JPH0677077B2 - 多層薄膜x線分光素子 - Google Patents
多層薄膜x線分光素子Info
- Publication number
- JPH0677077B2 JPH0677077B2 JP61241505A JP24150586A JPH0677077B2 JP H0677077 B2 JPH0677077 B2 JP H0677077B2 JP 61241505 A JP61241505 A JP 61241505A JP 24150586 A JP24150586 A JP 24150586A JP H0677077 B2 JPH0677077 B2 JP H0677077B2
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- Japan
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- thin film
- multilayer thin
- spectroscopic element
- substrate
- ray spectroscopic
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Description
【発明の詳細な説明】 <発明の属する技術分野> この発明は熱的な変化に対して分光特性が安定で、かつ
反射効率の高い多層薄膜X線分光素子に関する。
反射効率の高い多層薄膜X線分光素子に関する。
<従来の技術> 多層薄膜X線分光素子は第6図に示すように所定の基板
3上に、原子散乱因子の値が異なる材料1,2を一定の層
厚比、一定の周期長で交互に積層させたものであって、
連続X線の分光に使用される。連続X線源には制動放射
光が利用され、最近はシンクロトロン放射光の利用が注
目されている。このシンクロトロン放射光の輝度は極め
て高いから、多層薄膜X線分光素子に対する熱的影響は
大きく、長時間使用するときは分光素子が熱的に経時変
化をおこし、分光特性が一定に維持し難くなる。
3上に、原子散乱因子の値が異なる材料1,2を一定の層
厚比、一定の周期長で交互に積層させたものであって、
連続X線の分光に使用される。連続X線源には制動放射
光が利用され、最近はシンクロトロン放射光の利用が注
目されている。このシンクロトロン放射光の輝度は極め
て高いから、多層薄膜X線分光素子に対する熱的影響は
大きく、長時間使用するときは分光素子が熱的に経時変
化をおこし、分光特性が一定に維持し難くなる。
放射光照射により発生した熱の多層薄膜X線分光素子に
おける熱は薄膜部分あるいは基板面と並行方向に熱伝導
されるため通常の結晶分光素子の場合のように、第7図
に示すごとく基板3の側面に冷却兼用の基板ホルダ5を
取り付けることによって熱放散されている。
おける熱は薄膜部分あるいは基板面と並行方向に熱伝導
されるため通常の結晶分光素子の場合のように、第7図
に示すごとく基板3の側面に冷却兼用の基板ホルダ5を
取り付けることによって熱放散されている。
<発明が解決しようとする問題点> ところが、基板に使用すれ材料は、通常Siやガラス、石
英などであり、これらの材料は金属に比べると熱伝導率
が小さい。
英などであり、これらの材料は金属に比べると熱伝導率
が小さい。
また、ホルダ5が多層薄膜4に接触する爪部分は極めて
少いから、熱放散効果が十分に得られない。このため、
従来使われてきた多層薄膜X線分光素子で放射光を分光
するときは、熱的に変化し、分光特性を一定に維持する
ことが困難であった。たとえばタングステン(w)と炭素
(c)膜を一定に膜厚比、一定の周期長で交互に積層させ
た多層薄膜X線分光素子(以下「W/C多層薄膜X線分光
素子」という)を冷却せずに、2×1010フォト/秒・ミ
リラジアン2・ミリアンペア・1%幅の高輝度の放射光
を照射すると、分光された放射光の輝度は20時間経過後
は2%程度減少する。
少いから、熱放散効果が十分に得られない。このため、
従来使われてきた多層薄膜X線分光素子で放射光を分光
するときは、熱的に変化し、分光特性を一定に維持する
ことが困難であった。たとえばタングステン(w)と炭素
(c)膜を一定に膜厚比、一定の周期長で交互に積層させ
た多層薄膜X線分光素子(以下「W/C多層薄膜X線分光
素子」という)を冷却せずに、2×1010フォト/秒・ミ
リラジアン2・ミリアンペア・1%幅の高輝度の放射光
を照射すると、分光された放射光の輝度は20時間経過後
は2%程度減少する。
さらに、反射率の面からみると、上記構造の多層薄膜X
線分光素子では多層薄膜に入射する放射光9の角度は膜
表面に対し第8図に示すように0.5゜〜5゜という極低
角度で入射させて分光する場合がしばしばおこるが、こ
のときホルダ5の多層薄膜に接触する部分(以下「エッ
ジ部」という)8が入射した放射光9を部分的にさえぎ
る結果、多層薄膜X線分光素子の分光利用面積は減少す
る。たとえばエッジの厚みが0.5mmだと、放射光が多層
薄膜面に0.5゜で斜入射し、多層薄膜X線分光素子の膜
面における放射光の進行方向と並行する方向の長さが50
mmとすると、放射光の分光に利用される有効面積はなく
って了い、反射が生じない。そこで、第9図のごとくエ
ッジ部8を放射光進行方向に平行な方向のみに取り付け
た構造の多層薄膜X線分光素子が考えらえるがこの場
合、第7図のものに比べホルダと多層薄膜の接触部分が
減少し、冷却性能は低下する。冷却効率を上昇させるた
めエッジ部の面積を増加すると分光に利用できる有効面
積が減少する。このように、従来の多層薄膜X線分光素
子では冷却効率を向上させようとすると反射効率の低下
を招くという不具合があり、反対に反射効率を向上させ
るためエッジ部を小さくすると冷却効率が低下してしま
う欠点があった。
線分光素子では多層薄膜に入射する放射光9の角度は膜
表面に対し第8図に示すように0.5゜〜5゜という極低
角度で入射させて分光する場合がしばしばおこるが、こ
のときホルダ5の多層薄膜に接触する部分(以下「エッ
ジ部」という)8が入射した放射光9を部分的にさえぎ
る結果、多層薄膜X線分光素子の分光利用面積は減少す
る。たとえばエッジの厚みが0.5mmだと、放射光が多層
薄膜面に0.5゜で斜入射し、多層薄膜X線分光素子の膜
面における放射光の進行方向と並行する方向の長さが50
mmとすると、放射光の分光に利用される有効面積はなく
って了い、反射が生じない。そこで、第9図のごとくエ
ッジ部8を放射光進行方向に平行な方向のみに取り付け
た構造の多層薄膜X線分光素子が考えらえるがこの場
合、第7図のものに比べホルダと多層薄膜の接触部分が
減少し、冷却性能は低下する。冷却効率を上昇させるた
めエッジ部の面積を増加すると分光に利用できる有効面
積が減少する。このように、従来の多層薄膜X線分光素
子では冷却効率を向上させようとすると反射効率の低下
を招くという不具合があり、反対に反射効率を向上させ
るためエッジ部を小さくすると冷却効率が低下してしま
う欠点があった。
本発明は、このような従来の多層薄膜X線分光素子の冷
却効率および反射効率上の欠点を除くためになされたも
のであって、分光特性の熱的変化が少く、かつ反射効率
の高い多層薄膜X線分光素子を提供しようとするもので
ある。
却効率および反射効率上の欠点を除くためになされたも
のであって、分光特性の熱的変化が少く、かつ反射効率
の高い多層薄膜X線分光素子を提供しようとするもので
ある。
<問題点を解決するための手段> 上述の問題点を解決するため、本発明の多層薄膜X線分
光素子は、原子散乱因子の値が異なる二種類の材料を基
板上に一定の膜厚比および一定の周期長で交互に積層さ
せた構造の多層薄膜X線分光素子において、基板として
形状が円錐台状または角錐台状のものを用い、かつ多層
薄膜の上面は上部に突出さると共に傾斜側面で当該基板
を保持するように冷却兼用の基板ホルダに装着したこと
を特徴とするものである。
光素子は、原子散乱因子の値が異なる二種類の材料を基
板上に一定の膜厚比および一定の周期長で交互に積層さ
せた構造の多層薄膜X線分光素子において、基板として
形状が円錐台状または角錐台状のものを用い、かつ多層
薄膜の上面は上部に突出さると共に傾斜側面で当該基板
を保持するように冷却兼用の基板ホルダに装着したこと
を特徴とするものである。
<作 用> したがって、円錐台状または角錐台状の基板上面に形成
した多層薄膜の上面は上部に突出させているから、多槽
薄膜面に照射された放射光に対する分光利用面積が実質
的に大幅に増大する。
した多層薄膜の上面は上部に突出させているから、多槽
薄膜面に照射された放射光に対する分光利用面積が実質
的に大幅に増大する。
また、傾斜側面で基板を保持固定するように冷却兼用の
基板ホルダに装着するから、多層薄膜分光面に生じた熱
は多層薄膜層の高い熱伝導により効率よく放散される。
基板ホルダに装着するから、多層薄膜分光面に生じた熱
は多層薄膜層の高い熱伝導により効率よく放散される。
<実施例> つぎに、本発明の多層薄膜X線分光素子の代表的な実施
例について説明する。
例について説明する。
実施例の多層薄膜X線分光素子の多層薄膜は、第1図に
示す構造のRFスパッタ装置を用いて作製した。第1図の
RFスパッタ装置は電気的に接地した真空槽12内上部に回
転型基板ホルダ13、下部にWターゲット14−1およびC
ターゲット14−2を配置し、Wターゲット14−1、Cタ
ーゲット14−2と回転基板ホルダ13間にシャッタ13がス
パッタ時にそれぞれWターゲト14−1およびCターゲッ
ト14−2を交互に開閉可能に設置されている。また、真
空槽12は排気路20を通じて排気系16により真空槽12内を
排気できる。
示す構造のRFスパッタ装置を用いて作製した。第1図の
RFスパッタ装置は電気的に接地した真空槽12内上部に回
転型基板ホルダ13、下部にWターゲット14−1およびC
ターゲット14−2を配置し、Wターゲット14−1、Cタ
ーゲット14−2と回転基板ホルダ13間にシャッタ13がス
パッタ時にそれぞれWターゲト14−1およびCターゲッ
ト14−2を交互に開閉可能に設置されている。また、真
空槽12は排気路20を通じて排気系16により真空槽12内を
排気できる。
また、ターゲット14−1,14−2はRF電源18−1,18−2お
よびマッチングボックス17を通してスパッタ電圧を供給
できる構成になっている。
よびマッチングボックス17を通してスパッタ電圧を供給
できる構成になっている。
多層薄膜を作製するときは、外形を円錐台状に加工した
石英基板3の台面(厚さ最大厚部10)をホルダ13の下側
に向けて取り付ける。ターゲットにWとCを用いて放電
パワーをWーゲットで200W,Cターゲットで400W,放電ガ
ス圧を5×10-3Torrの放電条件のものと本装置を用いて
スパッタ放電させ、前記基板のターゲット対向面及び傾
斜側面に多層薄膜4を作製した。WとCの膜厚比は4:
6、周期長40Å、周期数は50とした。作製した多層薄膜
の構造模式図を第6図に示す。第3図に示した構造の多
層薄膜を第4図に示した構造の銅製冷却用基板ホルダ5
に装着し、多層薄膜X線分光素子を作製した。この銅製
冷却用基板ホルダ5には冷却水路6が設けられ、装置さ
れた基板3を冷却できる構成になっている。完成された
素子の形状を第5図に示す。
石英基板3の台面(厚さ最大厚部10)をホルダ13の下側
に向けて取り付ける。ターゲットにWとCを用いて放電
パワーをWーゲットで200W,Cターゲットで400W,放電ガ
ス圧を5×10-3Torrの放電条件のものと本装置を用いて
スパッタ放電させ、前記基板のターゲット対向面及び傾
斜側面に多層薄膜4を作製した。WとCの膜厚比は4:
6、周期長40Å、周期数は50とした。作製した多層薄膜
の構造模式図を第6図に示す。第3図に示した構造の多
層薄膜を第4図に示した構造の銅製冷却用基板ホルダ5
に装着し、多層薄膜X線分光素子を作製した。この銅製
冷却用基板ホルダ5には冷却水路6が設けられ、装置さ
れた基板3を冷却できる構成になっている。完成された
素子の形状を第5図に示す。
そして得られた多層薄膜X線分光素子の多層薄膜面に2
×1010フォト/秒・ミリラジアン2・ミリアンペア・1
%幅の輝度の放射光を20時間前後多層薄膜に照射し、分
光された放射光の強度の時間依存性を調べたが変化は認
められなかった。また第5図から明らかなように本発明
の多層薄膜X線分光素子の構造上、反射に利用される円
錐台形状の基板の上面に形成された多層薄膜面(分光
面)の反射に対する面積上の寄与は100℃であった。
×1010フォト/秒・ミリラジアン2・ミリアンペア・1
%幅の輝度の放射光を20時間前後多層薄膜に照射し、分
光された放射光の強度の時間依存性を調べたが変化は認
められなかった。また第5図から明らかなように本発明
の多層薄膜X線分光素子の構造上、反射に利用される円
錐台形状の基板の上面に形成された多層薄膜面(分光
面)の反射に対する面積上の寄与は100℃であった。
<発明の効果> 以上説明したように基板の多層薄膜形成面の形状を円錐
台、あるいは角錐台として基板の上面のみならず基板の
側面にも多層薄膜を作製し、この側面部で基板を基板冷
却用ホルダに固定する構造とした多層薄膜X線分光素子
では、 基板を通しての間接的冷却以外に、通常、基板材質
よりも熱伝導率の良い多層薄膜を直接冷却することが可
能なこと、および、多層薄膜と冷却用ホルダが直接接触
する部分が多くなることから、これらの効果が加わって
冷却効率が高まり、高輝度の放射光が照射されても分光
特性に経時変化が生じにくいという利点がある。
台、あるいは角錐台として基板の上面のみならず基板の
側面にも多層薄膜を作製し、この側面部で基板を基板冷
却用ホルダに固定する構造とした多層薄膜X線分光素子
では、 基板を通しての間接的冷却以外に、通常、基板材質
よりも熱伝導率の良い多層薄膜を直接冷却することが可
能なこと、および、多層薄膜と冷却用ホルダが直接接触
する部分が多くなることから、これらの効果が加わって
冷却効率が高まり、高輝度の放射光が照射されても分光
特性に経時変化が生じにくいという利点がある。
また、冷却用ホルダのエッジ部が分光面上に無いこ
とから分光面が100%利用できるという利点がある。
とから分光面が100%利用できるという利点がある。
第1図は実施例の多層薄膜X線分光素子の多層薄膜の作
製の使用したRFスパッタ装置の概略構成を示す断面図、
第2図は実施例の多層薄膜X線分光素子に基板の形状を
示す斜視図、第3図は基板上に形成した多層薄膜の構造
を示す断面図、第4図は実施例の多層薄膜の基板を保持
装着する冷却兼用の基板ホルダの構造を示す要部断面
図、第5図は実施例の多層薄膜を冷却兼用の基板ホルダ
に装着した状態を示す要部断面図、第6図は従来の多層
薄膜X線分光素子の構造を示す要部斜視図、第7図は従
来の多層薄膜X線分光素子の基板の周囲に冷却用基板ホ
ルダを取り付けた状態を示す一部断面斜視図、第8図は
第7図で示した従来の多層薄膜X線分光素子に低角度で
放射光を照射した状態で示す模式説明図、第9図は冷却
用基板ホルダのエッジを放射光進行方向に並行方向に設
けた構造の従来の多層薄膜X線分光素子の外形を示す要
部斜視図である。 図面中、 1……多層薄膜用材料、 2……1とは異なる原子散乱因子をもつ多層薄膜用材
料、 3……基板、 4……1,2からなる多層薄膜、 5……冷却用基板ホルダー 6……冷却水通路、 8……冷却用ホルダーエッジ部、 12……真空槽、 13……回転型基板ホルダー、 14−1,14−2……ターゲット、 15……シャッター、 16……排気ポンプ、 17……マッチングボックス、 18……RF電源。
製の使用したRFスパッタ装置の概略構成を示す断面図、
第2図は実施例の多層薄膜X線分光素子に基板の形状を
示す斜視図、第3図は基板上に形成した多層薄膜の構造
を示す断面図、第4図は実施例の多層薄膜の基板を保持
装着する冷却兼用の基板ホルダの構造を示す要部断面
図、第5図は実施例の多層薄膜を冷却兼用の基板ホルダ
に装着した状態を示す要部断面図、第6図は従来の多層
薄膜X線分光素子の構造を示す要部斜視図、第7図は従
来の多層薄膜X線分光素子の基板の周囲に冷却用基板ホ
ルダを取り付けた状態を示す一部断面斜視図、第8図は
第7図で示した従来の多層薄膜X線分光素子に低角度で
放射光を照射した状態で示す模式説明図、第9図は冷却
用基板ホルダのエッジを放射光進行方向に並行方向に設
けた構造の従来の多層薄膜X線分光素子の外形を示す要
部斜視図である。 図面中、 1……多層薄膜用材料、 2……1とは異なる原子散乱因子をもつ多層薄膜用材
料、 3……基板、 4……1,2からなる多層薄膜、 5……冷却用基板ホルダー 6……冷却水通路、 8……冷却用ホルダーエッジ部、 12……真空槽、 13……回転型基板ホルダー、 14−1,14−2……ターゲット、 15……シャッター、 16……排気ポンプ、 17……マッチングボックス、 18……RF電源。
Claims (1)
- 【請求項1】原子散乱因子の値が異なる二種類の材料を
基板上に一定の膜厚比および一定の周期長で交互に積層
させた構造の多層薄膜X線分光素子において、基板とし
て形状が円錐台状または角錐台状のものを用い、かつ多
層薄膜の上面は上部に突出さると共に傾斜側面で当該基
板を保持するように冷却兼用の基板ホルダに装着したこ
とを特徴とする多層薄膜X線分光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61241505A JPH0677077B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 多層薄膜x線分光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61241505A JPH0677077B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 多層薄膜x線分光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6395399A JPS6395399A (ja) | 1988-04-26 |
JPH0677077B2 true JPH0677077B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=17075325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61241505A Expired - Lifetime JPH0677077B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 多層薄膜x線分光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0677077B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1482363A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
-
1986
- 1986-10-13 JP JP61241505A patent/JPH0677077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6395399A (ja) | 1988-04-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |