly, it is possible to effectively prevent the backflow from occurring in the exhaust flow of the fume, thereby effectively preventing the occurrence of defects on the wafer due to the backflow of the fume.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050046163A KR20060124314A (en) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | Bevel etching process apparatus with multi-paths for fume exhaust |
Applications Claiming Priority (1)
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KR20060124314A true KR20060124314A (en) | 2006-12-05 |
Family
ID=37729082
Family Applications (1)
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KR1020050046163A KR20060124314A (en) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | Bevel etching process apparatus with multi-paths for fume exhaust |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100768558B1 (en) * | 2006-12-29 | 2007-10-19 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treatment of the substrate |
KR100895032B1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-04-24 | 세메스 주식회사 | Spin head |
-
2005
- 2005-05-31 KR KR1020050046163A patent/KR20060124314A/en not_active Application Discontinuation
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