JP2004363589A - リソグラフィ装置 - Google Patents
リソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004363589A JP2004363589A JP2004158484A JP2004158484A JP2004363589A JP 2004363589 A JP2004363589 A JP 2004363589A JP 2004158484 A JP2004158484 A JP 2004158484A JP 2004158484 A JP2004158484 A JP 2004158484A JP 2004363589 A JP2004363589 A JP 2004363589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blade
- masking
- projection apparatus
- lithographic projection
- masking means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】パターン化されたビームを基板上に結像する前に投影ビームをパターン化するために使用されるパターン化手段の少なくとも一部を覆い隠すためのマスキング・デバイスを有するリソグラフィ投影装置。マスキング・デバイスは、第1の方向において上記パターン化手段の上記一部を覆い隠すための第1のマスキング手段及び第2の異なる方向において上記一部を覆い隠すための第2のマスキング手段を含み、上記第1及び第2のマスキング手段は互いに関して機械的に結合されない構成で上記焦点面の近傍に配置される。
【選択図】図4
Description
放射線の投影ビームを供給するための照射系であって、使用の際に前記投影ビームが通過する焦点面を規定する照射系と、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように機能するパターン化手段を1つの位置に支持するための支持構造と、
前記パターン化手段の少なくとも一部を前記投影ビームから覆い隠すためのマスキング・デバイスであって、前記マスキング組立体は前記位置に関する第1の方向において前記位置の一部を覆い隠すように構成される第1のマスキング手段、前記位置に関する第2の異なる方向において前記位置の一部を覆い隠すように構成される第2のマスキング手段を含むデバイスと、
基板を保持するための基板テーブル、及び、
前記基板の目標部分上にパターン化されたビームを描くための投影系を含む装置に関する。
マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいてよく知られており、これは、二値交番移相、及び、減衰移相、並びに、様々な混成マスク・タイプなどのマスク・タイプを含む。そのようなマスクの放射線ビーム内への定置は、マスク上のパターンに従って、マスクに当たる放射線の選択的な(透過性マスクの場合に)透過又は(反射性マスクの場合に)反射を引き起こす。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルとなり、これは、マスクが入来放射線ビーム内の所望の位置に保持され得ること、及び、所望であれば、マスクがビームに対して移動され得ることを確実にする。
プログラマブル・ミラー・アレー。このデバイスの例は粘弾性の制御層及び反射性表面を有するマトリクス・アドレス付け可能表面である。このような装置の背景となる基本原理は、(例えば)反射性表面のアドレス付き領域が入射光を回折光として反射するのに対して、アドレスなし領域は入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用すると、上記の非回折光は反射ビームからフィルタリング除去可能であり、回折光のみを後に残す。このようにして、ビームはアドレス可能表面のアドレスパターンに従ってパターン化される。プログラマブル・ミラー・アレーの代案実施例は微小なミラーのマトリクス配列を採用し、ミラーの各々は、適する局所電場の印加又は圧電作動手段の採用によって、ある軸を中心に個々に傾け得る。再び、ミラーは、アドレス付けされたミラーがアドレス付けされないミラーに対して異なる方向において入来放射線ビームを反射するように、マトリクスにアドレス付け可能であり、このようにして、反射ビームはマトリクス・アドレス付け可能ミラーのアドレスパターンに従ってパターン化される。必要なアドレス付けは適する電子的手段を使用して行い得る。そのようなミラー・アレーについてのより多くの情報は、例えば、参照によって本明細書に援用される米国特許第5,296,891号明細書及び同第5,523,193号明細書から収集可能である。
プログラマブルLCDアレー。このような構造体の例は参照によって本明細書に援用される米国特許第5,229,872号明細書中に与えられる。上記のように、この場合の支持構造は、例えばフレーム又はテーブルとして実現可能であり、これは必要に応じて固定又は可動とし得る。
放射線感受性材料の層により少なくとも部分的に覆われる基板を設ける工程、
照射システムを使用して放射線の投影ビームを供給する工程、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように機能するパターン化手段を1つの位置に支持するための支持構造を設ける工程、
上記パターン化手段の少なくとも1つの一部を上記位置に関して第1の方向において選択的に覆い隠すための第1のマスキング手段、及び、上記部分を上記位置に関して第2の異なる方向において選択的に覆い隠すための第2のマスキング手段を使用して、上記部分を上記投影ビーム及びパターン化されたビームから選択的に覆い隠す工程、
放射線感受性材料の層の目標領域上にパターン化された放射線のビームを投影する工程を含み、上記第1のマスキング手段及び第2のマスキング手段を、互いに関して機械的に結合されない構成で上記投影ビームの焦点面の近傍に配置することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
放射線(例えば、紫外放射線)の投影ビームPBを供給するための放射線システムEx、IL。この特定の場合において、放射線システムは放射線源LAも含む。
投影ビームからマスクMA(例えば、レチクル)の一部を選択的に遮蔽するために設けられるマスキング・デバイスMD。他の実施例において、マスキング・デバイスはパターン化された投影ビームの一部を選択的に遮蔽するために設けられ得る。
マスクMAにマスキング・デバイスを通過する放射線を投影するために設けられる中継光学部品RL。
マスクMAを保持するためのマスク・ホルダが設けられ、品目PLに関してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続される第1の物体テーブル(マスク・テーブル)MT。
基板Wの(1又は複数のダイを含む)目標部分C上にマスクMAの照射された部分を結像するための投影システム(「レンズ」)PL(例えば、投影レンズ)。
基板W(例えば、レジスト塗布済みシリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダが設けられ、物品PLに関して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続される第2の物体テーブル(基板テーブル)WT。
1.ステップ・モードにおいて、マスク・テーブルMTは基本的に静止に保たれ、マスク像全体は1回の作業単位(すなわち、単一の「フラッシュ」)において目標部分C上に投影される。続いて、基板テーブルWTはx及び/又はy方向にずらされ、それにより、異なる目標部分CがビームPBにより照射可能となる。
2.スキャン・モードにおいて、与えられた目標部分Cが単一の「フラッシュ」において露光されないことを除いて、基本的に同じ手順が適用される。代わりに、マスク・テーブルMTは与えられた方向(所謂「走査方向」、例えばY方向)に速度vで移動可能であり、それにより、投影ビームPBはマスク像にわたって走査させられる。現在、基板テーブルWTは同じ又は逆の方向に同時に速度V=Mvで移動され、ここで、MはレンズPLの倍率(典型的に、M=1/4又は1/5)である。このようにして、比較的大きな目標部分Cは、解像度で妥協せずに露光可能となる。本発明はスキャン・モードに特に適応可能である。しかし、本発明は、マスキング・デバイスがパターン化手段と共に移動するように構成される同期走査、又は、マスキング・デバイスの移動プロファイルがパターン化手段の移動プロファイルとは異なる同期走査への本発明の適用可能性に関して限定されない。
Claims (34)
- リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを供給するための照射システムであって、使用中に前記投影ビームが通過する焦点面を規定する照射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように機能するパターン化手段を1つの位置に支持するための支持構造と、
前記投影ビームから前記パターン化手段の少なくとも一部を覆い隠すためのマスキング・デバイスであって、前記位置に関して第1の方向において前記部分を覆い隠すように構成される第1のマスキング手段及び前記位置に関して第2の異なる方向において前記部分を覆い隠すように構成される第2のマスキング手段を含むマスキング・デバイスと、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分上に結像させるための投影システムとを含むリソグラフィ投影装置において、
前記第1及び第2のマスキング手段は、互いに関して機械的に結合されない構成において、前記焦点面の近傍に配置されることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記第1及び第2のマスキング手段はそれぞれの独立した第1及び第2の支持部材上に支持される、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1のマスキング手段には冷却手段が設けられる、請求項1又は2のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記冷却手段は前記第1の支持部材に組込まれた冷却構造を含む、請求項3に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記冷却構造は冷却流体が導入される取入れ口、前記冷却流体が通過する冷却ダクト、及び、前記冷却流体が前記冷却構造を出る排出口を含む、請求項4に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記冷却手段は水冷を提供する、請求項3から5までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第2のマスキング手段には冷却手段が設けられ、前記第1のマスキング手段及び前記第2のマスキング手段は互いに関して異なる程度まで冷却される、請求項3から6までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1のマスキング手段は前記ブレード支持体上に搭載されるブレードを含み、大きな熱伝導率を有する材料の層が前記ブレードと前記ブレード支持体の間に配置される、請求項2から7までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記材料は銀であるm請求項8に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1のマスキング手段は0.5mm未満の前記投影ビームの方向における厚さを有するブレードを含む、請求項1から9までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1及び第2のマスキング手段はそれぞれ第1及び第2の組の可動ブレードを含む、請求項1から10までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1のマスキング手段は、化学的気相成長ダイヤモンド、アルミニウム、タングステン銅合金、及び、シリコン・カーバイドを含むグループから選択される材料の1つで作られる板を含む、請求項1から11までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1及び第2のマスキング手段はそれぞれ非接触線形モータにより駆動される、請求項1から12までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第2のマスキング手段には前記それぞれの非接触線形モータの一部を形成する磁石が設けられる、請求項13に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1及び第2のマスキング手段はそれぞれX及びY方向において一緒及び別個に移動するように構成されるブレードの組を含む、請求項1から14までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第2のマスキング手段は気体軸受により前記第2の支持部材上に支持される、請求項2から15までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気体軸受は前記第2のマスキング手段を冷却する、請求項16に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第2の支持部材は前記第2のマスキング手段を支持するためにガスが通過する気体軸受表面を含み、前記支持部材は前記気体軸受表面を冷却するための冷却構造をさらに含む、請求項17に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記冷却構造は、冷媒が導入される取入れ口、前記冷媒が通過するダクト、及び、前記冷媒が前記構造を出る排出口を含む、請求項18に記載のリソグラフィ投影装置。
- 熱が前記第2のマスキング手段から前記第2のマスキング手段と前記第2の支持部材の間に前記気体軸受により設けられる隙間を介して伝導される、請求項16から19までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1のマスキング手段は、閉鎖位置に配置される時、前記投影ビームから前記第2のマスキング手段を保護するためのシャッタとして機能する、請求項1から20までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1のマスキング手段及び前記第2のマスキング手段はモジュラ・ユニットである、請求項1から21までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記マスキング手段の少なくとも1つには静電気放電デバイスが設けられる、請求項1から22までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記静電気放電デバイスは、静電気放電を前記装置の特定の構成部分から離れるように指し向けるために、前記マスキング手段の少なくとも1つのブレード上に搭載されるロッドを含む請求項23に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記マスキング手段の一対のブレードは、前記一対のブレードの間の衝突を回避するための制御手段により制御される、請求項1から24までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記支持部材には、投影ビームの方向において前記第1及び第2のマスキング手段の位置を調整するための調整手段が設けられる、請求項2から25までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記調整手段は弾力性部材に機能するねじを含み、前記ねじ及び前記弾力性部材はフレームに搭載される、請求項26に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第2の方向は走査方向をY方向に規定し、前記第1の方向は非走査方向をX方向に規定し、前記X方向は前記Y方向にほぼ垂直である、請求項1から27までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第1のマスキング手段はブレードを含み、前記投影装置は、前記ブレードが前記ブレード支持体により前記向い合う端部に支持されるように、前記ブレードを前記ブレード支持体にクランプするために、前記ブレードの2つの向い合う端部に設けられるクランプ手段をさらに含む、請求項2から28までのいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記マスキング手段のいずれかには反射防止コーティングが施される、請求項1から29のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- デバイス製造方法であって、
放射線感受性材料の層によって少なくとも部分的に覆われる基板を設ける工程と、
照射システムを使用して放射線の投影ビームを供給する工程と、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように機能するパターン化手段を1つの位置に支持するための支持構造を設ける工程と、
