JP2814864B2 - エアーロック室、イオン注入装置、並びに、エアーロック室のクリーニング方法 - Google Patents
エアーロック室、イオン注入装置、並びに、エアーロック室のクリーニング方法Info
- Publication number
- JP2814864B2 JP2814864B2 JP4344487A JP34448792A JP2814864B2 JP 2814864 B2 JP2814864 B2 JP 2814864B2 JP 4344487 A JP4344487 A JP 4344487A JP 34448792 A JP34448792 A JP 34448792A JP 2814864 B2 JP2814864 B2 JP 2814864B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- gas
- shutter
- vent gas
- air lock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 29
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 20
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 71
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置等の真
空装置に備えられるローディングチャンバー等のエアー
ロック室および、そのクリーニング方法に関するもので
ある。
空装置に備えられるローディングチャンバー等のエアー
ロック室および、そのクリーニング方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】高真空のイオン注入装置内へのシリコン
ウエハーの搬入および搬出は、エアーロック室を介して
行われる。
ウエハーの搬入および搬出は、エアーロック室を介して
行われる。
【０００３】エアーロック室は、図５に示すように、チ
ャンバー２１と、チャンバー２１を開閉するためのシャ
ッター２２と、チャンバー２１内を排気するための真空
ポンプ２３と、チャンバー２１内にベントガスとしての
Ｎ2 ガスを導入するための導入ライン２５を備えてい
る。
ャンバー２１と、チャンバー２１を開閉するためのシャ
ッター２２と、チャンバー２１内を排気するための真空
ポンプ２３と、チャンバー２１内にベントガスとしての
Ｎ2 ガスを導入するための導入ライン２５を備えてい
る。
【０００４】シリコンウエハー２７の搬入を行う場合、
シリコンウエハー２７…を並べたカセット２６をチャン
バー２１内に入れ、シャッター２２を閉じた後、真空ポ
ンプ２３でチャンバー２１内を排気する。それから、エ
アーロック室とイオン注入装置との間を隔てるゲートバ
ルブ（図示されていない）を開き、カセット２６をイオ
ン注入装置の真空チャンバー（図示されていない）に移
送している。
シリコンウエハー２７…を並べたカセット２６をチャン
バー２１内に入れ、シャッター２２を閉じた後、真空ポ
ンプ２３でチャンバー２１内を排気する。それから、エ
アーロック室とイオン注入装置との間を隔てるゲートバ
ルブ（図示されていない）を開き、カセット２６をイオ
ン注入装置の真空チャンバー（図示されていない）に移
送している。
【０００５】シリコンウエハー２７の搬出を行う場合、
カセット２６をイオン注入装置から真空状態のエアーロ
ック室に移送し、ゲートバルブを閉じた後、導入ライン
２５からＮ2 ガスをチャンバー２１内に導入する。チャ
ンバー２１内が常圧に戻ると、Ｎ2 ガスの導入を止め、
シャッター２２を開き、カセット２６を取り出してい
る。
カセット２６をイオン注入装置から真空状態のエアーロ
ック室に移送し、ゲートバルブを閉じた後、導入ライン
２５からＮ2 ガスをチャンバー２１内に導入する。チャ
ンバー２１内が常圧に戻ると、Ｎ2 ガスの導入を止め、
シャッター２２を開き、カセット２６を取り出してい
る。
【０００６】このように、エアーロック室を介してシリ
コンウエハー２７…の搬入および搬出を行うことによ
り、イオン注入装置の真空チャンバー内を常に真空状態
に保つことができる。したがって、シリコンウエハー２
７…の搬入および搬出をスピーディーに行うことがで
き、しかも、イオン注入装置内を常にクリーンな状態に
保つことができる。
コンウエハー２７…の搬入および搬出を行うことによ
り、イオン注入装置の真空チャンバー内を常に真空状態
に保つことができる。したがって、シリコンウエハー２
７…の搬入および搬出をスピーディーに行うことがで
き、しかも、イオン注入装置内を常にクリーンな状態に
保つことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、エアーロック室のチャンバー２１内へＮ2 ガ
スを導入した際、Ｎ2 ガスによってチャンバー２１の壁
面に吸着した粒子が舞い上がり、この粒子がシリコンウ
エハー２７…に付着し、シリコンウエハー２７…の表面
を汚してしまうという問題点を有している。
構成では、エアーロック室のチャンバー２１内へＮ2 ガ
スを導入した際、Ｎ2 ガスによってチャンバー２１の壁
面に吸着した粒子が舞い上がり、この粒子がシリコンウ
エハー２７…に付着し、シリコンウエハー２７…の表面
を汚してしまうという問題点を有している。
【０００８】さらに、シャッター２２の開閉の際、外部
からの埃等の粒子がチャンバー２１内に侵入するので、
エアーロック室が汚れやすいという問題点を有してい
る。
からの埃等の粒子がチャンバー２１内に侵入するので、
エアーロック室が汚れやすいという問題点を有してい
る。
【０００９】このため、チャンバー２１内を布やクリー
ンワイプなどを使って、ときどきクリーニングしている
が、大きな埃は除けても、サブミクロンの微粒子は除く
ことができず、逆に増えてしまっている。
ンワイプなどを使って、ときどきクリーニングしている
が、大きな埃は除けても、サブミクロンの微粒子は除く
ことができず、逆に増えてしまっている。
【００１０】本発明は上記の問題点に鑑みて行われたも
のであり、チャンバー２１内へのＮ2 ガスの導入の際、
粒子の舞い上がりが少ないエアーロック室を提供するこ
と、および、エアーロック室の壁面に付着した粒子のク
リーニングの方法を提供することを目的としている。
のであり、チャンバー２１内へのＮ2 ガスの導入の際、
粒子の舞い上がりが少ないエアーロック室を提供するこ
と、および、エアーロック室の壁面に付着した粒子のク
リーニングの方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るエ
アーロック室は、上記の課題を解決するために、チャン
バーと、チャンバーを開閉するためのシャッターと、チ
ャンバー内を排気するための真空ポンプと、チャンバー
内にベントガスを導入するための導入ラインとを有する
エアーロック室において、上記導入ラインからのベント
ガスをチャンバー内に吹き出させるための複数の吹き出
し口と、円錐状に形成され、かつ、当該円錐の頂部に上
記導入ラインからのベントガスが当たる位置に配され
て、上記各吹き出し口へベントガスを分散させるガス導
入部とが設けられており、個々の吹き出し口から導入さ
れるベントガスの流量は、上記チャンバーに吸着する粒
子の舞い上がりを防止するように設定されていることを
特徴としている。
アーロック室は、上記の課題を解決するために、チャン
バーと、チャンバーを開閉するためのシャッターと、チ
ャンバー内を排気するための真空ポンプと、チャンバー
内にベントガスを導入するための導入ラインとを有する
エアーロック室において、上記導入ラインからのベント
ガスをチャンバー内に吹き出させるための複数の吹き出
し口と、円錐状に形成され、かつ、当該円錐の頂部に上
記導入ラインからのベントガスが当たる位置に配され
て、上記各吹き出し口へベントガスを分散させるガス導
入部とが設けられており、個々の吹き出し口から導入さ
れるベントガスの流量は、上記チャンバーに吸着する粒
子の舞い上がりを防止するように設定されていることを
特徴としている。
【００１２】請求項２の発明に係るイオン注入装置は、
上記の課題を解決するために、イオン注入処理するメイ
ンチャンバーとチャンバーとの間に設けられたゲートバ
ルブと、上記チャンバーを開閉するためのシャッター
と、上記チャンバー内を排気する真空ポンプと、上記チ
ャンバー内へベントガスを導入する導入ラインとを有す
るイオン注入装置において、上記シャッターを開閉する
にあたって、上記ゲートバルブを閉じ、上記導入ライン
から上記チャンバー内へベントガスを導入して、当該チ
ャンバー内が陽圧になった状態で、上記シャッターを開
き、さらに、当該シャッターが開いている間中、上記ベ
ントガスが、常時吹き出し続けるように、上記ゲートバ
ルブ、真空ポンプ、導入ラインおよびシャッターを開閉
するシーケンサーを備えていることを特徴としている。
上記の課題を解決するために、イオン注入処理するメイ
ンチャンバーとチャンバーとの間に設けられたゲートバ
ルブと、上記チャンバーを開閉するためのシャッター
と、上記チャンバー内を排気する真空ポンプと、上記チ
ャンバー内へベントガスを導入する導入ラインとを有す
るイオン注入装置において、上記シャッターを開閉する
にあたって、上記ゲートバルブを閉じ、上記導入ライン
から上記チャンバー内へベントガスを導入して、当該チ
ャンバー内が陽圧になった状態で、上記シャッターを開
き、さらに、当該シャッターが開いている間中、上記ベ
ントガスが、常時吹き出し続けるように、上記ゲートバ
ルブ、真空ポンプ、導入ラインおよびシャッターを開閉
するシーケンサーを備えていることを特徴としている。
【００１３】請求項３の発明に係るエアーロック室のク
リーニング方法は、上記の課題を解決するために、エア
ーロック室のチャンバー内を排気するステップと、チャ
ンバー内にベントガスを導入して、当該チャンバーに付
着した粒子を吹き飛ばして洗浄するステップとを交互に
繰り返すことを特徴としている。
リーニング方法は、上記の課題を解決するために、エア
ーロック室のチャンバー内を排気するステップと、チャ
ンバー内にベントガスを導入して、当該チャンバーに付
着した粒子を吹き飛ばして洗浄するステップとを交互に
繰り返すことを特徴としている。
【００１４】
【作用】請求項１の構成によれば、複数の吹き出し口か
らベントガスをチャンバー内に放出する構成であるの
で、ベントガスが１ヶ所に集中して放出されることがな
くなる。これにより、チャンバーの壁面に吸着した粒子
が舞い上がりにくくなる。また、導入ラインからのベン
トガスは、ガス導入部の頂部へ当たり、円錐側面に沿っ
て広がって、複数の吹き出し口へ分散される。この結
果、ベント時間を短くしても、粒子の舞い上がりが少な
くなり、チャンバー内にセットされた基板（例えば、シ
リコンウエハー）の表面が汚れにくくなる。
らベントガスをチャンバー内に放出する構成であるの
で、ベントガスが１ヶ所に集中して放出されることがな
くなる。これにより、チャンバーの壁面に吸着した粒子
が舞い上がりにくくなる。また、導入ラインからのベン
トガスは、ガス導入部の頂部へ当たり、円錐側面に沿っ
て広がって、複数の吹き出し口へ分散される。この結
果、ベント時間を短くしても、粒子の舞い上がりが少な
くなり、チャンバー内にセットされた基板（例えば、シ
リコンウエハー）の表面が汚れにくくなる。
【００１５】請求項２の構成によれば、メインチャンバ
ーへの搬入および搬出は、チャンバーを介して行われる
ので、メインチャンバー内を常に真空状態に保つことが
できる。この結果、基板の搬入および搬出をスピーディ
ーに行うことができる。加えて、ベントガスを吹き出さ
せて、上記チャンバー内を陽圧にした状態でシャッター
の開閉を行う。さらに、シャッターが開いている間、ベ
ントガスが導入され続ける。したがって、外部からの埃
等の粒子がチャンバー内に侵入しない。これにより、チ
ャンバー内が汚れにくい。この結果、チャンバー内にセ
ットされた基板（例えば、シリコンウエハー）の表面も
汚れにくくなると共に、イオン注入装置のメインチャン
バーを常にクリーンな状態に保てる。
ーへの搬入および搬出は、チャンバーを介して行われる
ので、メインチャンバー内を常に真空状態に保つことが
できる。この結果、基板の搬入および搬出をスピーディ
ーに行うことができる。加えて、ベントガスを吹き出さ
せて、上記チャンバー内を陽圧にした状態でシャッター
の開閉を行う。さらに、シャッターが開いている間、ベ
ントガスが導入され続ける。したがって、外部からの埃
等の粒子がチャンバー内に侵入しない。これにより、チ
ャンバー内が汚れにくい。この結果、チャンバー内にセ
ットされた基板（例えば、シリコンウエハー）の表面も
汚れにくくなると共に、イオン注入装置のメインチャン
バーを常にクリーンな状態に保てる。
【００１６】請求項３の構成によれば、チャンバーの壁
面に吸着した粒子がベントガスによって吹き飛ばされ、
ベントガスと共に外部に排気される。これにより、チャ
ンバーの壁面に吸着したサブミクロン・サイズの粒子を
大幅に取り除くことができる。
面に吸着した粒子がベントガスによって吹き飛ばされ、
ベントガスと共に外部に排気される。これにより、チャ
ンバーの壁面に吸着したサブミクロン・サイズの粒子を
大幅に取り除くことができる。
【００１７】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１８】本実施例のエアーロック室は、図１に示す
ように、チャンバー１と、チャンバー１を開閉するため
のシャッター２と、チャンバー１内を排気するための真
空ポンプ３と、チャンバー１内にベントガスとしてのＮ
2 ガスを導入するための導入ライン５と、導入ライン５
からのＮ2 ガスをチャンバー１内の広い範囲に吹き出さ
せるためのガス導入部８を備えている。
ように、チャンバー１と、チャンバー１を開閉するため
のシャッター２と、チャンバー１内を排気するための真
空ポンプ３と、チャンバー１内にベントガスとしてのＮ
2 ガスを導入するための導入ライン５と、導入ライン５
からのＮ2 ガスをチャンバー１内の広い範囲に吹き出さ
せるためのガス導入部８を備えている。
【００１９】ガス導入部８は、図２に示すように、複数
の吹き出し口８ａ…を有している。導入ライン５からの
Ｎ2 ガスは、円錐状のブロック８ｂの頂部に当たり、円
錐側面に沿って広がる。吹き出し口８ａ…は円錐軸に平
行に設けられており、Ｎ2 ガスは吹き出し口８ａ…から
チャンバー１内に放出されるようになっている。
の吹き出し口８ａ…を有している。導入ライン５からの
Ｎ2 ガスは、円錐状のブロック８ｂの頂部に当たり、円
錐側面に沿って広がる。吹き出し口８ａ…は円錐軸に平
行に設けられており、Ｎ2 ガスは吹き出し口８ａ…から
チャンバー１内に放出されるようになっている。
【００２０】イオン注入装置には、図３に示すように、
メインチャンバー１１の入口、出口に上記エアーロック
室が設けられており、それぞれローディング部１２ａ、
アンローディング部１２ｂと呼ばれている。
メインチャンバー１１の入口、出口に上記エアーロック
室が設けられており、それぞれローディング部１２ａ、
アンローディング部１２ｂと呼ばれている。
【００２１】上記の構成において、イオン注入装置にシ
リコンウエハー７（図１）の搬入を行う場合、導入ライ
ン５からＮ2 ガスをローディング部１２ａのチャンバー
１内にゆっくり導入する。チャンバー１内が陽圧（常圧
より少し高い圧力）になると、シャッター２を開く。シ
リコンウエハー７…を並べたカセット６をローディング
部１２ａのチャンバー１内に入れ、シャッター２を閉じ
た後、導入ライン５からのＮ2 ガスを止める。それか
ら、真空ポンプ３でチャンバー１内を排気し、ローディ
ング部１２ａとイオン注入装置との間を隔てるゲートバ
ルブ１３ａを開き、カセット６をイオン注入装置のメイ
ンチャンバー１１に移送する。そして、ゲートバルブ１
３ａを閉じる。
リコンウエハー７（図１）の搬入を行う場合、導入ライ
ン５からＮ2 ガスをローディング部１２ａのチャンバー
１内にゆっくり導入する。チャンバー１内が陽圧（常圧
より少し高い圧力）になると、シャッター２を開く。シ
リコンウエハー７…を並べたカセット６をローディング
部１２ａのチャンバー１内に入れ、シャッター２を閉じ
た後、導入ライン５からのＮ2 ガスを止める。それか
ら、真空ポンプ３でチャンバー１内を排気し、ローディ
ング部１２ａとイオン注入装置との間を隔てるゲートバ
ルブ１３ａを開き、カセット６をイオン注入装置のメイ
ンチャンバー１１に移送する。そして、ゲートバルブ１
３ａを閉じる。
【００２２】イオン注入装置からシリコンウエハー７の
搬出を行う場合、アンローディング部１２ｂとイオン注
入装置との間を隔てるゲートバルブ１３ｂを開きカセッ
ト６をイオン注入装置のメインチャンバー１１から真空
状態のアンローディング部１２ｂのチャンバー１内に移
送する。ゲートバルブ１３ｂを閉じた後、導入ライン５
からＮ2 ガスをチャンバー１内にゆっくり導入する。チ
ャンバー１内が陽圧になると、シャッター２を開き、カ
セット６を取り出す。それから、シャッター２を閉じ、
Ｎ2 ガスを止めて、真空ポンプ３でチャンバー１内を排
気する。
搬出を行う場合、アンローディング部１２ｂとイオン注
入装置との間を隔てるゲートバルブ１３ｂを開きカセッ
ト６をイオン注入装置のメインチャンバー１１から真空
状態のアンローディング部１２ｂのチャンバー１内に移
送する。ゲートバルブ１３ｂを閉じた後、導入ライン５
からＮ2 ガスをチャンバー１内にゆっくり導入する。チ
ャンバー１内が陽圧になると、シャッター２を開き、カ
セット６を取り出す。それから、シャッター２を閉じ、
Ｎ2 ガスを止めて、真空ポンプ３でチャンバー１内を排
気する。
【００２３】上記のシリコンウエハー７…の搬入、搬出
操作は、図４に示すように、パソコン１４の指令により
行われる。パソコン１４に搬入または搬出を指令する
と、シーケンサー１５は、ローディング部１２ａおよび
アンローディング部１２ｂの真空ポンプ３、導入ライン
５の開閉、シャッター２の開閉、ゲートバルブ１３ａ・
１３ｂの開閉等を制御する。
操作は、図４に示すように、パソコン１４の指令により
行われる。パソコン１４に搬入または搬出を指令する
と、シーケンサー１５は、ローディング部１２ａおよび
アンローディング部１２ｂの真空ポンプ３、導入ライン
５の開閉、シャッター２の開閉、ゲートバルブ１３ａ・
１３ｂの開閉等を制御する。
【００２４】以上のように、ローディング部１２ａおよ
びアンローディング部１２ｂを介してシリコンウエハー
７…の搬入および搬出を行うので、イオン注入装置のメ
インチャンバー１１内を常に真空状態に保つことができ
る。したがって、シリコンウエハー７…の搬入および搬
出をスピーディーに行うことができ、しかも、イオン注
入装置のメインチャンバー１１を常にクリーンな状態に
保てる。
びアンローディング部１２ｂを介してシリコンウエハー
７…の搬入および搬出を行うので、イオン注入装置のメ
インチャンバー１１内を常に真空状態に保つことができ
る。したがって、シリコンウエハー７…の搬入および搬
出をスピーディーに行うことができ、しかも、イオン注
入装置のメインチャンバー１１を常にクリーンな状態に
保てる。
【００２５】さらに、本実施例のアンローディング部１
２ｂは、複数の吹き出し口８ａ…を有するガス導入部８
からＮ2 ガスをチャンバー１内に放出する構成であるの
で、Ｎ2 ガスが１ヶ所に集中して放出されることがなく
なる。これにより、チャンバー１の壁面に吸着した粒子
が舞い上がりにくくなるので、シリコンウエハー７…の
表面が汚れにくくなる。しかも、複数の吹き出し口８ａ
…でＮ2 ガスの吹き出しを分散させることにより、ベン
ト時間を短くしても、粒子の舞い上がりが少なくなる。
２ｂは、複数の吹き出し口８ａ…を有するガス導入部８
からＮ2 ガスをチャンバー１内に放出する構成であるの
で、Ｎ2 ガスが１ヶ所に集中して放出されることがなく
なる。これにより、チャンバー１の壁面に吸着した粒子
が舞い上がりにくくなるので、シリコンウエハー７…の
表面が汚れにくくなる。しかも、複数の吹き出し口８ａ
…でＮ2 ガスの吹き出しを分散させることにより、ベン
ト時間を短くしても、粒子の舞い上がりが少なくなる。
【００２６】また、ローディング部１２ａおよびアンロ
ーディング部１２ｂのシャッター２の開閉の際、チャン
バー１内にＮ2 ガスを流し続けているので、外部からの
粒子がチャンバー１内に侵入しない。これにより、ロー
ディング部１２ａおよびアンローディング部１２ｂのチ
ャンバー１内が汚れにくい。したがって、長期間、クリ
ーニングする必要がなく、生産性が高い。
ーディング部１２ｂのシャッター２の開閉の際、チャン
バー１内にＮ2 ガスを流し続けているので、外部からの
粒子がチャンバー１内に侵入しない。これにより、ロー
ディング部１２ａおよびアンローディング部１２ｂのチ
ャンバー１内が汚れにくい。したがって、長期間、クリ
ーニングする必要がなく、生産性が高い。
【００２７】次に、ローディング部１２ａおよびアンロ
ーディング部１２ｂのクリーニング方法について説明す
る。
ーディング部１２ｂのクリーニング方法について説明す
る。
【００２８】まず、パソコン１４の画面上からクリーニ
ング・モードを選択する。これにより、シーケンサー１
５は、ステップ１として、ローディング部１２ａ（また
は、アンローディング部１２ｂ）のシャッター２を閉じ
る。次に、ステップ２として、真空ポンプ３によってチ
ャンバー１内を排気する。それから、ステップ３とし
て、真空ポンプ３による排気を止め、導入ライン５から
Ｎ2 ガスをチャンバー１内に導入する。チャンバー１内
が陽圧になると、ステップ４として、シャッター２を開
く。
ング・モードを選択する。これにより、シーケンサー１
５は、ステップ１として、ローディング部１２ａ（また
は、アンローディング部１２ｂ）のシャッター２を閉じ
る。次に、ステップ２として、真空ポンプ３によってチ
ャンバー１内を排気する。それから、ステップ３とし
て、真空ポンプ３による排気を止め、導入ライン５から
Ｎ2 ガスをチャンバー１内に導入する。チャンバー１内
が陽圧になると、ステップ４として、シャッター２を開
く。
【００２９】以下、ステップ２・３を数十回繰り返すこ
とにより、チャンバー１の壁面に吸着した粒子がＮ2 ガ
スによって洗浄され、Ｎ2 ガスと共に外部に排気され
る。これにより、チャンバー１の壁面に吸着したサブミ
クロン・サイズの粒子を大幅に取り除くことができる。
なお、チャンバー１内の粒子数の減少はパーティクル・
モニターで明瞭に確認できた。
とにより、チャンバー１の壁面に吸着した粒子がＮ2 ガ
スによって洗浄され、Ｎ2 ガスと共に外部に排気され
る。これにより、チャンバー１の壁面に吸着したサブミ
クロン・サイズの粒子を大幅に取り除くことができる。
なお、チャンバー１内の粒子数の減少はパーティクル・
モニターで明瞭に確認できた。
【００３０】以上の実施例では、エアーロック室とし
て、イオン注入装置のローディング部１２ａ、および、
アンローディング部１２ｂを例に挙げて説明したが、こ
れに限る必要はなく、本発明のエアーロック室およびそ
のクリーニング方法は、さまざまな真空装置に応用でき
る。また、ベントガスには、本実施例のようにＮ2 ガス
がしばしば用いられているが、これに限る必要はなく、
Ａｒガス等の不活性ガスであれば、いかなるガスでも使
用できる。
て、イオン注入装置のローディング部１２ａ、および、
アンローディング部１２ｂを例に挙げて説明したが、こ
れに限る必要はなく、本発明のエアーロック室およびそ
のクリーニング方法は、さまざまな真空装置に応用でき
る。また、ベントガスには、本実施例のようにＮ2 ガス
がしばしば用いられているが、これに限る必要はなく、
Ａｒガス等の不活性ガスであれば、いかなるガスでも使
用できる。
【００３１】請求項１および２の発明に対応するエアー
ロック室は、以上のように、チャンバー１と、チャンバ
ー１を開閉するためのシャッター２と、チャンバー１内
を排気するための真空ポンプ３と、チャンバー１内にＮ
2ガスを導入するための導入ライン５と、導入ライン５
からのＮ2ガスをチャンバー１内に吹き出させるための
ガス導入部８とが備えられており、上記ガス導入部８に
はチャンバー１内の広い範囲にＮ2ガスを吹き出させる
ための複数の吹き出し口８ａ…が設けられており、Ｎ2
ガスを吹き出させた状態でシャッター２の開閉を行う構
成であるので、チャンバー１の壁面に吸着した粒子が舞
い上がりにくくなる。このため、チャンバー１内にセッ
トされたシリコンウエハーの表面が汚れにくい。しか
も、Ｎ2ガスを吹き出させた状態でシャッター２の開閉
を行うので、外部からの粒子がチャンバー１内に侵入し
ない。これにより、チャンバー１内が汚れにくくなる。
ロック室は、以上のように、チャンバー１と、チャンバ
ー１を開閉するためのシャッター２と、チャンバー１内
を排気するための真空ポンプ３と、チャンバー１内にＮ
2ガスを導入するための導入ライン５と、導入ライン５
からのＮ2ガスをチャンバー１内に吹き出させるための
ガス導入部８とが備えられており、上記ガス導入部８に
はチャンバー１内の広い範囲にＮ2ガスを吹き出させる
ための複数の吹き出し口８ａ…が設けられており、Ｎ2
ガスを吹き出させた状態でシャッター２の開閉を行う構
成であるので、チャンバー１の壁面に吸着した粒子が舞
い上がりにくくなる。このため、チャンバー１内にセッ
トされたシリコンウエハーの表面が汚れにくい。しか
も、Ｎ2ガスを吹き出させた状態でシャッター２の開閉
を行うので、外部からの粒子がチャンバー１内に侵入し
ない。これにより、チャンバー１内が汚れにくくなる。
【００３２】請求項３の発明に対応するエアーロック室
のクリーニング方法は、以上のように、エアーロック室
のチャンバー１内を排気するステップと、チャンバー１
内にＮ2ガスを導入するステップとを交互に繰り返す構
成であるので、チャンバー１の壁面に吸着した粒子がＮ
2ガスによって洗浄され、Ｎ2ガスと共に外部に排気され
る。これにより、チャンバー１の壁面に吸着したサブミ
クロン・サイズの粒子を大幅に取り除くことができる。
のクリーニング方法は、以上のように、エアーロック室
のチャンバー１内を排気するステップと、チャンバー１
内にＮ2ガスを導入するステップとを交互に繰り返す構
成であるので、チャンバー１の壁面に吸着した粒子がＮ
2ガスによって洗浄され、Ｎ2ガスと共に外部に排気され
る。これにより、チャンバー１の壁面に吸着したサブミ
クロン・サイズの粒子を大幅に取り除くことができる。
【００３３】
【発明の効果】請求項１の発明に係るエアーロック室
は、以上のように、チャンバーと、チャンバーを開閉す
るためのシャッターと、チャンバー内を排気するための
真空ポンプと、チャンバー内にベントガスを導入するた
めの導入ラインとを備えており、導入ラインからのベン
トガスをチャンバー内に吹き出させるための複数の吹き
出し口と、円錐状に形成され、かつ、当該円錐の頂部に
上記導入ラインからのベントガスが当たる位置に配され
て、上記各吹き出し口へベントガスを分散させるガス導
入部とが設けられており、個々の吹き出し口から導入さ
れるベントガスの流量は、上記チャンバーに吸着する粒
子の舞い上がりを防止するように設定されている構成で
あるので、チャンバーの壁面に吸着した粒子が舞い上が
りにくくなる。このため、チャンバー内にセットされた
基板（例えば、シリコンウエハー）の表面が汚れにくく
なるという効果を奏する。
は、以上のように、チャンバーと、チャンバーを開閉す
るためのシャッターと、チャンバー内を排気するための
真空ポンプと、チャンバー内にベントガスを導入するた
めの導入ラインとを備えており、導入ラインからのベン
トガスをチャンバー内に吹き出させるための複数の吹き
出し口と、円錐状に形成され、かつ、当該円錐の頂部に
上記導入ラインからのベントガスが当たる位置に配され
て、上記各吹き出し口へベントガスを分散させるガス導
入部とが設けられており、個々の吹き出し口から導入さ
れるベントガスの流量は、上記チャンバーに吸着する粒
子の舞い上がりを防止するように設定されている構成で
あるので、チャンバーの壁面に吸着した粒子が舞い上が
りにくくなる。このため、チャンバー内にセットされた
基板（例えば、シリコンウエハー）の表面が汚れにくく
なるという効果を奏する。
【００３４】請求項２の発明に係るイオン注入装置は、
以上のように、上記シャッターを開閉するにあたって、
上記ゲートバルブを閉じ、上記導入ラインから上記チャ
ンバー内へベントガスを導入して、当該チャンバー内が
陽圧になった状態で、上記シャッターを開き、さらに、
当該シャッターが開いている間中、上記ベントガスが、
常時吹き出し続けるように、上記ゲートバルブ、真空ポ
ンプ、導入ラインおよびシャッターを開閉するシーケン
サーを備えている構成である。当該構成では、チャンバ
ーを介することで、イオン注入装置のメインチャンバー
への搬入および搬出をスピーディーに行うことができ
る。また、ベントガスを吹き出し続けながら、シャッタ
ーの開閉を行うので、外部からの粒子がチャンバー内に
侵入しない。これにより、チャンバー内と、メインチャ
ンバー内とが汚れにくいという効果を奏する。
以上のように、上記シャッターを開閉するにあたって、
上記ゲートバルブを閉じ、上記導入ラインから上記チャ
ンバー内へベントガスを導入して、当該チャンバー内が
陽圧になった状態で、上記シャッターを開き、さらに、
当該シャッターが開いている間中、上記ベントガスが、
常時吹き出し続けるように、上記ゲートバルブ、真空ポ
ンプ、導入ラインおよびシャッターを開閉するシーケン
サーを備えている構成である。当該構成では、チャンバ
ーを介することで、イオン注入装置のメインチャンバー
への搬入および搬出をスピーディーに行うことができ
る。また、ベントガスを吹き出し続けながら、シャッタ
ーの開閉を行うので、外部からの粒子がチャンバー内に
侵入しない。これにより、チャンバー内と、メインチャ
ンバー内とが汚れにくいという効果を奏する。
【００３５】請求項３の発明に係るエアーロック室のク
リーニング方法は、以上のように、エアーロック室のチ
ャンバー内を排気するステップと、チャンバー内にベン
トガスを導入して、当該チャンバーに付着した粒子を吹
き飛ばして洗浄するステップとを交互に繰り返す構成で
あるので、チャンバーの壁面に吸着した粒子がベントガ
スによって洗浄され、ベントガスと共に外部に排気され
る。これにより、チャンバーの壁面に吸着したサブミク
ロン・サイズの粒子を大幅に取り除くことができるとい
う効果を奏する。
リーニング方法は、以上のように、エアーロック室のチ
ャンバー内を排気するステップと、チャンバー内にベン
トガスを導入して、当該チャンバーに付着した粒子を吹
き飛ばして洗浄するステップとを交互に繰り返す構成で
あるので、チャンバーの壁面に吸着した粒子がベントガ
スによって洗浄され、ベントガスと共に外部に排気され
る。これにより、チャンバーの壁面に吸着したサブミク
ロン・サイズの粒子を大幅に取り除くことができるとい
う効果を奏する。
【図１】本発明のエアーロック室の概略の構成図であ
る。
る。
【図２】図１のエアーロック室におけるガス導入部の一
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図３】図１のエアーロック室をイオン注入装置のロー
ディング部、アンローディング部に用いた例を示す説明
図である。
ディング部、アンローディング部に用いた例を示す説明
図である。
【図４】図４のローディング部、アンローディング部の
制御部の一例を示すブロック図である。
制御部の一例を示すブロック図である。
【図５】従来のエアーロック室の概略の構成図である。
１ チャンバー ２ シャッター ３ 真空ポンプ ５ 導入ライン ８ ガス導入部 ８ａ 吹き出し口 ８ｂ ブロック １２ａ ローディング部 １２ｂ アンローディング部 １３ａ ゲートバルブ １３ｂ ゲートバルブ １４ パソコン １５ シーケンサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５ Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】チャンバーと、チャンバーを開閉するため
のシャッターと、チャンバー内を排気するための真空ポ
ンプと、チャンバー内にベントガスを導入するための導
入ラインとを有するエアーロック室において、 上記導入ラインからのベントガスをチャンバー内に吹き
出させるための複数の吹き出し口と、 円錐状に形成され、かつ、当該円錐の頂部に上記導入ラ
インからのベントガスが当たる位置に配されて、上記各
吹き出し口へベントガスを分散させるガス導入部と が設
けられており、 個々の吹き出し口から導入されるベントガスの流量は、
上記チャンバーに吸着する粒子の舞い上がりを防止する
ように設定されていることを特徴とするエアーロック
室。 - 【請求項２】イオン注入処理するメインチャンバーとチ
ャンバーとの間に設けられたゲートバルブと、上記チャ
ンバーを開閉するためのシャッターと、上記チャンバー
内を排気する真空ポンプと、上記チャンバー内へベント
ガスを導入する導入ラインとを有するイオン注入装置に
おいて、 上記シャッターを開閉するにあたって、上記ゲートバル
ブを閉じ、上記導入ラインから上記チャンバー内へベン
トガスを導入して、当該チャンバー内が陽圧になった状
態で、上記シャッターを開き、さらに、当該シャッター
が開いている間中、上記ベントガスが、常時吹き出し続
けるように、上記ゲートバルブ、真空ポンプ、導入ライ
ンおよびシャッターを開閉するシーケンサーを備えてい
ることを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項３】エアーロック室のチャンバー内を排気する
ステップと、上記チャンバー内にベントガスを導入し
て、当該チャンバーに付着した粒子を吹き飛ばして洗浄
するステップとを交互に繰り返すことを特徴とするエア
ーロック室のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4344487A JP2814864B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | エアーロック室、イオン注入装置、並びに、エアーロック室のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4344487A JP2814864B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | エアーロック室、イオン注入装置、並びに、エアーロック室のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196542A JPH06196542A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2814864B2 true JP2814864B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=18369647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4344487A Expired - Fee Related JP2814864B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | エアーロック室、イオン注入装置、並びに、エアーロック室のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814864B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4954728B2 (ja) | 2007-01-26 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブの洗浄方法及び基板処理システム |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6218317U (ja) * | 1985-07-18 | 1987-02-03 | ||
| JPH0534108Y2 (ja) * | 1987-03-18 | 1993-08-30 | ||
| JPH0277579A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-03-16 | Canon Inc | 堆積膜形成装置の洗浄方法 |
| JP2715134B2 (ja) * | 1989-02-17 | 1998-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
| JPH042147A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の保管装置 |
| JPH04352326A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 微細加工装置 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP4344487A patent/JP2814864B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06196542A (ja) | 1994-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5007869B2 (ja) | ワークピースを移送するための装置および方法 | |
| US6750155B2 (en) | Methods to minimize moisture condensation over a substrate in a rapid cycle chamber | |
| US6543981B1 (en) | Apparatus and method for creating an ultra-clean mini-environment through localized air flow augmentation | |
| JP3012328B2 (ja) | 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 | |
| JP2814864B2 (ja) | エアーロック室、イオン注入装置、並びに、エアーロック室のクリーニング方法 | |
| JPH06163505A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
| JP4116149B2 (ja) | 枚葉式ロードロック装置 | |
| US4703183A (en) | Ion implantation chamber purification method and apparatus | |
| JPS6042831A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2003515244A (ja) | 半導体ウェーハから汚染物を減らす方法と装置 | |
| KR20020081730A (ko) | 흄제거를 위한 반도체 제조장치 | |
| JP2566308B2 (ja) | ロードロック装置を備えた処理装置 | |
| JP2002231783A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2600237Y2 (ja) | エアーロック室 | |
| JP2003168679A (ja) | 半導体製造装置およびその清掃方法 | |
| JPH07122503A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0598434A (ja) | マルチチヤンバー型スパツタリング装置 | |
| JP2984360B2 (ja) | 半導体基板の搬送方法 | |
| JP3375831B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH0714795A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH08340037A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0536808A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2664216B2 (ja) | 真空処理装置の制御方法 | |
| JPH0358417A (ja) | ウェハ洗浄装置 | |
| JP2000357678A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |