CN110959139B

CN110959139B - 颗粒抑制系统和方法

Info

Publication number: CN110959139B
Application number: CN201880049631.9A
Authority: CN
Inventors: 黄仰山; M·J·L·布恩; H-K·尼恩惠斯; J·布林克特; 理查德·J·布鲁尔斯; P·C·科奇斯珀格
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2017-07-28
Filing date: 2018-07-18
Publication date: 2023-02-28
Anticipated expiration: 2038-07-18
Also published as: WO2019020450A1; US20210173315A1; CN110959139A; NL2021336A; US11137694B2

Abstract

光刻设备可以包括调节辐射束(B)的照射系统(IL)、具有第一表面(426)的第一固定板(412)、以及与所述第一固定板一起限定第一腔室(404)的掩模版平台。所述掩模版平台在所述第一腔室中支撑掩模版(402)，所述掩模版平台包括与所述第一固定板的第二表面隔开的第一表面(424)，由此限定配置成抑制从第二腔室(406)到第一腔室的污染物体的量的第一间隙(414)。所述第一固定板位于所述掩模版平台与所述照射系统和所述投影系统(PS)之间，所述投影系统被配置成将图案形成装置赋予辐射束的图案投射到衬底上。

Description

颗粒抑制系统和方法

相关应用的交叉引用

本申请要求于2017年7月28日提交的美国临时专利申请62/538,191 的优先权，该专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及在例如光刻中使用例如颗粒捕集器和颗粒屏障的颗粒抑制。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将被替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置用来产生待形成于IC的单个层上的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛地认为是在IC以及其它器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻所制成的特征的尺寸变得更小，光刻变为用于实现小型IC或其它器件和/或结构的更具决定性的因素。

图案打印极限的理论估计能够通过瑞利(Rayleigh)分辨率准则给出，如方程式(1)所示：

其中，λ是所使用辐射的波长，NA是用以打印所述图案的投影系统的数值孔径，k₁是过程依赖调整因子(也被称为瑞利常数)，且CD是已打印特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从方程式(1)可见，能够以三种方式来获得特征的最小可打印尺寸的减少：通过缩短曝光波长λ，通过增加数值孔径NA，或通过减少k₁的值。

为了缩短曝光波长并由此减少最小可打印尺寸，已提出使用极紫外 (EUV)辐射源。EUV辐射是具有5nm至20nm的范围(例如，在13nm 至14nm的范围内)的波长的电磁辐射。已进一步提出可使用具有小于 10nm(例如，在5nm至10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm)的波长的 EUV辐射。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。例如，可能的源包括激光产生的等离子体源、放电等离子体源，或基于由电子储存环所提供的同步加速器辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。辐射通过所述图案形成装置或辐射从所述图案形成装置反射离开以在衬底上形成图像。该图案形成装置可以被保持在真空环境中。在这种真空环境中，可能有污染物颗粒源，例如多条线缆或线缆和软管承载件，它们可以产生污染物颗粒。如果这些污染物颗粒到达图案形成装置和/或图案形成装置附近的区域，则可能在所形成的图像中出现缺陷。

发明内容

在一些实施例中，光刻设备包括配置成调节辐射束的照射系统，以及限定第一开口并具有第一表面的第一固定板。所述光刻设备还包括掩模版平台，所述掩模版平台与所述第一固定板一起限定第一腔室。所述掩模版平台被配置成在第一腔室中支撑掩模版。所述掩模版平台具有与所述第一固定板的第二表面间隔开的第一表面，由此在第二腔室与所述第一腔室之间限定第一间隙。所述第一间隙被配置成抑制从所述第二腔室传递到所述第一腔室的污染物的量。光刻设备还包括投影系统，所述投影系统配置成将由图案形成装置赋予辐射束的图案投影到衬底上。且所述第一固定板位于所述掩模版平台与所述照射系统和所述投影系统之间。

在一些实施例中，光刻设备包括配置成发射极紫外(EUV)辐射的辐射源和配置成调节所述EUV辐射的照射系统。所述光刻设备还包括限定第一开口并且具有第一表面的第一固定板。所述光刻设备还包括掩模版平台，所述掩模版平台与所述第一固定板一起限定第一腔室。所述掩模版平台被配置成在所述第一腔室中支撑掩模版。所述掩模版平台包括与所述第一固定板的第二表面间隔开的第一表面，由此在第二腔室与所述第一腔室之间限定第一间隙。所述第一间隙被配置成抑制从所述第二腔室传递到所述第一腔室的污染物的量。所述光刻设备还包括配置成将气体注入到所述第一腔室中的第一气体入口。并且光刻设备包括投影系统，所述投影系统配置成将由图案形成装置赋予辐射束的图案投影到衬底上。所述第一固定板位于所述掩模版平台与所述照射系统和所述投影系统之间。

在一些实施例中，光刻设备还包括在所述第一固定板与所述照射系统和所述投影系统两者之间延伸的封装结构。封装结构围封所述EUV辐射从所述照射系统到所述掩模版、然后到所述投影系统的路径。所述封装结构包括第二气体入口，所述第二气体入口被配置成将气体注入由所述封装结构限定的容积中，以及在所述气体入口和所述第一固定板之间的气体排放装置，所述气体排放装置被配置成从由所述密封结构限定的容积中去除气体。所述第一气体入口、所述第二气体入口和所述气体排放装置共同地配置成在所述第一固定板与气体排放装置之间形成第一区域，所述第一区域包括包括流向所述气体排放装置的气体，由此抑制从所述第一区域传递到所述第一腔室的污染物的量。所述第一气体入口、所述第二气体入口和所述气体排放装置共同地配置成在所述气体排放装置与所述第二气体入口之间产生第二区域，第二区域具有朝向气体排放装置流动的气体，由此抑制从是第一腔室传递到所述照射系统和所述投影系统的污染物的量。并且是第一气体入口、所述第二气体入口和气体排放装置共同地配置成在所述第二气体入口与所述照射系统和所述投影系统之间产生第三区域。第三区域包括流向所述照射系统和所述投影系统的气体，由此抑制从所述照射系统和所述投影系统传递到所述第三区域的污染物的量。

下面将参照附图详细描述本发明的其它特征和优点，以及本发明的各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于本文所描述的具体实施例。在本文呈现的这些实施例仅用于说明性目的。基于本文所包含的教导，另外的实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。

附图说明

附图被合并于本文中并且形成说明书的一部分，其图示了本公开，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理，并且使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1A是根据本公开实施例的反射式光刻设备的示意图。

图1B是根据本公开实施例的透射式光刻设备的示意图。

图2是根据本发明实施例的反射式光刻设备的更详细示意图。

图3是根据本公开实施例的光刻胞的示意图。

图4示意性地描绘了根据实施例的掩模版平台的横截面。

图5示意性地描绘了根据实施例的具有气体入口的掩模版平台的横截面。

图6示意性地描绘了根据另一实施例的具有气体入口的掩模版平台的横截面。

图7示意性地描绘了根据另一实施例的掩模版平台的横截面。

图8示意性地描绘了根据实施例的具有掩模版平台、照射系统、投影系统、和封装结构的光刻设备的部分横截面。

图9是根据实施例的示出气流方向和压力的图8的光刻设备的框图。

图10示意性地描绘了根据另一实施例的具有掩模版平台、照射系统、投影系统、和封装结构的光刻设备的部分横截面。

图11示意性地描绘了根据实施例的具有挡板的掩模版平台的横截面。

图12示意性地描绘了根据另一实施例的掩模版平台的横截面。

图13A和13B分别示意性地描绘根据实施例的封装结构的段之间的间隙的第一配置和第二配置。

图14A和14B分别示意性地描绘根据实施例的封装结构的段之间的间隙的第一配置和第二配置。

图15A和15B分别示意性地描绘根据实施例的封装结构的段之间的间隙的第一配置和第二配置。

当与附图结合使用时，从下文所阐述的详细描述中，本公开的特征和优点将变得更加显而易见，在附图中，相似的附图标记始终标识对应的元件。在附图中，相似的附图标记通常表示相同的、功能上相似和/或结构上相似的元件。元件首次出现的附图由相应附图标记编号中最左边的数字表示。除非另有说明，否则本公开中通篇所提供的附图不应解释为按照比例绘制的附图。

具体实施方式

本说明书披露了包括本公开特征的一个或更多个实施例。所披露的实施例仅仅举例说明了本公开。本公开的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附权利要求限定。

所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“示例性”、“示例”等的提及指示了所描述的实施例可包括特定的特征、结构或特性，但每个实施例可能不一定包括所述特定的特征、结构或特性。而且，这些短语不一定指的是相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，应理解，结合无论是否被明确描述的其它实施例而实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内。

在更为详细地描述这些实施例之前，提出一个可以实施本公开的实施例的示例环境是有指导意义的。

示例性的反射式和透射式光刻系统

图1A和1B分别是光刻设备100和光刻设备100′的示意图，其中可以实施本公开的实施例。光刻设备100和光刻设备100′各自包括以下：照射系统(照射器)IL，其被配置成调节辐射束B(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT，其被配置成支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版、或动态图案形成装置)MA并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置成精确地定位图案形成装置MA；和，衬底台(例如，晶片台)WT被配置为容纳衬底(例如，抗蚀剂涂层晶片)W并且连接到第二定位器PW，所述第二定位器PW被配置成精确地定位所述衬底W。光刻设备100和100’还具有投影系统PS，所述投影系统PS被配置成将通过图案形成装置MA而被赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如，包括衬底W的一个或更多个管芯)C。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型的。在光刻设备100′中，图案形成装置MA和投影系统PS是透射型的。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型、或其它类型的光学部件、或其任意组合，用以引导、成形、或控制辐射束B。

支撑结构MT以取决于图案形成装置MA相对于参考系的取向、光刻设备100和100′中至少一个的设计、以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中的其他条件的方式保持所述图案形成装置。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的、或其它夹持技术以保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要为固定的或可移动的。通过使用传感器，所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS位于所期望的位置处。

术语“图案形成装置”MA应该被广义地解释为表示能够用于在辐射束 B的横截面上赋予辐射束图案、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予至辐射束B的图案可以对应于目标部分C中创建的器件中的特定功能层，以形成集成电路。

所述图案形成装置MA可以是透射型的(如图1B的光刻设备100′中的)或反射型的(如图1A的光刻设备100)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以单独地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由小反射镜的矩阵所反射的辐射束B。

术语“投影系统”PS可以包括任何类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、反射折射型光学系统、磁性型光学系统、电磁型光学系统和静电型光学系统、或其任意组合，诸如对于所使用的曝光辐射或者对于诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空之类的其他因素合适的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其他气体可以吸收过多的辐射或电子。因此，借助于真空壁和真空泵，可以为整个束路径提供真空环境。

光刻设备100和/或光刻设备100′可以是可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。在一些情况下，附加的台可能不是衬底台WT。

参照图1A和1B，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当所述源SO为准分子激光器时，所述源SO和光刻设备100、100′可以是单独的物理实体。在这种情况下，不认为所述源SO形成光刻设备100或 100′的一部分，且借助于束传递系统BD将辐射束B从源SO传递至照射器IL，所述束传递系统BD包括例如适合的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，例如当所述源SO为汞灯时，所述源SO可以是所述光刻设备100、100′的组成部分。可以将源SO和照射器IL以及需要时设置的束传递系统BD一起称为辐射系统。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器 AD(在图1B中)。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。此外，照射器IL可以包括各种其他部件(在图1B中)，诸如，积分器IN 和聚光器CO。所述照射器IL可以用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。

参见图1A，辐射束B入射到被支撑在支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由图案形成装置MA进行形成图案。在光刻设备100中，辐射束B被图案形成装置 (例如掩模)MA反射。在从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉装置、线性编码器、或电容式传感器)，可以精确地移动衬底台WT(例如，以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1可用于相对于辐射束B的路径精确地定位所述图案形成装置(例如掩模)MA。可使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。

参见图1B，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台MT)上的图案形成装置(例如，掩模MA)，并且由图案形成装置进行图案形成。在已穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统将束聚焦到衬底W的目标部分C上。投影系统具有与照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。部分辐射源于照射系统光瞳IPU处的强度分布，并且穿过掩模图案而不受掩模图案处衍射的影响，并且在照射系统光瞳 IPU处创建强度分布的图像。

借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，(例如，以便将不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中)。类似地，(例如，在从掩模库进行机械获取之后或在扫描期间)可以将第一定位器PM和另一个位置传感器(图B1中未示出)用于相对于辐射束B的路径准确地定位掩模MA。

通常，可以借助于构成所述第一定位器PM的部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现掩模版平台或掩模台MT的移动。类似地，可以采用构成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进器的情况下(与扫描器相反)，掩模版平台或掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以通过使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模 MA和衬底W。尽管(所示的)衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分(公知为划线对准标记)之间的空间中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

掩模版平台或掩模台MT和图案形成装置MA可位于真空腔室中，在真空腔室中，真空中的机器人IVR可用于将图案形成装置(诸如掩模或掩模版)移入和移出真空腔室。替代地，当掩模版平台或掩模台MT和图案形成装置MA在真空腔室外部时，真空外的机器人可用于各种传输操作，类似于真空中的机器人IVR。真空中和真空外的机器人两者都需要进行校准，以用于将任何有效载荷(例如，掩膜)平稳地转移到转运站的固定运动学支座上。

所述设备100和100′可以以下列模式中的至少一种模式使用：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT 和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT 沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT 和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS 的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如，掩模版平台或掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如，可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可采用所描述使用模式的组合和/或变型，或完全不同的使用模式。

在另一实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，其被配置为产生用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，EUV源被配置在辐射系统中，并且对应的照射系统被配置为调节EUV源的EUV辐射束。

图2更详细地示出所述光刻设备100，包括源收集器设备SO、照射系统IL、和投影系统PS。源收集器设备SO被构造和布置成使得可以在所述源收集器设备SO的封闭结构220中维持真空环境。发射EUV辐射的等离子体210可以由放电产生的等离子体源形成。EUV辐射可由气体或蒸汽产生，例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中产生非常热的等离子体210 以在电磁频谱的EUV范围内发射辐射。例如通过放电导致至少部分地电离的等离子体，来产生极热的等离子体210。例如，为了有效地产生辐射，可能需要Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合适的气体或蒸汽的10Pa的分压。在实施例中，提供受激发锡(Sn)等离子体以产生EUV辐射。

由热等离子体210发射的辐射经由定位于源腔室211中的开口中或后面的可选的气体屏障或污染物捕集器230(在一些情况下也称为污染物屏障或箔捕集器)从源腔室211进入收集器腔室212。所述污染物捕集器230 可以包括通道结构。污染物捕集器230还可以包括气体屏障、或气体屏障与通道结构的组合。在本文中进一步指示的所述污染物捕集器或污染物屏障230至少包括通道结构。

所述收集器腔室212可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以被光栅光谱滤波器240反射离开，以被聚焦在虚拟源点IF中。所述虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且所述源收集器设备布置成使得所述中间焦点IF位于所述封闭结构220中的开口219处或附近。所述虚拟源点IF是发射辐射的等离子体210的图像。光栅光谱滤波器240尤其是用于抑制红外(IR)辐射。

随后，所述辐射穿过所述照射系统IL，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，它们被布置成在所述图案形成装置MA处提供所述辐射束221的所需的角分布，以及在所述图案形成装置MA处提供所需的辐射强度均匀性。当辐射束221在由所述支撑结构MT保持的所述图案形成装置MA处被反射时，形成了图案化的束 226，并且图案化的束226由所述投影系统PS经由反射元件228、230成像到由晶片平台或衬底台WT所保持的衬底W上。可以被包含在环境258 中的支撑结构MT和图案形成装置MA与配置成在环境258中产生真空压力的一个或更多个泵260以流体连通的方式连接。

通常，在照射光学器件单元IL和投影系统PS中可以存在比所示元件更多的元件。光栅光谱滤波器240可以可选地存在，这取决于光刻设备的类型。此外，可能存在比图中所示反射镜更多的反射镜，例如，与图2中所示相比，在所述投影系统PS中可能存在1至6个额外的反射元件。形成照射光学器件单元IL和投影系统PS的外壳可以与配置成在其中注入气体的一个或更多个气体供给256以流体连通的方式耦接，以创建保护其中所包含的光学元件的气流。

如图2所图示，收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、 254和255的嵌套式收集器，正如收集器(或收集器反射镜)的示例。所述掠入射反射器253、254和255围绕光轴O沿轴向对称设置，并且这种类型的收集器光学器件CO优选地与放电产生的等离子体源(通常称为DPP源)结合使用。

示例性光刻胞

图3示出光刻胞300，有时也称为光刻元或簇。光刻设备100或100’可以形成光刻胞300的一部分。光刻胞300还可以包括用以在衬底上执行曝光前和曝光后工艺或过程的设备。常规地，这些设备包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用于显影经曝光的抗蚀剂的显影器DE、冷却板CH以及焙烤板BK。衬底输送装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的过程设备之间移动衬底，并且然后将衬底传输到输送光刻设备的进料台LB器。这些设备通常统称为涂覆显影系统或轨道(track)，由涂覆显影系统控制单元或轨道控制单元TCU控制，TCU本身由管理控制系统SCS控制，SCS也经由光刻控制单元LACU控制所述光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。

用于抑制颗粒的示例性系统

本公开的实施例可用于图1A、图1B、图2和/或图3的一个或更多个设备。例如，本公开的实施例可被应用于配置成支撑物体(诸如衬底W和图案形成装置MA)的物体平台(诸如(a)掩模版平台或掩模台MT，或 (b)衬底台WT)。

图4示意性地描绘了掩模版平台400的一个实施例的横截面。掩模版平台400被配置成支撑和移动图案形成装置402，例如掩模版。尽管下面的实施例针对掩模版平台进行讨论，但是这些实施例可以应用于光刻设备 (例如，本公开中所描述的光刻设备100和100’)的其他合适部件(例如，衬底台WT、晶片平台、晶片输送装置、掩模版输送装置、或对颗粒污染物敏感的其他部件)，或其他颗粒敏感设备，诸如量测系统、管、气流导管、或气体导管/管道的盒。本公开的实施例也可应用于任何颗粒敏感设备，以减少不希望的污染物颗粒的数量。

掩模版平台400可被配置成抑制(即，消除或减少)到达第一腔室404 中的图案形成装置402和/或图案形成装置402附近区域的污染物颗粒的量。污染源可以位于例如第二腔室406和第三腔室407中的一个或更多个中，这将在下面更详细地描述。或者例如，污染源可以位于照射系统IL或投影系统PS(例如，上面参考图1A、图1B和图2所描述的照射系统IL或投影系统PS)中，其可被定位于例如下面进一步讨论的开口420下方。

如图4所示，掩模版平台400可以包括相对于彼此能够移动的第一结构408和第二结构410。在一些实施例中，第一结构408是能够移动的，并且第二结构410是固定的。在一些实施例中，第一结构408是固定的，并且第二结构410是能够移动的。并且在一些实施例中，根据需要，第一结构408和第二结构410都是能够移动的或固定的。

第一结构408和第二结构410可以被定位在壳体411内。在一些实施例中，如图4所示，第二结构410是与壳体411分离的部件。在其它实施例(未示出)中，第二结构410是壳体411的部分。壳体411可以限定在真空压力(低于大气压力的压力)的情况下保持的体积。在壳体411内，第一结构408和固定板412可以至少部分地限定第一腔室404，并且第一结构408和第二结构410中的一个或更多个可以至少部分地限定至少第二腔室406和第三腔室407。在一些实施例中，第二腔室406完全围绕第一结构408延伸。

在一些实施例中，如图4所示，固定板412是壳体411的部分。在其它实施例(未示出)中，固定板412是定位于壳体411内的单独部件。

在一些实施例中，第一结构408和第二结构410相对彼此以能够移动地耦接(例如，使用磁悬浮)，使得(a)在第一结构408和固定板412之间形成间隙414，和(b)在第一结构408和第二结构410之间形成间隙 416。在一些实施例中，间隙414在第一腔室404与第二腔室406之间延伸，且间隙416在第二腔室406与第三腔室407之间延伸。在一些实施例中，介于第一腔室404与第二腔室406之间的边界由间隙414限定，且介于第二腔室406与第三腔室407之间的边界由间隙416限定。

根据一些实施例，第一腔室404、第二腔室406和第三腔室407中的每一个可以被保持处于真空压力，即低于大气压力的压力。例如，所述真空压力可在从约0.1Pa至约8.5Pa的范围内。在一些示例中，所述真空压力可在从约0.5Pa至约8.5Pa的范围内。例如，所述真空压力可在从约1.5 Pa至约8.5Pa的范围内。在一些示例中，所述真空压力可在从约2Pa至约5Pa的范围内。在一些示例中，所述真空压力可在从约2Pa至约3Pa 范围内。在一些实施例中，第一腔室404中的压力P₄₀₄可与第二腔室406 中的压力P₄₀₆和/或第三腔室407中的压力P₄₀₇相似或不同。例如，第一腔室404中的压力P₄₀₄可以大于第二腔室406中的压力P₄₀₆，第二腔室406 中的压力P₄₀₆可以大于第三腔室407中的压力P₄₀₇。例如，第三腔室407 中的压力P₄₀₇可以在从约0.25Pa至约1Pa的范围内，第二腔室406中的压力P₄₀₆可以在从约2Pa至约3Pa的范围内，第一腔室404中的压力P₄₀₄可以在从约4.0Pa至约6.0Pa的范围内。

在一些实施例中，第三腔室407、第一结构408和第二结构410可以包括或容纳作为污染物颗粒源的源的部件。例如，线缆和软管承载件418 (有时称为线缆板)被定位于第三腔室407内。线缆和软管承载件418可以配置呈卷绕环(rolling ring)配置，并且线缆和软管承载件418可以容纳电线和/或流体软管(例如，液体和气体软管)，其将第二结构410电耦接和/或以流体连通的方式耦接至第一结构408。线缆和软管承载件418可以具有用于容纳和/或支撑线缆和/或软管的任何合适配置。线缆和软管承载件可以在没有机械铰链的情况下是不分段的，或者在一些实施例中，利用机械铰链分段。线缆和软管承载件418可能是污染物颗粒的来源。当第一结构408移动以定位图案形成装置402时，线缆和软管承载件418也移动。线缆和软管承载件418的移动可产生污染物颗粒，污染物颗粒可经由间隙416从第三腔室407移动到第二腔室406。并且第二腔室406中的污染物颗粒可以经由间隙414从第二腔室406移动到第一腔室404。

在一些实施例中，可以将间隙414和间隙416中的一个或两者配置为充当抑制(即，消除或减少)从第二腔室406和第三腔室407到达第一腔室404中的图案形成装置402和/或图案形成装置402附近区域的污染物颗粒的量的密封。例如，间隙414可以具有大约2.0毫米或更少的高度422 (即，介于(a)第一结构408的面对第二固定板412的表面424与(b) 固定板412的面对第一结构408的表面426之间的距离)。并且例如，间隙416可以具有约2.0毫米或更少的高度428(即，介于(a)第二结构 410的面向第一结构408的表面430与(b)第一结构408的面向第二结构 410的表面432之间的距离)。移动通过间隙414和416的污染物颗粒在相应的表面424、426、430和432之间碰撞反弹。这种碰撞反弹导致颗粒失去能量和速度，这使得颗粒能够粘在相应的表面424、426、430和432上，或者减缓到允许气体流动穿过间隙414和416的量或程度(例如，由于在相应的腔室404、406、和408中的压力差)以将颗粒往回推向相应的腔室 406和407。因此，间隙414和416充当密封，其消除或减少分别从第二腔室406和第三腔室407到达第二腔室406和第一腔室404(例如，第一腔室404中的图案形成装置402和/或图案形成装置402附近区域)的污染物颗粒的量。值得注意的是，为了便于图示，间隙高度422和间隙高度428 没有按比例绘制，并且因此，相对于掩模版平台400的其它部件，间隙高度422和间隙高度428的所图示的大小没有按比例绘制。

在一些实施例中，间隙414还被配置成维持第一腔室404的压力P₄₀₄和第二腔室406的压力P₄₀₆之间的压力差，该压力差最小化从腔室404到腔室406的气流。因此，在一些实施例中，间隙高度422被最小化，并且水平长度434被最大化。例如，在一些实施例中，间隙高度422在从约2毫米到约4毫米的范围内，且长度434为约100毫米。

在一些实施例中，第一结构408的表面424可以从第一结构408向内 (例如，朝向第一腔室404)或向外(例如，远离第一腔室404)延伸和/ 或突出。在一些实施例中，密封可以完全地或部分地围绕第一腔室404的周缘延伸。密封可以具有沿扫描方向(例如，Y轴)和沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)的相似或不同的长度。在非限制性示例中，密封可以沿扫描方向(例如，Y轴)比沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴) 更长。在一些实施例中，第一结构408的表面432可以从第一结构408向内(例如朝向第三腔室407)或向外(例如远离第三腔室407)延伸和/或突出。在一些实施例中，这种密封可以完全地或部分地围绕第三腔室407 的周缘延伸。密封可以具有沿扫描方向(例如，Y轴)和沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴)的相似或不同的长度。在非限制性示例中，密封可以沿扫描方向(例如，Y轴)比沿横向于扫描方向的方向(例如，X轴) 更长。

在一些实施例中，间隙414可以具有长度434，其中第一结构408的表面424邻近固定板412的表面426。例如，间隙414的长度434可以为约50至350毫米。例如，间隙414的长度434可以为约70至320毫米。例如，间隙414的长度434可以为约75至315毫米。在一些实施例中，间隙416可以具有长度436，其中第一结构408的表面432邻近第二结构 410的表面430。例如，间隙416的长度436可以为约50至350毫米。例如，间隙416的长度436可以为约70至320毫米。例如，间隙416的长度436可以为约75至315毫米。然而，注意到这些是示例性尺寸，并且本公开的实施例不限于这些示例。

在一些实施例中，在扫描方向上(例如，沿着图4中的Y轴)介于(a) 表面424的内边界(即图4中所图示出的长度434的右端点)与(b)开口420的外周缘之间的距离435比第二结构408在扫描方向上(例如，沿着图4中的Y轴)的运动范围的一半更大。如此，在第二结构408在扫描方向上的正常操作运动期间，由间隙414形成的密封长度434是恒定的，这可以有助于维持介于第一腔室404的压力P₄₀₄与第二腔室406的压力 P₄₀₆之间的压力差。例如，如果第二结构408在正常操作期间沿扫描方向的行程为大约+/-150毫米，则距离435可以大于约150毫米。

在一些实施例中，扫描方向上(例如，沿着图4中的Y轴)的距离 435小于第二结构408在扫描方向上(例如，沿着图4中的Y轴)的运动范围。如此，由间隙414形成的密封长度434将在第二结构408在所述扫描方向上的正常操作运动期间变化，因为表面424的一部分在Z方向上重叠开口420。例如，如果第二结构408在正常操作期间沿所述扫描方向的行程为大约+/-150毫米，则距离435可以小于约150毫米。

在一些实施例中，第一结构408、第二结构410和固定板412各自由金属制成，例如，不锈钢、镀镍铝、或任何其他合适的金属。在一些实施例中，第一结构408、第二结构410和固定板412各自由任何合适的塑料或其他材料制成。第一结构408和第二结构410可以包括相同或不同的材料。

在一些实施例中，图案形成装置402被安装到第一结构408，使得第一结构408可以在第一腔室404内移动图案形成装置402。根据一些实施例，第一结构408可以在扫描方向(例如，沿图4中的Y轴)和横向于扫描方向的方向上(例如图4中的X轴)移动图案形成装置402。

