JPH05343193A - 無機化合物／金属薄膜二層構造ｘ線対陰極 - Google Patents
無機化合物／金属薄膜二層構造ｘ線対陰極Info
- Publication number
- JPH05343193A JPH05343193A JP4168571A JP16857192A JPH05343193A JP H05343193 A JPH05343193 A JP H05343193A JP 4168571 A JP4168571 A JP 4168571A JP 16857192 A JP16857192 A JP 16857192A JP H05343193 A JPH05343193 A JP H05343193A
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- thin film
- metal thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 より大きい出力が得られるＸ線対陰極を提供
する。 【構成】 このＸ線対陰極は、高融点且つ高熱伝導率の
無機化合物(２)の上に金属薄膜(１)を設けて無機化合物
／金属薄膜二層構造にしたことを特徴としている。高融
点且つ高熱伝導率の無機化合物としてはダイヤモンド又
はＢＮが好ましい。金属薄膜(１)で吸収されなかった電
子線が無機化合物(２)で吸収され、その後方を冷却水
(４)で冷却することにより放熱されるので、従来の金属
製のものに比べてより多くの出力が得られる。回転対陰
極にも適用できる。
する。 【構成】 このＸ線対陰極は、高融点且つ高熱伝導率の
無機化合物(２)の上に金属薄膜(１)を設けて無機化合物
／金属薄膜二層構造にしたことを特徴としている。高融
点且つ高熱伝導率の無機化合物としてはダイヤモンド又
はＢＮが好ましい。金属薄膜(１)で吸収されなかった電
子線が無機化合物(２)で吸収され、その後方を冷却水
(４)で冷却することにより放熱されるので、従来の金属
製のものに比べてより多くの出力が得られる。回転対陰
極にも適用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線対陰極に関し、より
詳細には、従来の金属製のものに比べてより多くの出力
が得られる二層構造Ｘ線対陰極に関する。
詳細には、従来の金属製のものに比べてより多くの出力
が得られる二層構造Ｘ線対陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線は、透過能を利用したレントゲン撮
影による内部の検査や、蛍光Ｘ線を利用した元素の分析
や、回折Ｘ線を利用した結晶構造の解析などの幅広い用
途に用いられているが、より効率よく短時間で測定する
ためには、輝度の高いＸ線源が求められる。
影による内部の検査や、蛍光Ｘ線を利用した元素の分析
や、回折Ｘ線を利用した結晶構造の解析などの幅広い用
途に用いられているが、より効率よく短時間で測定する
ためには、輝度の高いＸ線源が求められる。
【０００３】従来のＸ線対陰極は、熱伝導率の高い銅或
いは高融点のタングステン又はそれらの上に他の金属を
渡金した金属材料で作られ、それ自身を冷却水で冷却す
ることにより、熱を逃しながらＸ線を発生させていた。
いは高融点のタングステン又はそれらの上に他の金属を
渡金した金属材料で作られ、それ自身を冷却水で冷却す
ることにより、熱を逃しながらＸ線を発生させていた。
【０００４】また、電子線照射により対陰極材料が融解
しない範囲でＸ線を発生させることができるので、Ｘ線
の強さの限界は対陰極材料と冷却能力で決まる。より強
力なＸ線を発生させるためには回転対陰極がある。これ
は、円筒状の対陰極を回転させながら冷却するもので、
電子線の照射される部分が回転しているために、冷却時
間を長くすることができるので、強力なＸ線を発生させ
ることができるが、装置は大きくなり振動も起こり易く
なる。
しない範囲でＸ線を発生させることができるので、Ｘ線
の強さの限界は対陰極材料と冷却能力で決まる。より強
力なＸ線を発生させるためには回転対陰極がある。これ
は、円筒状の対陰極を回転させながら冷却するもので、
電子線の照射される部分が回転しているために、冷却時
間を長くすることができるので、強力なＸ線を発生させ
ることができるが、装置は大きくなり振動も起こり易く
なる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の対陰極
材料では、Ｘ線の強度を大きくするためには電子線の強
度を大きくすれば良いが、電子線の強度を大きくすると
対陰極でＸ線の発生に寄与しなかった電子による対陰極
の加熱も大きくなり、冷却が十分でなくなると対陰極が
融解してしまうという問題点がある。
材料では、Ｘ線の強度を大きくするためには電子線の強
度を大きくすれば良いが、電子線の強度を大きくすると
対陰極でＸ線の発生に寄与しなかった電子による対陰極
の加熱も大きくなり、冷却が十分でなくなると対陰極が
