JP3387809B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及びデバイス製造方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70816—Bearings
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可変ブラインドや
ズームレンズ等の可動部を備えた照明装置や露光装置、
さらにはこの露光装置を用いてデバイスを製造する方法
に関するものである。
ズームレンズ等の可動部を備えた照明装置や露光装置、
さらにはこの露光装置を用いてデバイスを製造する方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体素子等のデバイス製造技術
の発展は目覚ましく、またそれに伴う微細加工技術の進
展も著しい。特に光加工技術はサブミクロンの解像力を
有する微細加工の技術に到達している。解像力を向上さ
せるには、露光波長を固定して光学系のＮＡ（開口数）
を大きくしていく方法と、露光波長をより短波長にかえ
ていく方法が用いられる。
の発展は目覚ましく、またそれに伴う微細加工技術の進
展も著しい。特に光加工技術はサブミクロンの解像力を
有する微細加工の技術に到達している。解像力を向上さ
せるには、露光波長を固定して光学系のＮＡ（開口数）
を大きくしていく方法と、露光波長をより短波長にかえ
ていく方法が用いられる。
【０００３】後者の方法に関し、露光波長は３６５ｎｍ
のｉ線から最近では２４８ｎｍ付近の紫外線の発振波長
を有するＫｒＦエキシマレーザーが主流になっており、
さらには次世代露光光源として１９３ｎｍ付近の発振波
長を有するＡｒＦエキシマレーザー、さらに短波長の真
空紫外線や軟Ｘ線（総称してＸ線と呼ぶ）の開発が行わ
れている。
のｉ線から最近では２４８ｎｍ付近の紫外線の発振波長
を有するＫｒＦエキシマレーザーが主流になっており、
さらには次世代露光光源として１９３ｎｍ付近の発振波
長を有するＡｒＦエキシマレーザー、さらに短波長の真
空紫外線や軟Ｘ線（総称してＸ線と呼ぶ）の開発が行わ
れている。
【０００４】紫外線を露光光源として用いた場合、長期
にわたる装置使用の結果、光路中に配置された光学素子
の表面に硫酸アンモニウム（ＮＨ4）2ＳＯ4や二酸化ケ
イ素ＳｉＯ2などが付着し、光学特性が著しく低下する
現象が知られている。これは、光学素子周囲の雰囲気に
含まれるアンモニアＮＨ3・亜硫酸ＳＯ2・Ｓｉ化合物な
どの化学物質が紫外線を受けることで化学反応を起こし
生成されるものである。そこで、こうした光学素子の劣
化を防止するために、照明系の光路全体をクリーンドラ
イエアや窒素等の不活性ガスでパージすることが行われ
ている。
にわたる装置使用の結果、光路中に配置された光学素子
の表面に硫酸アンモニウム（ＮＨ4）2ＳＯ4や二酸化ケ
イ素ＳｉＯ2などが付着し、光学特性が著しく低下する
現象が知られている。これは、光学素子周囲の雰囲気に
含まれるアンモニアＮＨ3・亜硫酸ＳＯ2・Ｓｉ化合物な
どの化学物質が紫外線を受けることで化学反応を起こし
生成されるものである。そこで、こうした光学素子の劣
化を防止するために、照明系の光路全体をクリーンドラ
イエアや窒素等の不活性ガスでパージすることが行われ
ている。
【０００５】また最近では、半導体素子のチップサイズ
拡大に対応するため、マスクパターンを順次焼き付け及
びステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式
から、マスクとウエハを共に走査しながら露光し次のシ
ョットに順次移動させるステップ・アンド・スキャン方
式の露光装置へと移行しつつある。このステップ・アン
ド・スキャン方式の露光装置は露光フィールドがスリッ
ト状であるため、投影光学系の大型化をはかることなく
露光面積を拡大できる利点を持っている。
拡大に対応するため、マスクパターンを順次焼き付け及
びステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式
から、マスクとウエハを共に走査しながら露光し次のシ
ョットに順次移動させるステップ・アンド・スキャン方
式の露光装置へと移行しつつある。このステップ・アン
ド・スキャン方式の露光装置は露光フィールドがスリッ
ト状であるため、投影光学系の大型化をはかることなく
露光面積を拡大できる利点を持っている。
【０００６】これら露光装置では、回路パターンが描か
れたマスクを照明する際、その照明範囲を規制する可変
ブラインドを照明系内の光路中に配置している。ステッ
プ・アンド・スキャン方式の露光装置では、このブライ
ンドはマスクの種類に応じて矩型状に照明範囲を任意に
設定可能な遮光板である。また、ステップ・アンド・ス
キャン方式の露光装置では、マスク及びウエハの走査方
向と直交する方向には、チップサイズに応じた照明範囲
を設定する遮光板を持ち、上記走査方向には走査と同期
して移動し、マスク走査方向におけるパターン領域の照
明範囲を可変に規定する遮光板を備えた可変ブラインド
を有している。このステップ・アンド・スキャン方式の
例は、例えば米国特許公報５１９４８９３号に記載され
ている。
れたマスクを照明する際、その照明範囲を規制する可変
ブラインドを照明系内の光路中に配置している。ステッ
プ・アンド・スキャン方式の露光装置では、このブライ
ンドはマスクの種類に応じて矩型状に照明範囲を任意に
設定可能な遮光板である。また、ステップ・アンド・ス
キャン方式の露光装置では、マスク及びウエハの走査方
向と直交する方向には、チップサイズに応じた照明範囲
を設定する遮光板を持ち、上記走査方向には走査と同期
して移動し、マスク走査方向におけるパターン領域の照
明範囲を可変に規定する遮光板を備えた可変ブラインド
を有している。このステップ・アンド・スキャン方式の
例は、例えば米国特許公報５１９４８９３号に記載され
ている。
【０００７】可変ブラインドの駆動機構は、遮光板の移
動方向を規定するガイドと駆動源を備えているが、ガイ
ドには内蔵するガイド面にボールやローラーが接触しな
がら転動あるいは循環する接触型直線ガイドを用い、ま
た駆動源としては出力軸回転型モータと送りネジで構成
することが一般的である。このような摺動や転動による
駆動機構は、位置決め精度および駆動スピード制御は容
易である反面、ガイド、送りネジそして回転モータ内部
の軸受のいずれにおいても、その摩耗を防ぐためにグリ
ースなどの潤滑剤の使用が必須である。
動方向を規定するガイドと駆動源を備えているが、ガイ
ドには内蔵するガイド面にボールやローラーが接触しな
がら転動あるいは循環する接触型直線ガイドを用い、ま
た駆動源としては出力軸回転型モータと送りネジで構成
することが一般的である。このような摺動や転動による
駆動機構は、位置決め精度および駆動スピード制御は容
易である反面、ガイド、送りネジそして回転モータ内部
の軸受のいずれにおいても、その摩耗を防ぐためにグリ
ースなどの潤滑剤の使用が必須である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、こうした潤
滑剤は程度の差はあるものの、前述のような光学素子へ
の付着物のとなる化学物質を含んいる。そのため、照明
系のパージ空間の雰囲気中にこれら化学物質がわずかず
つ飛散して、長期にわたる装置使用の結果、光学素子へ
付着が進行してマスク照明の照度低下や照度むら等の劣
化が進行してしまう。すなわち照明系中の駆動機構のグ
リース等に含まれる化学物質が、強力な照明によって光
学素子に付着して光学性能を劣化させるという、露光装
置に固有の課題がある。また、摺動部品あるいは転動部
品を含む駆動機構からはゴミが発生しやすく、発生した
ゴミが周辺の光学素子に付着すると、マスク照明のムラ
が発生する原因となる。
滑剤は程度の差はあるものの、前述のような光学素子へ
の付着物のとなる化学物質を含んいる。そのため、照明
系のパージ空間の雰囲気中にこれら化学物質がわずかず
つ飛散して、長期にわたる装置使用の結果、光学素子へ
付着が進行してマスク照明の照度低下や照度むら等の劣
化が進行してしまう。すなわち照明系中の駆動機構のグ
リース等に含まれる化学物質が、強力な照明によって光
学素子に付着して光学性能を劣化させるという、露光装
置に固有の課題がある。また、摺動部品あるいは転動部
品を含む駆動機構からはゴミが発生しやすく、発生した
ゴミが周辺の光学素子に付着すると、マスク照明のムラ
が発生する原因となる。
【０００９】こうした問題を回避するために、駆動機構
を含む可動部だけをパージ空間とは隔離し、適宜クリー
ニングまたは交換することが考えられる。しかし、こう
したメンテナンス行為は装置の稼働率を下げるととも
に、照明系内に光学素子が増えることによる照明効率の
低下などの問題が生じる。
を含む可動部だけをパージ空間とは隔離し、適宜クリー
ニングまたは交換することが考えられる。しかし、こう
したメンテナンス行為は装置の稼働率を下げるととも
に、照明系内に光学素子が増えることによる照明効率の
低下などの問題が生じる。
【００１０】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものである。本発明の目的は、照明系の信頼性向上や
メンテナンス頻度の低減などを達成した優れた照明装置
や露光装置を提供することである。さらにはこの露光装
置を使用したデバイス製造方法を提供することを目的と
する。
たものである。本発明の目的は、照明系の信頼性向上や
メンテナンス頻度の低減などを達成した優れた照明装置
や露光装置を提供することである。さらにはこの露光装
置を使用したデバイス製造方法を提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決する本発
明は、マスクを照明する照明系を備えた露光装置におい
て、前記照明系は、可動部を有し、該可動部のまわりは
不活性ガス若しくはクリーンドライエアでパージされた
雰囲気又は超高真空状態とされ、前記可動部の駆動機構
は、非接触型軸受と非接触型モータの少なくとも一方を
有することを特徴とするものである。本発明の別の形態
は、マスクを照明する照明系を備えた露光装置におい
て、前記照明系が有する可動部のまわりを不活性ガス若
しくはクリーンドライエアでパージする手段を有し、前
記可動部の駆動機構は軸受とモータを有し、該軸受とモ
ータの少なくとも一方は非接触型であることを特徴とす
るものである。 本発明の更に別の形態は、マスクを照明
する照明系を備えた露光装置において、前記照明系が有
する可動部のまわりを超高真空状態とする手段を有し、
前記可動部の駆動機構は軸受とモータを有し、該軸受と
モータの少なくとも一方は非接触型であることを特徴と
するものである。
明は、マスクを照明する照明系を備えた露光装置におい
て、前記照明系は、可動部を有し、該可動部のまわりは
不活性ガス若しくはクリーンドライエアでパージされた
雰囲気又は超高真空状態とされ、前記可動部の駆動機構
は、非接触型軸受と非接触型モータの少なくとも一方を
有することを特徴とするものである。本発明の別の形態
は、マスクを照明する照明系を備えた露光装置におい
て、前記照明系が有する可動部のまわりを不活性ガス若
しくはクリーンドライエアでパージする手段を有し、前
記可動部の駆動機構は軸受とモータを有し、該軸受とモ
ータの少なくとも一方は非接触型であることを特徴とす
るものである。 本発明の更に別の形態は、マスクを照明
する照明系を備えた露光装置において、前記照明系が有
する可動部のまわりを超高真空状態とする手段を有し、
前記可動部の駆動機構は軸受とモータを有し、該軸受と
モータの少なくとも一方は非接触型であることを特徴と
するものである。
【００１２】本発明の更に別の形態は、上記露光装置を
用意する工程と、該露光装置を用いて基板を露光する工
程を有することを特徴とするデバイス製造方法である。
さらに露光前に前記基板にレジスト塗布する工程と、露
光後に前記基板を現像する工程をさらに有することが好
ましい。
用意する工程と、該露光装置を用いて基板を露光する工
程を有することを特徴とするデバイス製造方法である。
さらに露光前に前記基板にレジスト塗布する工程と、露
光後に前記基板を現像する工程をさらに有することが好
ましい。
【００１３】上記構成の本発明によれば、非接触型軸受
及び非接触型モータは摺動部あるいは転動部が存在しな
いため、グリース等の潤滑剤を使用する必要がなく、し
たがって光学素子の劣化原因となる化学物質を放出する
ことがなくなるとともに、発塵もきわめて低レベルに押
えることが可能となる。
及び非接触型モータは摺動部あるいは転動部が存在しな
いため、グリース等の潤滑剤を使用する必要がなく、し
たがって光学素子の劣化原因となる化学物質を放出する
ことがなくなるとともに、発塵もきわめて低レベルに押
えることが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】＜実施例１＞以下、本発明の実施
の形態を説明する。図１は投影露光装置の概略構成図で
ある。図中、１は紫外線レーザー光源で、２４８ｎｍ付
近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザーもしくは
１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレー
ザーである。光源から射出されたレーザービームは装置
本体３１内の照明系３２に導かれる。各種光学素子等を
含む照明系３２は閉空間となっており、内部は所定の雰
囲気でパージされている。
の形態を説明する。図１は投影露光装置の概略構成図で
ある。図中、１は紫外線レーザー光源で、２４８ｎｍ付
近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザーもしくは
１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレー
ザーである。光源から射出されたレーザービームは装置
本体３１内の照明系３２に導かれる。各種光学素子等を
含む照明系３２は閉空間となっており、内部は所定の雰
囲気でパージされている。
【００１５】照明系３２の詳細を説明する。入射ビーム
は所望の光軸状態にするためのビーム調整系２、および
ミラー３ａを介してビーム形状を所定の形にする整形光
学系４に導かれる。ここから射出された光束は、コンデ
ンサレンズ５、ミラー３ｂによりオプティカルインテグ
レータ６に入射する。オプティカルインテグレータ６
は、複数の微小レンズを二次元的に配列して構成してお
り、その射出面近傍に二次光源７を形成している。二次
光源からの光束は第１集光レンズ８により集光される。
この集光点を含む光軸に直交する平面の近傍には、照明
範囲を規定するための可変ブラインド９が配置されてお
り、これについての詳細は後述する。
は所望の光軸状態にするためのビーム調整系２、および
ミラー３ａを介してビーム形状を所定の形にする整形光
学系４に導かれる。ここから射出された光束は、コンデ
ンサレンズ５、ミラー３ｂによりオプティカルインテグ
レータ６に入射する。オプティカルインテグレータ６
は、複数の微小レンズを二次元的に配列して構成してお
り、その射出面近傍に二次光源７を形成している。二次
光源からの光束は第１集光レンズ８により集光される。
この集光点を含む光軸に直交する平面の近傍には、照明
範囲を規定するための可変ブラインド９が配置されてお
り、これについての詳細は後述する。
【００１６】ここでコンデンサレンズ５、第１集光レン
ズ８の少なくとも一方はズーム光学系となっており、該
ズーム光学系を構成する少なくとも１枚のレンズを光軸
方向に移動させるためのレンズ駆動機構を備えている。
そしてこのレンズ駆動機構は、グリースを使わない非接
触型軸受と非接触型リニアモータの少なくとも一方、好
ましくは両方を有している。
ズ８の少なくとも一方はズーム光学系となっており、該
ズーム光学系を構成する少なくとも１枚のレンズを光軸
方向に移動させるためのレンズ駆動機構を備えている。
そしてこのレンズ駆動機構は、グリースを使わない非接
触型軸受と非接触型リニアモータの少なくとも一方、好
ましくは両方を有している。
【００１７】第１集光レンズ８からの光束は、第２集光
レンズ前群１０ａ、ミラー３ｃ、第２集光レンズ後群１
０ｂにより、マスクステージ１２上に載置されたマスク
１のパターン面を均一に照明する。マスク１１のパター
ン面と前述の第１集光レンズ８により形成される集光点
を含む光軸に直交する平面は共役な関係となっているた
め、可変ブラインド９によりマスク上での照明範囲を自
在に規定することができる。またズームレンズ系よって
照明系の倍率の調整を行なうことが出来る。
レンズ前群１０ａ、ミラー３ｃ、第２集光レンズ後群１
０ｂにより、マスクステージ１２上に載置されたマスク
１のパターン面を均一に照明する。マスク１１のパター
ン面と前述の第１集光レンズ８により形成される集光点
を含む光軸に直交する平面は共役な関係となっているた
め、可変ブラインド９によりマスク上での照明範囲を自
在に規定することができる。またズームレンズ系よって
照明系の倍率の調整を行なうことが出来る。
【００１８】マスク１１のパターンは投影光学系１３に
よりウエハ１４に縮小投影される。露光基板であるウエ
ハ１４は、ウエハステージ１６に載置したウエハチャッ
ク１５に保持される。ここで、マスクステージ１２とウ
エハステージ１６は投影光学系の縮小倍率に応じた速度
比で同期して走査移動する。さらにステージの同期走査
に同期して、可変ブラインド９の走査方向の開口幅も変
化させ、隣り合うショット領域への露光を防止する。こ
れにより、マスク１１のパターン全体がウエハ１４の１
ショット領域に露光転写される。これを繰り返すこと
で、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハの複数の
ショット領域にマスクパターンを並べて順序転写する。
よりウエハ１４に縮小投影される。露光基板であるウエ
ハ１４は、ウエハステージ１６に載置したウエハチャッ
ク１５に保持される。ここで、マスクステージ１２とウ
エハステージ１６は投影光学系の縮小倍率に応じた速度
比で同期して走査移動する。さらにステージの同期走査
に同期して、可変ブラインド９の走査方向の開口幅も変
化させ、隣り合うショット領域への露光を防止する。こ
れにより、マスク１１のパターン全体がウエハ１４の１
ショット領域に露光転写される。これを繰り返すこと
で、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハの複数の
ショット領域にマスクパターンを並べて順序転写する。
【００１９】３３はガス供給系で、照明系３２の内部閉
空間をパージするためのパージガスを入口１７より供給
する。供給されたガスは照明系３２内を経由し出口１８
より排出し、さらには排気系３４に導かれる。さらに排
気したパージガスを精製して排気系３４からガス供給系
３３に還流させ再利用するためにパージガスをリサイク
ル手段１９を設けている。リサイクル手段を設けたこと
で、パージガスが特にヘリウムのように高価なガスであ
る場合、ランニングコストの低減に大きく貢献する。
空間をパージするためのパージガスを入口１７より供給
する。供給されたガスは照明系３２内を経由し出口１８
より排出し、さらには排気系３４に導かれる。さらに排
気したパージガスを精製して排気系３４からガス供給系
３３に還流させ再利用するためにパージガスをリサイク
ル手段１９を設けている。リサイクル手段を設けたこと
で、パージガスが特にヘリウムのように高価なガスであ
る場合、ランニングコストの低減に大きく貢献する。
【００２０】ガスの種類については、不活性ガス（窒
素、ヘリウム、アルゴンなど）あるいはクリーンドライ
エアなどが好ましい。パージ空間内に存在する部品はす
べて化学面、パーティクル面で十分クリーンであるとの
前提で、パージ空間以外の外気との遮断、つまり外気よ
り光学素子の劣化原因物質が運び込まれるのを防止する
目的であれば、パージガスとしてクリーンドライエアは
効果的である。また、二酸化ケイ素ＳｉＯ2など酸素が
存在することで光学素子への付着物が生成されるのを防
止する観点からは窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活
性ガスが効果的である。さらに、光源としてＡｒＦエキ
シマレーザーを用いる場合は、残留酸素濃度を低くしな
けらばならないため上記不活性ガスの使用が好ましい。
素、ヘリウム、アルゴンなど）あるいはクリーンドライ
エアなどが好ましい。パージ空間内に存在する部品はす
べて化学面、パーティクル面で十分クリーンであるとの
前提で、パージ空間以外の外気との遮断、つまり外気よ
り光学素子の劣化原因物質が運び込まれるのを防止する
目的であれば、パージガスとしてクリーンドライエアは
効果的である。また、二酸化ケイ素ＳｉＯ2など酸素が
存在することで光学素子への付着物が生成されるのを防
止する観点からは窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活
性ガスが効果的である。さらに、光源としてＡｒＦエキ
シマレーザーを用いる場合は、残留酸素濃度を低くしな
けらばならないため上記不活性ガスの使用が好ましい。
【００２１】次に、可変ブラインドについて説明する。
図２は可変ブラインド９の詳細構成図、図３は図２にお
けるＣ−Ｃ断面図，図４は図２の裏面側の説明図であ
る。光源からのレーザ光束は矢印Ｂ方向に射出する。基
本的には、４枚の遮光板２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２
ｂとそれらの駆動機構からなっている。遮光板２１ａ、
２１ｂは照明スリットの走査方向に沿った開口幅を規定
するもので、遮光板２２ａ、２２ｂはスリットの走査方
向と直交する方向の幅を規定するものである。遮光板２
１ａ、２１ｂと遮光板２２ａ、２２ｂとは直交配置され
ている。また２３ｂはリニアモータ、２４ｂ、２５ｂは
気体軸受、２８ｂは遮光板２１ｂの位置検出器である。
図３に示すように、位置検出器２８ａはスケール３１と
検出部３２とからなるリニアエンコーダーである。スケ
ール３１と検出部３２とは一定のすき間を確保する構造
となっている。また、図４の６１ａ、６１ｂはリニアモ
ータ、６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３ｂは気体軸受、６
４、６５はガイド、６６ａ、６６ｂは位置検出器であ
る。
図２は可変ブラインド９の詳細構成図、図３は図２にお
けるＣ−Ｃ断面図，図４は図２の裏面側の説明図であ
る。光源からのレーザ光束は矢印Ｂ方向に射出する。基
本的には、４枚の遮光板２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２
ｂとそれらの駆動機構からなっている。遮光板２１ａ、
２１ｂは照明スリットの走査方向に沿った開口幅を規定
するもので、遮光板２２ａ、２２ｂはスリットの走査方
向と直交する方向の幅を規定するものである。遮光板２
１ａ、２１ｂと遮光板２２ａ、２２ｂとは直交配置され
ている。また２３ｂはリニアモータ、２４ｂ、２５ｂは
気体軸受、２８ｂは遮光板２１ｂの位置検出器である。
図３に示すように、位置検出器２８ａはスケール３１と
検出部３２とからなるリニアエンコーダーである。スケ
ール３１と検出部３２とは一定のすき間を確保する構造
となっている。また、図４の６１ａ、６１ｂはリニアモ
ータ、６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３ｂは気体軸受、６
４、６５はガイド、６６ａ、６６ｂは位置検出器であ
る。
【００２２】ここで遮光板２１ａ、２１ｂの駆動機構に
ついて説明する。２３ａは接触可動部を持たないことで
グリース等の潤滑剤を不要とした非接触型リニアモータ
で、可動部は気体軸受２４ａに連結されている。遮光板
２１ａは気体軸受２４ａ、２５ａに保持され、ガイド２
６、２７に沿って移動する。気体軸受２４ａ、２５ａに
は矢印Ａ部から各々潤滑気体が供給されることでガイド
２６、２７とは微小な隙間を保っている。２８ａは遮光
板２１ａの位置検出器で、この出力信号に基づき不図示
の制御系によりリニアモータ２３ａをコントロールす
る。遮光板２１ｂの駆動機構についても遮光板２１ａと
同様である。
ついて説明する。２３ａは接触可動部を持たないことで
グリース等の潤滑剤を不要とした非接触型リニアモータ
で、可動部は気体軸受２４ａに連結されている。遮光板
２１ａは気体軸受２４ａ、２５ａに保持され、ガイド２
６、２７に沿って移動する。気体軸受２４ａ、２５ａに
は矢印Ａ部から各々潤滑気体が供給されることでガイド
２６、２７とは微小な隙間を保っている。２８ａは遮光
板２１ａの位置検出器で、この出力信号に基づき不図示
の制御系によりリニアモータ２３ａをコントロールす
る。遮光板２１ｂの駆動機構についても遮光板２１ａと
同様である。
【００２３】気体軸受２４ａ、２５ａの詳細な構造につ
いて図５を用いて説明する。図５（Ａ）はガイド２６、
２７の軸方向に直交する断面図であり、図５（Ｂ）はガ
イド軸方向断面図である。図中、４１は潤滑気体の供給
口、４２は軸受ハウジング、４３はハウジング内に設け
られたガス通路、４４は微小な通気孔が多数存在する多
孔質材料からなる軸受パッド、４５は断面形状が円形の
ガイド軸である。ハウジング４２内に供給された圧縮気
体は、図５（Ａ）の矢印のごとくガス通路に沿って多孔
質材料の軸受パッド４４の外周に行き渡る。多孔質材料
は通気孔が微小であるため圧縮気体が通過する際に絞り
としての役割を果たし、これを経由して軸４５表面との
すき間に導入し、その静圧によって軸４５と軸受パッド
４４は所定のすき間を確保することになる。軸４５と軸
受パッド４４のすき間を通過した気体は、最終的に図５
（Ｂ）の矢印で示すようにハウジング４２の両端から放
出される。また、気体軸受６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６
３ｂも同様の構造を備えている。
いて図５を用いて説明する。図５（Ａ）はガイド２６、
２７の軸方向に直交する断面図であり、図５（Ｂ）はガ
イド軸方向断面図である。図中、４１は潤滑気体の供給
口、４２は軸受ハウジング、４３はハウジング内に設け
られたガス通路、４４は微小な通気孔が多数存在する多
孔質材料からなる軸受パッド、４５は断面形状が円形の
ガイド軸である。ハウジング４２内に供給された圧縮気
体は、図５（Ａ）の矢印のごとくガス通路に沿って多孔
質材料の軸受パッド４４の外周に行き渡る。多孔質材料
は通気孔が微小であるため圧縮気体が通過する際に絞り
としての役割を果たし、これを経由して軸４５表面との
すき間に導入し、その静圧によって軸４５と軸受パッド
４４は所定のすき間を確保することになる。軸４５と軸
受パッド４４のすき間を通過した気体は、最終的に図５
（Ｂ）の矢印で示すようにハウジング４２の両端から放
出される。また、気体軸受６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６
３ｂも同様の構造を備えている。
【００２４】なお本実施例では、気体軸受は多孔質絞り
を用いているが、オリフィス絞り、スロット絞り、自成
絞り、表面絞り、毛細管絞りなど他の絞り形態の気体軸
受でも、本発明の目的は達成することが可能である。こ
れは後述の実施例においても同様である。
を用いているが、オリフィス絞り、スロット絞り、自成
絞り、表面絞り、毛細管絞りなど他の絞り形態の気体軸
受でも、本発明の目的は達成することが可能である。こ
れは後述の実施例においても同様である。
【００２５】気体軸受の潤滑気体については、本実施例
ではパージガス供給系３３からその一部を供給している
が、パージガス供給系３３とは独立した供給系を設けて
もよい。要はパージガスと軸受の潤滑気体が同一であれ
ば、可変ブラインドの駆動機構を照明系内のパージ空間
に置いても、そのパージ環境を乱すことはない。
ではパージガス供給系３３からその一部を供給している
が、パージガス供給系３３とは独立した供給系を設けて
もよい。要はパージガスと軸受の潤滑気体が同一であれ
ば、可変ブラインドの駆動機構を照明系内のパージ空間
に置いても、そのパージ環境を乱すことはない。
【００２６】次に、非接触型リニアモータ２３ａの詳細
な構造について図６用いて説明する。図中、５１は磁性
材料でつくられるヨーク、５２は永久磁石、５４はハウ
ジング、５５はコイルである。永久磁石５２とヨーク５
１により、破線５３で示すように磁気回路が形成されて
いる。ハウジング５４内に収められたコイル５５に電源
より所定の電流が供給されると、コイル５５と共にハウ
ジング５４が図中矢印の方向に移動する。ここでは、い
わゆるムービングコイル型のリニアモータを構成してい
るが、逆にムービングマグネット型のリニアモータとし
ても良い。ハウジング５４は前述のガイド２６あるいは
２７に沿って移動するため、コイル５５とヨーク５１と
は常に非接触でそのすき間は常に一定に保たれている。
なお、リニアモータ６１ａ、６１ｂも同様の構造を備え
ている。
な構造について図６用いて説明する。図中、５１は磁性
材料でつくられるヨーク、５２は永久磁石、５４はハウ
ジング、５５はコイルである。永久磁石５２とヨーク５
１により、破線５３で示すように磁気回路が形成されて
いる。ハウジング５４内に収められたコイル５５に電源
より所定の電流が供給されると、コイル５５と共にハウ
ジング５４が図中矢印の方向に移動する。ここでは、い
わゆるムービングコイル型のリニアモータを構成してい
るが、逆にムービングマグネット型のリニアモータとし
ても良い。ハウジング５４は前述のガイド２６あるいは
２７に沿って移動するため、コイル５５とヨーク５１と
は常に非接触でそのすき間は常に一定に保たれている。
なお、リニアモータ６１ａ、６１ｂも同様の構造を備え
ている。
【００２７】なお、本発明の特徴の一つは潤滑剤を使用
しない軸受を採用することにある。このような軸受とし
ては気体軸受のほかに磁気軸受などがある。上記の実施
例では気体軸受を採用した例を説明したが、この気体軸
受を非接触型の磁気軸受に置き換えても良い。これは後
述の実施例においても同様である。
しない軸受を採用することにある。このような軸受とし
ては気体軸受のほかに磁気軸受などがある。上記の実施
例では気体軸受を採用した例を説明したが、この気体軸
受を非接触型の磁気軸受に置き換えても良い。これは後
述の実施例においても同様である。
【００２８】また、可変ブラインドやズーム光学系の駆
動機構は非接触型軸受と非接触型リニアモータを両方採
用することが最も好ましいが、これらの少なくとも一方
を採用するようにしても、従来例に対して改良された露
光装置となる。これは後述の実施例においても同様であ
る。
動機構は非接触型軸受と非接触型リニアモータを両方採
用することが最も好ましいが、これらの少なくとも一方
を採用するようにしても、従来例に対して改良された露
光装置となる。これは後述の実施例においても同様であ
る。
【００２９】以上説明したように本実施例においては、
可変ブラインドやズーム光学系等の可動部の駆動機構
に、グリース等の潤滑剤が不要な非接触型軸受と非接触
型リニアモータの少なくとも一方、好ましくは両方を採
用し、摺動部品あるいは転動部品が存在しない構成とし
た。このため光学素子の劣化物質を放出せず、発塵も従
来に比べて飛躍的に低減される。
可変ブラインドやズーム光学系等の可動部の駆動機構
に、グリース等の潤滑剤が不要な非接触型軸受と非接触
型リニアモータの少なくとも一方、好ましくは両方を採
用し、摺動部品あるいは転動部品が存在しない構成とし
た。このため光学素子の劣化物質を放出せず、発塵も従
来に比べて飛躍的に低減される。
【００３０】さらには、照明系内において可動部前後の
光学系のパージ空間と隔離する必要がなくなる。したが
って可動部周辺のメンテナンスが不要になるため、装置
の稼働率向上、ランニングコスト頻度の低減、あるいは
照明効率の向上によるスループット向上などが達成でき
る。その結果、照明系の信頼性の向上やメンテナンス作
業の向上などの優れた作用効果が得られる。
光学系のパージ空間と隔離する必要がなくなる。したが
って可動部周辺のメンテナンスが不要になるため、装置
の稼働率向上、ランニングコスト頻度の低減、あるいは
照明効率の向上によるスループット向上などが達成でき
る。その結果、照明系の信頼性の向上やメンテナンス作
業の向上などの優れた作用効果が得られる。
【００３１】さらに、気体軸受の潤滑気体を照明系のパ
ージに使用する気体と同じものを使用すれば、可動部を
照明系のパージ空間から隔離する必要はなくなり、信頼
性やメンテナンスの容易性が向上する。
ージに使用する気体と同じものを使用すれば、可動部を
照明系のパージ空間から隔離する必要はなくなり、信頼
性やメンテナンスの容易性が向上する。
【００３２】＜実施例２＞次に可変ブラインドの別の例
を示す。なお、投影露光装置の全体構成は先の図１と同
様なのでここでは説明を省略する。
を示す。なお、投影露光装置の全体構成は先の図１と同
様なのでここでは説明を省略する。
【００３３】図７は可変ブラインド９の詳細構成図、図
８は図７におけるＣ−Ｃ断面図、図９は裏面側の構成を
示す図である。図中、７１ａ、７１ｂは遮光板で、７２
ａ、７２ｂの遮光板と直交配置され且つ光軸方向に近接
している。７３ｂはリニアモータ、７４ｂは気体軸受、
７６ｂは遮光板７１ｂの位置検出器である。９５ａ、９
５ｂはリニアモータ、９６ａ、９６ｂは気体軸受、９７
はガイド、９８ａ、９８ｂは位置検出器である。
８は図７におけるＣ−Ｃ断面図、図９は裏面側の構成を
示す図である。図中、７１ａ、７１ｂは遮光板で、７２
ａ、７２ｂの遮光板と直交配置され且つ光軸方向に近接
している。７３ｂはリニアモータ、７４ｂは気体軸受、
７６ｂは遮光板７１ｂの位置検出器である。９５ａ、９
５ｂはリニアモータ、９６ａ、９６ｂは気体軸受、９７
はガイド、９８ａ、９８ｂは位置検出器である。
【００３４】遮光板７１ａ、７１ｂの駆動機構について
説明する。リニアモータ７３ａは可動部は気体軸受７４
ａに連結されている。遮光板７１ａは気体軸受７４ａに
保持され、ガイド７５に沿って移動する。気体軸受７４
ａには矢印Ａ部から各々潤滑気体が供給されることでガ
イド７５とは微小な隙間を保っている。遮光板７１ａの
位置検出器７６ａの出力信号に基づき制御系によりリニ
アモータ７３ａをコントロールする。なお、遮光板７１
ｂの駆動機構についても遮光板７１ａと同様である。
説明する。リニアモータ７３ａは可動部は気体軸受７４
ａに連結されている。遮光板７１ａは気体軸受７４ａに
保持され、ガイド７５に沿って移動する。気体軸受７４
ａには矢印Ａ部から各々潤滑気体が供給されることでガ
イド７５とは微小な隙間を保っている。遮光板７１ａの
位置検出器７６ａの出力信号に基づき制御系によりリニ
アモータ７３ａをコントロールする。なお、遮光板７１
ｂの駆動機構についても遮光板７１ａと同様である。
【００３５】気体軸受７４ａの詳細な構造について図１
０を用いて説明する。図中、９１は潤滑気体の供給口、
９２は軸受ハウジング、９３はハウジング内に設けられ
たガス通路、９４ａ〜９４ｄは多孔質材料の軸受パッ
ド、７５は断面形状が矩形のガイド軸である。ハウジン
グ９２内に供給された圧縮気体は、図１０（Ａ）図の矢
印のごとくガス通路に沿って多孔質材料の軸受パッド９
４ａ〜９４ｄに行き渡る。多孔質材料は通気孔が微小で
あるため圧縮気体が通過する際に絞りとしての役割を果
たし、これを経由して軸９４表面とのすき間に導入し、
その静圧によって軸７５と軸受パッド９４ａ〜ｄは所定
のすき間を確保することになる。軸７５と多孔質材料９
４ａ〜ｄのすき間を通過した気体は、最終的に図１０
（Ｂ）の矢印で示すようにハウジング９２の両端から放
出される。
０を用いて説明する。図中、９１は潤滑気体の供給口、
９２は軸受ハウジング、９３はハウジング内に設けられ
たガス通路、９４ａ〜９４ｄは多孔質材料の軸受パッ
ド、７５は断面形状が矩形のガイド軸である。ハウジン
グ９２内に供給された圧縮気体は、図１０（Ａ）図の矢
印のごとくガス通路に沿って多孔質材料の軸受パッド９
４ａ〜９４ｄに行き渡る。多孔質材料は通気孔が微小で
あるため圧縮気体が通過する際に絞りとしての役割を果
たし、これを経由して軸９４表面とのすき間に導入し、
その静圧によって軸７５と軸受パッド９４ａ〜ｄは所定
のすき間を確保することになる。軸７５と多孔質材料９
４ａ〜ｄのすき間を通過した気体は、最終的に図１０
（Ｂ）の矢印で示すようにハウジング９２の両端から放
出される。
【００３６】本実施例のように断面形状が矩型のガイド
の場合、ガイド軸回りのモーメントに対して軸受剛性が
十分確保できるため、各遮光板７１ａ、７１ｂ、７２
ａ、７２ｂのそれぞれの軸受で１個でも十分な強度を有
する。
の場合、ガイド軸回りのモーメントに対して軸受剛性が
十分確保できるため、各遮光板７１ａ、７１ｂ、７２
ａ、７２ｂのそれぞれの軸受で１個でも十分な強度を有
する。
【００３７】＜実施例３＞次に、上記エキシマ紫外線よ
りもさらに波長の短いＸ線（真空紫外線や軟Ｘ線を総称
してＸ線と呼ぶ）を用いたステップ・アンド・リピート
型Ｘ線露光装置の実施例を説明する。
りもさらに波長の短いＸ線（真空紫外線や軟Ｘ線を総称
してＸ線と呼ぶ）を用いたステップ・アンド・リピート
型Ｘ線露光装置の実施例を説明する。
【００３８】周知のようにＸ線は気体での減衰が極めて
大きいので、Ｘ線露光装置では照明系を含む装置全体が
気密チャンバ内に収め、チャンバ内を不活性ガスでパー
ジした減圧雰囲気（ヘリウム、窒素、アルゴンなど）あ
るいは超高真空状態にしている。そのため上記従来の技
術の欄で説明したような課題を有し、Ｘ線取出し窓やア
ライメント計測光学系などの光学素子に化学物質の汚れ
が付着する恐れがある。そこで本実施例では、Ｘ線マス
クの照射範囲を規定する可変ブレードの駆動機構に、非
接触型軸受と非接触型リニアモータを用い、問題の解決
にあたっている。
大きいので、Ｘ線露光装置では照明系を含む装置全体が
気密チャンバ内に収め、チャンバ内を不活性ガスでパー
ジした減圧雰囲気（ヘリウム、窒素、アルゴンなど）あ
るいは超高真空状態にしている。そのため上記従来の技
術の欄で説明したような課題を有し、Ｘ線取出し窓やア
ライメント計測光学系などの光学素子に化学物質の汚れ
が付着する恐れがある。そこで本実施例では、Ｘ線マス
クの照射範囲を規定する可変ブレードの駆動機構に、非
接触型軸受と非接触型リニアモータを用い、問題の解決
にあたっている。
【００３９】図１１はＸ線露光装置の可動ブラインド周
りの構成を示す図である。Ｘ線マスクの照明範囲を規定
するために、４枚の遮光板を備えた可変ブレードがＸ線
ビームの光路中に配されている。なお、図１１では可動
ブラインドのうちの２枚について図示しているが、実際
には全部で４つ備えている。
りの構成を示す図である。Ｘ線マスクの照明範囲を規定
するために、４枚の遮光板を備えた可変ブレードがＸ線
ビームの光路中に配されている。なお、図１１では可動
ブラインドのうちの２枚について図示しているが、実際
には全部で４つ備えている。
【００４０】遮光板１０１はガラスや鉛等のＸ線遮光部
材であり、遮光照射Ｘ線を十分に遮断するだけの厚さ
（例えば１００μｍ）を備えている。各遮光板はそれぞ
れ平行移動させるための駆動機構に連結されている。
材であり、遮光照射Ｘ線を十分に遮断するだけの厚さ
（例えば１００μｍ）を備えている。各遮光板はそれぞ
れ平行移動させるための駆動機構に連結されている。
【００４１】この駆動機構について詳細に説明する。遮
光板１０１は、該遮光板１０１を図中Ｘ方向に移動させ
るための平行移動ステージ１０２にアーム１０５を介し
て連結されている。この平行移動ステージ１０２の基部
１０６の、アーム１０５の下側に位置する側面には、Ｘ
線マスク１１０の位置合わせ時に用いるアライメントビ
ームを発するアライメント光学系ピックアップ部１０４
が取付けられている。これにより、アライメント光学系
ピックアップ部１０４と遮光板１０１との図中Ｙ方向の
位置関係は一定であり、図中Ｚ方向から照射されるＸ線
ビームは、遮光板１０１で遮られてアライメント光学系
ピックアップ部１０４に照射されない構成としている。
また、遮光板平行移動ステージ１０２は、アライメント
光学系ピックアップ部１０４をＸＹ方向に二次元移動さ
せるためのＸＹステージ１０３に連結されている。
光板１０１は、該遮光板１０１を図中Ｘ方向に移動させ
るための平行移動ステージ１０２にアーム１０５を介し
て連結されている。この平行移動ステージ１０２の基部
１０６の、アーム１０５の下側に位置する側面には、Ｘ
線マスク１１０の位置合わせ時に用いるアライメントビ
ームを発するアライメント光学系ピックアップ部１０４
が取付けられている。これにより、アライメント光学系
ピックアップ部１０４と遮光板１０１との図中Ｙ方向の
位置関係は一定であり、図中Ｚ方向から照射されるＸ線
ビームは、遮光板１０１で遮られてアライメント光学系
ピックアップ部１０４に照射されない構成としている。
また、遮光板平行移動ステージ１０２は、アライメント
光学系ピックアップ部１０４をＸＹ方向に二次元移動さ
せるためのＸＹステージ１０３に連結されている。
【００４２】露光転写時は、駆動機構によって４枚の各
遮光板の位置を調整することで、Ｘ線マスク１１０の回
路パターン領域１１２並びにその周りのマスクアライメ
ントマーク１１３の領域のみをＸ線で照明するように照
明範囲を規定する。露光基板であるウエハ（不図示）は
Ｘ線マスク１１０に近接配置されており、規定された照
明範囲の中のマスクパターンがウエハに露光転写され
る。
遮光板の位置を調整することで、Ｘ線マスク１１０の回
路パターン領域１１２並びにその周りのマスクアライメ
ントマーク１１３の領域のみをＸ線で照明するように照
明範囲を規定する。露光基板であるウエハ（不図示）は
Ｘ線マスク１１０に近接配置されており、規定された照
明範囲の中のマスクパターンがウエハに露光転写され
る。
【００４３】可変ブラインドの駆動機構である平行移動
ステージ１０２ならびにＸＹステージ１０３は、いずれ
もグリースなどの潤滑剤を使用しない非接触型軸受（気
体軸受もしくは磁気軸受）と非接触型リニアモータを用
いている。気体軸受を用いる場合は雰囲気（不活性ガ
ス）気体と同一の潤滑気体を使用する。これにより不図
示のＸ線取出し窓やアライメント光学系ピックアップ部
の光学素子に汚れが付着することを防止している。
ステージ１０２ならびにＸＹステージ１０３は、いずれ
もグリースなどの潤滑剤を使用しない非接触型軸受（気
体軸受もしくは磁気軸受）と非接触型リニアモータを用
いている。気体軸受を用いる場合は雰囲気（不活性ガ
ス）気体と同一の潤滑気体を使用する。これにより不図
示のＸ線取出し窓やアライメント光学系ピックアップ部
の光学素子に汚れが付着することを防止している。
【００４４】＜実施例４＞次に上記説明したいずれかの
露光装置を利用したデバイス製造方法の例を説明する。
図１２は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２
（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスク
を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
露光装置を利用したデバイス製造方法の例を説明する。
図１２は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２
（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスク
を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００４５】図１３は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハにレジストを塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハの複数のショット領域
に並べて焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高精度デバイスを高い生産性すなわち低
コストで製造することができる。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハにレジストを塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハの複数のショット領域
に並べて焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高精度デバイスを高い生産性すなわち低
コストで製造することができる。
【００４６】
【発明の効果】以上の本発明によれば、照明系内におい
て、可動部の駆動機構に摺動部あるいは転動部が存在し
ない非接触型軸受もしくは非接触型モータを用いたた
め、グリース等の潤滑剤を使用する必要がなく、したが
って光学素子の劣化原因となる化学物質を放出すること
がなくなるとともに、発塵もきわめて低レベルに押える
ことが可能となる。この結果、照明系の信頼性向上やメ
ンテナンス頻度の低減などの優れた作用効果が得られ
る。
て、可動部の駆動機構に摺動部あるいは転動部が存在し
ない非接触型軸受もしくは非接触型モータを用いたた
め、グリース等の潤滑剤を使用する必要がなく、したが
って光学素子の劣化原因となる化学物質を放出すること
がなくなるとともに、発塵もきわめて低レベルに押える
ことが可能となる。この結果、照明系の信頼性向上やメ
ンテナンス頻度の低減などの優れた作用効果が得られ
る。
【００４７】さらに、気体軸受の潤滑気体に雰囲気気体
と同じものを使用すれば、可動部を光学系のパージ空間
から隔離する必要はなくなり、信頼性やメンテナンスの
容易性がさらに向上する。
と同じものを使用すれば、可動部を光学系のパージ空間
から隔離する必要はなくなり、信頼性やメンテナンスの
容易性がさらに向上する。
【００４８】また本発明のデバイス製造方法によれば、
照明の信頼性向上やメンテナンス頻度の低減などによ
り、高精度なデバイスを高い生産性すなわち低コストで
製造することが出来る。
照明の信頼性向上やメンテナンス頻度の低減などによ
り、高精度なデバイスを高い生産性すなわち低コストで
製造することが出来る。
【図１】紫外線（エキシマレーザー）露光装置の全体構
成図
成図
【図２】実施例１のブラインドの構成図
【図３】図２におけるＣ-Ｃ断面図
【図４】図２の裏面側の説明図
【図５】気体軸受の構成図
【図６】非接触型リニアモータの構成図
【図７】実施例２のブラインドの構成図
【図８】図７におけるＣ-Ｃ断面の部分詳細図
【図９】図７の裏面側の説明図
【図１０】気体軸受の構造図
【図１１】Ｘ線露光装置の主要部の構成図
【図１２】デバイス製造の実施例の製造フローを示す図
【図１３】図１１のフロー中のウエハプロセスの詳細図
１ レーザー光源
９ 可変ブラインド
１１ マスク
１２ マスクステージ
１３ 投影光学系
１４ ウエハ
１５ ウエハステージ
２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ 遮光板
２３ａ、２３ｂ リニアモータ
２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂ 気体軸受
２６、２７ ガイド
３１ 露光装置本体
３２ 照明系
３３ ガス供給系
３４ ガス排気系
４１ 潤滑気体の供給口
４２ 軸受ハウジング
４４ 多孔質材料
５１ ヨーク
５２ 永久磁石
５５ コイル
６１ａ、６１ｂ リニアモータ
６２ａ、６２ｂ、６３ａ、６３ 気体軸受
６４、６５ ガイド
７１ａ〜７２ｂ 遮光板
７３ａ、７３ｂ リニアモータ
７４ａ、７４ｂ 気体軸受
７５ ガイド
９１ 潤滑気体の供給口
９２ 軸受ハウジング
９４ａ〜９４ｄ 多孔質材料
９５ａ、９５ｂ リニアモータ
９６ａ、９６ｂ 気体軸受
９７ 軸
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−307270（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−226570（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−84113（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−100093（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
Claims (20)
- 【請求項１】 マスクを照明する照明系を備えた露光装
置において、 前記照明系は、可動部を有し、該可動部のまわりは不活
性ガス若しくはクリーンドライエアでパージされた雰囲
気又は超高真空状態とされ、前記 可動部の駆動機構は、非接触型軸受と非接触型モー
タの少なくとも一方を有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 マスクを照明する照明系を備えた露光装
置において、 前記照明系が有する可動部のまわりを不活性ガス若しく
はクリーンドライエアでパージする手段を有し、前記可動部の駆動機構は軸受とモータを有し、該軸受と
モータの少なくとも一方は非接触型であることを特徴と
する露光装置。 - 【請求項３】 前記可動部の駆動機構は、光路中に配さ
れた可変ブラインドの駆動機構、レンズの駆動機構のい
ずれかであることを特徴とする請求項１又は２記載の露
光装置。 - 【請求項４】 前記非接触型軸受は気体軸受もしくは磁
気軸受であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記非接触型モータはコイルと磁石を備
えたリニアモータであることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記非接触型軸受である気体軸受の潤滑
気体を、前記可動部のまわりをパージするガスと同一し
たことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の露
光装置。 - 【請求項７】 前記不活性ガスは窒素、ヘリウムもしく
はアルゴンであることを特徴とする請求項１乃至６のい
ずれか記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記不活性ガスをリサイクルする手段を
設けたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか記載
の露光装置。 - 【請求項９】 前記マスクを保持して走査移動させる第
１ステージと、該マスクのパターンを基板に投影する投
影光学系と、基板を保持して走査移動させる第２ステー
ジとを有し、該投影光学系に対してマスクと基板を共に
走査移動させることで、該マスクのパターンを基板に露
光転写することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか
記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記可動部は可変ブラインドであり、
前記第１ステージの移動に同期して開口幅を可変にする
ことで、走査方向におけるマスクの照明範囲を変化させ
ることを特徴とする請求項９記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記可動部は可変ブラインドであり、
前記軸受は遮光板を保持し、前記モータは前記軸受に連
結されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいず
れか記載の露光装置。 - 【請求項１２】 前記可動部は４つの遮光板を有する可
変ブラインドであり、矩形形状の照明範囲を規定するこ
とを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか記載の露光
装置。 - 【請求項１３】 前記非接触型軸受は断面形状が円形も
しくは矩型の軸受構造を備えることを特徴とする請求項
１乃至１２のいずれか記載の露光装置。 - 【請求項１４】 前記非接触型軸受は気体軸受であり、
該気体軸受は多孔質絞り、オリフィス絞り、スロット絞
り、自成絞り、表面絞り、もしくは毛細管絞りを有する
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか記載の露
光装置。 - 【請求項１５】 前記照明系は、紫外線もしくはＸ線に
よって前記マスクを照明することを特徴とする請求項１
乃至１４のいずれか記載の露光装置。 - 【請求項１６】 前記照明系は、ｉ線、ＫｒＦエキシマ
レーザー若しくはＡｒＦエキシマレーザーからの光のい
ずれかによって前記マスクを照明することを特徴とする
請求項１乃至１４のいずれか記載の露光装置。 - 【請求項１７】 マスクを照明する照明系を備えた露光
装置において、 前記照明系が有する可動部のまわりを超高真空状態とす
る手段を有し、 前記可動部の駆動機構は軸受とモータを有し、該軸受と
モータの少なくとも一方は非接触型であることを特徴と
する露光装置。 - 【請求項１８】 前記可動部の駆動機構は、光路中に配
された可変ブラインドの駆動機構であることを特徴とす
る請求項１７記載の露光装置。 - 【請求項１９】 請求項１乃至１８のいずれか記載の露
光装置を用意する工程と、該露光装置を用いて基板を露
光する工程を有することを特徴とするデバイス製造方
法。 - 【請求項２０】 露光前に前記基板にレジスト塗布する
工程と、露光後に前記基板を現像する工程をさらに有す
ることを特徴とする請求項１９記載のデバイス製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03592998A JP3387809B2 (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US09/248,981 US6259509B1 (en) | 1998-02-18 | 1999-02-12 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03592998A JP3387809B2 (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233399A JPH11233399A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3387809B2 true JP3387809B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=12455732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03592998A Expired - Fee Related JP3387809B2 (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6259509B1 (ja) |
| JP (1) | JP3387809B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303270A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3869999B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置および半導体デバイス製造方法 |
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1999
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11233399A (ja) | 1999-08-27 |
| US6259509B1 (en) | 2001-07-10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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