JP2014102926A - 放射線透過型ターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板15上にターゲット金属14を有する放射線透過型ターゲットであって、支持基板15のターゲット金属14を有する面とは反対側の面に放熱層16を有し、放熱層16は、支持基板15に含まれる元素と同一の元素を含み、輻射率が支持基板15より大きく、かつ軽元素からなる。
【選択図】図1
Description
図1(a)は本発明の放射線透過型ターゲットを用いた放射線発生管の一実施形態を示す断面模式図であり、図1(b)は図1(a)における放射線透過型ターゲット部を拡大した断面模式図である。
図3は本発明の放射線透過型ターゲットを用いた放射線発生管の他の例を示す断面模式図である。
図4に基づいて、本発明に係る放射線撮影システムの一例を説明する。
図1に示す放射線発生管としてX線発生管を用いて、図2に示す放射線発生ユニットを作製した。
支持基板15としての1mmの炭化シリコンの表面に、ターゲット金属14としてタングステンを1μm厚さにてスパッタ成膜した。その後、支持基板15のターゲット金属14を有する面とは反対側の面に、放熱層16として厚さ1μmのダイヤモンドライクカーボンをプラズマCVD法にて形成し、X線を透過するターゲット20を得た。
図3に示す放射線発生管としてX線発生管を用い、放射線発生ユニットを作製した。
Claims (11)
- 支持基板上にターゲット金属を有する放射線透過型ターゲットであって、前記支持基板の前記ターゲット金属を有する面とは反対側の面に放熱層を有し、前記放熱層は、前記支持基板に含まれる元素と同一の元素を含み、輻射率が支持基板より大きく、かつ軽元素からなることを特徴とする放射線透過型ターゲット。
- 前記支持基板は、ダイヤモンド、炭化シリコンまたは窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項1に記載の放射線透過型ターゲット。
- 前記支持基板に含まれる元素と同一の元素は炭素であることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線透過型ターゲット。
- 前記放熱層は、グラファイトまたはダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。
- 前記支持基板はダイヤモンドからなり、前記放熱層はグラファイトからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。
- 前記放熱層は、気相成長法により形成された層又は前記支持基板の加熱により形成された層であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。
- 前記放熱層は、ダイヤモンド基板の結晶構造を変化させて形成された層であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。
- 陰極と陽極を備えて内部が密閉された外囲器と、
前記外囲器内に配置された電子放出源と、
前記電子放出源から放出された電子の照射により放射線を発生させるターゲット金属を有するターゲットと、を有する放射線発生管であって、
前記ターゲットが、ターゲット金属が電子放出源と対向するように配置された、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲットであることを特徴とする放射線発生管。 - 前記陽極が回転陽極であることを特徴とする請求項8に記載の放射線発生管。
- 請求項8または9に記載の放射線発生管を収納容器の中に収容し、放射線発生管の透過窓から出射された放射線を、前記収納容器に設けられた放出窓から放出する放射線発生ユニットと、該放射線発生ユニットの放出窓から放出される放射線の照射野の広さを調整する可動絞りユニットと、を備えたことを特徴とする放射線発生装置。
- 請求項10に記載の放射線発生装置と、前記放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御する制御装置とを備えることを特徴とする放射線撮影システム。
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