JP2011023471A - 半導体露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 露光装置においてレチクル上の所望のパターンのみを露光するためのマスキングブレードをレチクルステージの上部に第一のマスキングブレードを設置し、さらにレチクルステージの下部に第二のマスキングブレードを設置することにより、迷光によりレチクル上の非露光領域を透過した光を投影レンズ内に入り込む事を防止することができる。
【選択図】 図1
Description
フォトレチクルの露光可能エリア外には露光装置とフォトレチクルをアライメントする為のパターンや、フォトレチクルを認識する為のナンバーリングパターン、フォトレチクルを認識する為のバーコード、フォトレチクルの向きを確認するパターンなどが形成されている。
2 シャッター
3 第一のマスキングブレード
4 フォトレチクル
5 第二のマスキングブレード
6 縮小投影レンズ
7 半導体ウエハ
8 ウエハステージ
9 迷光
10 遮光部
11 露光領域
12 レチクル名刻印
13 レチクルアライメントマーク
14 バーコード
15 レチクル向き認識マーク
16 露光可能エリア外
17 レチクルステージ
18 反射防止膜
Claims (3)
- 光源とマスキングブレードを含む照明系と、露光領域に半導体ウエハ上に転写を行う為の回路パターンと前記露光領域の外側に非回路パターンが形成されたフォトレチクルを載置するレチクルステージを有し、前記フォトレチクルのパターンを半導体ウエハに投影露光する半導体露光装置において、前記フォトレチクル上の露光すべき領域を他の部分から区分する第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有し、前記フォトレチクル上の露光すべき領域を他の部分から区分する第二のマスキングブレードを前記レチクルステージの下部に有することを特徴とする半導体露光装置。
- 前記第一のマスキングブレードおよび前記第二のマスキングブレードの表面には、反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体露光装置。
- 前記第一のマスキングブレードおよび前記第二のマスキングブレードの表面には、微小な凹凸を有する膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体露光装置。
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