CN107193185A - 辅助曝光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够提高曝光解像度的辅助曝光装置。本实施方式的辅助曝光装置配置在对被处理基板进行曝光处理的曝光装置的前级侧或者后级侧，对被处理基板进行局部曝光处理，包括搬送部和光源单元。搬送部将被处理基板在扫描方向上搬送。光源单元对在扫描方向上被搬送的被处理基板，照射以与扫描方向交叉的方向为长边方向的线状的光。另外，光源单元构成为包含将多个可动式微反射镜排列而成的数字微反射镜器件。

Description

辅助曝光装置
技术领域
本发明涉及的实施方式涉及辅助曝光装置。
背景技术
当前，对涂敷在被处理基板上的抗蚀剂膜，已知有与例如转印掩模的图案的通常的曝光装置不同的，进行局部的曝光处理的辅助曝光装置。根据该辅助曝光装置，能够提高光光刻中的显影处理后的抗蚀剂图案的膜厚、线宽度的均匀性。
例如，专利文献1公开的辅助曝光装置具有将多个LED(Light Emitting Diode)元件排列为线状的光源单元。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-186191号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，使用LED元件的情况的曝光解像度受到LED元件主体的尺寸(例如5mm左右)的制约。因此，在上述现有技术中，在提高曝光解像度的方面具有进一步改善的余地。实施方式的一个方式的目的在于提供能够提高曝光解像度的辅助曝光装置。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个方式所涉及的辅助曝光装置配置在对被处理基板进行曝光处理的曝光装置的前级侧或者后级侧，对被处理基板进行局部曝光处理，包括搬送部和光源单元。搬送部将被处理基板在扫描方向上搬送。光源单元对在扫描方向上被搬送的被处理基板，照射以与扫描方向交叉的方向为长边方向的线状的光。另外，光源单元构成为包含将多个可动式微反射镜排列而成的数字微反射镜器件。
发明效果
根据实施方式的一个方式，能够提高曝光解像度。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的构成的图。
图2是表示对基板处理系统中的1个玻璃基板的全部工序的处理顺序的流程图。
图3A是表示在实施方式中将玻璃基板上的产品区域分区为矩阵状的格式的图。
图3B是表示在玻璃基板上的矩阵分区的各单位区域的每一个中对抗蚀剂图案的膜厚、线宽度的测定值进行演算并制图的结构的图。
图3C是表示在玻璃基板上的矩阵分区的各单位区域的每一个中对補正曝光量进行演算并制图的结构的图。
图3D是表示在玻璃基板上的矩阵分区的各单位区域的每一个中对照度的目标值进行演算并制图的结构的图。
图4是表示实施方式所涉及的辅助曝光装置的构成的图。
图5是表示从光源单元照射的紫外线的照射区域的图。
图6是表示光源单元的构成的图。
附图标记说明
11 辅助曝光装置
12 显影装置
17 控制部
20 曝光装置
30 平流搬送部
32 光源单元
38 照度测定部
46 辊搬送路
100 基板处理系统
325 DMD。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明公开的辅助曝光装置的实施方式进行详细说明。此外，本发明不限于以下所示实施方式。
[基板处理系统的构成]
图1所示的基板处理系统100设置在洁净室内，例如以LCD(Liquid CrystalDisplay)用的玻璃基板G为被处理基板，在LCD制造处理中进行光刻工序中的清洗、抗蚀剂涂敷、预烘培、显影和后烘培等的一系列的处理。曝光处理在与基板处理系统100相邻设置的外部的曝光装置20(EXP)中进行。
基板处理系统100包括盒站1、搬入部2(IN PASS)、清洗装置3(SCR)、第1干燥部4(DR)、第1冷却部5(COL)、涂敷装置6(COT)、第2干燥部7(DR)、预烘培部8(PRE BAKE)、第2冷却部9(COL)和接口站10。另外，基板处理系统100包括辅助曝光装置11(AE)、显影装置12(DEV)、后烘培部13(POS TBAKE)、第3冷却部14(COL)、检查部15(IP)、搬出部16(OUT PASS)和控制部17。
在盒站1和接口站10之间设置有将玻璃基板G从盒站1向接口站10搬送的搬送去路，在该搬送去路上从盒站1向接口站10依次设置有搬入部2、清洗装置3、第1干燥部4、第1冷却部5、涂敷装置6、第2干燥部7、预烘培部8和第2冷却部9。
另外，在盒站1和接口站10之间设置有用于将玻璃基板G从接口站10向盒站1搬送的搬送回路，在该搬送回路上从接口站10向盒站1依次设置有辅助曝光装置11、显影装置12、后烘培部13、第3冷却部14、检查部15和搬出部16。此外，搬送去路和搬送回路例如由辊搬送路径等构成。
盒站1是搬入搬出盒C的端口，盒C中将玻璃基板G以多层地重叠的方式收纳多个。盒站1包括在水平的一个方向(Y轴方向)上例如能够并排载置4个的盒载置台1a和对盒载置台1a上的盒C进行玻璃基板G的放入取出的搬送装置1b。搬送装置1b具有保持玻璃基板G的搬送臂，能够在X、Y、Z、θ的4个轴上动作，在相邻的盒载置台1a、搬入部2和搬出部16之间进行玻璃基板G的交接。
接口站10包括搬送装置10a。搬送装置10a具有保持玻璃基板G的搬送臂，能够在X、Y、Z、θ的4个轴上动作，能够在相邻的第2冷却部9、辅助曝光装置11和曝光装置20之间进行玻璃基板G的交接。此外，接口站10，除了搬送装置10a之外，例如可以配置有周边曝光装置、字幕拍录装置等的装置。周边曝光装置用来对在显影时去除的附着在玻璃基板G的周边部的抗蚀剂进行曝光处理。字幕拍录装置在玻璃基板G上的规定的部位记录规定的信息。
控制部17例如是CPU(Central Processing Unit)，通过读取存储在未图示的存储部的未图示的程序进行执行，来控制基板处理系统100整体。控制部17可以不使用程序而仅由硬件构成。
图2是表示对基板处理系统100中的1个玻璃基板G的全部工序的处理顺序的流程图。首先，在盒站1中，搬送装置1b从盒载置台1a上的任一盒C取出玻璃基板G，将取出的玻璃基板G搬入至搬入部2(步骤S101)。
被搬入至搬入部2的玻璃基板G在搬送去路上被搬送，被搬入清洗装置3实施清洗处理(步骤S102)。在此，清洗装置3对在搬送去路上水平移动的玻璃基板G，实施刷清洗、吹清洗，从而从基板表面去除粒子状的污垢，之后，实施漂洗处理。当清洗装置3中的一系列的清洗处理结束时，玻璃基板G被搬入第1干燥部4。
接着，玻璃基板G在第1干燥部4中被实施了规定的干燥处理后(步骤S103)，被搬入第1冷却部5，被冷却至规定的温度。之后，玻璃基板G被搬入涂敷装置6。
在涂敷装置6中，玻璃基板G例如通过使用狭缝喷嘴的非旋转法在基板上表面(被处理面)上涂敷抗蚀剂液(步骤S105)。之后，玻璃基板G被搬入第2干燥部7，受到例如在减压下的常温的干燥处理(步骤S106)。
从第2干燥部7搬出的玻璃基板G被搬入预烘培部8，在预烘培部8中被以规定的温度加热(步骤S107)。通过该处理，残留在玻璃基板G上的抗蚀剂膜中的溶剂蒸发而被去除，对玻璃基板G的抗蚀剂膜的紧贴性被强化。
接着，玻璃基板G被搬入第2冷却部9，在第2冷却部9中被冷却至规定的温度(步骤S108)。之后，玻璃基板G由接口站10的搬送装置10a搬入曝光装置20。此外，玻璃基板G可以在被搬入曝光装置20前被搬入未图示的周边曝光装置。
在曝光装置20中，在玻璃基板G上的抗蚀剂上曝光规定的电路图案(步骤S109)。而且，结束了图案曝光的玻璃基板G被接口站10的搬送装置10a从曝光装置20搬出，被搬入辅助曝光装置11。此外，玻璃基板G可以在被搬入辅助曝光装置11前被搬入未图示的字幕拍录装置。
在辅助曝光装置11中，对曝光处理后的玻璃基板G，进行用于提高在显影处理后所获得的抗蚀剂图案的膜厚、线宽度的均匀性的后述的特殊的辅助曝光处理(步骤S110)。结束了辅助曝光处理的玻璃基板G被搬入显影装置12，在显影装置12中被实施显影、漂洗和干燥的一系列的显影处理(步骤S111)。
结束了显影处理的玻璃基板G被搬入后烘培部13，在后烘培部13中被实施显影处理后的热处理(步骤S112)。由此，残存在玻璃基板G的抗蚀剂膜中的显影液、清洗液蒸发而被去除，能够强化抗蚀剂图案对基板的紧贴性。之后，玻璃基板G被搬入第3冷却部14，在第3冷却部14被冷却至规定的温度(步骤S113)。
接着，玻璃基板G被搬入检查部15。在检查部15中，对玻璃基板G上的抗蚀剂图案进行非接触的线宽度检查、膜质·膜厚检查等(步骤S114)。检查部15中的检查结果被输出至控制部17，由控制部17存储在未图示的存储部。
搬出部16从检查部15接收结束了检查的玻璃基板G，并将其交接到盒站1的搬送装置1b。搬送装置1b将从搬出部16接收的处理完的玻璃基板G收纳在盒C(步骤S115)。通过以上，对1个玻璃基板G的基板处理的全部工序结束。
辅助曝光装置11通过对曝光处理后的玻璃基板G上的膜厚、线宽度偏离所期望的膜厚、线宽度的部位进行局部的曝光处理，由此，能够提高在显影处理后所获得的抗蚀剂图案的膜厚、线宽度的均匀性。该辅助曝光装置11的动作由控制部17控制。
控制部17基于从检查部15取得的检查结果控制辅助曝光装置11的动作。在此，参照图3A～图3D说明根据检查部15的检查结果生成辅助曝光装置11的控制数据的方法的一个例子。
图3A是表示在实施方式中将玻璃基板G上的产品区域划分为矩阵状的格式的图。图3B是表示在玻璃基板G上的矩阵分区的各单位区域的每一个中，对抗蚀剂图案的膜厚、线宽度的测定值进行演算并制图的结构的图。图3C是表示在玻璃基板G上的矩阵分区的各单位区域的每一个中对補正曝光量进行演算并制图的结构的图。图3D是表示在玻璃基板G上的矩阵分区的各单位区域的每一个中对照度的目标值进行演算并制图的结构的图。
检查部15例如在玻璃基板G上的若干(例如数十部位)的代表点测定在后烘培后的玻璃基板G上获得的抗蚀剂图案的膜厚、线宽度。另外，控制部17对于抗蚀剂图案的膜厚、线宽度，以由检查部15取得的玻璃基板G上的代表点中的测定值为基础，由规定的插值处理演算玻璃基板G上的其它的位置或者区域中的测定值(准确地说是推测值)。
例如如图3A所示，控制部17将玻璃基板G上的产品区域PA划分为矩阵状，在矩阵分区的各单位区域(i,j)的每一个中对抗蚀剂图案的膜厚、线宽度的测定值(或者，通过插值处理得到的推定值)Ai,j进行演算，在存储器内构成的表上，如图3B所示进行制图。此外，在附图中，为了容易理解，用9列(j＝1～9)表示矩阵分区。实际上，矩阵分区的行数和列数的都至少在数十以上，在FPD用的大型基板中为一百以上。
接着，控制部17在玻璃基板G上的矩阵分区的各单位区域(i,j)的每一个中对補正曝光量Bi,j进行演算，在存储器内构成的表上如图3C所示进行制图。在此，補正曝光量Bi,j是对各单位区域(i,j)内的抗蚀剂图案的膜厚、线宽度而言使测定值和设定值的差(误差)接近零的曝光量。
接着，控制部17在玻璃基板G上的矩阵分区的各单位区域(i,j)的每一个中对照度的目标值Ci,j进行演算，在存储器内构成的表上如图3D所示进行制图。在此，在辅助曝光装置11中矩阵分区的各单位区域(i,j)的每一个中的紫外线照射时间为tS时，为Ci,j＝Bi,j/tS。
[辅助曝光装置的构成]
接着，参照图4和图5说明实施方式所涉及的辅助曝光装置11的构成。图4是表示实施方式所涉及的辅助曝光装置11的构成的图。另外，图5是表示从光源单元32照射的紫外线的照射区域的图。
如图4所示，辅助曝光装置11包括：平流搬送部30和光源单元32，该平流搬送部30将玻璃基板G在扫描方向(X轴负方向)上搬送；该光源单元32对由该平流搬送部30搬送的玻璃基板G上的抗蚀剂照射光、具体而言是照射规定波长的紫外线(UV)。另外，辅助曝光装置11包括：照度测定部38，其测定由光源单元32照射的光的照度；控制部17，其用于控制装置内的各部；和存储器42，其积蓄或保存在控制部17中使用的各种程序和数据。