融解してしまうという問題点がある。
【０００６】固定式の対陰極において現状より有効な放
熱或いはＸ線の発生と発熱の分離ができれば、より強い
電子線照射が可能で、したがって、より強いＸ線を発生
させることができるようになる。
熱或いはＸ線の発生と発熱の分離ができれば、より強い
電子線照射が可能で、したがって、より強いＸ線を発生
させることができるようになる。
【０００７】本発明は、上記従来技術の問題点を解決し
て、このような要求に応えるべくなされたものであっ
て、より大きい出力が得られるＸ線対陰極を提供するこ
とを目的としている。
て、このような要求に応えるべくなされたものであっ
て、より大きい出力が得られるＸ線対陰極を提供するこ
とを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、対陰極にお
ける十分な放熱及びＸ線の発生と発熱の問題を解決し得
る方策について研究を重ねた結果、Ｘ線を発生させる部
分を、使用する対陰極材料の金属薄膜で形成して有効に
Ｘ線を発生させて、一方、熱はその後方のダイヤモンド
或いはＢＮのような高融点で熱伝導率の非常に良い無機
化合物中で主として発生させ且つ放熱させれば良いこと
を知見し、ここに本発明を完成したものである。
ける十分な放熱及びＸ線の発生と発熱の問題を解決し得
る方策について研究を重ねた結果、Ｘ線を発生させる部
分を、使用する対陰極材料の金属薄膜で形成して有効に
Ｘ線を発生させて、一方、熱はその後方のダイヤモンド
或いはＢＮのような高融点で熱伝導率の非常に良い無機
化合物中で主として発生させ且つ放熱させれば良いこと
を知見し、ここに本発明を完成したものである。
【０００９】すなわち、本発明に係るＸ線対陰極は、高
融点且つ高熱伝導率の無機化合物の上に金属薄膜を設け
て無機化合物／金属薄膜二層構造にしたことを特徴とし
ている。
融点且つ高熱伝導率の無機化合物の上に金属薄膜を設け
て無機化合物／金属薄膜二層構造にしたことを特徴とし
ている。
【００１０】以下に本発明を更に詳述する。
【００１１】
【００１２】本発明によるＸ線対陰極は、ダイヤモンド
或いはＢＮなどの高融点且つ高熱伝導率の無機化合物の
上に、必要な波長の特性Ｘ線を発生する金属薄膜を設け
た無機化合物／金属薄膜二層構造である。
或いはＢＮなどの高融点且つ高熱伝導率の無機化合物の
上に、必要な波長の特性Ｘ線を発生する金属薄膜を設け
た無機化合物／金属薄膜二層構造である。
【００１３】高融点且つ高熱伝導率の無機化合物として
は、透光性を持っているダイヤモンドやＢＮが好ましい
が、高融点で高熱伝導率を持つ限り、他の無機化合物も
可能である。これらの無機化合物はＣＶＤなどの方法に
より適宜厚さ、形状に作成される。
は、透光性を持っているダイヤモンドやＢＮが好ましい
が、高融点で高熱伝導率を持つ限り、他の無機化合物も
可能である。これらの無機化合物はＣＶＤなどの方法に
より適宜厚さ、形状に作成される。
【００１４】また、金属薄膜としては、必要な波長の特
性Ｘ線を発生する金属であれば良く、例えば、銅、鉄、
モリブデン、タングステンなどが挙げられる。
性Ｘ線を発生する金属であれば良く、例えば、銅、鉄、
モリブデン、タングステンなどが挙げられる。
【００１５】この無機化合物／金属薄膜二層構造Ｘ線対
陰極の作用は以下の通りである。すなわち、対陰極材料
の金属薄膜は電子線のエネルギーを受けてＸ線を発生さ
せる。そのときに金属薄膜で吸収されなかった電子線は
金属薄膜の後に設けたダイヤモンド或いはＢＮの部分で
吸収されて熱に変化する。ダイヤモンド或いはＢＮの後
方を冷却水で冷却することにより、発生した熱は高熱伝
導率のダイヤモンド或いはＢＮを通じて放熱される。こ
のような作用により、従来のように全体が金属材料で作
られた対陰極よりも、Ｘ線を発生する部分での発熱が少
なく放熱も良くなるので、より強い電子線を照射して強
いＸ線を発生させることができる。
陰極の作用は以下の通りである。すなわち、対陰極材料
の金属薄膜は電子線のエネルギーを受けてＸ線を発生さ
せる。そのときに金属薄膜で吸収されなかった電子線は
金属薄膜の後に設けたダイヤモンド或いはＢＮの部分で
吸収されて熱に変化する。ダイヤモンド或いはＢＮの後
方を冷却水で冷却することにより、発生した熱は高熱伝
導率のダイヤモンド或いはＢＮを通じて放熱される。こ
のような作用により、従来のように全体が金属材料で作
られた対陰極よりも、Ｘ線を発生する部分での発熱が少
なく放熱も良くなるので、より強い電子線を照射して強
いＸ線を発生させることができる。
【００１６】次に本発明の実施例を示す。
【００１７】
【実施例１】図１は、無機化合物としてＣＶＤにより作
成したダイヤモンド又はＢＮを用い、金属薄膜として銅
を用いた無機化合物／金属薄膜二層構造のＸ線対陰極を
示している。高熱伝導率のダイヤモンド或いはＢＮ(２)
はホルダー(３)により固定され、前方の真空と後方の冷
却水(４)を遮断している。ダイヤモンド或いはＢＮ(２)
の前方には金属薄膜の対陰極材料(１)が取付けられてい
る。
成したダイヤモンド又はＢＮを用い、金属薄膜として銅
を用いた無機化合物／金属薄膜二層構造のＸ線対陰極を
示している。高熱伝導率のダイヤモンド或いはＢＮ(２)
はホルダー(３)により固定され、前方の真空と後方の冷
却水(４)を遮断している。ダイヤモンド或いはＢＮ(２)
の前方には金属薄膜の対陰極材料(１)が取付けられてい
る。
【００１８】この構造において、電子線は前方から金属
薄膜の対陰極材料に照射されてＸ線が発生する。この
時、Ｘ線のエネルギー(keＶ)より遥かに小さなエネルギ
ーで発生する熱(＜１ev)はダイヤモンド或いはＢＮ(２)
で主として発生し効率良く伝導して冷却水(４)により取
り除かれる。このため、従来の対陰極に比べてより強い
電子線を照射して強いＸ線を発生させることができる。
薄膜の対陰極材料に照射されてＸ線が発生する。この
時、Ｘ線のエネルギー(keＶ)より遥かに小さなエネルギ
ーで発生する熱(＜１ev)はダイヤモンド或いはＢＮ(２)
で主として発生し効率良く伝導して冷却水(４)により取
り除かれる。このため、従来の対陰極に比べてより強い
電子線を照射して強いＸ線を発生させることができる。
【００１９】
【実施例２】図２は、実施例１のダイヤモンド／金属薄
膜二層構造Ｘ線対陰極を回転対陰極に適用した例を示し
ている。ローター(３´)の表面にＣＶＤダイヤモンド
(２)を付けて、その上に金属薄膜(１)を付けた構造であ
る。
膜二層構造Ｘ線対陰極を回転対陰極に適用した例を示し
ている。ローター(３´)の表面にＣＶＤダイヤモンド
(２)を付けて、その上に金属薄膜(１)を付けた構造であ
る。
【００２０】この対陰極に電子線(５)を照射するとＸ線
(６)が発生する。この時、Ｘ線のエネルギーより遥かに
小さなエネルギーで発生する熱は、ＣＶＤダイヤモンド
(２)で発生し効率良く伝導して冷却水(４)により取り除
かれる。このため、従来の回転対陰極に比べて、より強
い電子線を照射して強いＸ線を発生させることができ
る。また、同じＸ線の強さであれば、より小型の回転対
陰極にしたり、回転数を下げたりすることができる。
(６)が発生する。この時、Ｘ線のエネルギーより遥かに
小さなエネルギーで発生する熱は、ＣＶＤダイヤモンド
(２)で発生し効率良く伝導して冷却水(４)により取り除
かれる。このため、従来の回転対陰極に比べて、より強
い電子線を照射して強いＸ線を発生させることができ
る。また、同じＸ線の強さであれば、より小型の回転対
陰極にしたり、回転数を下げたりすることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子線のエネルギーの中でＸ線の発生に寄与せず、熱に
変化したエネルギーを高熱伝導率の材料によって効率良
く放熱できるので、従来よりも大きな強度の電子線を照
射しても対陰極材料は融解しない。したがって、より強
いＸ線を発生させることができる。更にダイヤモンド或
いはＢＮは透光性であるので、後方から蛍光により電子
線の焦点の形を観測することができ、実用上の大きな効
果も有するので、様々なＸ線を利用した分野において利
用することが可能である。
電子線のエネルギーの中でＸ線の発生に寄与せず、熱に
変化したエネルギーを高熱伝導率の材料によって効率良
く放熱できるので、従来よりも大きな強度の電子線を照
射しても対陰極材料は融解しない。したがって、より強
いＸ線を発生させることができる。更にダイヤモンド或
いはＢＮは透光性であるので、後方から蛍光により電子
線の焦点の形を観測することができ、実用上の大きな効
果も有するので、様々なＸ線を利用した分野において利
用することが可能である。
【図１】ダイヤモンド或いはＢＮ／金属薄膜二層構造Ｘ
線対陰極を示す説明図である。
線対陰極を示す説明図である。
【図２】ダイヤモンド／金属薄膜二層構造Ｘ線対陰極を
回転対陰極に適用した場合の説明図である。
回転対陰極に適用した場合の説明図である。
１ 金属薄膜 ２ ダイヤモンド或いはＢＮ ３ ホルダー ３´ ローター ４ 冷却水 ５ 電子線 ６ Ｘ線
Claims (3)
- 【請求項１】 高融点且つ高熱伝導率の無機化合物の上
に金属薄膜を設けて無機化合物／金属薄膜二層構造にし
たことを特徴とするＸ線対陰極。 - 【請求項２】 高融点且つ高熱伝導率の無機化合物がダ
イヤモンド又はＢＮである請求項１に記載のＸ線対陰
極。 - 【請求項３】 高融点且つ高熱伝導率の無機化合物の後
方に冷却手段が設けられている請求項１又は２に記載の
Ｘ線対陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4168571A JPH0760757B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 無機化合物／金属薄膜二層構造ｘ線対陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4168571A JPH0760757B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 無機化合物／金属薄膜二層構造ｘ線対陰極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343193A true JPH05343193A (ja) | 1993-12-24 |
| JPH0760757B2 JPH0760757B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=15870514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4168571A Expired - Lifetime JPH0760757B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 無機化合物／金属薄膜二層構造ｘ線対陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760757B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5657365A (en) * | 1994-08-20 | 1997-08-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | X-ray generation apparatus |
| US5878110A (en) * | 1994-08-20 | 1999-03-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | X-ray generation apparatus |
| US7589452B2 (en) | 2004-09-17 | 2009-09-15 | Epcos Ag | SAW-component having a reduced temperature path and method for the production thereof |
| US9020101B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-04-28 | Rigaku Corporation | Target for X-ray generator, method of manufacturing the same and X-ray generator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267844A (ja) * | 1989-04-08 | 1990-11-01 | Seiko Epson Corp | Ｘ線発生装置 |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP4168571A patent/JPH0760757B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267844A (ja) * | 1989-04-08 | 1990-11-01 | Seiko Epson Corp | Ｘ線発生装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5657365A (en) * | 1994-08-20 | 1997-08-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | X-ray generation apparatus |
| US5878110A (en) * | 1994-08-20 | 1999-03-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | X-ray generation apparatus |
| US7589452B2 (en) | 2004-09-17 | 2009-09-15 | Epcos Ag | SAW-component having a reduced temperature path and method for the production thereof |
| US9020101B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-04-28 | Rigaku Corporation | Target for X-ray generator, method of manufacturing the same and X-ray generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760757B2 (ja) | 1995-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |