JP2003073832A - 薄膜形成装置の治具類洗浄における堆積膜の除去方法 - Google Patents

薄膜形成装置の治具類洗浄における堆積膜の除去方法

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JP2003073832A JP2001266644A JP2001266644A JP2003073832A JP 2003073832 A JP2003073832 A JP 2003073832A JP 2001266644 A JP2001266644 A JP 2001266644A JP 2001266644 A JP2001266644 A JP 2001266644A JP 2003073832 A JP2003073832 A JP 2003073832A
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Shizuo Miyano
宮野静夫
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KAMIMARU CO Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜形成装置の治具類洗浄にあたって、この
治具類を損傷することなく堆積された薄膜を除去するの
に好適な手段を提供すること。 【解決手段】 上記課題を解決する薄膜形成装置の治具
類洗浄における堆積膜の除去方法は、半導体や光学機器
などの製造における薄膜形成装置の治具類の洗浄におい
て、薄膜が堆積された治具類に液体窒素を吹き付けて急
冷却して、堆積膜と治具類の熱伝導や熱膨張係数の相違
による堆積膜の亀裂剥離を起させる手段と、堆積膜の残
滓が残留している前記治具類に、ドライアイス微粒子を
圧縮空気で吹き付けるブラスト洗浄手段を経て、前記治
具類を清浄化することを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や光学機器
の製造における薄膜形成装置の治具類の洗浄に係り、特
にこの治具類に堆積された薄膜を除去する方法に関する
ものである。 【0002】 【従来の技術】薄膜形成装置の治具類洗浄における堆積
薄膜を除去する手段としては、この治具類を、 (1)酸又はアルカリ溶液などの薬液に浸漬する手段。 (2)研磨剤(砥粒子)を吹き付ける手段(サンドブラ
スト)。 (3)高圧水や超高圧水を吹き付ける手段。 などがある。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】半導体の製造における
集積回路の作製や光学機器の製造におけるプリズムの作
製などのための、化学蒸着(CVD)や物理蒸着(PV
D)などによる薄膜形成装置においては、薄膜が形成さ
れるシリコンウエハーや研磨ガラスを保持する器具や位
置決め定規などの治具類にも薄膜が被着され、これが堆
積すると治具の精度や機能の低下のみならず、堆積され
た薄膜が稼動中に剥離して作業処理室中に微小な塵が発
生することとなり、これは超精密な作業には厳禁とされ
るものであるからこれら治具類を定期的に洗浄して堆積
された薄膜を除去する必要があり、その手段として上記
従来技術のようなものがある。 【0004】しかし、上記従来技術における(1)の手
段は、洗浄される治具類がアルミニウム製の場合など、
その材質によっては腐食をおこす恐れがあり、(2)の
手段においては、堆積された薄膜の除去について効果的
ではあるが、噴射研粒子が治具類の表面をも削って損傷
することがあり、また(3)の手段における高圧水程度
では除去効果が得られず(落が悪い)、超高圧水では、
強すぎて治具類を損傷することがあるなど、いずれの手
段も一長一短である。 【0005】本発明の目的は前記治具類の洗浄にあたっ
て、この治具類を損傷することなく堆積された薄膜を除
去するのに好適な手段を提供せんとするものである。 【0006】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成する薄膜
形成装置の治具類洗浄における堆積膜の除去方法は、半
導体や光学機器などの製造における薄膜形成装置の治具
類の洗浄において、薄膜が堆積された治具類に液体窒素
を吹き付けて急冷却して、堆積膜と治具類の熱伝導や熱
膨張係数の相違による堆積膜の亀裂剥離を起させる手段
と、堆積膜の残滓が残留している前記治具類に、ドライ
アイス微粒子を圧縮空気で吹き付けるブラスト洗浄手段
を経て、前記治具類を清浄化することを特徴とするもの
である。 【0007】 【発明の効果】本発明による治具類の堆積膜を除去する
方法は、液体窒素及びドライアイス微粒子による瞬間冷
却下においてなされるものであり、従来の除去手段のご
とく液薬に浸漬するものでないから作業時間も短縮さ
れ、しかも廃液の処理を原因とする環境汚染を起こすこ
とがなく、また砥粒子によるブラスト洗浄における粉塵
も発生しないので衛生的であると共に、薬液や砥粒子に
よる治具類の腐食や損傷を与えない好適な手段である。 【0008】 【発明の実施の形態】半導体や光学機器の製造における
薄膜形成装置において、薄膜が形成されるシリコンウエ
ハーや研磨ガラスなどを保持する器具や位置決め定規な
どの治具類に堆積された薄膜を除去する方法の一実施形
態を以下に説明する。 【0009】薄膜が堆積(以下堆積膜と称す)された治
具類に液体窒素を吹き付ける。 【0010】液体窒素は沸点−196℃比重0.81で
あるから、熱伝導により先ず表層である堆積膜が、次い
で治具類が急激に冷却され、そして一般的に治具類はそ
の材質がステンレスやアルミニウム又はチタンであり、
堆積膜(薄膜)は、酸化シリコンや窒化シリコンである
から、互いの熱膨張係数の違いから堆積膜に亀裂が発生
して治具類の表面から剥離し、気化した液体窒素ガスの
圧力や、圧縮空気の吹き付けにより、吹き飛ばされて剥
落する。 【0011】更に前記により除去されずに治具類に残留
している堆積膜の残滓は、この治具類にドライアイス微
粒子をブラスト材として圧縮空気で吹き付けてブラスト
洗浄する。 【0012】ドライアイス微粒子は、ドライアイスを破
砕機で0.1mmから3mm程度に粒状化したものが好
都合で、治具類の表面に圧縮空気で吹き付けられたドラ
イアイス微粒子は、微粒子であるがために治具類の狭隘
部や、孔穴部、条溝部にまでも入り込んでバラスト洗浄
することとなると共に、噴射によるドライアイス微粒子
の速度エネルギーが治具類への激突によって熱エネルギ
ーに変化して、ドライアイス微粒子の表面が瞬時に液化
又は昇華し、この液体又は気体がクッションとなるため
に硬固形物ではあるが治具類を損傷することなく堆積膜
の残滓を除去することができる。 【0013】次いで治具類にアルコールを散布して清潔
な布などで拭く。 【0014】前記による治具類の堆積膜を除去する方法
は、液体窒素及びドライアイス微粒子による瞬間冷却下
においてなされるものであり、従来の除去手段のごとく
液薬に浸漬するものでないから作業時間も短縮され、し
かも廃液の処理を原因とする環境汚染を起こすことがな
く、また砥粒子によるブラスト洗浄における粉塵も発生
しないので衛生的であると共に、薬液や砥粒子による治
具類の腐食や損傷を与えない好適な手段である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体や光学機器などの製造における薄
    膜形成装置の治具類の洗浄において、 薄膜が堆積された治具類に液体窒素を吹き付けて急冷却
    して、堆積膜と治具類の熱伝導や熱膨張係数の相違によ
    る堆積膜の亀裂剥離を起させる手段と、 堆積膜の残滓が残留している前記治具類に、ドライアイ
    ス微粒子を圧縮空気で吹き付けるブラスト洗浄手段を経
    て、前記治具類を清浄化することを特徴とする薄膜形成
    装置の治具類洗浄における堆積膜の除去方法。
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