在一些实施例中，第一结构408包括第一部分438和相对于第一部分 438能够移动的第二部分440。在一些实施例中，图案形成装置402可以被安装到第二部分440。在一些实施例中，第二部分426可以是配置成支撑和移动图案形成装置402的卡盘。

根据一些实施例，第二部分440可以是支撑图案形成装置402的掩模版平台400的短行程模块(精细定位)。第二部分440可以耦接到第一部分438，使得第二部分440可以相对于第一部分438移动，但是也由第一部分438驱动。在非限制性示例中，第二部分440通过一个或更多个致动器(未示出)耦接到第一部分438，所述致动器(诸如马达)被配置成相对于第一部分438移动第二部分440。在一些实施例中，第二部分440可以在扫描方向上(例如，图4中的Y轴)和在横向于扫描方向的方向上(例如图4中的X轴)移动。根据一些实施例，第一部分438可以是掩模版平台400的长行程模块(粗略定位)，其被配置成相对于第一结构408移动，由此移动第二部分440和图案形成装置402。在一些实施例中，第一部分 438可以在扫描方向上(例如，图4中的Y轴)和在横向于扫描方向的方向上(例如图4中的X轴)移动。根据一些示例，在比第一部分438相对于第二结构410的运动范围的小的运动范围上，第二部分440可以相对于第一部分438移动。短冲程和长冲程模块仅分别是部件438和440的示例，且其他结构可用作部件438和440。此外，上面讨论的部件438和440的运动是示例性运动，并且本公开的实施例可以包括其他方向和运动范围。

再次，第三腔室407可以至少部分地由固定的第二结构410和能够移动的第一结构408限定。如图4所示，固定的第二结构410还可以限定一个或更多个线缆和软管承载件418通过的开口442。根据一些示例，配置成产生负压的至少一个泵444(诸如抽吸泵、真空泵等)可以在操作上耦接到第三腔室407(例如，在第二结构410的上部处)以在第三腔室407、第二腔室406、和第一腔室404中产生真空压力。由泵444产生的流量也可从第三腔室407中抽取出颗粒。在一些示例中，泵444可以位于壳体411 外部，并且在操作上经由导管446耦接到第三腔室407，如图4所示。在一些实施例(未示出)中，泵444可以在壳体411内部并且在操作上耦接到第二腔室406。根据一些示例，线缆和软管承载件418可以包括耦接到泵444的一个或更多个软管。

尽管泵444被图示出在壳体411的远离开口442的一侧，但在一些实施例中，泵430可位于其它位置处，例如靠近开口442和/或接近颗粒污染物的源。在泵444定位成靠近开口442和/或靠近颗粒污染物的源的一些实施例中，气流的速度最大化。

在一些实施例中，固定板412限定开口420，该开口420被配置成允许辐射从照射系统IL传递到图案形成装置402并且返回到投影系统PS。

在一些实施例中，开口420被配置(例如，尺寸形成、成形和定位) 成允许机器人掩模版交换装置470将安装至第一结构408的第二部分440 的一个图案形成装置402与另一个图案形成装置402交换。例如，开口420 的尺寸大于图案形成装置402的尺寸。在一些实施例中，当图案形成装置 402为大约152毫米×152毫米时，开口420的尺寸沿所述Y轴和所述X轴大于152毫米×152毫米。

颗粒污染物可经由开口420从照射系统IL和投影系统PS行进到第一腔室404内。在一些实施例中，掩模版平台400可以包括一个或更多个气体入口，其被配置成将气体注入至第一腔室404或注入至第一腔室404附近以产生气流，该气流抑制来自照射系统IL和投影系统PS的颗粒污染物经由开口420进入第一腔室404。

图5示出了一个这样的实施例，其具有一个或更多个气体入口，该一个或更多个被配置成将气体注入第一腔室404内以抑制自照射系统IL和投影系统PS行进的分子的和颗粒的污染物。如图5所示，多个气体入口 558被设置于固定板412上。气体入口558被配置为将气体注入第一腔室 404内，以产生在远离图案形成装置402、通过开口420、并且朝向照射系统IL和投影系统PS的方向上的气流560。气流560可以在通过开口420 朝向图案形成装置402的方向移动的颗粒污染物上产生阻力或拖曳力。从气流560施加的该阻力或拖曳力可以抑制经由开口420进入第一腔室404 内的颗粒污染物。

在一些实施例中，气体入口558可以由板412一体地形成，或者在一些实施例中，气体入口558可以是耦接到板412的单独部件。气体入口558 可以是图5所示的一些实施例中的简单的开口，或者是一些实施例中的喷嘴(未示出)。

在一些实施例中，第一结构408被配置(例如，尺寸形成和成形为) 成使得第一结构408的限定间隙414的部分从不与开口420重叠，并且因而，在掩模版平台400的普通操作期间不会暴露于辐射。例如，在一些实施例中，第一结构408的限定间隙414的部分被定位在第一结构408的横向侧处。

图6图示出了具有一个或更多个气体入口的另一个实施例，该一个或更多个气体入口被配置成将气体注入第一腔室404内以抑制从照射系统IL 和投影系统PS行进的分子的和颗粒的污染物。如图6所示，多个气体入口664被设置在第一可移动结构408上，具体地，在第一结构408的第一部分438上。气体入口664被配置为将气体注入第一腔室404内，以产生在远离图案形成装置402、通过开口420、并且朝向照射系统IL和投影系统PS的方向上的气流666。气流666可以在通过开口420朝向图案形成装置402的方向上移动的分子的和颗粒的污染物上产生阻力或拖曳力，这些阻力或拖曳力可以抑制分子的和颗粒的污染物经由开口420进入第一腔室404。

在一些实施例中，气体入口664可以由第一结构408一体地形成，或者在一些实施例中，气体入口664可以是耦接到第一结构408的单独部件。在一些实施例中，气体入口664可以是简单的开口，或者在一些实施例中是喷嘴。

第一结构408还可以包括一个或更多个导管668，该一个或更多个导管668将气体入口664以流体连通的方式连接到气体源。在一些实施例中，导管668耦接到线缆和软管承载件418中的一个或更多个流体软管。导管 668在一些实施例中可以由第一结构408一体地形成，或者在一些实施例中可以是耦接到第一结构408的单独部件。

在一些实施例(未示出)中，配置成将气体注入第一腔室404内以抑制从照射系统IL和投影系统PS行进的分子的和颗粒的污染物的气体入口可以被设置在除了板412或可移动结构408的第一部分438之外的部位处。

在一些实施例中，掩模版交换不发生通过由固定板412限定的、辐射穿过的相同开口420。相反，如图7所示，例如，固定板412可以限定另一开口772，该开口772被配置成(例如，尺寸形成为、成形为和定位成) 允许机器人掩模版交换装置470用另一个图案形成装置402交换安装到第一结构408的第二部分440上的一个图案形成装置402。开口772的尺寸大于图案形成装置402的尺寸。例如，在一些实施例中，当图案形成装置 402为大约152毫米×152毫米时，开口772沿Y轴和X轴的尺寸大于152 毫米×152毫米。

在一些实施例中，掩模版平台400还可以包括覆盖开口772的可移动盖板件774。但在一些实施例中可以省略盖板件774。在一些实施例中，盖板件774可以与固定板412的表面426齐平，或者在一些实施例中，盖板件774可以从固定板412的表面426凹陷。盖板件774能够在覆盖开口 772的第一位置(如图7所示)和不覆盖开口772的第二位置(未示出) 之间移动，从而使得掩模版交换装置能够接入第一结构408的第二部分 440(当与开口772对准时)和接入与其耦接的图案形成装置402。

因为掩模版交换不通过开口420进行，所以开口420的大小相对于通过开口420发生掩模版交换的实施例可以减小，这继而增加了介于表面 424的内边界(即，图4中所示的长度434的右端点)与开口420的外周缘之间的距离435。因而，无论第一结构408和开口420之间的相对位置如何，介于固定板412与第一结构408的表面424之间的空间主要地是恒定的。

尽管在图7中，盖板件774被图示为与掩模版交换装置470分离的部件，但在一些实施例中，盖板件774可以是掩模版交换装置470的一部分。例如，盖板件774可以是充当“虚拟掩模版”的掩模版交换装置470的机械臂的一部分，而掩模版交换装置470的其他机械臂支撑其他图案形成装置 402。

第二开口772和盖板件774可以被合并到任何所披露的实施例中。

图12示出了具有盖板件1214的另一实施例。但与图7的实施例中覆盖由固定板412所限定的第二开口的盖板件774不同，盖板件1214覆盖开口420的一部分。如图12所示，由固定板412限定的开口420的尺寸大于图案形成装置402的尺寸。例如，在图案形成装置402为沿y轴和x 轴大约152毫米×152毫米的一些实施例中，开口420本身的尺寸沿所述 Y轴和所述X轴大于大约152毫米×152毫米。但是，当可移动的盖板件 1214覆盖如图12所示的开口420的一部分时，有效开口的尺寸小于图案形成装置402的尺寸，例如，小于大约152毫米×152毫米。