平流搬送部30包括：辊搬送路46，其是例如将多个辊44在搬送方向上铺设而成的；扫描驱动部50，其在该辊搬送路46上为了搬送玻璃基板G而对各辊44经由例如具有传送带、齿轮等的传送机构48进行旋转驱动。辊搬送路46在图1所示的基板处理系统100中，构成从接口站10向盒站1的搬送回路的一部分。
平流搬送部30将曝光处理后的玻璃基板G平向流动地搬入辅助曝光装置11内，在辅助曝光装置11内为了进行扫描辅助曝光处理而将玻璃基板G平向流动地搬送，将结束了辅助曝光处理的玻璃基板G平向流动地搬出到显影装置12。此外，控制部17通过配置在辊搬送路46的各处的位置传感器(未图示)而能够检测甚至掌握玻璃基板G的当前的位置。
光源单元32配置在辊搬送路46的上方，由未图示的支承部件支承。如图5所示，光源单元32的与扫描方向交叉的方向(Y轴方向)的宽度比玻璃基板G短，配置在该方向(Y轴方向)上的玻璃基板G的(换言之是辊搬送路46的)中央部。该光源单元32对在扫描方向(X轴负方向)上被搬送的玻璃基板G，照射以与扫描方向交叉的方向(Y轴方向)为长边方向的线状的光。
如图4所示，本实施方式所涉及的光源单元32包括数字微反射镜器件(以下记载为DMD)325。
DMD 325是具备多个可动式微反射镜(以下记载为反射镜)的空间光转换器。一个反射镜的镜面尺寸例如是十几μm，DMD 325上配置有矩阵状的几十～几百万个该反射镜。
各反射镜能够在使光反射向玻璃基板G上的打开角度和使光反射向玻璃基板G以外的场所的关闭角度之间转换。
控制部17控制DMD 325的各反射镜的动作，通过调整每个反射镜的打开角度和关闭角度的时间比率，调整照射到与各反射镜对应的玻璃基板G上的各个单位区域的该单位区域的光的照度。
具体来说，控制部17通过调整每个反射镜对经过光源单元32的玻璃基板G上的单位区域(i,j)的打开角度和关闭角度的时间比率，以使各单位区域(i,j)的照度成为目标值Ci,j。控制部17通过与利用辊搬送路46进行的玻璃基板G向扫描方向的移动同步地，在与扫描方向交叉的方向上排列的单位区域的每一列中进行上述处理，对1个玻璃基板G中的全单位区域进行辅助曝光处理。
在该DMD 325中，能够使极小的反射镜一个一个地与玻璃基板G上的单位区域对应。换言之，通过使用DMD 325，能够根据反射镜的尺寸来减小设定在玻璃基板G上的单位区域的尺寸。所以，根据本实施方式所涉及的辅助曝光装置11，与受到LED元件主体的尺寸(5mm程度)制约的现有的辅助曝光装置相比，能够提高曝光解像度。
[光源单元的构成]
接着，参照图6说明具有上述DMD 325的光源单元32的构成的一个例子。图6是表示光源单元32的构成的图。此外，光源单元32的构成不限于图6所示的构成。
如图6所示，光源单元32包括光源321、第1透镜322、反射镜323、第2透镜324、DMD325、投射透镜326和光阱327。
光源321出射紫外线(UV)。作为光源321能够使用例如LED、激光束发生器等。第1透镜322配置在光源321和DMD 325间的光路上，使从光源321出射的光扩大。反射镜323配置在第1透镜322和DMD 325间的光路上，使由第1透镜322扩大的光反射向DMD 325。此外，该反射镜323的角度是固定的。
第2透镜324配置在反射镜323和DMD 325间的光路上，使由反射镜323反射的光的分布均匀化。DMD 325具有多个矩形状的反射镜M，按照控制部17的控制驱动各反射镜M，在每个单位区域调整向玻璃基板G上照射的光的照度。
投射透镜326配置在DMD 325和玻璃基板G间的光路上，通过将DMD 325反射向玻璃基板G的光呈线状扩大投射至玻璃基板G上。光阱327配置在由关闭角度的反射镜M反射的光的光路上，吸收该光。
如上所述，实施方式所涉及的辅助曝光装置11是具备具有单一光源321的单一光源单元32。所以，与将多个LED元件用作光源的现有的辅助曝光装置相比，例如，考虑从不同的光源照射的光彼此的重合调整各光源的照度等的复杂的处理变得不需要。
此外，辅助曝光装置11可以具有多个光源单元32。在该情况下，具有光源单元32的DMD 325能够通过矩形状的反射镜M将光反射为矩形状，因此，例如与具有将光照射为圆形的LED元件的现有的辅助曝光装置相比，从不同的光源单元32照射的光彼此难以重合。所以，考虑光彼此的重合调整各光源的照度等的复杂的处理变得不需要。
另外，如图1所示，本实施方式所涉及的辅助曝光装置11配置在曝光装置20的后级侧且显影装置12的前级。即，假设曝光处理的精度高，在之后进行的显影处理的精度低的情况下，有时在膜厚、线宽度产生偏差。所以，为了适当地修正膜厚、线宽度的偏差，优选如本实施方式所涉及的辅助曝光装置11的方式，在结束了显影处理前的所有的工序后、即在紧靠显影装置12之前配置辅助曝光装置11。根据本实施方式所涉及的基板处理系统100，由检查部15检测显影处理后的玻璃基板G上的膜厚、线宽度，将该检查结果反馈到紧靠显影处理之前的辅助曝光处理，能够适当地修正膜厚、线宽度。
但是，辅助曝光装置11的配置不限于上述的例子，只要是在涂敷装置6的后级侧且显影装置12的前级侧，就能够配置在任意的位置。
[照度分布调整处理]
此外，在将DMD 325的反射光扩大至玻璃基板G的宽度为止的情况下，有时照度分布不均匀化。具体来说，有在从光源单元32照射的线状的光中的、距DMD 325远的端部侧的照度与距DMD 325近的中央部的照度相比降低的担忧。特别是，如本实施方式所涉及的辅助曝光装置11的方式，在使用单一光源单元32的情况下，容易产生上述那样的照度分布的不均匀化。
所以，也可以在辅助曝光装置11中，预先具备照度测定部38且进行使用该照度测定部38测定从光源单元32照射的线状的光的照射分布的处理，根据其结果决定辅助曝光处理中的对光源单元32的指令值。
照度测定部38包括例如用于测定紫外线的照度的照度计和用于使该照度计在光源单元32的正下方、向照射线方向(Y轴方向)移动的移动机构。照度计在其顶部附近具有光电转换元件例如光电二极管，生成与入射其受光面的紫外线的光強度对应的电信号(照度测定信号)。从照度计输出的照度测定信号例如经由模拟-数字转换器被发送到控制部17。
移动机构以成为与照度计的受光部在辊搬送路46上移动时的玻璃基板G的表面相同高度方式将照度计搭载在运载装置，在与光源单元32平行(Y轴方向)延伸的导轨上通过例如线性电动机使运载装置和照度计在双方向上任意移动，使照度计在导轨上的任意的位置停止或静止。
控制部17控制DMD 325，使各反射镜M以相同的时间比率(例如，打开角度：关闭角度＝1：1)驱动，控制照度测定部38，使照度计在照射线方向(Y轴方向)上移动并测定各位置的照度。由此，能够取得由光源单元32照射的线状的光的照度分布。控制部17将取得的照度分布收纳在存储器42。
控制部17在辅助曝光处理前，参照如图3D所示的照射图和收纳在存储器42的表的照度分布，在玻璃基板G上的矩阵分区的各单位区域(i,j)的每一个中演算出指令值Vi,j，例如在存储器42内构建的表上进行制图。
而且，控制部17控制光源单元32和辊搬送路46，进行用于辅助曝光处理的玻璃基板G和光源单元32间的扫描。在该扫描中，玻璃基板G的上的矩阵分区的第i行的单位区域(i,1)～(i,9)通过光源单元32的正下方时，对光源单元32施加第i行的各指令值Vi,1～Vi,9。由此，对第i行的单位区域(i,1)～(i,9)，从光源单元32在每一个单位区域中以独立的照度照射线状的光一定时间。
这样一来，在玻璃基板G通过光源单元32的正下方时，在照射线(矩阵分区的各行)上在每一个单位区域(i,j)进行独立的照度或者曝光量的辅助的曝光。
如上所述，辅助曝光装置11的控制部17可以基于显影处理后的玻璃基板G中的膜厚和线宽度的至少一个测定结果和在将多个反射镜M均匀控制的情况下从光源单元32照射的线状的光的照度分布，控制各反射镜M的动作。如上所述，能够抑制因照度分布的不均匀而产生的辅助曝光处理的精度降低。
此外，在上述的实施方式中，对使一个反射镜M与一个单位区域对应的情况的例子进行了说明，但是，也可以使对应的反射镜M的数量在每一个单位区域不同。
例如，在辅助曝光装置11具有单一光源单元32的情况下，有可能因光学系统的构成，使得从一个反射镜M向线方向上的玻璃基板G的端部照射的光的照射范围大于从一个反射镜M向线方向上的玻璃基板G的中央(即光源单元32的正下方)照射的光的照射范围。
所以，辅助曝光装置11使1个或多个反射镜M与线方向端部侧的单位区域对应，并且，也可以使比线方向端部侧的单位区域多的反射镜M与线方向中央部侧的单位区域对应。即，假设从一个反射镜M向线方向端部侧照射的光的照射范围为从一个反射镜M向线方向中央部侧照射的光的照射范围的2倍的大小的情况下，使一个反射镜M与线方向端部侧的单位区域对应，并且，使两个反射镜M与线方向中央部侧的单位区域对应。这样一来，能够抑制因照射范围的差导致的辅助曝光处理的精度降低。
另外，DMD 325有因热而反射特性变化的担忧。所以，辅助曝光装置11可以具备调整DMD 325温度的温度调整部。作为温度调整部例如能够使用热片、贝尔模块等。
另外，在上述的实施方式中，具备将玻璃基板G平向流动搬送的平流搬送部30，将光源单元32在扫描方向上固定在一定位置。但，是也能够是，将玻璃基板G固定在例如载置台上，仅在载置台上使光源单元32在扫描方向上移动的扫描方式、使玻璃基板G和光源单元32的双方移动的扫描方式。
另外，在上述的实施方式中，被处理基板可以为FPD用的玻璃基板，但是不限于此，可以为其它的平板显示器用基板、半导体晶片、有机EL、太阳能电池用的各种基板、CD基板、光掩模、印刷基板等。
如上述方式，实施方式所涉及的辅助曝光装置是配置在对被处理基板进行曝光处理的曝光装置的前级侧或者后级侧，对被处理基板进行局部的曝光处理，包括搬送部和光源单元。搬送部将被处理基板在扫描方向上搬送。光源单元对在扫描方向上被搬送的被处理基板，照射以与扫描方向交叉的方向为长边方向的线状的光。另外，光源单元包含将多个可动式微反射镜排列而成的数字微反射镜器件。所以，根据实施方式所涉及的辅助曝光装置，能够提高曝光解像度。
进一步的效果和变形例，能够由本领域技术人员容易导出。因此，本发明的更宽泛的方式，不限于以上方式表示且记载的特定的详细和代表的实施方式。所以，不脱离由附加的专利申请的范围及其均等物定义的统一发明的概念的精神或范围，能够进行各种变更。

Claims (5)

1.一种辅助曝光装置，其特征在于：
配置在对被处理基板进行曝光处理的曝光装置的前级侧或者后级侧，对所述被处理基板进行局部曝光处理，
所述辅助曝光装置包括：
搬送部，该搬送部将所述被处理基板在扫描方向上搬送；和
光源单元，该光源单元对在所述扫描方向上被搬送的所述被处理基板，照射以与所述扫描方向交叉的方向为长边方向的线状的光，
所述光源单元包含将多个可动式微反射镜排列而成的数字微反射镜器件。
2.如权利要求1所述的辅助曝光装置，其特征在于：
所述光源单元具有：
投射透镜，该投射透镜被配置在所述数字微反射镜器件和所述被处理基板间的光路上，将由所述数字微反射镜器件反射后的光呈所述线状扩大投射到所述被处理基板上。
3.如权利要求1或2所述的辅助曝光装置，其特征在于：
所述辅助曝光装置被配置在所述曝光装置的后级侧且配置在对于曝光后的所述被处理基板进行显影处理的显影装置的前级。
4.如权利要求1或2所述的辅助曝光装置，其特征在于：
包括单一的所述光源单元。
5.如权利要求4所述的辅助曝光装置，其特征在于：
包括控制部，该控制部基于显影处理后的被处理基板上的膜厚和线宽度中的至少一个的测定结果和将所述多个可动式微反射镜均匀控制的情况下的所述线状的光的照度分布，控制所述可动式微反射镜的动作。
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