CN111480120B - 具有改良的图案化性能的光刻设备 - Google Patents

Abstract

公开了一种用于光刻设备的系统，包括：可移动的平台，包括配置成支撑图案形成装置的支撑结构；投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和板，定位在可移动的平台和投影系统之间；板包括：第一表面，面对可移动的平台；第二表面，面对投影系统；开口，通过板以使得图案化的辐射束传递通过开口，其中开口至少具有从第一表面延伸至第二表面的第一侧和第二侧；在开口的第一侧中的一个或更多个气体出口和在板的第一表面中的一个或更多个气体出口，其中气体出口配置成使得气体经由气体出口被供应至可移动的平台和投影系统之间的区；在开口的第二侧中的一个或更多个气体入口，其中气体入口配置成使得气体经由气体入口从可移动的平台和投影系统之间的区中被抽取出来；和板的第一表面中的一个或更多个气体出口中的所有气体出口都定位和配置成使得对于一个或更多个气体出口中的每个气体出口，既正交于第一表面又与气体出口相交的线在图案形成装置的整个范围的移动期间在任何点处都不与图案形成装置相交。有利地，重叠误差低于利用已知的技术所实现的重叠误差。

Description

具有改良的图案化性能的光刻设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月14日提交的欧洲申请17207390.0和2018年3月28日提交的欧洲申请18164526.8的优先权。两个申请的全部内容通过引用都并入本文。

技术领域

本发明涉及用于改良光刻设备的图案形成装置的性能的技术。具体地，多个实施例提供了用于减小由图案形成装置周围的气流引起的误差的技术。

背景技术

光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造过程继续进步，几十年来，电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每一个器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(Moore’s law)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在追寻能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(其波长在4nm至20nm的范围内，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。

图案形成装置的任何扰动，以及在通过图案形成装置的光路中的任何扰动，都会增加重叠误差，因此应当使其最小化。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种光刻设备，包括：可移动的平台，包括支撑结构，所述支撑结构配置成支撑图案形成装置；投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和板，定位在所述可移动的平台和所述投影系统之间；其中所述板包括：第一表面，面对所述可移动的平台；第二表面，面对所述投影系统；开口，通过所述板以使得所述图案化的辐射束传递通过所述开口，其中所述开口至少具有从所述第一表面延伸至所述第二表面的第一侧和第二侧；在所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口和在所述板的第一表面中的一个或更多个气体出口，其中所述气体出口配置成使得气体经由所述气体出口被供应至所述可移动的平台和投影系统之间的区；在所述开口的第二侧中的一个或更多个气体入口，其中所述气体入口配置成使得气体经由所述气体入口从所述可移动的平台和投影系统之间的区中被抽取出来；和所述板的第一表面中的一个或更多个气体出口中的所有气体出口都定位和配置成使得对于一个或更多个气体出口中的每个气体出口，既正交于所述第一表面又与所述气体出口相交的线在所述图案形成装置的整个范围的移动期间在任何点处都不与所述图案形成装置相交。

优选地，所述图案形成装置包括图案化部分和表膜，其中所述表膜布置在所述图案化部分和板之间。

优选地，一个或更多个气体出口设置在所述板的第二表面中。

优选地，所述开口的第二侧与所述开口的第一侧相对。

优选地，所述开口的第一侧和第二侧被布置成使得从所述第一侧到所述第二侧的气体的直接流动路径平行于所述可移动的平台的移动方向。

优选地，所述光刻设备还包括一个或更多个阀系统，布置成控制气体流动通过所述气体出口和/或一个或更多个气体入口；一个或更多个风扇系统，布置成使得气流流入所述一个或更多个气体入口；和一个或更多个控制系统，布置成控制所述一个或更多个阀系统和/或一个或更多个风扇系统，从而控制气流通过所述气体出口和一个或更多个气体入口。

优选地，所述一个或更多个控制系统配置成控制所述气流，使得从所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口流出的气流的流量大于流入所述开口的第二侧中的一个或更多个气体入口中的气流的流量，以使得：从所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口流出的气体的第一部分，沿着大致上正交于通过所述开口的所述图案化的辐射束的方向的流动路径，直接流向所述开口的第二侧中的一个或更多个气体入口；和从所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口流出的气体的第二部分流向所述第一表面。

优选地，所述一个或更多个控制系统配置成控制所述气流，使得从所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口流出的气流的流量大于流入所述开口的第二侧中的一个或更多个气体入口中的气流的流量；和所述第一部分与第二部分的比率在0.99∶0.01至0.5∶0.5之间。

优选地，所述气流被控制成使得朝向所述第一表面的气流中的至少一些被布置成调节所述表膜的温度。

优选地，所述第一表面大致上是平面的。

优选地，沿着平行于通过开口的图案化的辐射束的方向的轴线，开口的第一侧的长度小于开口的第二侧的长度。

优选地，在所述开口的第一表面上的所述开口的第一侧和第二侧之间的间隔小于在所述开口的第二表面上的所述开口的第一侧和第二侧之间的间隔。

优选地，在所述第一表面中的一个或更多个气体出口包括细长的狭缝。

优选地，所述狭缝被布置成使得所述狭缝中的一个或更多个大致上平行于所述可移动的平台的移动的方向。

优选地，所述一个或更多个控制系统配置成：当所述设备用于传感器测量时，产生从所述气体出口流出并且流入所述一个或更多个气体入口的第一流量的气流；和当所述设备用于扫描和曝光时，产生从所述气体出口流出并且流入所述一个或更多个气体入口的第二流量的气流；其中气流的所述第一流量不同于气流的所述第二流量。

优选地，所述板包括通过所述板延伸的流体通道，所述流体通道配置成传输被热调节的流体以用于所述板的温度调节。

优选地，所述开口的第一侧还包括一个或更多个气体入口。

优选地，在所述第一侧中的一个或更多个气体入口设置在所述第一表面和所述第一侧中的一个或更多个气体出口之间。

优选地，所述开口的第一侧和第二侧被圆化。

优选地，所述开口的第一侧包括第一段和第二段；其中，沿着从所述图案形成装置到所述投影系统的光学路径，开口的宽度沿着所述第一段减少，开口的宽度沿着所述第二段增加。

优选地，所述开口的第二侧包括第一段和第二段；其中，沿着从所述图案形成装置到所述投影系统的光学路径，开口的宽度沿着所述第一段减少，开口的宽度沿着所述第二段增加。

优选地，所述开口的第一侧中的气体出口设置在所述开口的第一侧的第二段中；和所述开口的第一侧中的气体入口设置在所述开口的第一侧的第一段中。

优选地，所述开口的第二侧中的气体入口仅设置在所述开口的第二侧的第一段中。

优选地，对于所述开口的第一侧和/或第二侧：所述第一表面和每个第一段之间的拐角被圆化；和/或每个第一段和每个第二段之间的拐角被圆化；和/或每个第二段和第二表面之间的拐角被圆化。

优选地，第一表面处的开口的宽度比通过板的整个开口的最小宽度大10％至70％之间。

根据本发明的第二方面，提供了一种光刻设备，包括：可移动的平台，包括支撑结构，所述支撑结构配置成支撑图案形成装置；投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和板，定位在所述可移动的平台和所述投影系统之间；其中所述可移动的平台还包括：细长的第一阻挡件，定位成邻近于所述图案形成装置的第一侧并布置成遮蔽所述图案形成装置；细长的第二阻挡件，定位成邻近于所述图案形成装置的第二侧并布置成遮蔽所述图案形成装置，其中所述图案形成装置的第二侧与所述图案形成装置的第一侧相反；所述第一阻挡件和第二阻挡件布置成使得它们的纵向轴线正交于所述图案形成装置的移动的方向和通过所述图案形成装置的辐射束的光学路径两者；沿着所述第一阻挡件和第二阻挡件中的每一个的长度是前缘和后缘，所述前缘大致上远离所述图案形成装置地面对，所述后缘大致上面向所述图案形成装置；所述第一阻挡件和/或第二阻挡件的前缘和/或后缘具有空气动力学的形状。

优选地，所述第一阻挡件和/或第二阻挡件的后缘逐渐变细。

优选地，所述第一阻挡件和/或第二阻挡件的前缘和/或后缘被圆化。

优选地，所述第一阻挡件和/或第二阻挡件的后缘被尖化。

优选地，所述可移动的平台包括：第一支撑结构，布置成支撑所述第一阻挡件；第二支撑结构，布置成支撑所述第二阻挡件；在所述第一支撑结构和第一阻挡件之间的开口，使得气体能够在所述第一阻挡件和第一支撑结构之间流动；和在所述第二支撑结构和第二阻挡件之间的开口，使得气体能够在所述第二阻挡件和第二支撑结构之间流动。

优选地，所述第一阻挡件和/或第二阻挡件的表面是弯曲的。

优选地，在正交于所述第一阻挡件和/或第二阻挡件的纵向轴线的横截面中，所述阻挡件大致上是对称的。

附图说明

现在将参考示意性附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例，在附图中：

-图1描绘了光刻设备的示意性概述；

-图2描绘了光刻设备的图案形成装置周围的部件；

-图3描绘了光刻设备的图案形成装置周围的部件；

-图4描绘了光刻设备的图案形成装置周围的部件；

-图5A-5C描绘了扫描操作期间图案形成装置的支撑结构的移动；

-图6A描绘了光刻设备的图案形成装置周围的部件；

-图6B描绘了光刻设备中的板的顶部表面；

-图7描绘了光刻设备的图案形成装置周围的部件；

-图8描绘了具有表膜的图案形成装置；

-图9A描绘了根据第一实施例的光刻设备的图案形成装置周围的部件；

-图9B描绘了根据第一实施例的控制系统和用于控制气流的部件；

-图10描绘了根据第一实施例的光刻设备中的板的顶部表面；

-图11描绘了根据第二实施例的光刻设备的图案形成装置周围的部件；

-图12A描绘了已知设计的迷宫式阻挡件(labyrinth bar)的横截面；

-图12B描绘了根据第三实施例的迷宫式阻挡件的横截面；

-图12C描绘了根据第三实施例的迷宫式阻挡件的横截面；

-图12D描绘了根据第三实施例的迷宫式阻挡件的横截面；

-图12E描绘了根据第三实施例的迷宫式阻挡件的横截面；和

-图12F描绘了根据第三实施例的迷宫式阻挡件的横截面。

具体实施方式

在本文中，术语“辐射”和“束”被用于涵盖全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外辐射(EUV，例如具有在约5-100nm的范围内的波长)。

如本文中所使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被宽泛地解释为指可以用于赋予入射辐射束图案化的横截面的通用图案形成装置，所述图案化的横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案。术语“光阀”也能够用于这种内容背景中。除了经典掩模(透射式或反射式、二元式、相移式、混合式等)以外，其它此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了一种光刻设备LA。所述光刻设备LA包括：照射系统(也称为照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；支撑结构(例如掩模支撑件/台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接到第一定位器PM，所述第一定位器PM配置成根据特定参数来准确地定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如晶片台)WT，构造成保持衬底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，所述第二定位器PW配置成根据特定参数来准确地定位衬底支撑件；和投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。所述支撑结构MT是可移动的平台，支撑结构MT的位置由第一定位器PM控制。

在操作中，照射系统IL接收来自辐射源SO的辐射束B，例如经由束传递系统BD。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形和/或控制辐射。照射器IL可以用于调节辐射束B，以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有所期望的空间和角度强度分布。

本文使用的术语“投影系统”PS应该被广义地解释为涵盖各种类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、反射折射型光学系统、变形型光学系统、磁性型光学系统、电磁型光学系统和/或静电型光学系统或其任意组合，对于所使用的曝光辐射和/或对于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素合适的。本文使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”PS同义。

光刻设备LA可以是这样一种类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统PS和衬底W之间的空间-其也称为浸没光刻术。关于浸没技术的更多信息在US6,952,253中给出，该专利通过引用并入本文中。

光刻设备LA也可以是具有两个或更多衬底支撑件WT(也称为“双平台”)的类型。在这种“多平台”机器中，衬底支撑件WT可以并行使用，和/或准备随后曝光衬底W的步骤可以在位于一个衬底支撑件WT上的衬底W上进行，而另一个衬底支撑件WT上的另一衬底W用于在另一衬底W上曝光图案。

除了衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量平台。测量平台被布置成保持传感器和/清洁装置。传感器可以被布置成测量投影系统PS的属性或辐射束B的属性。测量平台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置成清洁光刻设备LA的一部分，例如投影系统PS的一部分，或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投影系统PS时，测量平台可以在投影系统PS的下方移动。

在操作中，所述辐射束B入射到保持在支撑结构MT上的所述图案形成装置(例如掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA上呈现的图案(设计布局)来图案化。在已横穿图案形成装置MA的情况下，辐射束B传递通过投影系统PS，该投影系统PS将所述辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统PMS，可以准确地移动衬底支撑件WT，例如，以便在被聚焦且对准的位置处将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，可以将第一定位器PM和可能的另一个位置传感器(图1中未明确描绘出)用于相对于所述辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2将图案形成装置MA和衬底W对准。尽管所示的衬底对准标记P1、P2占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分之间的空间中。当衬底对准标记位于多个目标部分C之间时，衬底对准标记P1、P2被称作划线对准标记。

为了说明本发明，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即，x轴、y轴和z轴。三个轴中的每一个正交于另外两个轴。围绕x轴旋转被称为Rx旋转。围绕y轴旋转被称为Ry旋转。围绕z轴旋转被称为Rz旋转。x轴和y轴限定水平面，而z轴沿竖直方向。笛卡尔坐标系并不限制本发明，仅用于说明目的。相反，另外坐标系，诸如圆柱坐标系，可以用于说明本发明。

图2描绘了一种布置，该布置总体上描绘了如何能够在例如支撑结构MT上方的区中实现内部气体环境4的控制。应当了解，这种内部气体环境还可以期望地设置在光刻设备LA的其它部分中，例如在衬底支撑件WT的区或其部分中。例如，可能期望控制诸如位置传感器的传感器周围的气体环境。将了解，本文描述的本发明的实施例因此可以在这样的其它内容背景中使用，即，不限于本文所使用以描述的本发明的实施例的内容背景。

在该示例中，内部气体环境4的一侧位于图案形成装置MA与支撑结构MT之间，并且另一侧位于照射系统IL的最终元件(和周围的硬件)2上。因此，所描绘的内部气体环境4是辐射束B在遇到图案形成装置MA之前将传递通过的体积。

在该示例中，提供了气体供应系统5，以经由出口7将气体供应到内部气体环境4。可以以受控的成分和/或以受控的流速来供应所述气体。可选地，在内部气体环境4内保持过压。过压导致气体的向外流动，如箭头6示意性地示出。气体供应系统5和/或出口7可安装在支撑结构MT内(如图所示)和/或在支撑结构MT上方和/或下方的元件内。例如，气体供应系统5和/或出口7可以安装在照射系统IL的最终元件2内。替代地或附加地，气体供应系统5和/或出口7可以安装在投影系统PS的第一元件3内。

图3描绘了与图2的布置相对应的布置，除了内部气体环境4位于图案形成装置MA的下方。因此，所描绘的内部气体环境4是辐射束在遇到图案形成装置MA之后将传递通过的体积。内部气体环境4的一侧由支撑结构MT和图案形成装置MA容纳，并且另一侧由投影系统PS的第一元件(和周围的硬件)3容纳。

图2和图3的内部气体环境4在分离的部位示出。然而，在实施例中，内部气体环境4不是彼此隔离的。内部气体环境4可以连接在一起。在这种情况下，可以提供单个气体供应系统5。单个气体供应系统5可以在图案形成装置MA上方或下方具有单个出口7。通过图案形成装置MA上方的内部气体环境4与图案形成装置MA下方的内部气体环境4之间的一种或更多种连接，气体将能够在图案形成装置MA上方的内部气体环境4与图案形成装置MA下方的内部气体环境4之间流动。可替代地，单个气体供应系统5可以在图案形成装置MA的下方、上方、或下方和上方具有多个出口7。

在所示示例中，气体供应系统5和出口7被并入支撑结构MT中。但是，气体供应系统5和/或出口7可以安装到其它部件上。例如，气体供应系统5和/或出口7可以附接到照射系统IL的最终元件(或周围的硬件)2和/或投影系统PS的第一元件(或周围的硬件)3。

图4图示了光刻设备LA中的图案形成装置MA以及图案形成装置MA周围的部件的已知实施方式的横截面视图。

图案形成装置MA周围的部件包括支撑结构MT和板402，板402可以被称为透镜顶部环境(LTE)板。图4中还示出了投影系统的光学元件403的顶部，诸如透镜顶部403。LTE体积是气体能够在其中流动的、在支撑结构MT和透镜顶部403之间的区。

支撑结构MT是可移动的平台，并且可以耦接至致动装置，例如，短行程致动器、长行程致动器或其组合。

板402包括具有第一侧壁405和第二侧壁406的开口。如图4所示，侧壁405和406是倾斜的。存在从照射系统IL、通过图案形成装置MA、通过开口并进入投影系统PS的光路。

在示例中，板402可以被配置为净化板(purge plate)，所述净化板包括用于净化LTE体积的净化气体的源。净化气体确保LTE体积是调节后的气体环境，成像辐射可以从照射系统IL通过该气体环境传播到透镜顶部403。LTE体积中的湍流气流可能是由例如温度梯度和/或由光刻设备LA的移动部件引起的压力波导致的。

进入LTE体积的净化气体流可以是通过侧壁中的一个上的开口供应的连续气体流。还可以通过与供应净化气体的侧壁相对的侧壁上的开口从LTE体积中抽取净化气体。由于侧壁405和406的倾斜的几何形状，所以在连续的气流中可能存在平行于照射系统IL的光轴的竖直流分量。竖直流分量的存在可以在LTE体积中产生大致上不垂直于照射系统IL的光轴的气流图案。在支撑结构MT下方的LTE体积的部分中的这种气流图案可能对扫描操作期间的紊乱的和不稳定的气流作出贡献。这增加了重叠误差，例如，非移动平均重叠误差。非移动平均重叠误差是有时被定义为扫描器-滤波器残差的重叠分量；本质上为基于行的滤波后剩余的噪声。它可能与局部重叠效应或场内重叠性能相关联。在一个示例中，非移动平均重叠误差归因于曝光场或曝光行中的变化。附加地或可替代地，误差可能是由对准噪声导致的。

附加地或可替代地，支撑结构MT的底部表面的非平面的几何形状也可能对非移动平均重叠误差作出贡献。如图4和图5A至5C所图示，支撑结构MT的非平面的底部表面可以具有空腔(以点划线示出)，这些空腔对非移动平均重叠误差作出贡献。如图5A至图5C所图示，在支撑结构MT沿X轴的扫描期间，空腔可以在LTE体积周围携带和输送未被调节的气体。应当注意的是，即使未在本公开中图示，支撑结构MT也可以沿Y轴扫描。图5B图示了当支撑结构MT从位置A向位置B扫描时，支撑结构MT可以将未被调节的气体从远处的环境中带入空腔中。当支撑结构MT从位置B向位置C扫描时，该未被调节的气体然后可以被输送到板402中的开口所在的LTE体积的部分(如图5C所示)中。因为该未被调节的气体的折射率与在支撑结构MT和透镜顶部403之间提供的被调节的气体(即净化气体)的折射率不同，成像辐射束B可以在从照射系统IL朝向透镜顶部403传播时可能经历变化的光程长度，这可能导致非移动平均重叠误差。未被调节的气体还污染了辐射束B传递通过的LTE体积的部分。附加地，空腔内携带的气体可能在LTE体积中的气流中引起紊流，从而导致LTE体积中的不稳定气流和不均匀的温度分布。

对上述技术的以下已知的修改减小了与支撑结构MT相伴的气流问题导致的非移动平均重叠误差，如上所述。

图6A图示了根据已知技术的光刻设备LA中的图案形成装置MA周围的部件的横截面视图。支撑结构MT在结构和功能上与参照图3和图5A至图5C描述的支撑结构MT相似。支撑结构MT可具有非平面的底部表面或平面的底部表面，如图6A所图示。

板402包括具有侧壁405和406的开口，侧壁405和406基本上彼此平行并且基本上垂直于支撑结构MT的扫描方向(例如X方向)。板402还包括终止于侧壁405和406上的开口的气体通道。

侧壁405和406的几何形状有助于横跨开口产生垂直于光轴并且平行于支撑结构MT的扫描方向的气流图案。横跨开口形成气流图案可包括通过侧壁中的一个405上的开口供应气体，即净化气体，以及通过侧壁中的另一个406上的开口抽取供应的气体和/或未被调节的气体。气流图案可以有助于减轻与例如具有竖直流分量的气流有关的问题，如上所述。

应当注意，即使气流图案显示为沿X轴扫描方向，也可以沿Y轴扫描方向在开口的另一对相对地面对的侧壁之间形成气流图案，所述侧壁实质上垂直于图6A中所示的侧壁405和406的侧壁。

在另一个示例中，板402可以在其上表面中包括气体抽取路径，被输送到LTE体积中的未被调节的气体(如上面参照图5A-5C所述的)可以通过气体抽取路径沿箭头620所图示的方向被抽取。

在另一个示例中，板402可以包括多个气体供应路径，所述气体供应路径终止于板402的顶部表面上的开口，所述气体供给路径使得气体引导通过板402的顶部表面，如箭头622所示。该气流被提供以便阻止未被调节的气体进入辐射束B传递通过的LTE体积和/或使其偏转。流体通道625和627根据需要提供通过板402的气体流动路径，以支撑所有的气体出口和入口。

板402还可以包括如图6A所图示沿Y方向穿过板402的流体通道654。流体通道654可以被配置成传输被热调节的流体(例如，液体或气体)以帮助将板402的温度调节到期望的温度。板402的温度调节可以包括通过来自板402的被热调节的流体吸收过量的热量。过量的热量可能已经例如通过对流或通过辐射从例如支撑结构MT、投影系统PS和/或光刻设备LA的其它系统在其操作期间被传递给板402。板402中存在过量的热量会不期望地加热流过气体通道和气体路径的被调节的气体，并导致重叠误差。虽然流体通道已被图示为沿Y方向，但是本领域技术人员应理解，流体通道可以沿板402中的不同方向定向。

光刻设备LA还可以包括与板402耦接的流体调节系统和气体系统。该气体系统可以被配置为经由例如如上所述的通道和供应路径通过板402提供气体供应。附加地或可替代地，气体系统可以被配置成经由例如如上所述的通道和抽取路径来提供气体抽取。

流体调节系统可以被配置成通过板402的流体通道654提供恒定的或受控的、变化流量的被热调节的流体，以调节板402的温度。该流体在进入板402之前通过流体调节系统被调节到期望的温度。

板402可以包括狭缝缩小器。狭缝缩小器优选地定位在开口的大约一半高度处，但是可以定位在沿着开口的侧壁的任何地方。传递通过开口的辐射束B可以通过使用狭缝缩小器被成形和修整。

图6B图示了能够被实施为光刻设备LA的部分的板402的俯视图。板402在其上表面上包括面对图案形成装置MA的底部表面的开口656。开口656可以被配置为穿过板402延伸的气体供应路径(未示出)的出口。

开口656布置成大体V形阵列，每个V形阵列位于板402的开口的任一侧。这种V形阵列允许阻挡未被调节的气体进入辐射束B传递通过的LTE体积和/或使其偏转。附加地或可替代地，板402可以在其上表面上包括相似的气体抽取路径入口的V形阵列(未示出)。

在WO2014/128232A1中描述了用于控制图案形成装置MA周围的气流的上述已知技术，其全部内容通过引用并入本文。

图7是光刻设备LA中的图案形成装置MA周围的部件的另外的已知实施方式的横截面。在图7中，板402中的开口的竖直横截面的形状不同于图4、5A、5B、5C和6A中所示的形状，投影系统PS的开口和透镜顶部403的相对位置也不同。图7还示出了照射系统IL的下部。但是，图7所示的结构以与图4、5A，5B、5C和6A所述的实质上相同的方式操作，在照射系统IL中产生的辐射束B传递通过图案形成装置MA、通过板402并进入投影系统PS。

如图7所示，图案形成装置MA周围的部件包括多个迷宫式阻挡件，所述迷宫式阻挡件设置在图案形成装置MA的支撑件的每一侧上。设置在图案形成装置MA的下表面的下方的是表膜701。

图8更详细地示出了图案形成装置MA和图案形成装置MA的表膜701。表膜支撑件将表膜701附接到图案形成装置MA的主体。表膜701的目的是使粒子远离图案形成装置MA的表面。

表膜701位于辐射束B的光学路径中，因此是重叠误差的潜在原因。通过使用表膜701导致的误差被称为表膜指纹。表膜指纹依赖于：

-表膜701的物理属性；

-支撑结构MT周围的流动环境和几何形状；

-支撑结构MT的扫描速度；

-支撑结构MT的加速度和定时；

-扫描长度；和

-扫描方向。

图案形成装置MA的任何移动都可能导致压力梯度，该压力梯度使表膜701变形，由此增加重叠误差。

所有图4、5A、5B、5C、6A、6B和7中的上述技术所伴随的问题在于，气流没有布置和控制成使得由LTE体积中的气流所导致的重叠误差实质上最小化。

在图7中，净化气体通过开口的一侧上的气体出口输入到LTE体积中，但没有通过开口的另一侧上的气体出口抽出。因此，有大量的气流通过开口的顶部到达表膜701上。尽管这可以减少由于净化气体与未被调节的空气混合而导致的非MA重叠误差，但到达表膜701的大量的气流使得表膜701变形，因此会增加重叠误差。此外，存在大量的气流通过平行于辐射束B的开口，与正交于辐射束B的气流相比，这对重叠误差的贡献更大。

在图6A中，已经设计了气流，使得有气流从板402的上表面流出，如箭头622所示，该气流在支撑结构MT的扫描期间阻挡了未被调节的气体，如以上参照图5A至5C所描述的。然而，从板402的上表面流出的这些气流622直接流到表膜701上并使表膜701变形。因此，从板402的顶部流出的气体增加了重叠误差。

图9A和9B示出了本发明的第一实施例。

图9A是示出根据第一实施例的图案形成装置MA周围的部件的竖直横截面。图9A中的配置在如何提供气流以及如何控制气流两方面与上述已知的技术不同。

根据第一实施例的配置与图7所示的已知配置相似之处在于在图案形成装置MA的主体下方支撑有表膜701，板907的开口具有类似的竖直横截面，照射系统IL、投影系统PS的开口和透镜顶部403的相对位置大体相同。与图案形成装置MA的第一侧和与图案形成装置的第一侧相反的图案形成装置MA的第二侧中的每一个相邻的是迷宫式阻挡件908。

根据第一实施例的配置与图7所示的已知配置之间的实质区别在于，存在从第一侧壁901中的气体出口903到第二侧壁902中的气体入口906、横跨开口的气体流动路径。也就是说，根据第一实施例的配置，在开口的一侧上的第一侧壁901具有气体出口903，气体出口903将气体(即，净化气体)供应至LTE体积中；在开口的相对侧上的第二侧壁902具有气体入口906，用于从LTE体积抽取气体。有利地，减少了流到表膜701上的气体量，减小了表膜701的变形，并且减小了重叠误差。

根据第一实施例的配置与图7所示的已知配置之间的另一实质区别在于，气流从板907的上表面904中的一个或更多个气体出口909流出。从上表面904流出的气流增加了LTE体积中的压力，由此实质上防止了气流从外部环境进入LTE体积。另外，减少了在辐射束B传递通过的LTE体积的一部分中的竖直气流。从气体出口909流出的气体也比远离开口的气体受到更好的调节。因此，传输到辐射束B传递通过的LTE体积的部分中的任何气体都类似于直接供应到LTE体积中的净化气体。

优选地，根据第一实施例的配置还使气流从板907的下表面905中的气体出口909流出。

如图9A所示，包括气体出口903的开口的第一侧壁901在竖直横截面上的深度小于在开口的相对侧上包括气体入口906第二侧壁902的深度。

多个实施例包括横跨开口的气流，该气流从第一侧壁901到第二侧壁902，即如图9A所示从左到右，或者从第二侧壁902到第一侧壁901。

多个实施例包括在第一侧壁901中存在一个气体出口903或多个气体出口903。多个实施例包括在第二侧壁902中存在一个气体入口906或多个气体入口906。

根据第一实施例的配置可以仅在板907的上表面904上具有气体出口909，而在板907的上表面904上不具有气体入口。根据第一实施例的配置可以仅在板907的下表面905上具有气体出口909，而在板907的下表面905上没有气体入口。但是，多个实施例还包括被设置的气体入口，诸如620(如图6A所示)和1102(如稍后参考图11进行描述)。

优选地，根据第一实施例的板907的上表面904是大体平面的。

优选地，沿着平行于通过开口的辐射束B的方向的轴线，开口的第一侧壁901的长度小于开口的第二侧壁902的长度。

优选地，板907中的开口在板907的下表面905处比在上表面904处宽。

优选地，板907包括穿过板907延伸的一个或更多个流体通道，所述流体通道传输用于板907的温度调节的被热调节的流体。

从板907的上表面904和下表面905中的气体出口909流出的气体可以称为预稀释气体。预稀释气体有利地增加了LTE体积的压力。从第一侧壁901中的气体出口903流出的气体可以被称为净化气体。预稀释气体和净化气体优选是相同的，具有相同的属性(温度等)，并且是从同一气体源获得的。预稀释气体和净化气体经由板907中的通道被供应到气体出口903和909。从气体出口909流出的预稀释气体比远离开口的气体被更好地调节。因此，传输到辐射束B传递通过的LTE体积的部分中的任何气体都类似于直接供应到LTE体积中的净化气体。

如图9B所示，提供了一种控制系统910，该控制系统910布置为控制一个或更多个致动限流器911、抽气扇912、隔膜泵913、质量流量控制器914和阀(未示出)，其经由通道与气体入口906和/或气体出口连接。控制系统控制预稀释气体和净化气体的流速。图9B中的限流器911、抽气扇912、隔膜泵913和质量流量控制器914的布置是示例性的，多个实施例包括部件的其它布置以及用于控制气流的其它部件的使用。

根据第一实施例的配置与图6A所示的已知配置之间的实质区别在于，气体出口909在板907的上表面904中的定位。根据第一实施例的配置，气体出口909被定位成使得没有一个气体出口909被直接地定位在图案形成装置MA的表膜701的下方。如图9A中所示，板907的上表面904中的气体出口909位于支撑结构MT的一部分的下方，并且不位于表膜701的下方或附近。也就是说，板907的上表面904中的所有气体出口909都定位和配置成使得对于每个气体出口909，既正交于上表面904又与气体出口909相交的线在图案形成装置MA的整个范围的移动期间在任何点处都不与图案形成装置MA相交。有利地，与如图6A所示的定位相比，气体出口903的这种定位降低了表膜701的变形。

图10示出了第一实施例的配置与图6B所示的已知技术之间的另一区别。板907的上表面904中的气体出口909是线性槽而不是喷嘴。线性槽优选地与扫描方向正交地对准。在第一实施例的替代实施方式中，板907的上表面904中的气体出口909由孔或微筛孔(即激光钻孔隔膜)提供。气体出口909优选地与扫描方向正交地对准。

第一实施例与所有其它上述已知技术之间的另一区别是如何控制气流。提供了一个或更多个控制系统910，其被布置为控制一个或更多个经由通道连接到气体入口906和/或气体出口的致动限流器911、抽气扇912、隔膜泵913、质量流量控制器914和阀，从而使得通过所有气体出口903和909以及气体入口906的气流能够得到控制。

根据第一实施例，气流优选地被控制成使得通过开口的第二侧壁902的气体抽取的流量小于通过开口的第一侧壁901供应气体的流量的流量。优选地，通过第二侧壁902抽取气体的流量仅略小于通过第一侧壁901供应气体的流量。通过以这种方式控制气流，一小部分的供应流将向上流动通过开口朝向表膜701。有利地，这通过热方式调节靠近表膜701的LTE体积中的部分。这改良了聚焦性能并减少了重叠误差。另外，与使用上述已知技术时相比，表膜701周围的环境更清洁。流到表膜701的少量气流也可以降低表膜701的变形。

当光刻设备LA在通过开口的第二侧壁902的气体抽取被控制为比通过开口的第一侧壁901供应气体的流量小的流量下操作时，从开口的第一侧壁中的气体出口903流出的气体的第一部分，沿着实质上正交于通过开口的辐射束B的方向的流动路径，直接流向开口的第二侧壁902中的气体入口906。从开口的第一侧壁901中的一个或更多个气体出口903流出的气体的第二部分流向板907的上表面904。优选地，一个或更多个控制系统910被配置为控制该气流使得第一部分与第二部分的比率在0.99∶0.01至0.5∶0.5之间。

优选地，一个或更多个控制系统910被配置为依赖于应用产生不同流量的气流流入和流出LTE体积。也就是说，当该设备用于传感器测量时，第一流量的气流从气体出口903和909流出，并且流入气体入口906；当该设备用于扫描和曝光时，第二流量的气流从气体出口903和909流出，并且流入气体入口906，其中气流的第一流量不同于气流的第二流量。

图11是示出根据第二实施例的图案形成装置MA周围的部件的竖直横截面。

第二实施例与第一实施例和上述已知技术的区别在于开口的侧壁是如何成形的和/或两个侧壁都包括气体入口。附加于根据第一实施例的任何技术，或者作为根据第一实施例的任何技术的替代，可以应用第二实施例的技术。

支撑结构MT在扫描操作期间的移动可以概括为具有扫描进入阶段、扫描中间阶段和扫描结束阶段。第二实施例特别针对减少在扫描中间阶段和扫描结束阶段的表膜701变形，以减少重叠误差。

根据第一实施例，在第一侧壁901中仅提供用于净化气体的气体出口903，在与第一侧壁901相对的第二侧壁902中仅提供用于净化气体的气体入口906。

第二实施例与第一实施例的区别在于，第一侧壁1103包括气体入口1102，而且第二侧壁1104包括气体入口1102。如图11所示，第一侧壁1103包括净化气体的气体出口1101和净化气体的气体入口1102。第一侧壁1103中的气体出口1101位于气体入口1102下方并且邻近板1109的下表面。与第一侧壁1103相对的是第二侧壁1104，第二侧壁1104包括气体入口1102但没有气体出口。在开口的两个侧壁1103、1104上，气体入口1102都设置成邻近板1109的上表面。

根据第二实施例，开口优选地还被成形为使得在气体流过并靠近开口的情况下，该开口更具空气动力学特性。如图11所示，在开口的竖直横截面中，开口的每个侧壁1103、1104具有第一段，即在第一侧壁1103中的1106和在第二侧壁1104中的1107，在所述第一段中，开口从板1109的上表面向下逐渐变窄至开口的最小宽度或直径。开口的每个侧壁1103、1104还具有第二段，即第一侧壁1103中的1105和第二侧壁1104中的1108，开口的宽度沿所述第二段逐渐增加。因此，在开口的竖直横截面中，开口的最小宽度在板1109的上表面和下表面之间的位置处，开口在上表面或下表面处都不是最窄的。上表面处的开口的宽度优选地比开口的最小宽度大10％至70％。

每个侧壁1103、1104的第一段1106、1107的表面相对于板1109的上表面是倾斜的。每个侧壁1103、1104的第二段1105、1108的表面相对于每个侧壁1103、1104的对应的第一段1106、1107优选地是倾斜的。每个侧壁1103、1104的第二段1105、1108的表面相对于板1109的下表面优选地是倾斜的。在板1109的上表面和每个侧壁1103、1104的第一段1106、1107之间，在每个侧壁1103、1104的第一段1106、1107和每个侧壁1103、1104的第二段1105、1108之间，每个侧壁1103、1104的第二段1105、1108和下表面之间的所有拐角都被圆化。

第二实施例的所有上述特征改良了开口的空气动力学特性，因为它们减少了气流中湍流的产生。空气动力学成形还增加了开口的体积，这有利地减小了LTE体积内气体的压力梯度。特别地，在根据已知技术的扫描结束阶段，在拐角后面存在流分离，该拐角连接被供应净化气体的开口和表膜701与板的上表面之间的区。流分离是由于在尖锐的拐角(即开口和板的上表面之间的边缘)后面流弯曲而引起的。流分离产生涡流，该涡流将流推向表膜701。此外，开口和板1109的上表面之间的边缘的形状产生具有随之发生的压力变化的膨胀扇。所有这些效应都可能导致表膜701变形。通过对根据第二实施例的开口进行成形，并分配用于供应净化气体的气体出口1101和用于从LTE体积中抽取净化气体的气体入口1102，可以防止或实质上减少涡流，并且膨胀扇的倾斜度也较小。

优选地，气体入口1102设置在每个侧壁1103、1104的第一段1106、1107中，气体出口1101设置在第一侧壁1103的第二段1105中，使得气体抽取不位于透镜顶部403的正上方。

在图11中，第二侧壁1104示出在左侧，第一侧壁1103示出在右侧。气体出口1101可以替代地设置在第二侧壁1104中而不是第一侧壁1103中，从而气流从左侧的侧壁而不是右侧的侧壁流出。

第二实施例包括包括单一气体出口或多个气体出口的第一侧壁1103的第二段1105。第一侧壁1103的第一段1106和第二侧壁1104的第一段1107中的每一个都可以包括单个气体出口或多个气体出口。

第二实施例的特征有利地提供了改良性能的气流。气流减少了表膜701的变形和其它误差，因为气体抽取不在投影系统PS的透镜顶部403的正上方。LTE体积内的气体循环也得到改良，净化气体的更新也得到改良。

第二实施例优选地还具有如在第一实施例中所描述的那样至少在板1109的至少上表面中从气体出口909流出的预稀释气体流。用于预稀释气体的气体出口909再次被定位成使得预稀释气体不直接流到图案形成装置MA上，如第一实施例所述。

第二实施例还包括一个或更多个控制系统910、阀911和变速扇，用于控制从气体出口1101流出的所有气体流和流入气体入口1102中的所有气体流，如第一实施例所述。气流优选地是时间依赖性的，在操作期间是变化的，以便优化性能。

如至少在图9A中所示，迷宫式阻挡件908对称地设置在图案形成装置MA的任一侧上。在图案形成装置MA上方且在照射系统IL的末端下方具有上腔。由于支撑结构MT在操作期间的移动，可能有气流从上腔向下流动。迷宫式阻挡件908的功能是使这些气流偏转，以使它们不流经通向透镜顶部403的开口。这种气流将与净化气体混合，并且具有不同温度和其它属性的气体的混合物将降低性能。迷宫式阻挡件908还使图案形成装置MA免受在扫描操作期间由支撑结构MT的水平(即x和/或y)方向的移动引起的气流的影响。

图12A示出了迷宫式阻挡件的已知设计的端部横截面，即，该横截面处于与迷宫式阻挡件的纵轴正交的横截面中。图12B至图12F示出了根据第三实施例的迷宫式阻挡件的不同设计的端部横截面。

如图9A所示，提供至少两个迷宫式阻挡件908，每个阻挡件邻近于图案形成装置MA的两个相对侧中的一个。如至少在图12A至图12C中所示，每个迷宫式阻挡件908具有大体上竖直的上段1201和大体上水平的下段1202。大致上指向图案形成装置MA的下段1202的部分在本文中被称为迷宫式阻挡件908的后缘1203，大致上背离图案形成装置MA的上部1201和下部1202的部分在本文中被称为迷宫式阻挡件908的前缘1204。依赖于支撑结构MT正在移动的方向，迷宫式阻挡件908中的一个的前缘1204将是支撑结构MT的前缘1204，而另一个迷宫式阻挡件908的前缘1204将是支撑结构的后缘1203。

如图12B至12F所示，根据第三实施例的迷宫式阻挡件908的设计的优点在于，与已知的迷宫式阻挡件的设计相比，迷宫式阻挡件具有改良的空气动力学属性，这减少了气体湍流。根据第三实施例的迷宫式阻挡件908的设计在减小扫描进入阶段的误差幅值方面特别有效。除了第一实施例和/或第二实施例的技术之外，或者作为第一实施例和/或第二实施例的技术的替代，可以使用第三实施例的技术。

第三实施例通过以下中的一种或更多种方式改良了迷宫式阻挡件908的已知设计：

-减小迷宫式阻挡件908的部分的厚度；

-重新成形迷宫式阻挡件908的部分，使它们更圆化；和

-在迷宫式阻挡件908中设置开口/狭缝。

图12B示出了迷宫式阻挡件908的实施例，在该实施例中，迷宫式阻挡件908的下段1202的厚度已被减小并且在其后缘1203处逐渐变细。前缘1204和后缘1203也更加圆化。

图12C示出了迷宫式阻挡件908的实施例，在该实施例中，迷宫式阻挡件908的下段1202的厚度已被减小并且在其后缘1203处逐渐变细。前缘1204和后缘1203也更圆化，前缘1204完全弯曲。

图12D示出了迷宫式阻挡件908的实施例，在该实施例中，在迷宫式阻挡件908的上段1201和下段1202之间设置了开口1205或狭缝。

图12E示出了迷宫式阻挡件908的实施例，在该实施例中，在迷宫式阻挡件908的上段1201和下段1202之间设置了开口1205或狭缝。迷宫式阻挡件908的下段1202的厚度也已被减小并在其后缘1203处逐渐变细。

图12F示出了迷宫式阻挡件908的实施例，在该实施例中，在迷宫式阻挡件908的上段1201和下段1202之间设置了开口1205或狭缝。迷宫式阻挡件908的下段1202的厚度也已被减小并逐渐变细至在其后缘1203处的一点。下段1202更圆化，并在与迷宫式阻挡件908的纵向轴线正交的横截面中基本上对称。

尽管在图12A至12F中仅示出了一个迷宫式阻挡件908，但是如上所述，提供了两个迷宫式阻挡件908。每个迷宫式阻挡件908是细长的条，其邻近图案形成装置MA的一侧定位并且布置成遮蔽图案形成装置MA。每个迷宫式阻挡件908邻近于图案形成装置MA的两个相对侧中的一个，迷宫式阻挡件908关于图案形成装置MA的中线对称地布置。每个迷宫式阻挡件908布置成使得其纵向轴线与图案形成装置MA的移动方向和通过图案形成装置MA的辐射束B的光学路径正交。根据实施例的迷宫式阻挡件908不同于已知的迷宫式阻挡件908，并且由于其形状具有改良的空气动力学属性而在已知的迷宫式阻挡件908上进行了改良。

多个实施例还包括对上述技术的许多修改和变型。

在第二实施例中，在开口的两侧上有气体入口1102，并且在开口的一侧上有气体出口1101。多个实施例还包括在开口的两侧上设置气体出口1101以及在开口的两侧上设置气体入口1102。

尽管在图12C至12F中示出了第三实施例的优选实施方式，但是多个实施例还包括仅提供迷宫式阻挡件908的支撑结构而没有迷宫式阻挡件908。

在上述的第一实施例和第二实施例中，气体出口903和909位于板907中。然而，多个实施例的技术也可以用于不包括板907的系统中。例如，多个实施例包括设置在支撑结构MT中的气体出口，如图2和图3所示。

尽管在本文中可以对在IC制造中的光刻设备LA的使用进行了具体的参考，但是应该理解，本文描述的光刻设备LA可以具有其它应用。可能的其它应用包括集成光学系统，用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。

尽管可以在本文中在光刻设备LA的内容背景下对本发明的实施例进行具体的参考，但是本发明的实施例可以用于其它设备。本发明的实施例可以构成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置MA)之类的物体的任何设备的一部分。这些设备通常可称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

尽管上文可以已经在光学光刻术的内容背景下对本发明的实施例的使用进行具体的参考，但是应当了解，在内容背景允许的情况下，本发明不限于光学光刻术，并可以用于其它应用，例如压印光刻术。

在该内容背景允许的情况下，本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任意组合来实施。本发明的实施例还可以被实施为储存在机器可读介质上的指令，该指令可以被一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输呈机器(例如，计算装置)可读的形式的信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁性储存介质；光学储存介质；闪速存储装置；电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例行程序、指令在本文中可被描述为执行某些动作。但是，应当认识到，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例行程序、指令等的其它设备来产生，且导致执行这种动作可使致动器或其它装置与实体世界交互。

然上文已经描述了本发明的具体实施例，但是将了解，本发明可以以与上述不同的方式来实践。上文的描述旨在是说明性的而不是限制性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (32)

1.一种用于光刻设备的系统，包括：

可移动的平台，包括支撑结构，所述支撑结构配置成支撑图案形成装置；

投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和

板，定位在所述可移动的平台和所述投影系统之间；

其中所述板包括：

第一表面，面对所述可移动的平台；

第二表面，面对所述投影系统；

开口，穿过所述板以使得所述图案化的辐射束传递通过所述开口，其中所述开口至少具有从所述第一表面延伸至所述第二表面的第一侧和第二侧；

在所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口和在所述板的所述第一表面中的一个或更多个气体出口，其中气体出口配置成使得气体经由气体出口被供应至所述可移动的平台和所述投影系统之间的区；

在所述开口的第二侧中的一个或更多个气体入口，其中气体入口配置成使得气体经由气体入口从所述可移动的平台和所述投影系统之间的区中被抽取出来；和

所述板的所述第一表面中的一个或更多个气体出口中的所有气体出口都定位和配置成使得对于一个或更多个气体出口中的每个气体出口，既正交于所述第一表面又与气体出口相交的线在所述图案形成装置的整个范围的移动期间在任何点处都不与所述图案形成装置相交。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述图案形成装置包括图案化部分和表膜，其中所述表膜布置在所述图案化部分和所述板之间。

3.根据权利要求1或2所述的系统，一个或更多个气体出口设置在所述板的第二表面中。

4.根据任一前述权利要求所述的系统，其中所述开口的第二侧与所述开口的第一侧相对。

5.根据任一前述权利要求所述的系统，其中所述开口的第一侧和第二侧被布置成使得从第一侧到第二侧的气体的直接流动路径平行于所述可移动的平台的移动方向。

6.根据任一前述权利要求所述的系统，还包括：

一个或更多个阀系统，布置成控制气体流动通过气体出口和/或一个或更多个气体入口；

一个或更多个风扇系统，布置成使得气流流入所述一个或更多个气体入口；和

一个或更多个控制系统，布置成控制所述一个或更多个阀系统和/或一个或更多个风扇系统，从而控制气流通过气体出口和一个或更多个气体入口。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述一个或更多个控制系统配置成控制气流，使得从所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口流出的气流的流量大于流入所述开口的第二侧中的一个或更多个气体入口中的气流的流量，以使得：

从所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口流出的气体的第一部分，沿着大致上正交于通过所述开口的所述图案化的辐射束的方向的流动路径，直接流向所述开口的第二侧中的一个或更多个气体入口；和

从所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口流出的气体的第二部分流向所述第一表面。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述一个或更多个控制系统配置成控制气流，使得从所述开口的第一侧中的一个或更多个气体出口流出的气流的流量大于流入所述开口的第二侧中的一个或更多个气体入口中的气流的流量；和

所述第一部分和所述第二部分的比率在0.99∶0.01到0.5∶0.5之间。

9.根据当引用权利要求2时的权利要求7或8所述的系统，其中气流被控制成使得朝向所述第一表面的气流中的至少一些被布置成调节所述表膜的温度。

10.根据任一前述权利要求所述的系统，其中所述第一表面基本上是平面的。

11.根据任一前述权利要求所述的系统，其中，沿着平行于通过所述开口的所述图案化的辐射束的方向的轴线，所述开口的第一侧的长度小于所述开口的第二侧的长度。

12.根据任一前述权利要求所述的系统，其中在所述开口的第一表面上的所述开口的第一侧和第二侧之间的间隔小于在所述开口的第二表面上的所述开口的第一侧和第二侧之间的间隔。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一表面中的一个或更多个气体出口包括细长的狭缝。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述狭缝被布置成使得所述狭缝中的一个或更多个大致上平行于所述可移动的平台的移动的方向。

15.根据权利要求6或任一引用权利要求6的权利要求所述的系统，其中所述一个或更多个控制系统配置成：

当所述设备用于传感器测量时，产生从所述气体出口流出并且流入一个或更多个气体入口的第一流量的气流；和

当所述设备用于扫描和曝光时，产生从所述气体出口流出并且流入一个或更多个气体入口的第二流量的气流；

其中气流的所述第一流量不同于气流的所述第二流量。

16.根据任一前述权利要求所述的系统，其中所述板包括通过所述板延伸的流体通道，所述流体通道配置成传输被热调节的流体以用于所述板的温度调节。

17.根据任一前述权利要求所述的系统，其中所述开口的第一侧还包括一个或更多个气体入口。

18.根据权利要求17所述的系统，其中在第一侧中的一个或更多个气体入口设置在所述第一表面和第一侧中的一个或更多个气体出口之间。

19.根据权利要求17或18所述的系统，其中所述开口的第一侧和第二侧被圆化。

20.根据权利要求17-19中任一项所述的系统，其中所述开口的第一侧包括第一段和第二段；

其中，沿着从所述图案形成装置到所述投影系统的光学路径，开口的宽度沿着第一段减少，开口的宽度沿着第二段增加。

21.根据权利要求20所述的系统，其中所述开口的第二侧包括第一段和第二段；

其中，沿着从所述图案形成装置到所述投影系统的光学路径，开口的宽度沿着第一段减少，开口的宽度沿着第二段增加。

22.根据权利要求21所述的系统，其中，

所述开口的第一侧中的气体出口设置在所述开口的第一侧的第二段中；和

所述开口的第一侧中的气体入口设置在所述开口的第一侧的第一段中。

23.根据权利要求22所述的系统，其中所述开口的第二侧中的气体入口仅设置在所述开口的第二侧的第一段中。

24.根据权利要求23所述的系统，其中，对于所述开口的第一侧和/或第二侧：

所述第一表面和每个第一段之间的拐角被圆化；和/或

每个第一段和每个第二段之间的拐角被圆化；和/或

每个第二段和第二表面之间的拐角被圆化。

25.根据权利要求17-24中任一项所述的系统，其中所述第一表面处的开口的宽度比通过所述板的整个开口的最小宽度大10％至70％之间。

26.一种用于光刻设备的系统，包括：

可移动的平台，包括支撑结构，所述支撑结构配置成支撑图案形成装置；

投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和

板，定位在所述可移动的平台和所述投影系统之间；

其中所述可移动的平台还包括：

细长的第一阻挡件，定位成邻近于所述图案形成装置的第一侧并布置成遮蔽所述图案形成装置；

细长的第二阻挡件，定位成邻近于所述图案形成装置的第二侧并布置成遮蔽所述图案形成装置，其中所述图案形成装置的第二侧与所述图案形成装置的第一侧相反；

所述第一阻挡件和第二阻挡件布置成使得它们的纵向轴线正交于所述图案形成装置的移动的方向和通过所述图案形成装置的辐射束的光学路径两者；

沿着所述第一阻挡件和第二阻挡件中的每一个的长度是前缘和后缘，所述前缘大致上远离所述图案形成装置，所述后缘大致上面向所述图案形成装置；和

所述第一阻挡件和/或所述第二阻挡件的前缘和/或后缘具有空气动力学的形状。

27.根据权利要求26所述的系统，其中所述第一阻挡件和/或所述第二阻挡件的后缘逐渐变细。

28.根据权利要求26或27所述的系统，其中所述第一阻挡件和/或所述第二阻挡件的前缘和/或后缘被圆化。

29.根据权利要求26或27所述的系统，其中所述第一阻挡件和/或所述第二阻挡件的后缘被尖化。

30.根据权利要求26-29中任一项所述的系统，其中所述可移动的平台包括：

第一支撑结构，布置成支撑所述第一阻挡件；

第二支撑结构，布置成支撑所述第二阻挡件；

在所述第一支撑结构和所述第一阻挡件之间的开口，使得气体能够在所述第一阻挡件和所述第一支撑结构之间流动；和

在所述第二支撑结构和所述第二阻挡件之间的开口，使得气体能够在所述第二阻挡件和所述第二支撑结构之间流动。

31.根据权利要求26-30中任一项所述的系统，其中所述第一阻挡件和/或所述第二阻挡件的表面是弯曲的。

32.根据权利要求26-31中任一项所述的系统，其中在正交于所述第一阻挡件和/或所述第二阻挡件的纵向轴线的横截面中，所述阻挡件大致上是对称的。