在一些实施例中，盖板件1214可以与固定板412的表面426齐平，或者在一些实施例中，盖板件1214可以从固定板412的表面426凹陷。盖板件1214能够在开口420的部分被覆盖的第一位置(如图12所示)与开口772完全或基本被覆盖的第二位置(未示出)之间移动，由此使得掩模版交换装置能够接入第一结构408的第二部分440(当与开口772对准时)和接入与其耦接的图案形成装置402。

在一些实施例中，在所述扫描方向上(例如，沿图12中的Y轴)在表面424的内边缘与盖板件1214的内边缘之间(即有效开口的外周缘) 之间的距离1216大于第二结构408在所述扫描方向上(例如，沿着图12 中的Y轴)的运动范围的一半。如此，在第二结构408在所述扫描方向上的正常操作运动期间，由间隙414形成的密封长度434是恒定的。这样的配置可以有助于维持第一腔室404的压力P₄₀₄和第二腔室406的压力P₄₀₆之间的压力差。例如，如果第二结构408在正常操作期间沿所述扫描方向的行程为大约+/-150毫米，则距离1216可以大于约150毫米。

此外，颗粒污染物可经由开口420从照射系统IL和投影系统PS行进到第一腔室404。分子的和颗粒的污染物可经由开口420从第一腔室404 朝向照射系统IL和投影系统PS行进。在一些实施例中，具有掩模版平台 400的光刻设备801可以包括一个或更多个气体入口，该气体入口被配置成在照射系统IL和投影系统PS两者与固定板412之间的位置处注入气体，以产生多个气流，该多个气流被配置成抑制从照射系统IL和投影系统PS 行进的、经由开口420进入第一腔室404的分子的和颗粒的污染物，并且该多个气流被配置成抑制从第一腔室404行进的、经由开口420进入照射系统IL和投影系统PS的分子的和颗粒的污染物。

图8图示了一个这样的实施例。如图8所示，光刻设备801可以包括封装结构876。封装结构876在照射系统IL和投影系统PS两者与固定板 412之间延伸，如图8所示。封装结构876围封(即包围)从照射系统IL 到图案形成装置402，然后到投影系统PS的辐射路径。图2中还示出了示例性辐射路径。在一些实施例中，封装结构876限定如图8所示的基本上呈角锥形的截头椎体体积880，其对应于从照射系统IL到图案形成装置402，然后到投影系统PS的基本上呈圆锥形的辐射路径。在其他实施例中，封装结构876限定了其它形状的内部体积880，诸如圆锥截头椎体形状。

封装结构876可以包括至少一个气体入口878和至少一个气体排放装置882，所述至少一个气体入口878配置成将气体注入体积880中，至少一个气体排放装置882配置成从体积880移除气体。尽管图8中示出了仅一个气体入口878，但是封装结构876可以包括两个或更多个气体入口878 (例如，封装结构876的壁上的与图8中示出的气体入口878相对的另一个气体入口)。气体入口878经由一个或更多个导管884以流体连通的方式连接至气体源。在一些实施例中，气体入口878定位于照射系统IL和投影系统PS两者与气体排放装置882之间，气体排放装置882定位于气体入口878与由固定板412限定的开口420之间。

在一些实施例中，气体入口878可以通过封装结构876一体地形成，或者在一些实施例中，气体入口878可以是耦接到封装结构876的分离的部件。每个气体入口878可以是单个开口(例如，沿X轴延伸的狭缝或信箱开口，或围绕封装结构876的整个周缘延伸的开口)、多个开口(例如，双狭缝或信箱开口，或围绕封装结构876的整个周缘延伸的双开口)，或一些实施例中的喷嘴。

气体入口878和气体排放装置882可以配置成(例如，尺寸形成为、成形为、定位成、被注入和去除流速，等等)产生多个气流，该多个气流抑制从照射系统IL和投影系统PS经由开口420朝向第一腔室404行进的分子的和颗粒的污染物，并且抑制从第一腔室404经由开口420进入照射系统IL和投影系统PS的分子的和颗粒的污染物。

例如，如图8所示，气体入口878被配置成在照射系统IL和投影系统PS两者与气体入口878之间创建第一区域886。在第一区域886中，气体在从气体入口878朝向照射系统IL和投影系统PS两者的方向上流动。在区域886中的此气流抑制了从照射系统IL和投影系统PS行进的分子的和颗粒的污染物进入区域886(并且继而抑制了进入容纳图案形成装置402的第一腔室404)。在一些实施例中，照射系统IL和投影系统PS中的一个或两者可被以流体连通的方式连接到气体源(例如，图2中的气体源256)，该气体源产生从照射系统IL和投影系统PS流出并且朝向第一腔室404的气流891。区域886中的气流抑制由从照射系统IL和投影系统PS中的一个或两者流出的气流891所携载的任何分子的和颗粒的污染物。

气体入口878和气体排放装置882被配置成在气体入口878与气体排放装置882之间创建第二区域888。在第二区域888中，气体在从气体入口878朝向第一腔室404的方向上流动，并且流出气体排放装置882。区域888中的此气流方向抑制从第一腔室404行进的分子污染进入区域888 (并且因此抑制进入照射系统IL和投影系统PS)。

气体排放装置882和气体入口664被配置成在由固定板412限定的开口420与气体排放装置882之间创建第三区域890。在第三区域890中，气体在流出开口420朝向照射系统IL和投影系统PS的方向上流动，并且从气体排放装置882排出。区域890中的此气流抑制从照射系统IL和投影系统PS朝向第一腔室404行进的颗粒污染物进入第一腔室404。

在一些实施例中，气体入口878、气体排放装置882和气体入口664 被配置成使得区域888和区域890中的气流速度被平衡，以确保区域888 中向上加速的任何颗粒污染物被区域890中的气流抑制，从而阻止进入第一腔室404。

共同参考图2和8，第一腔室404中的压力可以大于体积880(包括区域886、888和890)中的平均压力。并且体积880中的平均压力可以大于包括照射系统IL和投影系统PS的环境。图9示出了根据这些实施例的一个这样的真空系统的图和所得到的净气流方向。

在一些实施例中，封装结构876限定体积892，该体积892被配置为容纳机器人掩模版交换装置470的至少一部分。当机器人掩模版交换装置 470的部分被容纳在体积892中时，机器人掩模版交换装置470的部分与开口772对准，由此允许机器人掩模版交换装置470(当与开口772对准时)交换安装在第一结构408上的图案形成装置402。

在一些实施例中，封装结构876限定一个或更多个开口894，该一个或更多个开口894被配置成允许一个或更多个阻光元件进入体积880，所述阻光元件被配置成选择性地阻挡穿过所述体积880的辐射的一部分。例如，图8中的开口894可以被配置成允许一个或更多个掩模版遮蔽刀片896 (有时被称为REMA刀片)进入体积880并且阻挡穿过该体积的辐射的一部分，例如，以使得图案形成装置402上的管芯周围的无图案暗区域避开曝光光线。开口894也可以被配置成允许一个或更多个空间均匀性或非均匀性刀片898(有时被称为Unicom)来控制穿过该处的辐射的均匀性。在一些实施例中，开口894的尺寸被形成为使得介于限定开口894的表面和REMA刀片896和Unicom 898之间的任何间隙施加足够的气流阻力，以便不干扰在体积880的区域886、888和890中的上述气流。

尽管气体入口664设置在图8中的第一结构408上，但在一些实施例中，一个或更多个气体入口可以与图5中的气体入口558类似地被设置在固定板上，或任何其他合适部位上。

如图8所示，气体可以从照射系统IL和投影系统PS泄漏到介于照射系统IL和投影系统PS两者与固定板412之间的环境258(如上面参考图 2所描述)的一部分中去。例如，气体可以从在环境258中介于反射镜装置222与224(如上面所述参考图2)与封装结构876之间的接缝泄露，由此产生朝向第一腔室404的气流8100。因此，在一些实施例中，光刻设备801可以包括第二固定板1002，该第二固定板1002在第一腔室404中的图案形成装置402与气流8100之间提供附加的屏障，如图10所示。板 1002可以限定封装结构876穿过的开口1004。板1002被定位于照射系统 IL和投影系统PS两者与固定板412之间。在一些实施例中，第二板1002 被定位于气体入口878与固定板412之间。在一些实施例(未示出)中，第二板1002被定位于气体排放装置882与固定板412之间。在一些实施例中(未示出)，板1002被定位于照射系统IL和投影系统PS两者与气体入口878之间。

在一些实施例(如图10所示)中，封装结构876由多个单独的段1006 制成，这些段1006限定了它们之间的间隙1008。间隙1008可以创建从照射系统IL和投影系统PS朝向第一腔室404中的图案形成装置402的不希望的颗粒传输路径。如图10所示，第二固定板1002可以在从间隙1008 (例如，介于第二固定板1002与照射系统IL和投影系统PS之间的间隙1008)流出的气体与第一腔室404中的图案形成装置402之间提供附加的屏障。在一些实施例中，第二固定板1002包括固定到照射系统IL的第一部分、和固定到投影系统PS的第二部分。在一些实施例中，固定板1002 由单一材料制成，这使得对固定板8102进行清洁比对可以由许多不同的材料制成的照射系统IL和投影系统PS进行清洁更容易。在一些实施例中，固定板1002由金属制成，例如，不锈钢、镀镍铝、或任何其他合适的金属。在一些实施例中，固定板1002由塑料或任何其他合适的材料制成。

在一些实施例中，光刻设备801还包括静电除尘器1010，该静电除尘器1010被配置成捕获任何污染物颗粒。在一些实施例中，静电除尘器1010 可被定位于封装结构876外部的环境258内，并且介于固定板1002和固定板412之间。静电除尘器1010可被配置成捕获保留在封装结构876外部的环境258中的任何颗粒。由于静电除尘器1010被定位于封装结构876 外部的环境258的通常黑暗区域中，因此不管在封装结构内存在任何EUV 辐射(其可降低静电除尘器性能)，静电除尘器1010仍然有效。

在一些实施例中，间隙1008被配置为每个具有可变的有效间隙高度 (即，沿横向于气流方向的方向的间隙尺寸的总和)。例如，间隙1008中的一个或更多个可以各自被配置为具有第一配置和第二配置，第一配置具有第一有效间隙高度，第二配置具有第二有效间隙高度，第二有效间隙高度小于第一有效间隙高度。在一些实施例中，例如，间隙1008中的一个或更多个可以每个被配置成具有第一配置和第二配置，在第一配置的情况下的最小有效间隙高度为至少约10毫米，在第二配置的情况下的最小有效间隙高度为至多大约4毫米。例如，在间隙1008的第一配置中，封装结构876可以被组装或维修，并且在间隙1008的第二配置中，相对于所述第一配置，从由封装结构876限定的体积880行进到环境258的气流1317被减少。图13A、13B、14A、14B、15A和15B示出了被配置为具有可变有效间隙高度的间隙1008的各种实施例。

图13A和13B分别图示了根据实施例的间隙1008的第一配置和第二配置。间隙1008被限定在封装结构876的第一段1006A与第二段1006B 之间。气流1317可以从由封装结构876限定的体积880行进穿过间隙1008 至环境258。间隙1008包括至少第一间隙部分1318(例如，邻近于环境 258的部分)和被配置成接收能够移动的物体1324的第二间隙部分1320。如图13A所示，第一配置中的间隙1008(包括间隙部分1318和间隙部分 1320)的最小有效间隙高度可以是第一间隙部分1318的间隙高度1322。在一些实施例中，间隙高度1322为至少大约10毫米，由此允许维修和组装封装结构876。间隙部分1320被配置成接收物体1324，使得物体1324 可以被插入间隙部分1320以及从间隙部分1320移除。在间隙1008的第二配置中，物体1324被插入间隙部分1320中。例如，可移动物体1324 可以沿横向于气流1317方向的方向(例如沿图13A和13B中的X轴)被平移到间隙部分1320内。

在一些实施例中，如图13A和13B所示，间隙部分1320在Y-Z平面中可以是基本上圆形的。并且间隙部1320可以具有直径1326。在其它实施例中，间隙部分1320可以在所述Y-Z平面上具有非圆形横截面形状(例如矩形)。

可移动物体1324被配置(即，被支撑、被定位、被成形和尺寸形成) 为沿横向于气流1317方向的方向(例如沿图13A和13B中的X轴)插入到间隙部分1320中。在一些实施例中，沿所述Y-Z平面的物体1324的横截面形状基本上符合间隙部分1320的形状。例如，如图13B所示，物体 1324具有基本上与部分1324的圆形横截面形状一致的圆形横截面形状。如图13B所示，物体1324具有的直径1328小于间隙部分1320的直径1326。因此，当物体1324被插入间隙部分1320内时，间隙部分1320处的间隙 1008的有效间隙高度等于间隙部分1320的直径1326与物体1328的直径 1328之间的差。在一些实施例中，物体1324在间隙部分1320内被居中，由此形成两个小通道1330。每个通道1330具有间隙高度1332。在第二配置，当物体1324被插入间隙部分1320内时，两个间隙高度1332的总和是间隙1008的最小有效间隙高度。在一些实施例中，通道1330的两个间隙高度1332的总和为至多约4毫米(即，约4毫米或更小)。例如，每个间隙高度1332可以约为2毫米。在其它实施例中，每个间隙高度1332 可以小于约2毫米。

第二配置处的间隙1008的最小有效间隙高度小于在第一配置中的间隙1008的最小有效间隙高度。因此，相对于第一配置，在第二配置从通过封装结构876限定的体积880穿过间隙1008到环境258的气流1317被减小。

图14A和14B分别示出根据具有可变有效间隙高度的另一实施例的间隙1008的第一和第二配置。如图14A和14B所示，间隙1008可以包括至少第一间隙部分1418(例如，邻近环境258的部分)和容纳可旋转物体1424的第二间隙部分1420。物体1424被配置为绕横向于气流1317方向的方向的轴线(例如，图14A和14B中绕X轴)在至少两个位置之间旋转。例如，图14A示出在第一位置(即，间隙1008的第一配置)处的物体1424，并且图14B示出在第二位置(即，间隙1008的第二配置)处相对于图14A所示的第一位置绕X轴旋转90度的物体1424。

可旋转物体1424被配置(即被定位、被成形和尺寸形成)为使得在第一配置的间隙1008的最小有效间隙高度大于在第二配置的间隙1008的最小有效间隙高度。在一些实施例中，在第一配置的间隙1008的最小有效间隙高度为至少约10毫米。例如，如图14A所示，第一间隙部分1418 的间隙高度1422可以为至少约10毫米，并且(a)物体1424与段1006A 之间的间隙高度1434和(b)物体1424与段1006B之间的间隙高度1436 的总和为至少约10毫米。在一些实施例中，间隙高度1436本身为至少约 10毫米。

可旋转物体1424还被配置成(即被定位成、被成形为和尺寸形成为) 使得第二配置处的间隙1008的最小有效间隙高度小于第一配置处的间隙 1008的最小有效间隙高度。在一些实施例中，第二配置处的间隙1008的最小有效间隙高度为至多约4毫米(即，约4毫米或更小)。例如，如图 14B所示，在第二配置中，当物体1424相对于图14A的位置绕X轴旋转90度时，物体1424形成两个通道1438，每个通道1438具有间隙高度1440。当物体1424旋转到第二位置(间隙1008的第二配置)时，两个间隙高度 1440的总和是间隙1008的最小有效间隙高度。在一些实施例中，通道1438 的两个间隙高度1440的总和为至多约4毫米。例如，每个间隙高度1440 可以为约2毫米。在其它实施例中，每个间隙高度1440可以为小于约2毫米。

第二配置的间隙1008的最小有效间隙高度小于第一配置的间隙1008 的最小有效间隙高度。因此，相对于第一配置，在第二配置从由封装结构 876限定的体积880行进穿过间隙1008到环境258的气流1317被减小。

图15A和15B分别图示了根据具有可变间隙高度的又一实施例的间隙1008的第一配置和第二配置。此外，在封装结构876的第一段1006A 与第二段1006B之间限定间隙1008。气流1317可以从由封装结构876限定的体积880行进穿过间隙1008至环境258。如图15A和15B所示，间隙1008可以在沿介于环境258与体积880之间的跨度上具有基本恒定的有效间隙高度1522。在一些实施例中，间隙高度1522可以为至少约10毫米。

间隙1008被配置成接纳相对于段1006A和1006B能够移动的物体 1524。物体1524可以被插入间隙1008中以及从间隙1008中移除。当物体1524被插入间隙1008中时，形成间隙1008的第二配置。在一些实施例中，可移动物体1524可以沿横向于气流1317方向的方向(例如，沿图 15A和15B中的X轴)平移到间隙1008内平移和从间隙1008移除。

在一些实施例中，沿所述Y-Z平面的物体1524的横截面形状为矩形 (包括例如正方形)。如图15B所示，物体1324具有比间隙1008的间隙高度1522更小的高度1528。因此，在第二配置中，当物体1524被插入间隙1008内时，间隙1008的最小有效间隙高度等于间隙1008的高度1522 与物体1524的高度1528之间的差。在一些实施例中，物体1524从间隙1008的中心偏移(例如，在Z方向上)。如此，在物体1524与相应的段 1006A和1006B之间形成两个通道1542和1544。通道1542可以具有间隙高度1546，并且通道1542可以具有间隙高度1548。最小有效间隙高度等于间隙高度1546与间隙高度1548的和。在一些实施例中，间隙高度1546 和1548的和为至多约4毫米。例如，间隙高度1546可以为约3毫米，并且间隙高度1548可以为约1毫米。

在其它实施例(未示出)中，物体1528可以在间隙1008中被居中，使得通道1540的间隙高度1546和通道1543的间隙高度1548基本相等。例如，在一些实施例中，间隙高度1546和1548可以各自为约2毫米。在其它实施例中，间隙高度1546和1548可以各自小于约2毫米。尽管关于封装结构876的段之间的间隙讨论了在图13A、13B、14A、14B、15A和 15B中的上述实施例，这些间隙配置可以应用于光刻设备(例如，在本公开中所描述的光刻设备100和100’)的其他部件(例如，衬底台WT、晶片平台、晶片输送装置、掩模版输送装置、或对颗粒污染物敏感的其他部件)的段之间的间隙，或其他颗粒敏感设备(诸如量测系统、管、气流导管、或气体导管/管道的盒)。

在一些实施例中，除了密封间隙414之外，掩模版平台400可以包括从安装图案形成装置402的第一结构408的第二部分440突伸出的多个挡板1112。如此，挡板112沿Y轴被定位成紧邻于图案形成装置402，并且在间隙414和图案形成装置402之间。挡板1112被配置成在可能已穿过间隙414进入第一腔室404的任何颗粒到达图案形成装置402之前铲起或阻挡这些颗粒。在一些实施例中，挡板1112的表面包括微挡板，该微挡板进一步使得腔室404中污染物颗粒的碰撞反弹随机化，这可以增加到达图案形成装置402之前所需的碰撞反弹次数，并且继而增加颗粒在到达图案形成装置402之前停止的概率。也就是说，微挡板形成颗粒捕集器。

在一些实施例中，上述实施例中任何实施例的注入气体包括氢(H₂)。根据一些示例，在本公开的实施例中，氢既可以在EUV曝光期间用作背景气体，也可以用于特别抑制气体注入。另外地或者替代地，具有较重分子或原子种类的气体可以用来增加散射、横截面、和动量传递。例如，氦 (He)、氮(N₂)、氩(Ar)等可用于本发明的实施例中。在一些实施例中，注入的气体基本上没有包含任何颗粒。然而，需要注意的是，这些气体作为示例提供，并且其他气体也可以用在本发明的实施例中。注入气体的这些示例(或其任何组合)可用于上述任一实施例中。在这些实施例中，耦接到气体入口的一个或更多个气体源可以供应该气体。

可使用以下方面来进一步描述实施例：

1.一种光刻设备，包括：

照射系统，被配置成调节辐射束；

第一固定板，限定第一开口并且包含第一表面；以及

掩模版平台，与所述第一固定板一起限定第一腔室，其中：

所述掩模版平台被配置成在所述第一腔室中支撑掩模版，和

所述掩模版平台包括与所述第一固定板的第二表面间隔开的第一表面，由此限定介于第二腔室与所述第一腔室之间的第一间隙，和

所述第一间隙被配置成抑制从所述第二腔室传递到所述第一腔室的污染物的量；以及

投影系统，被配置成将由所述图案形成装置赋予辐射束的图案投影到衬底上，

其中，所述第一固定板位于所述掩模版平台与所述照射系统和所述投影系统之间。

2.根据方面1所述的光刻设备，其中，所述第一间隙还被配置成维持所述第一腔室的压力与所述第二腔室的压力之间的压力差。

3.根据方面1所述的光刻设备，还包括配置成将气体注入所述第一腔室的第一气体入口。

4.根据方面3所述的光刻设备，其中，所述气体入口设置在掩模版平台上，掩模版平台包括气体入口。

5.根据方面3所述的光刻设备，其中所述气体入口设置在第一固定板上。

6.根据方面3所述的光刻设备，还包括：

封装结构，在所述第一固定板与所述照射系统和所述投影系统之间延伸；

其中，所述封装结构围封所述辐射束从所述照射系统到所述掩模版、然后到投影系统的路径；

其中，封装结构包括：

第二气体入口，被配置成将气体注入由所述封装结构限定的体积中，和

介于所述气体入口与所述第一固定板之间的气体排放装置，气体排放装置被配置成从由封装结构所限定的所述体积中除去气体；并且

其中，所述第一气体入口、所述第二气体入口和所述气体排放装置被共同配置为产生：

介于所述第一固定板与所述气体排放装置之间的第一区域，所述第一区域包括流向所述气体排放装置的气体，由此抑制从所述第一区域到所述第一腔室的污染物的量，

介于所述气体排放装置与所述第二气体入口之间的第二区域，所述第二区域包括流向所述气体排放装置的气体，由此抑制从所述第一腔室到所述照射系统和所述投影系统的污染物的量，以及

介于(a)所述第二气体入口与(b)所述照射系统和所述投影系统之间的第三区域，所述第三区域包括流经所述照射系统和所述投影系统的气体，由此抑制从所述照射系统和所述投影系统传递到所述第三区域的污染物的量。

7.根据方面6所述的光刻设备，其中所述封装结构包括多个间隔开的段，所述多个间隔开的段在相邻的段之间形成间隙。

8.根据方面7所述的光刻设备，还包括第二固定板，所述第二固定板限定位于(a)所述第一固定板与(b)照射系统和投影系统两者之间的第二开口，使得所述封装结构穿过所述第二开口。

9.根据方面8所述的光刻设备，还包括位于所述第一固定板与所述第二固定板之间并且在由所述封装结构所限定的体积之外的静电除尘器。

10.根据方面8所述的光刻设备，其中，形成于所述封装结构的相邻段之间的所述间隙每个具有第一配置和第二配置，所述第一配置具有第一有效间隙高度，所述第二配置具有不同于所述第一有效间隙高度的第二有效间隙高度。

11.根据方面10所述的光刻设备，其中：

所述第一配置包括形成于相邻的段之间的相应间隙，而可移动的物体没有插入其中；以及

所述第二配置包括可移动物体插入在形成于相邻的段之间的相应间隙内，由此形成所述第二有效间隙高度。

12.根据方面11所述的光刻设备，其中所述第一有效间隙高度在由所述封装结构所限定的体积与围绕所述封装结构的环境之间是基本恒定的。

13.根据方面11所述的光刻设备，其中，所述物体的横截面形状与形成于所述封装结构的相邻的段之间的相应间隙的一部分的横截面形状基本上相符，其中所述物体被插入到所述相应间隙中。

14.根据方面13所述的光刻设备，其中所述物体的横截面形状和相应间隙的所述部分的横截面形状均为圆形。

15.根据方面10所述的光刻设备，其中：

所述第一配置包括定位在形成于相邻的段之间相应间隙内的第一位置处的可旋转物体，由此形成所述第一有效间隙高度；和

所述第二配置包括可旋转物体被旋转到形成于相邻的段之间的相应间隙内的第二位置，由此形成所述第二有效间隙高度。

16.根据方面1所述的光刻设备，其中所述第一固定板的所述第一开口被配置成允许(a)所述辐射束从照射系统传递到所述掩模版，以及(b) 掩模版交换装置交换由所述掩模版平台所支撑的掩模版。

17.根据方面1所述的光刻设备，其中：

所述第一固定板进一步限定了第二开口，该第二开口被配置成允许掩模版交换装置交换由掩模版平台支撑的掩模版；以及

所述光刻设备还包括可移动的盖板件，其被配置成选择性地覆盖所述第二开口。

18.根据方面1所述的光刻设备，所述光刻设备还包括可移动的盖板件，所述可移动的盖板件被配置成选择性地覆盖所述第一开口的一部分。

19.根据方面1所述的光刻设备，其中，所述掩模版平台还包括挡板，所述挡板突出到介于所述间隙与所述掩模版之间的所述第一腔室中，所述挡板被配置成抑制从所述间隙到所述掩模版的污染物的量。

20.根据方面19所述的光刻设备，其中所述挡板包括多个微挡板，由此形成颗粒捕集器。

21.根据方面1所述的光刻设备，其中所述掩模版平台包括：

第一固定结构，所述第一固定结构包括第三表面；和

第二结构，所述第二结构被配置成支撑所述第一腔室中的所述掩模版，能够相对于所述第一固定结构移动，并且包括与所述第一固定结构的所述第三表面隔开的第四表面，由此限定介于第三腔室与所述第二腔室之间的第二间隙，其中，所述第三间隙被配置成抑制从所述第三腔室到所述第一腔室的污染物的量。

22.根据方面21所述的光刻设备，其中：

所述掩模版平台的所述第二结构包括长行程模块和短行程模块，长行程模块和短行程模块被配置成接收所述掩模版；以及

所述第一表面是所述长行程模块的部分。

23.根据方面1所述的光刻设备，还包括被配置成发射极紫外(EUV) 辐射的辐射源。

24.根据方面1所述的光刻设备，其中所述第一腔室和所述第二腔室各自被配置为保持处于真空压力。

25.根据一种光刻设备，包括：

辐射源，被配置成发射极紫外(EUV)辐射；

照射系统，配置成调节EUV辐射；

第一固定板，限定第一开口并且包括第一表面；以及

掩模版平台，与所述第一固定板一起限定第一腔室，其中：

所述掩模版平台被配置成在所述第一腔室中支撑掩模版，和

所述掩模版平台包括与所述第一固定板的第二表面间隔开的第一表面，由此限定介于第二腔室与所述第一腔室之间的第一间隙，以及

所述第一间隙被配置成抑制从所述第二腔室传递到所述第一腔室的污染物的量；

第一气体入口，配置成将气体注入所述第一腔室；

投影系统，其被配置成将由所述图案形成装置赋予所述辐射束的图案投影到衬底上；以及

封装结构，在(a)所述第一固定板与(b)所述照射系统和所述投影系统两者之间延伸，其中所述封装结构围封从所述照射系统到所述掩模版、然后到所述投影系统的EUV辐射的路径，其中所述封装结构包括：

介于所述气体入口与所述第一固定板之间的气体排放装置，所述气体排放装置被配置成从由所述封装结构所限定的体积中除去气体；

所述第一气体入口、所述第二气体入口和所述气体排放装置被共同配置为产生：

介于所述第一固定板与所述气体排放装置之间的第一区域，包括流向所述气体排放装置的气体，由此抑制从第一区域传递进入所述第一腔室的污染物的量，

介于所述气体排放装置与所述第二气体入口之间的第二区域，包括流向所述气体排放装置的气体，由此抑制从所述第一腔室传递进入所述照射系统和所述投影系统的污染物的量，以及

第三区域，介于(a)所述第二气体入口与(b)所述照射系统和所述投影系统之间，并且包括流向所述照射系统和所述投影系统的气体，由此抑制从所述照射系统和所述投影系统传递进入所述第三区域的污染物的量，

其中，所述第一固定板位于(a)所述掩模版平台与(b)所述照射系统和所述投影系统之间。

26.根据方面的光刻设备，其中气体入口是所述掩模版平台或所述第一固定板的一部分。

27.根据方面的光刻设备，其中：

所述封装结构包括多个间隔开的段，所述多个间隔开的段在相邻的段之间形成间隙；以及

光刻设备还包括第二固定板，所述第二固定板限定位于(a)所述第一固定板与(b)所述照射系统和所述投影系统两者之间的第二开口，使得所述封装结构穿过所述第二开口。

28.根据第25方面的光刻设备，其中形成于所述封装结构的相邻的段之间的间隙每个具有第一配置和第二配置，所述第一配置具有第一有效间隙高度，所述第二配置具有不同于所述第一有效间隙高度的第二有效间隙高度。

29.根据方面的光刻设备，其中

所述第一固定板还限定第二开口，所述第二开口被配置成允许掩模版交换装置交换由所述掩模版平台支撑的所述掩模版；以及

光刻设备还包括可移动的盖板件，其被配置成选择性地覆盖所述第二开口。

30.根据方面的光刻设备，包括所述光刻设备还包括可移动的盖板件，其被配置成选择性地覆盖所述第一开口的部分。

需要注意的是，尽管在本公开中讨论了示例设计，但本公开的实施例不限于这些示例。例如，本公开的实施例包括所讨论的示例性设计的任何组合。

虽然本文具体提及的是光刻设备在集成电路的制造中的使用，但是应理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的情境中，本文中使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提及的衬底可以在曝光之前或之后例如在轨道或涂覆显影系统(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对曝光后的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在适用的情况下，可以将本文中的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如用于产生多层IC，使得本文使用的术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

虽然上文已经在光学光刻术的情境下特别提及了本公开的实施例的使用，但是应理解，本公开的实施例可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被压制到供应至衬底的抗蚀剂层中，然后抗蚀剂通过施加电磁辐射、热、压力或者它们的组合而被固化。在抗蚀剂被固化之后所述图案形成装置被移出抗蚀剂，在其中留下图案。

应理解，本文中的措辞或术语是为了说明而不是限制目的，因此本说明书中的术语或措辞将由相关技术领域的技术人员根据本文中的教导来解释。

此外，本文中使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有365、248、193、157或126纳米的波长λ)、极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如，具有在5至20纳米范围内的波长，例如，13.5纳米)，或工作在小于5纳米的硬X射线，以及粒子束，诸如离子束或电子束。一般而言，具有介于约400至约700纳米之间的波长的辐射被认为是可见辐射；具有介于约780到3000纳米(或更大)之间的波长的辐射被认为是红外辐射。UV是指波长约为100至400 纳米的辐射。在光刻技术中，术语“UV”也适用于可由汞放电灯产生的波长： G线436纳米；H线405纳米；和/或I线365纳米。真空UV或VUV(即，由气体吸收的UV)是指波长约为100至200纳米的辐射。深UV(DUV) 通常指具有从126纳米到428纳米的范围的波长的辐射，并且在一个实施例中，准分子激光器可以产生在光刻设备内使用的DUV辐射。应当理解，具有在例如5至20纳米的范围内的波长的辐射与具有特定波长带的辐射有关，其中至少一部分在5至20纳米的范围内。

本文中使用的术语“衬底”通常描述在其上添加后续材料层的材料。在实施例中，衬底本身可以被形成图案，并且添加在其顶部上的材料也可以被形成图案，或者可以保留而不被形成图案。

应当理解，本文中使用的一个或更多个特定特征、结构或特性之间的相对空间描述仅出于说明目的，并且本文所描述的结构的实际实施方式可以包括未对准公差，而不偏离本公开的精神和范围。

尽管上文已经描述了本公开的具体实施例，但是将理解的是，可以用不同于所描述的方式实践本公开。本说明书并非旨在限制本公开。

应当理解的是，详细描述部分(而非发明内容和摘要部分)旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述本发明人所设想的本公开的一个或更多个示例性实施例、但不是本公开的所有示例性实施例，并且因而，并非旨在以任何方式限制本公开和所附权利要求。

以上已经借助于示出指定功能及其关系的实施方式的功能构建块来描述了本公开。为了便于描述，本文中已经任意地限定了这些功能构建块的边界。只要适当地执行指定功能及其关系，就可以限定替代的边界。

具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本公开的一般性质，在不背离本公开的整体构思且不进行过度实验的情况下，其他人可通过应用本领域技术内的知识针对于各种应用轻易地修改和/或适应这些具体实施例。因此，基于这里展示的教导和指导，这些适应和修改旨在落入所公开实施例的等同物的含义和范围内。

本公开的宽度和范围不应受任一上述的示例性实施例限制，而应仅由下述的权利要求书及其等同方案来限定。

Claims

1.一种光刻设备，包括：

照射系统，被配置成调节辐射束；

第一固定板，限定第一开口并且包括第一表面；以及

掩模版平台，与所述第一固定板一起限定第一腔室，其中：

所述掩模版平台被配置成在所述第一腔室中支撑掩模版，和

所述掩模版平台包括与所述第一固定板的第二表面间隔开的第一表面，以便限定介于第二腔室与所述第一腔室之间的第一间隙，和

投影系统，被配置成将由所述掩模版赋予辐射束的图案投影到衬底上，

其中，所述第一固定板位于所述掩模版平台与所述照射系统和所述投影系统之间；

其中所述光刻设备还包括配置成将气体注入所述第一腔室的第一气体入口，其中所述第一气体入口设置在掩模版平台上，掩模版平台包括所述第一气体入口。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一间隙还被配置成维持所述第一腔室的压力与所述第二腔室的压力之间的压力差。

3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述第一气体入口设置在第一固定板上。

4.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括：

其中，封装结构包括：

介于所述第一气体入口与所述第一固定板之间的气体排放装置，所述气体排放装置被配置成从由封装结构所限定的所述体积中除去气体；并且

5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述封装结构包括多个间隔开的段，所述多个间隔开的段在相邻的段之间形成间隙。

6.根据权利要求5所述的光刻设备，还包括第二固定板，所述第二固定板限定位于(a)所述第一固定板与(b)照射系统和投影系统两者之间的第二开口，使得所述封装结构穿过所述第二开口。

7.根据权利要求6所述的光刻设备，还包括位于所述第一固定板与所述第二固定板之间并且在由所述封装结构所限定的体积之外的静电除尘器。

8.根据权利要求6所述的光刻设备，其中，形成于所述封装结构的相邻段之间的所述间隙每个具有第一配置和第二配置，所述第一配置具有第一有效间隙高度，所述第二配置具有不同于所述第一有效间隙高度的第二有效间隙高度。

9.根据权利要求8所述的光刻设备，其中：

10.根据权利要求9所述的光刻设备，其中所述第一有效间隙高度在由所述封装结构所限定的体积与围绕所述封装结构的环境之间是基本恒定的。

11.根据权利要求9所述的光刻设备，其中，所述物体的横截面形状与形成于所述封装结构的相邻的段之间的相应间隙的一部分的横截面形状基本上相符，其中所述物体被插入到所述相应间隙中。

12.根据权利要求11所述的光刻设备，其中所述物体的横截面形状和相应间隙的所述部分的横截面形状均为圆形。

13.根据权利要求8所述的光刻设备，其中：

14.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述第一固定板的所述第一开口被配置成允许(a)所述辐射束从照射系统传递到所述掩模版，以及(b)掩模版交换装置交换由所述掩模版平台所支撑的掩模版。

15.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：

16.根据权利要求1所述的光刻设备，所述光刻设备还包括可移动的盖板件，所述可移动的盖板件被配置成选择性地覆盖所述第一开口的一部分。

17.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述掩模版平台还包括挡板，所述挡板突出到介于所述间隙与所述掩模版之间的所述第一腔室中，所述挡板被配置成抑制从所述间隙传递到所述掩模版的污染物的量。

18.根据权利要求17所述的光刻设备，其中所述挡板包括多个微挡板，由此形成颗粒捕集器。

19.一种光刻设备，包括：

照射系统，被配置成调节辐射束；

第一固定板，限定第一开口并且包括第一表面；以及

掩模版平台，与所述第一固定板一起限定第一腔室，其中：

所述掩模版平台被配置成在所述第一腔室中支撑掩模版，和

其中所述掩模版平台包括：

第一固定结构，所述第一固定结构包括第三表面；和

第二结构，所述第二结构被配置成支撑所述第一腔室中的所述掩模版，能够相对于所述第一固定结构移动，并且包括与所述第一固定结构的所述第三表面隔开的第四表面，由此限定介于第三腔室与所述第二腔室之间的第二间隙，其中，所述第二间隙被配置成抑制从所述第三腔室传递到所述第一腔室的污染物的量。

20.根据权利要求19所述的光刻设备，其中：

所述第一表面是所述长行程模块的一部分。

21.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括被配置成发射极紫外(EUV)辐射的辐射源。

22.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述第一腔室和所述第二腔室各自被配置为保持处于真空压力。