前記位置に関する第1の方向において選択的に覆い隠すための第1のマスキング手段を使用して、かつ、前記一部分を前記位置に関する第2の異なる方向において選択的に覆い隠すための第2のマスキング手段を使用して、前記パターン化手段の少なくとも1つの部分を前記投影ビーム及び前記パターン化されたビームから選択的に覆い隠す工程と、
放射線感受性材料の層の目標領域上に放射線の前記パターン化されたビームを投影する工程を含むデバイス製造方法において、
前記第1のマスキング手段及び第2のマスキング手段を、互いに関して機械的に結合されない構成で前記投影ビームの焦点面の近傍に配置することを特徴とするデバイス製造方法。 - 請求項31に記載の方法により製造されるデバイス。
- 請求項1から30までのいずれかに記載の方法によるマスキング・デバイス。
- CVDダイヤモンド又はタングステン銅合金又はシリコン・カーバイドを含む組成を有するマスキング板。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03076673A EP1482363A1 (en) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | Lithographic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004363589A true JP2004363589A (ja) | 2004-12-24 |
JP4200120B2 JP4200120B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
ID=33104143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004158484A Expired - Fee Related JP4200120B2 (ja) | 2003-05-30 | 2004-05-28 | リソグラフィ装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8059261B2 (ja) |
EP (1) | EP1482363A1 (ja) |
JP (1) | JP4200120B2 (ja) |
KR (1) | KR100768947B1 (ja) |
CN (1) | CN1573566B (ja) |
SG (1) | SG115701A1 (ja) |
TW (1) | TWI286677B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311193A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2010056456A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Nikon Corp | 遮光ユニット、可変スリット装置、及び露光装置 |
JP2011023471A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Seiko Instruments Inc | 半導体露光装置 |
KR20200080117A (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-06 | 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 | 광학 장치 및 노광 장치 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060121357A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Holtronic Technologies Plc. | Large pattern printing |
US7403265B2 (en) | 2005-03-30 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering |
US7382439B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-06-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7671970B2 (en) * | 2005-07-13 | 2010-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus with two patterning devices, lithographic apparatus and device manufacturing method skipping an exposure field pitch |
US7417715B2 (en) * | 2005-07-13 | 2008-08-26 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method using two patterning devices |
US7924406B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method having switch device for two illumination channels |
JP2007242774A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Canon Inc | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP2008003215A (ja) | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Necディスプレイソリューションズ株式会社 | 照明光学系および投写型表示装置 |
US20080073596A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US7518705B2 (en) * | 2006-09-14 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101501303B1 (ko) * | 2007-08-10 | 2015-03-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
CN101526754B (zh) * | 2009-03-26 | 2012-02-01 | 上海微电子装备有限公司 | 掩模版承版台及其光刻设备 |
WO2010118927A1 (en) | 2009-04-13 | 2010-10-21 | Asml Holding N.V. | Mask inspection with fourier filtering and image compare |
CN102460302B (zh) * | 2009-06-09 | 2015-06-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和用于减小杂散辐射的方法 |
WO2014016163A1 (en) | 2012-07-23 | 2014-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN102799081A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-11-28 | 上海华力微电子有限公司 | 步进式重复曝光光刻机的掩模板工件台及曝光工艺 |
CN103901731B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-02-03 | 上海微电子装备有限公司 | 可动刀口装置 |
TWI561327B (en) | 2013-10-16 | 2016-12-11 | Asm Tech Singapore Pte Ltd | Laser scribing apparatus comprising adjustable spatial filter and method for etching semiconductor substrate |
CN104777716B (zh) * | 2014-01-10 | 2017-08-29 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻机机械式快门叶片结构 |
CN107219729B (zh) * | 2017-07-17 | 2018-10-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曝光机及遮光叶片 |
WO2019115196A1 (en) * | 2017-12-14 | 2019-06-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with improved patterning performance |
CN108663911B (zh) * | 2018-05-09 | 2019-05-07 | 哈尔滨工业大学 | 一种窗口扫描式曝光装置 |
US11550232B2 (en) * | 2019-04-09 | 2023-01-10 | Kulicke & Soffa Liteq B.V. | Lithographic systems and methods of operating the same |
US10866519B1 (en) * | 2019-10-01 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Reticle-masking structure, extreme ultraviolet apparatus, and method of forming the same |
CN112782938B (zh) * | 2019-11-05 | 2022-10-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种可动狭缝装置及光刻系统 |
CN110908250A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-03-24 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 投影光刻系统的积分棒和刀口狭缝的防摩擦装置和方法 |
CN113311666B (zh) * | 2020-02-27 | 2022-07-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种可移动刀口模块及可变狭缝系统 |
EP4394503A1 (en) | 2022-12-29 | 2024-07-03 | ASML Netherlands B.V. | Masking device and controlling method thereof |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6045252A (ja) | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 投影露光装置の照明系 |
JPH0677077B2 (ja) | 1986-10-13 | 1994-09-28 | 日本電信電話株式会社 | 多層薄膜x線分光素子 |
JP2743182B2 (ja) | 1988-09-09 | 1998-04-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
DE68922945T2 (de) * | 1988-09-09 | 1995-11-16 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsvorrichtung. |
JPH0670960B2 (ja) | 1989-06-08 | 1994-09-07 | 日本電信電話株式会社 | ブラインド装置 |
US5473410A (en) * | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5632942A (en) * | 1993-05-24 | 1997-05-27 | Industrial Technoology Research Institute | Method for preparing multilayer ceramic/glass substrates with electromagnetic shielding |
JP3291408B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2002-06-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置および集積回路の製造方法 |
JP3398511B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-04-21 | 三菱電機株式会社 | X線露光装置 |
JP3506158B2 (ja) * | 1995-04-14 | 2004-03-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及び走査型露光装置、並びに走査露光方法 |
US5724122A (en) * | 1995-05-24 | 1998-03-03 | Svg Lithography Systems, Inc. | Illumination system having spatially separate vertical and horizontal image planes for use in photolithography |
JP3416373B2 (ja) * | 1996-02-20 | 2003-06-16 | キヤノン株式会社 | 反射型x線マスク構造体、x線露光装置、x線露光方法ならびに該反射型x線マスク構造体を用いて作製されるデバイス |
JP3286184B2 (ja) | 1996-09-25 | 2002-05-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置および方法 |
JP3379399B2 (ja) | 1997-08-26 | 2003-02-24 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置のシャッタ機構 |
JP3387809B2 (ja) | 1998-02-18 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE69931690T2 (de) * | 1998-04-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
DE69933903T2 (de) | 1998-04-14 | 2007-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
AU4057999A (en) | 1998-06-02 | 1999-12-20 | Nikon Corporation | Scanning aligner, method of manufacture thereof, and method of manufacturing device |
JP2000173900A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Canon Inc | 電子ビーム照明装置、および該照明装置を用いた電子ビーム露光装置 |
JP4432139B2 (ja) | 1999-01-25 | 2010-03-17 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
US6302192B1 (en) * | 1999-05-12 | 2001-10-16 | Thermal Corp. | Integrated circuit heat pipe heat spreader with through mounting holes |
JP2001218424A (ja) | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Canon Inc | 流体軸受けモータ |
US6307619B1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-10-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Scanning framing blade apparatus |
US6717651B2 (en) * | 2000-04-12 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing microdevice |
JP2002374027A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JP3679736B2 (ja) | 2001-07-04 | 2005-08-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに、デバイス |
US6806943B2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | Mask clamping device |
-
2003
- 2003-05-30 EP EP03076673A patent/EP1482363A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-05-26 SG SG200402963A patent/SG115701A1/en unknown
- 2004-05-28 JP JP2004158484A patent/JP4200120B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-28 US US10/855,976 patent/US8059261B2/en active Active
- 2004-05-28 KR KR1020040038539A patent/KR100768947B1/ko active IP Right Grant
- 2004-05-28 TW TW093115431A patent/TWI286677B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-31 CN CN2004100478240A patent/CN1573566B/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311193A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4630567B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2011-02-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2010056456A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Nikon Corp | 遮光ユニット、可変スリット装置、及び露光装置 |
JP2011023471A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Seiko Instruments Inc | 半導体露光装置 |
KR20200080117A (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-06 | 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 | 광학 장치 및 노광 장치 |
JP2020106603A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社オーク製作所 | 光学装置及び露光装置 |
JP7198659B2 (ja) | 2018-12-26 | 2023-01-04 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
TWI791125B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-02-01 | 日商鷗爾熙製作所股份有限公司 | 曝光裝置 |
KR102683743B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2024-07-11 | 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 | 광학 장치 및 노광 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1573566B (zh) | 2010-06-23 |
KR20040104401A (ko) | 2004-12-10 |
KR100768947B1 (ko) | 2007-10-19 |
CN1573566A (zh) | 2005-02-02 |
SG115701A1 (en) | 2005-10-28 |
EP1482363A1 (en) | 2004-12-01 |
TWI286677B (en) | 2007-09-11 |
US20050012913A1 (en) | 2005-01-20 |
JP4200120B2 (ja) | 2008-12-24 |
TW200517788A (en) | 2005-06-01 |
US8059261B2 (en) | 2011-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4200120B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
KR100588119B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
JP3749882B2 (ja) | リソグラフィ装置および前記装置で用いるモータ | |
KR100609106B1 (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 제조된 디바이스 | |
JP3955555B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4455491B2 (ja) | 放射ビームから粒子をフィルタ除去するように動作可能なフィルタ・システムを提供する方法、フィルタ・システム、装置、及びフィルタ・システムを含むリソグラフィ装置 | |
JP4468980B2 (ja) | リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 | |
JP4869380B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
EP1736830A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
NL2017808A (en) | Positioning device, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4970846B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4452103B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2005276932A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
US9494878B2 (en) | Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices | |
US7692169B2 (en) | Method for filtering particles out of a beam of radiation and filter for a lithographic apparatus | |
EP1491960B1 (en) | Lithographic apparatus | |
EP1475669A1 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
US7692768B2 (en) | Iron core motor driven automatic reticle blind | |
EP1465014B1 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturated thereby |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041025 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041025 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081006 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4200120 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |