KR102670404B1 - 입자 억제를 위한 입자 트랩 및 방벽 - Google Patents

Abstract

넓은 범위의 크기, 재료, 이동 속도 및 입사각을 갖는 오염물 입자들이 입자-민감성 환경에 도달할 가능성을 감소시키는 디자인들이 제공된다. 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제 1 및 제 2 챔버들, 제 1 표면을 갖는 제 1 구조체, 및 제 2 구조체을 포함하는 대상물 스테이지가 제공된다. 제 2 구조체는 제 1 구조체에 대해 이동가능한 제 2 챔버 내의 대상물을 지지하도록 구성된다. 제 2 구조체는 제 1 구조체의 제 1 표면에 마주하는 제 2 표면을 포함하여, 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의한다. 또한, 제 2 구조체는 제 1 챔버 내의 제 3 표면을 포함한다. 또한, 대상물 스테이지는 제 3 표면의 적어도 일부분 상에 배치되는 트랩을 포함하고, 트랩은 복수의 배플들을 포함한다.

Description

입자 억제를 위한 입자 트랩 및 방벽

본 출원은 2017년 7월 28일에 출원된 미국 가특허 출원 62/538,198의 우선권을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.

본 발명은, 예를 들어 리소그래피에서의 입자 트랩(particle trap) 및 입자 방벽(particle barrier)을 사용한 입자 억제에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.

리소그래피는 IC, 및 다른 디바이스 및/또는 구조체의 제조 시 핵심 단계들 중 하나로서 폭넓게 인식된다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 만들어지는 피처들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는 데 더 결정적인 인자(critical factor)가 되고 있다.

패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추산은 수학식 1에 나타낸 바와 같은 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:

이때, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NA는 패턴을 프린트하는 데 사용되는 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k₁은 레일리 상수라고도 칭하는 공정-의존성 조정 인자(process-dependent adjustment factor)이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다. 수학식 1에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로: 즉, 노광 파장 λ를 단축함으로써, 개구수 NA를 증가시킴으로써, 또는 k₁의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.

노광 파장을 단축하고, 이에 따라 프린트가능한 최소 크기를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선은 5 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 13 내지 14 nm의 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 또한, 예를 들어 6.7 nm 또는 6.8 nm와 같이 5 내지 10 nm의 범위 내에서 10 nm 미만의 파장을 갖는 EUV 방사선이 사용될 수 있다는 것이 제안되었다. 이러한 방사선은 극자외 방사선 또는 연질 x-선 방사선이라고 한다. 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 저장 링에 의해 제공되는 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)에 기초한 소스들을 포함한다.

리소그래피 장치는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)를 포함한다. 방사선이 패터닝 디바이스를 통해 제공되거나 반사되어, 기판 상에 이미지를 형성한다. 패터닝 디바이스는 진공 환경에서 유지될 수 있다. 이 진공 환경 내에, 오염물 입자들을 생성할 수 있는 오염물 입자 소스, 예를 들어 케이블 또는 케이블 및 호스 캐리어가 존재할 수 있다. 이 오염물 입자들이 패터닝 디바이스 및/또는 패터닝 디바이스 근처의 구역들에 도달하는 경우, 형성된 이미지 내의 결함들이 발생할 수 있다.

따라서, 광범위한 크기, 재료, 진행 속도 및 입사각을 갖는 오염물 입자들이 입자-민감성 환경에 도달할 가능성을 감소시킬 필요가 있다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 포함하는 대상물 스테이지(object stage)가 제공된다. 또한, 대상물 스테이지는 제 1 표면을 갖는 제 1 구조체 및 제 2 구조체를 포함한다. 제 2 구조체는 제 1 구조체에 대해 이동가능한 제 2 챔버 내의 대상물을 지지하도록 구성된다. 제 2 구조체는 제 1 구조체의 제 1 표면에 대향하는 제 2 표면을 포함하여, 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의한다. 또한, 제 2 구조체는 제 1 챔버 내의 제 3 표면을 포함한다. 또한, 대상물 스테이지는 제 3 표면의 적어도 일부분 상에 배치되는 트랩을 포함하고, 트랩은 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 복수의 배플(baffle)들을 포함한다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 구성되는 리소그래피 장치가 제공된다. 리소그래피 장치는 스캐닝 방향을 따라 기판을 유지 및 이동시키도록 구성되는 기판 테이블 및 레티클을 유지 및 이동시키도록 구성되는 레티클 스테이지를 포함한다. 레티클 스테이지는 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 포함한다. 또한, 레티클 스테이지는 제 1 표면을 갖는 제 1 구조체 및 제 2 구조체를 포함한다. 제 2 구조체는 제 1 구조체에 대해 이동가능한 제 2 챔버 내의 레티클을 지지하도록 구성된다. 제 2 구조체는 제 1 구조체의 제 1 표면에 대향하는 제 2 표면을 포함하여, 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의한다. 또한, 제 2 구조체는 제 1 챔버 내의 제 3 표면을 포함한다. 또한, 레티클 스테이지는 제 3 표면의 적어도 일부분 상에 배치되는 트랩을 포함하고, 트랩은 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 복수의 배플들을 포함한다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 포함하는 대상물 스테이지가 제공된다. 또한, 대상물 스테이지는 제 1 표면을 갖는 제 1 구조체 및 제 1 구조체에 대해 이동가능한 제 2 챔버 내의 대상물을 지지하도록 구성되는 제 2 구조체를 포함한다. 제 2 구조체는 제 1 구조체의 제 1 표면에 대향하는 제 2 표면을 포함하여, 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의한다. 또한, 대상물 스테이지는 갭에 배치되고 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 방벽을 포함한다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 구성되는 리소그래피 장치가 제공된다. 리소그래피 장치는 스캐닝 방향을 따라 기판을 유지 및 이동시키도록 구성되는 기판 테이블 및 레티클을 유지 및 이동시키도록 구성되는 레티클 스테이지를 포함한다. 레티클 스테이지는 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 포함한다. 또한, 레티클 스테이지는 제 1 표면을 갖는 제 1 구조체 및 제 1 구조체에 대해 이동가능한 제 2 챔버 내의 레티클을 지지하도록 구성되는 제 2 구조체를 포함한다. 제 2 구조체는 제 1 구조체의 제 1 표면에 대향하는 제 2 표면을 포함하여, 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의한다. 또한, 레티클 스테이지는 갭에 배치되고 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 방벽을 포함한다.

첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 특징들 및 장점들이 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 특정한 실시예들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 본 명세서에서, 이러한 실시예들은 단지 예시적인 목적으로만 제시된다. 당업자라면, 본 명세서에 포함되는 교시에 기초하여 추가적인 실시예들을 명백히 알 것이다.

본 명세서에 통합되며 명세서의 일부분을 형성하는 첨부된 도면들은 본 발명을 예시하며, 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명하고 당업자가 본 발명을 수행하고 사용할 수 있게 하는 역할을 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 리소그래피 장치의 개략적인 도면이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과형 리소그래피 장치의 개략적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 리소그래피 장치의 더 상세한 개략적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 셀(lithographic cell)의 개략적인 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레티클 스테이지의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입자 억제 방벽 또는 트랩을 갖는 장치의 사시도를 개략적으로 도시한다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 입자 억제를 위한 다양한 구성의 입자 방벽들의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 배플 입자 방벽을 갖는 장치의 투시 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 배플 입자 방벽을 갖는 장치의 투시 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로-배플들을 갖는 예시적인 입자 방벽의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 배플 입자 방벽의 예시적인 맞물린 돌출 배플(interdigitated projecting baffle)들의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 입자 억제를 위한 입자 트랩을 갖는 다양한 구성의 장치들의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 12a 내지 도 12l은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 입자 트랩을 개략적으로 도시한다.
동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 전부 식별하는 도면들에 관련하여 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들 및 장점들이 더 분명해질 것이다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일한, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다. 요소가 처음 나타나는 도면은 대응하는 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)에 의해 나타내어진다. 달리 명시되지 않는 한, 본 명세서에 걸쳐 제공된 도면들은 일정한 비율의 도면들인 것으로 해석되어서는 안 된다.

본 명세서는 본 발명의 특징들을 구체화하는 1 이상의 실시예를 개시한다. 개시된 실시예(들)는 단지 본 발명을 예시한다. 개시된 실시예(들)에 본 발명의 범위가 제한되지는 않는다. 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.

본 명세서에서, "하나의 실시예", "일 실시예", "예시적인 실시예", "예시적인", "예시" 등으로 설명된 실시예(들) 및 이러한 언급들은, 설명된 실시예(들)가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 반드시 포함하는 것은 아닐 수 있음을 나타낸다. 또한, 이러한 어구들이 반드시 동일한 실시예를 칭하고 있는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성이 일 실시예와 관련하여 설명되는 경우, 다른 실시예들과 관련하여 이러한 특징, 구조 또는 특성을 초래하는 것은 명확하게 설명되든지 그렇지 않든지 당업자의 지식 내에 있음을 이해한다.

하지만, 이러한 실시예들을 더 상세히 설명하기에 앞서, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.

예시적인 반사형 및 투과형 리소그래피 시스템들

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')를 각각 개략적으로 도시한다. 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')는 각각 다음: 즉, 방사선 빔(B)(예를 들어, 심자외 또는 극자외 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성되는 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크, 레티클, 또는 동적 패터닝 디바이스)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블)(MT); 및 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치(100 및 100')는 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성되는 투영 시스템(PS)을 갖는다. 리소그래피 장치(100)에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 반사형이다. 리소그래피 장치(100')에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 투과형이다.

조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.

지지 구조체(MT)는 기준 프레임에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 방위, 리소그래피 장치(100 및 100') 중 적어도 하나의 디자인, 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 센서들을 사용함으로써, 지지 구조체(MT)는, 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.

"패터닝 디바이스"(MA)라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C)에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔(B)의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 집적 회로를 형성하기 위해 타겟부(C)에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스(MA)는 [도 1b의 리소그래피 장치(100')와 같은] 투과형 또는 [도 1a의 리소그래피 장치(100)와 같은] 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)의 예로는 레티클, 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향들로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 작은 거울들의 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔(B)에 패턴을 부여한다.

"투영 시스템"(PS)이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 기판(W) 상의 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 포괄할 수 있다. 다른 가스들이 너무 많은 방사선 또는 전자들을 흡수할 수 있기 때문에, EUV 또는 전자 빔 방사선에 대해 진공 환경이 사용될 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.

리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(WT)(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 기판 테이블(WT)이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 기판 테이블(WT)이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계들이 수행될 수 있다. 몇몇 상황들에서, 추가적인 테이블은 기판 테이블(WT)이 아닐 수 있다.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 소스(SO)가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 소스(SO) 및 리소그래피 장치(100, 100')는 별도의 물리적 개체일 수 있다. 이러한 경우, 소스(SO)는 리소그래피 장치(100 또는 100')의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔(B)은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 (도 1b의) 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스(SO)가 수은 램프인 경우, 소스(SO)는 리소그래피 장치(100, 100')의 통합부일 수 있다. 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.

일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 (도 1b의) 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 "외측-σ" 및 "내측-σ"라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, (도 1b의) 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.

도 1a를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 리소그래피 장치(100)에서, 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 방사선 빔(B)을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 [예를 들어, 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록] 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.

도 1b를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 투영 시스템은 조명 시스템 퓨필(IPU)과 켤레인 퓨필(PPU)을 갖는다. 방사선의 부분들이 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포로부터 나오고, 마스크 패턴에서 회절의 영향을 받지 않고 마스크 패턴을 가로지르며, 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포의 이미지를 생성한다.

제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 [예를 들어, 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록] 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1b에 도시되지 않음)는 [예를 들어, 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔 중에] 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다.

일반적으로, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있고, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부를 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결될 수 있거나, 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, (예시된 바와 같은) 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 [스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려진] 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.

레티클 스테이지 또는 마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)는 진공 챔버 내에 있을 수 있고, 진공 챔버 안과 밖으로 마스크 또는 레티클과 같은 패터닝 디바이스들을 이동시키기 위해 진공-내 로봇(in-vacuum robot: IVR)이 사용될 수 있다. 대안적으로, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 챔버 외부에 있는 경우, 진공-내 로봇(IVR)과 유사한 진공-외 로봇(out-of-vacuum robot)이 다양한 수송 작업들을 위해 사용될 수 있다. 진공-내 및 진공-외 로봇들은 둘 다 이송 스테이션의 고정된 운동학적 마운트(fixed kinematic mount)에 대한 여하한의 탑재물(payload)(예를 들어, 마스크)의 매끄러운 이송을 위해 캘리브레이션될 필요가 있다.

리소그래피 장치(100 및 100')는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔(B)에 부여된 전체 패턴은 한 번에 타겟부(C) 상으로 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.

2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.

3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source: SO)가 채택될 수 있으며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.

또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 EUV 리소그래피를 위한 EUV 방사선 빔을 생성하도록 구성되는 극자외(EUV) 소스를 포함한다. 일반적으로, EUV 소스는 방사선 시스템에서 구성되고, 대응하는 조명 시스템이 EUV 소스의 EUV 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된다.

도 2는 소스 컬렉터 장치(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하여 리소그래피 장치(100)를 더 상세히 나타낸다. 소스 컬렉터 장치(SO)는 소스 컬렉터 장치(SO)의 포위 구조체(enclosing structure: 220) 내에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 방전 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 초고온 플라즈마(very hot plasma: 210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 초고온 플라즈마(210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 야기하는 전기적 방전에 의해 생성된다. 방사선의 효율적인 발생을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 필요할 수 있다. 일 실시예에서, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.

초고온 플라즈마(210)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(source chamber: 211)의 개구부(opening) 내에 또는 그 뒤에 위치되는 선택적인 가스 방벽 또는 오염물 트랩(230)(몇몇 경우에는, 오염물 방벽 또는 포일 트랩이라고도 함)을 통해, 소스 챔버(211)로부터 컬렉터 챔버(collector chamber: 212) 내로 통과된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(230)은 가스 방벽, 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 더 나타내는 오염물 트랩 또는 오염물 방벽(230)은 적어도 채널 구조체를 포함한다.

컬렉터 챔버(212)는 소위 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector)일 수 있는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 컬렉터(CO)는 방사선 컬렉터 상류측(upstream radiation collector side: 251) 및 방사선 컬렉터 하류측(downstream radiation collector side: 252)을 갖는다. 컬렉터(CO)를 가로지르는 방사선은 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 240)로부터 반사되어, 가상 소스점(virtual source point: IF)에 포커스될 수 있다. 가상 소스점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 장치는 중간 포커스(IF)가 포위 구조체(220)에서의 개구부(219)에, 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 특히 적외(IR) 방사선을 억제하는 데 사용된다.

후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(221)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 필드 거울 디바이스(facetted field mirror device: 222) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(facetted pupil mirror device: 224)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지되는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(221)의 반사 시, 패터닝된 빔(226)이 형성되고, 패터닝된 빔(226)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(228, 230)을 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상으로 이미징된다.

일반적으로, 나타낸 것보다 더 많은 요소가 조명 광학기 유닛(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 리소그래피 장치의 타입에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 도면들에 나타낸 것보다 더 많은 거울이 존재할 수 있으며, 예를 들어 도 2에 나타낸 것보다 1 내지 6 개의 추가 반사 요소들이 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다.

도 2에 예시된 바와 같은 컬렉터 광학기(CO)가 단지 컬렉터(또는 컬렉터 거울)의 일 예시로서, 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 도시된다. 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)은 광학 축선(O) 주위에 축대칭으로 배치되고, 이 타입의 컬렉터 광학기(CO)는 바람직하게는 흔히 DPP 소스라고 하는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합하여 사용된다.

예시적인 리소그래피 셀

도 3은 때때로 리소셀(lithocell) 또는 클러스터라고도 칭하는 리소그래피 셀(300)을 나타낸다. 리소그래피 장치(100 또는 100')는 리소그래피 셀(300)의 일부분을 형성할 수 있다. 또한, 리소그래피 셀(300)은 기판 상에 노광-전(pre-exposure) 및 노광-후(post-exposure) 공정들을 수행하는 장치를 포함할 수 있다. 통상적으로, 이들은 레지스트 층들을 증착시키는 스핀 코터(spin coater: SC), 노광된 레지스트를 현상하는 디벨로퍼(developer: DE), 칠 플레이트(chill plate: CH) 및 베이크 플레이트(bake plate: BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트들(I/O1, I/O2)로부터 기판들을 집어올리고, 이들을 상이한 공정 장치 사이에서 이동시킨 후, 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay: LB)로 전달한다. 흔히 집합적으로 트랙이라고도 하는 이러한 디바이스들은, 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어하는 감독 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어를 받는다. 따라서, 스루풋과 처리 효율성을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.

입자 억제를 위한 예시적인 시스템

본 발명의 실시예들은 도 1a, 도 1b, 도 2, 및/또는 도 3의 1 이상의 장치와 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 기판(W) 및 패터닝 디바이스(MA)와 같은 대상물을 지지하도록 구성되는 대상물 스테이지들[예를 들어, 레티클 스테이지 또는 마스크 테이블(MT)과 같은 지지 구조체들 또는 기판 테이블(WT)]에 적용될 수 있다. 도 4는 레티클 스테이지(400)의 일 실시예의 단면도를 개략적으로 도시한다. 본 발명의 실시예들 중 일부는 레티클 스테이지에 대하여 논의되지만, 본 발명의 실시예들은 리소그래피 장치[예를 들어, 본 발명에서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치들(100 및 100')]의 다른 적절한 구성요소들[예를 들어, 기판 테이블(WT), 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼 핸들러, 레티클 핸들러, 또는 입자 오염에 민감한 다른 구성요소들], 또는 메트롤로지 시스템, 튜브, 가스 흐름 덕트, 또는 가스 덕트/파이프 박스와 같은 다른 입자 민감성 장치들에 적용될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 바람직하지 않은 오염물 입자들의 수를 감소시키기 위해 여하한의 입자 민감성 장치에 적용될 수 있다.

레티클 스테이지(400)는 패터닝 디바이스(412)를 지지하고 이동시키도록 구성된다. 레티클 스테이지(400)는 오염 입자들이 패터닝 디바이스(412) 및/또는 패터닝 디바이스(412) 근처의 구역들에 도달할 가능성을 감소시키도록 구성되는 1 이상의 입자 트랩 및/또는 1 이상의 입자 방벽을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 레티클 스테이지(400)는 서로에 대해 이동가능한 제 1 구조체(402) 및 제 2 구조체(404)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 구조체(402)는 고정되고, 제 2 구조체(404)는 이동가능하다. 일부 실시예들에서, 제 1 구조체(402)는 이동가능하고, 제 2 구조체(404)는 고정된다. 그리고 일부 실시예들에서, 제 1 및 제 2 구조체들(402 및 404)은 둘 다 필요에 따라 이동가능하거나 고정된다.

제 1 및 제 2 구조체들(402 및 404)은 하우징(401) 내에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 구조체(402)는 도 4에 나타낸 바와 같이 하우징(401)과 분리된다. 일부 실시예들(도시되지 않음)에서, 제 1 구조체(402)는 하우징(401)의 일부이다. 하우징(401)은 진공 압력 - 대기압 미만의 압력에서 유지되는 볼륨(volume)을 정의할 수 있다. 일부 실시예들에서, 하우징(401)은 방사선으로 하여금 조명 시스템(IL)으로부터 패터닝 디바이스(412)로, 그리고 다시 투영 시스템(PS)으로 통과하게 하도록 구성되는 개구부(465)를 포함한다. 하우징(401) 내에서, 제 1 구조체(402) 및 제 2 구조체(404) 중 1 이상이 적어도 제 1 챔버(403) 및 제 2 챔버(405)를 적어도 부분적으로 정의할 수 있다. 일부 실시예들에서, 하우징(401)은 2보다 많은 진공 챔버들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 챔버(403)와 제 2 챔버(405) 사이에서 갭(414)이 연장된다. 일부 실시예들에서, 갭(414)은 그들 사이의 상대 이동을 허용하는 제 1 구조체(402)와 제 2 구조체(404) 간의 커플링에 의해 생성된다. 일부 실시예들에서, 제 1 챔버(403)와 제 2 챔버(405) 사이의 경계는 갭(414)에 의해 정의된다.

일부 실시예들에 따르면, 제 1 챔버(403) 및 제 2 챔버(405)는 진공 압력 - 대기압 미만의 압력에 유지될 수 있다. 예를 들어, 진공 압력은 약 0.1 Pa 내지 약 8.5 Pa의 범위일 수 있다. 일부 예시들에서, 진공 압력은 약 0.5 Pa 내지 약 8.5 Pa의 범위일 수 있다. 예를 들어, 진공 압력은 약 1.5 Pa 내지 약 8.5 Pa의 범위일 수 있다. 일부 예시들에서, 진공 압력은 약 2 Pa 내지 약 5 Pa의 범위일 수 있다. 예를 들어, 진공 압력은 약 2 Pa 내지 약 3 Pa의 범위일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 챔버(405) 내의 압력(P₄₀₅)은 제 1 챔버(403) 내의 압력(P₄₀₃)과 유사하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 제 2 챔버(405) 내의 압력(P₄₀₅)은 제 1 챔버(403) 내의 압력(P₄₀₃)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제 1 챔버(403) 내의 압력(P₄₀₃)은 약 0.25 Pa 내지 약 1 Pa일 수 있고, 제 2 챔버(405) 내의 압력(P₄₀₅)은 약 2 Pa 내지 약 3 Pa일 수 있다. 제 2 챔버(405) 내의 압력(P₄₀₅)이 제 1 챔버(403) 내의 압려(P₄₀₃)보다 클 때, 가스는 자연히 예를 들어 갭(414)을 통해 제 2 챔버(405)로부터 제 1 챔버(403)로 흐를 수 있다 - 예를 들어, 퍼지 가스 흐름(purge gas flow). 레티클 스테이지(400)는 오염 입자들이 제 2 챔버(405) 내의 패터닝 디바이스(412) 및/또는 패터닝 디바이스(412) 근처의 구역들에 도달할 수 있을 가능성을 감소시키기 위해 아래에서 논의되는 다양한 입자 트랩 및/또는 입자 방벽 구성들을 포함할 수 있다.

일부 실시예들에서, 패터닝 디바이스(412)는 제 2 구조체(404)가 제 2 챔버(405) 내에서 패터닝 디바이스(412)를 이동시킬 수 있도록 제 2 구조체(404)에 장착된다. 예를 들어, 제 2 구조체(404)는 패터닝 디바이스(412)를 지지하고 이동시키도록 구성되는 척(의 일부 또는 전체)일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 제 2 구조체(404)는 스캔 방향(예를 들어, 도 4의 Y-축에 평행한 방향) 및 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, 도 4의 X-축에 평행한 방향)으로 패터닝 디바이스(412)를 이동시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 구조체(404)는 제 1 부분(408) 및 제 1 부분(408)에 대해 이동가능한 제 2 부분(410)을 포함한다. 또한, 패터닝 디바이스(412)가 일부 실시예들에서 제 2 부분(410)에 장착될 수 있다.

일부 실시예들에 따르면, 제 2 부분(410)은 패터닝 디바이스(412)를 지지하는 레티클 스테이지(400)의 단행정 모듈(미세 위치설정)일 수 있다. 제 2 부분(410)은 제 2 부분(410)이 제 1 부분(408)에 대해 이동할 수 있도록 제 1 부분(408)에 커플링되고 제 1 부분(408)에 의해 구동될 수 있다. 비-제한적인 예시에서, 제 2 부분(410)은 제 2 부분(410)을 이동시키도록 구성되는 모터와 같은 1 이상의 액추에이터(도시되지 않음)에 의해 제 1 부분(408)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제 2 부분(410)은 스캔 방향(예를 들어, 도 4의 Y-축에 평행한 방향) 및 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, 도 4의 X-축에 평행한 방향)으로 이동할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 제 1 부분(408)은 제 1 구조체(402)에 대해 이동하도록 구성되는 레티클 스테이지(400)의 장행정 모듈(개략 위치설정)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 부분(408)은 스캔 방향(예를 들어, 도 4의 Y-축에 평행한 방향) 및 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, 도 4의 X-축에 평행한 방향)으로 이동하고, 스캔 방향 및 가로지르는 방향 모두에 수직인 축선(예를 들어, 도 4의 Z-축에 평행한 축선)을 중심으로 회전할 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 제 2 부분(410)은 제 1 구조체(402)에 대한 제 1 부분(408)의 이동 범위에 비해 작은 범위의 이동에 걸쳐 제 1 부분(408)에 대해 이동할 수 있다. 단행정 및 장행정 모듈들은 단지 부분들(410 및 408) 각각의 예시들이며, 다른 구조체들이 부분들(408 및 410)로서 사용될 수 있다. 또한, 앞서 설명된 부분들(408 및 410)의 이동은 예시적인 이동들이며, 본 발명의 실시예들은 다른 방향들 및 이동 범위들을 포함할 수 있다.

비-제한적인 예시로서, 제 1 부분(408) 및 제 2 부분(410)을 포함하는 제 2 구조체(404)는 금속으로 만들어질 수 있다. 사용될 수 있는 금속의 일 예시는 알루미늄이다. 그러나, 다른 금속들이 사용될 수도 있다. 또 다른 비-제한적인 예시로서, 제 2 구조체(404)는 니켈(Ni) 코팅을 갖는 알루미늄으로 만들어질 수 있고, 제 1 구조체(402)는 스테인리스강과 같은 금속으로 만들어질 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 제 1 부분(408) 및 제 2 부분(410)은 동일하거나 상이한 재료들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 구조체(402) 및 제 2 구조체(404)는 각각 금속, 예를 들어 스테인리스강, 니켈 코팅된 알루미늄, 또는 여하한의 다른 적절한 금속으로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 제 1 구조체(402) 및 제 2 구조체(404)는 각각 플라스틱 또는 여하한의 다른 적절한 재료로 만들어진다.

제 1 구조체(402)와 제 2 구조체(404) 사이의 갭(414)은 제 1 구조체(402)와 제 2 구조체(404)의 마주하는 이격된 표면들(415 및 417)에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 챔버(403), 제 1 구조체(402) 및 제 2 구조체(404)는 오염물 입자 소스일 수 있는 부분들, 예를 들어 제 2 구조체(404)를 제 1 구조체(402) 또는 리소그래피 장치의 다른 구성요소들에 전기적으로 및/또는 유동적으로 커플링하는 전선, 유체 호스 및/또는 가스 호스를 하우징하는 케이블 및 호스 캐리어(419)를 포함할 수 있다. 케이블 및 호스 캐리어(419)(때로는 케이블 슬래브라고 함)는 케이블 및/또는 호스를 하우징 및/또는 지지하는 여하한의 적절한 구성을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 케이블 및 호스 캐리어는 기계적 힌지없이 분할되지 않거나, 또는 기계적 힌지로 분할될 수 있다. 예를 들어, 제 2 구조체(404)가 패터닝 디바이스(412)를 위치시키도록 이동할 때, 케이블 및 호스 캐리어(419)도 마찬가지로 이동한다. 일부 예시들에서, 케이블 및 호스 캐리어(419)는 롤링 루프로서 디자인될 수 있다. 케이블 및 호스 캐리어(419)의 이동은 갭(414)을 통해 제 1 챔버(403)로부터 제 2 챔버(405)로 이동할 수 있는 오염 입자들을 생성할 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 갭(414)은 갭(414)을 통해 제 2 챔버(405)로 진행하는 입자의 양을 감소시키거나 차단하는 시일(seal)로서 기능하도록 구성된다. 잠재적으로 갭(414)을 통과할 수 있고 결국 제 2 챔버(405) 내의 패터닝 디바이스(412)와 접촉할 수 있는 입자의 양을 더 감소시키기 위해 다양한 입자 트랩 및 입자 방벽 구성들이 아래에서 논의된다. 일부 실시예들에서, 갭(414)은 제 1 구조체(402)와 제 2 구조체(404)의 시일 부분(406) 사이의 커플링에 의해 생성된다.

다시, 제 1 챔버(403)는 고정된 제 1 구조체(402) 및 이동가능한 제 2 구조체(404)에 의해 적어도 부분적으로 정의된다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 고정된 제 1 구조체(402)는 1 이상의 케이블 및 호스 캐리어(419)가 통과하는 개구부(421)를 포함할 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 흡인 펌프, 진공 펌프 등과 같은 부압 차를 생성하도록 구성되는 펌프(461A)가 제 1 챔버(403)[예를 들어, 제 1 구조체(402)의 상부]에 작동가능하게 커플링되어, 제 1 챔버(403) 및 제 2 챔버(405)에 진공 압력을 생성할 수 있다. 또한, 펌프에 의해 생성된 흐름은 제 1 챔버(403)로부터 입자를 끌어당길 수 있다. 일부 예시들에서, 펌프(461A)는 하우징(401) 외부에 위치될 수 있고, 도관(463)을 통해 제 1 챔버(403)에 작동가능하게 커플링된다. 추가적으로 또는 대안적으로, 펌프(461A)는 하우징(401) 내부에 있을 수 있고, 제 1 챔버(403)에 작동가능하게 커플링된다. 일부 예시들에 따르면, 흡인 펌프, 진공 펌프 등과 같은 부압 차를 생성하도록 구성되는 펌프(461B)가 제 2 챔버(405)에 작동가능하게 커플링되어, 예를 들어 제 2 챔버(405)에 진공 압력을 생성할 수 있다.

펌프(461A)가 개구부(421)로부터 멀리 떨어진 하우징(401)의 측에 도시되어 있지만, 일부 실시예들에서 펌프(461A)는 다른 위치들, 예를 들어 개구부(421) 근처 및/또는 입자 오염의 소스 근처에 위치될 수 있다. 펌프(461A)가 개구부(421) 근처 및/또는 입자 오염의 소스 근처에 위치되는 일부 실시예들에서, 챔버(405)로부터 멀어지는 가스 흐름의 속도가 최대화된다.

일부 예시들에서, 갭(414)은 약 0.1 mm 내지 약 5 mm의 높이(423)[(a) 제 1 구조체(402)의 표면(415)과 (b) 고정된 제 1 구조체(402)에 마주하는 제 2 구조체(404)의 표면(417) 사이의 거리]를 가질 수 있다. 예를 들어, 갭(414)은 약 1.5 mm 내지 2.5 mm의 높이(423)를 가질 수 있다. 하지만, 이들은 예시적인 치수들이고, 본 발명의 실시예들은 이 예시들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다.

일부 실시예에서, 갭(414)은 제 1 구조체(402)의 표면(415)이 제 2 구조체(404)의 표면(417)에 인접하는 길이(425)를 가질 수 있다. 예를 들어, 갭(414)의 길이(425)는 약 50 내지 350 mm일 수 있다. 예를 들어, 갭(414)의 길이(425)는 약 70 내지 320 mm일 수 있다. 예를 들어, 갭(414)의 길이(425)는 약 75 내지 315 mm일 수 있다. 하지만, 이들은 예시적인 치수들이고, 본 발명의 실시예들은 이 예시들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 갭(414)을 통해 이동하는 오염 입자는 표면들(415 및 417) 사이에서 바운싱(bounce)한다. 이 바운싱은 입자들이 에너지 및 속도를 잃게 하여, 입자들로 하여금 표면들(415 및 417)에 달라붙게 하거나, [예를 들어, 챔버들(403 및 405)의 압력 차이로 인해] 갭(414)을 통해 챔버(403)를 향하여 흐르는 가스가 입자들을 다시 챔버(403)를 향하여 밀게 하는 정도까지 느리게 한다. 따라서, 갭(414)은 패터닝 디바이스(402) 및/또는 제 2 챔버(405) 내의 패터닝 디바이스(402) 근처의 구역들에 도달하는 제 1 챔버(403)로부터의 오염 입자의 양을 감소시키거나 제거하는 시일로서 기능한다.

일부 실시예들에서, (예를 들어, 도 4의 Y-축을 따르는) 스캔 방향으로의 제 2 구조체(404)의 움직임 범위를 더한 [표면(417)의 길이에 대응할 수 있는] 길이(425)는 표면(415)의 길이(424)보다 작다. 이러한 것으로서, 갭(414)에 의해 형성된 시일은 스캔 방향으로의 제 2 구조체(404)의 정상 움직임 동안 유지된다.

일부 예시들에서, 제 2 구조체(404)의 표면(417)은 제 2 구조체(404)의 주변부(perimeter)로부터 안쪽으로[예를 들어, 제 1 챔버(403)를 향해] 또는 바깥쪽으로[예를 들어, 제 1 챔버(403)로부터 멀리] 돌출할 수 있다.

일부 실시예들에서, 시일은 제 1 챔버(403)의 주변부 주위에서 전체적으로 또는 부분적으로 연장될 수 있다. 시일은 스캔 방향(예를 들어, Y 축)을 따라, 및 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X 축)을 따라 유사하거나 상이한 길이들을 가질 수 있다. 비-제한적인 예시에서, 시일은 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X 축)을 따르는 것보다 스캔 방향(예를 들어, Y 축)을 따라 더 길 수 있다.

입자 억제를 위한 예시적인 방벽 및 트랩

도 5는 본 발명의 다양한 실시예들에 따라 1 이상의 입자 억제 방벽을 가질 수 있는 장치(500)의 개략적인 분해 사시도를 나타낸다. 장치(500)는 일부 실시예들에서 도 4의 레티클 스테이지(400)와 같은 레티클 스테이지일 수 있다. 따라서, 레티클 스테이지(400)의 특징들과 유사한 장치(500)의 특징들은 도 4에서와 유사한 참조 번호로 표시되지만, 4 대신에 5로 시작된다. 하지만, 도 5의 실시예들은 리소그래피 장치[예를 들어, 본 발명에서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치들(100 및 100')]의 다른 적절한 구성요소들, 메트롤로지 시스템, 튜브, 가스 흐름 덕트, 또는 가스 덕트/파이프 박스와 같은 다른 입자 민감성 장치, 및/또는 바람직하지 않은 오염물 입자들의 수를 감소시키는 여하한의 입자 민감성 장치에 적용될 수 있다.

도 5에 나타낸 바와 같이, 장치(500)는 고정된 제 1 구조체(502) 및 이동가능한 제 2 구조체(504)를 포함할 수 있다. 다시, 고정된 및 이동가능한이라는 용어는 상호교환가능하며, 구조체들 간의 상대 이동들을 설명하기 위해서만 사용된다. 일부 실시예들에서, 구조체(502)는 이동가능할 수 있고, 구조체(504)는 고정될 수 있다. 또는 일부 실시예들에서, 구조체들(502 및 504)은 둘 다 필요에 따라 이동가능하거나 고정된다.

이동가능한 구조체(504)의 표면(517) 및 마주하는 표면(515)은 각각 구역(504A)들 및 구역(504B)들을 포함할 수 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 구역(504A)들은 제 1 및 제 2 구조체들(502 및 504)에 의해 집합적으로 정의되는 개구부(521)의 에지(516A)들을 따라 스캔 방향(예를 들어, Y-축)으로 연장된다. 또한 도 5에 나타낸 바와 같이, 구역(504B)들은 개구부(521)의 에지(516B)들을 따라 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)으로 연장된다. 갭(514)은 그들 사이의 상대 이동을 허용하는 고정된 제 1 구조체(502)와 이동가능한 제 2 구조체(504) 사이의 커플링에 의해 생성될 수 있다.

아래에서 더 상세히 논의되는 바와 같이, 1 이상의 입자 억제 방벽(예를 들어, 포일 또는 배플 방벽)은 구역들(504A 및 504B) 중 1 이상에서 갭(514)에 배치될 수 있다. 입자 억제 방벽은 잠재적으로 제 1 챔버(503)를 떠나 갭(514)을 통하여 제 2 챔버(505)를 향해 이동할 수 있는 입자들의 양을 감소시키도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이 입자 억제 방벽들은 갭(514)에서 적어도 한 방향을 따라[예를 들어, 스캔 방향(Y-축)을 따라 또는 스캔 방향을 가로지르는 방향(X-축)을 따라] 시선(line of sight)을 막는다.

예시적인 포일 방벽

일부 실시예들에서, 장치는 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이에 형성된 갭에 배치되는 포일 방벽을 포함한다. 도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른, 입자 억제를 위한 포일 방벽들을 갖는 장치(600)의 다양한 구성들의 단면도를 개략적으로 도시한다. 장치(600)는 일부 실시예들에서 도 4 및 도 5의 레티클 스테이지들(400 및 500)과 같은 레티클 스테이지일 수 있다. 따라서, 레티클 스테이지들(400 및 500)의 특징들과 유사한 장치(600)의 특징들은 도 4 및 도 5에서와 유사한 참조 번호로 표시되지만, 4 또는 5 대신에 6으로 시작된다. 하지만, 도 6a 내지 도 6d의 실시예들은 리소그래피 장치[예를 들어, 본 발명에서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치들(100 및 100')]의 다른 적절한 구성요소들, 메트롤로지 시스템, 튜브, 가스 흐름 덕트, 또는 가스 덕트/파이프 박스와 같은 다른 입자 민감성 장치, 및/또는 바람직하지 않은 오염물 입자들의 수를 감소시키는 여하한의 입자 민감성 장치에 적용될 수 있다.

측단면도인 도 6a에 예시된 바와 같이, 장치(600)는 고정된 제 1 구조체(602) 및 이동가능한 제 2 구조체(604)를 포함할 수 있다. 다시, 고정된 및 이동가능한이라는 용어는 상호교환가능하며, 시스템의 상이한 부분들 간의 상대 이동들을 설명하기 위해서만 사용된다. 제 1 구조체(602)는 이동가능하고 제 2 구조체(604)는 고정되거나, 또는 구조체들은 둘 다 필요에 따라 이동가능하거나 고정되는 것이 가능하다. 제 1 챔버(603)는 고정된 제 1 구조체(602) 및 이동가능한 제 2 구조체(604)에 의해 적어도 부분적으로 정의된다. 제 2 구조체(604)를 제 1 구조체(602) 또는 리소그래피 장치의 다른 구성요소들에 전기적으로 및/또는 유동적으로 커플링하는 케이블 및 호스 캐리어(619)가 제 1 챔버(603) 내부에 위치된다.

도 6a 내지 도 6d의 실시예들은 잠재적으로 제 1 챔버(603)를 떠나 갭(614)을 통과할 수 있는 입자들의 양을 감소시키거나 제거하도록 구성된다. 예를 들어, 일부 실시예들에 따르면, 장치(600)는 제 1 및 제 2 구조체들(602 및 604) 사이의 갭(614)에 1 이상의 방벽을 포함할 수 있다. 방벽은 잠재적으로 제 1 챔버(603)를 떠나 갭(614)을 통과할 수 있는 입자들의 양을 감소시키거나 입자들을 정지시키도록 구성될 수 있다. 도 6a 내지 도 6d에 나타낸 바와 같은 일부 실시예들에서, 1 이상의 방벽은 각각 고정된 제 1 구조체(602)와 이동가능한 제 2 구조체(604) 사이에서 연장되는 갭(614)에 위치되는 포일(630)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 포일(630)들은 갭(614)을 통해 제 1 챔버(603)로부터 제 2 챔버(605)를 향해 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따르는 방향으로 이동할 수 있는 여하한의 오염물 입자를 정지시킬 수 있다. 일부 예시들에서, 포일(630)의 제 1 단부(631)는 고정된 제 1 구조체(602)의 표면(615)에 고정적으로 커플링되고, 포일(630)의 제 2 단부(633)는 이동가능한 제 2 구조체(604)의 표면(617)에 고정적으로 커플링된다. 일부 예시들에서, 포일(630)의 단부들(631 및 633)은 [접착제 구성요소, 레이저 또는 초음파 용접, 화학 결합, (볼트, 스크루 등과 같은) 파스너, 클램핑, 또는 그 조합과 같은, 그러나 이에 제한되지는 않는] 여하한의 접합 기술을 사용하여 제 1 및 제 2 구조체들(602 및 604)에 커플링될 수 있다.

그리고 일부 예시들에서, 포일(630)의 중간 부분(632)은 포일(630)의 제 1 및 제 2 단부들(631 및 633)보다 제 1 챔버(603)에 더 가까이 위치되어 구부러진 롤링 포일 구성부를 형성한다. 포일(630)의 이러한 롤링 포일 구성부는 제 1 구조체(602)와 제 2 구조체(604) 사이의 이동, 예를 들어 도 6a 내지 도 6d의 Y-축을 따른 이동을 방해하지 않으면서, 잠재적으로 제 1 챔버(603)를 떠나 갭(614)을 통과할 수 있는 입자들을 정지시킬 수 있다.

도 6b는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 장치(600)의 평면도를 단면도로 예시한다. 도 6b에 나타낸 바와 같이, 장치(600)는 제 1 구조체(602)(도 6b에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 제 1 측(618A) 상의 단일 제 1 포일(630A), 및 제 1 구조체(602)(도 6b에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 제 2 측(618B) 상의 단일 제 2 포일(630B)을 포함할 수 있다. 도 6b에 나타낸 바와 같은 일부 예시들에서, 포일들(630A 및 630B)은 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축을 따르는 방향)으로 시일 부분(606)의 실질적으로 전체 치수를 따라 연장된다. 예를 들어, 포일들(630A 및 630B)은 도 5의 구역들(504B)에 대응하는 영역들을 덮도록 갭(614)에 배치된다. 이러한 것으로서, 갭(614)(도 6b에 도시되지 않음)에서의 시선은 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따라 차단된다.

도 6c는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 장치(600)의 평단면도를 예시한다. 도 6c에 나타낸 바와 같이, 장치(600)는 제 1 구조체(602)(도 6c에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 각각의 측에 하나보다 많은 포일(630)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 장치(600)는 제 1 구조체(602)(도 6c에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 제 1 측(618A)에 이동가능한 제 2 구조체(604)의 시일 부분(606)에 커플링된 3 개의 포일들(630A, 630B 및 630C)을 포함할 수 있고, 장치(600)는 제 1 구조체(602)(도 6c에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 제 2 측(618B)에 이동가능한 제 2 구조체(604)의 시일 부분(606)에 커플링된 3 개의 포일들(630A, 630B 및 630C)을 포함할 수 있다.

도 6c에 나타낸 바와 같이, 각각의 측(618A 및 618B) 상의 포일들(630A, 630B 및 630C)은 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따라 정렬된다. 일부 실시예들에서, 포일들(630A, 630B 및 630C)은 갭(635)에 의해 인접한 포일로부터 분리된다. 갭들(635)로 포일들(630A, 630B, 및 630C)을 분리하는 것은 제 2 구조체(604)로 하여금 표면(617)에 의해 정의된 평면에 수직인 축선을 중심으로 제 1 구조체(602)(도 6c에 도시되지 않음)에 대해 회전(예를 들어, Z-축을 중심으로 한 회전)하게 한다. 갭들(635)로 포일(630A, 630B, 및 630C)을 분리하는 것은, 예를 들어 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따라 고정된 제 1 구조체(602)와 이동가능한 제 2 구조체(604) 간의 이동을 허용한다. Z-축을 중심으로 한 회전 및 X-축을 따르는 병진을 허용하면서, 예를 들어 포일들(630A, 630B, 및 630C)은 입자들을 정지시키거나 잠재적으로 제 1 챔버(603)를 떠나 갭(614)을 통과할 수 있는 입자들의 양을 감소시킬 수도 있다. 추가적으로, 포일들(630A, 630B, 및 630C)은 롤링 구성으로 인해, 예를 들어 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따르는 고정된 제 1 구조체(602)와 이동가능한 제 2 구조체(604) 간의 이동을 방해하지 않을 수도 있다. 도 6c에 나타낸 일부 예시들에서, 포일들(630A, 630B, 및 630C)은 도 5의 구역들(504B)에 대응하는 영역들을 실질적으로 덮도록 갭(614)에 배치된다. 이러한 것으로서, 갭(635)과 정렬된 영역들을 제외하고는, 갭(614)(도 6c에 도시되지 않음)에서의 시선은 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따라 차단된다.

도 6d는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 장치(600)의 평단면도를 예시한다. 도 6d에 나타낸 바와 같이, 장치(600)는 제 1 구조체(602)(도 6d에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 각각의 측에 하나보다 많은 포일(630)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 장치(600)는 제 1 구조체(602)(도 6d에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 제 1 측(618A)에 이동가능한 제 2 구조체(604)의 시일 부분(606)에 커플링된 3 개의 포일들(630A, 630B 및 630C)을 포함할 수 있고, 장치(600)는 제 1 구조체(602)(도 6d에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 제 2 측(618B)에 이동가능한 제 2 구조체(604)의 시일 부분(606)에 커플링된 3 개의 포일들(630A, 630B 및 630C)을 포함할 수 있다.

도 6d에 나타낸 바와 같이, 각각의 측(618A 및 618B) 상의 포일들(630A, 630B 및 630C)은 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따라 연장될 수 있다. 이 예시에서, 포일들(630A 내지 630C)은 포일(630B)이 포일들(630A 및 630C)과 부분적으로 겹치도록 배치된다. 도 6d에 나타낸 바와 같이 부분적으로 겹치도록 포일들(630A, 630B, 및 630C)을 위치시키는 것은 제 2 구조체(604)로 하여금 표면(617)에 의해 정의된 평면에 수직인 축선을 중심으로 제 1 구조체(602)(도 6d에 도시되지 않음)에 대해 회전(예를 들어, Z-축을 중심으로 한 회전)하게 한다. 도 6d에 나타낸 바와 같이 부분적으로 겹치도록 포일들(630A, 630B, 및 630C)을 위치시키는 것은, 예를 들어 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따라 고정된 제 1 구조체(602)와 이동가능한 제 2 구조체(604) 간의 이동을 허용한다. Z-축을 중심으로 한 회전 및 X-축을 따르는 병진을 허용하면서, 예를 들어 포일들(630A, 630B, 및 630C)은 입자들을 정지시키거나 잠재적으로 제 1 챔버(603)를 떠나 갭(614)을 통과할 수 있는 입자들의 양을 감소시킬 수도 있다. 추가적으로, 포일들(630A, 630B, 및 630C)은 롤링 구성으로 인해, 예를 들어 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따르는 고정된 제 1 구조체(602)와 이동가능한 제 2 구조체(604) 간의 이동을 방해하지 않을 수도 있다. 도 6d에 나타낸 일부 예시들에서, 포일들(630A, 630B, 및 630C)은 도 5의 구역들(504B)에 대응하는 영역들을 실질적으로 덮도록 갭(614)에 배치된다. 이러한 것으로서, 갭(614)(도 6d에 도시되지 않음)에서의 시선은 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따라 차단된다.

도 6c 및 6d는 제 1 구조체(602)(도 6c 및 도 6d에 도시되지 않음) 및 제 2 구조체(604)의 각각의 측에 3 개의 포일들(630A 내지 630C)을 예시하지만, 본 발명의 실시예들은 여하한 수의 포일들을 포함할 수 있다.

일부 예시들에 따르면, 포일(들)(630)은 금속(들)으로 만들어질 수 있다. 비-제한적인 예시로서, 포일(들)(630)은 알루미늄, 및 일부 실시예들에서는 니켈(Ni) 코팅된 알루미늄일 수 있다. 사용될 수 있는 금속의 다른 예시들은 주석, 강철, 스테인리스강 또는 여하한의 다른 적절한 금속이다. 또 다른 비-제한적인 예시로서, 포일(들)(630)은 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)으로 코팅된 금속 포일일 수 있다.

일부 예시들에 따르면, 포일(들)(630)은 폴리머(들)로 만들어질 수 있다. 폴리머는 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK), 캡톤, PTFE, 또는 여하한의 다른 적절한 폴리머를 포함할 수 있다.

일부 예시들에 따르면, 포일(들)(630)의 길이[예를 들어, (롤링 구성이 아닌) Y-축을 따라 평평하게 놓인 경우의 단부들(631 및 633) 사이의 거리], 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따르는 포일(들)(630)의 폭, 포일(630)의 폭의 두께, 및 롤링 구성에서의 중간 부분(632)의 곡선의 반경은 상이한 파라미터들 및 디자인 요건들에 기초하여 변할 수 있다. 일 예시에서, 롤링 구성에서의 중간 부분(632)의 곡선의 굽힘 반경은 약 0.5 mm 내지 약 1.5 mm일 수 있다. 예를 들어, 포일(630)의 중간 부분(632)의 곡선의 굽힘 반경은 약 0.75 mm 내지 약 1.25 mm일 수 있다. 예를 들어, 포일(630)의 중간 부분(632)의 곡선의 굽힘 반경은 약 1 mm일 수 있다. 일 예시에서, 포일(630)의 두께는 약 50 ㎛ 내지 약 200 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 포일(630)의 두께는 약 75 ㎛ 내지 약 150 ㎛일 수 있다. 일부 예시들에서, 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따른 포일(630)의 길이[(롤링 구성이 아닌) Y-축을 따라 평평하게 놓인 경우의 단부들(631 및 633) 사이의 거리]는 갭(514)의 (도 4에 나타낸) 길이(425)의 약 2 배일 수 있다. 예를 들어, 포일(630)의 길이는 약 150 mm 내지 약 650 mm일 수 있다. 하지만, 이들은 예시적인 치수들이고, 본 발명의 실시예들은 이 예시들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다.

예시적인 배플 방벽

도 7은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른, 맞물린 돌출 배플들로 만들어진 입자 억제 방벽을 갖는 장치(700)의 부분적인 사시도를 예시한다. 장치(700)는 일부 실시예들에서 도 4, 도 5 및 도 6의 레티클 스테이지들(400, 500 및 600)과 같은 레티클 스테이지일 수 있다. 따라서, 레티클 스테이지들(400, 500, 및 600)의 특징들과 유사한 도 7의 실시예의 특징들은 도 4, 도 5, 및 도 6에서와 유사한 참조 번호로 표시되지만, 4, 5, 또는 6 대신에 7로 시작된다. 하지만, 도 7의 실시예들은 리소그래피 장치[예를 들어, 본 발명에서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치들(100 및 100')]의 다른 적절한 구성요소들, 메트롤로지 시스템, 튜브, 가스 흐름 덕트, 또는 가스 덕트/파이프 박스와 같은 다른 입자 민감성 장치, 및/또는 바람직하지 않은 오염물 입자들의 수를 감소시키는 여하한의 입자 민감성 장치에 적용될 수 있다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 장치(700)는 고정된 제 1 구조체(702) 및 이동가능한 제 2 구조체(704)를 포함할 수 있다. 다시, 고정된 및 이동가능한이라는 용어는 상호교환가능하며, 이 구조체들 간의 상대 이동들을 설명하기 위해서만 사용된다. 제 1 구조체(702)는 이동가능할 수 있고, 제 2 구조체(704)는 고정될 수 있다. 또는 구조체들은 둘 다 필요에 따라 이동가능하거나 고정될 수 있다.

도 7에 예시된 바와 같이, 장치(700)는 복수의(즉, 2 이상의) 맞물린 돌출 배플들을 포함하는 입자 억제 방벽을 포함하며, 이는 제 1 구조체(702)와 제 2 구조체(704) 사이의 갭(714)을 통과할 수 있고 결국 패터닝 디바이스와 접촉할 수 있는 입자들의 양을 감소시킬 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 1 이상의 돌출 배플(799A)이 고정된 제 1 구조체(702)의 표면(715)으로부터 연장된다. 유사하게, 1 이상의 돌출 배플(799B)이 이동가능한 제 2 구조체(704)의 표면(717)으로부터 연장된다. 배플들(799A)은 배플들(799B)과 서로 맞물린다.

일부 실시예들에서, 배플들(799A 및 799B)은 도 5를 참조하여 앞서 논의된 구역들(504A)에 대응하는 영역들에서 갭(714)에 배치된다. 일부 예시들에서, 구역들(504A)에 대응하는 실질적으로 전체 영역들은 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)을 포함한다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예시들에서, 배플들(799A 및 799B)은 도 5를 참조하여 앞서 논의된 구역들(504B)에 대응하는 영역들에서 갭(714)에 배치된다. 일부 예시들에서, 구역들(504B)에 대응하는 실질적으로 전체 영역들은 맞물린 배플들(799A 및 799B)을 포함한다.

일부 예시들에 따르면, 맞물린 배플들(799A 및 799B)은 각각의 표면들(715 및 717)로부터 스캔 방향(예를 들어, Y-축)에 의해 정의된 평면에 수직인 방향(예를 들어, Z-축) 및 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)으로 연장된다. 그리고 도 7에 나타낸 바와 같이, 각각의 맞물린 배플(799A 및 799B)의 주 치수(798)는 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따라 연장되고 인접한 배플들(799A 및 799B)에 평행하다.

일부 실시예들에서, 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)은 장치(700)의 작동 동안 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따르는 고정된 제 1 구조체(702)와 이동가능한 제 2 구조체(704) 간의 상대 이동을 방해하지 않도록 디자인된다. 예를 들어, 스캔 방향을 따르는 인접한 배플들(799A 및 799B)의 평행한 구성으로 인해, 제 2 구조체(704)가 스캔 방향을 따라 이동할 때, 배플들(799A) 및 배플들(799B)은 서로 접촉하지 않는다. 일부 실시예들에서, 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)은 장치(700)의 작동 동안 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따르는 고정된 제 1 구조체(702)와 이동가능한 제 2 구조체(704) 간의 상대 이동을 방해하지 않도록 디자인된다. 예를 들어, 제 2 구조체(704)가 스캔 방향을 가로지르는 방향을 따라 이동할 때, 배플들(799A)과 배플들(799B)은 서로 접촉하지 않는다. 예를 들어, 작동 동안, 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따른 상대 이동은 하나의 배플(799A)과 인접한 배플(799B) 사이의 거리보다 통상적으로 더 작다. 하지만, 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따르는 고정된 구조체와 이동가능한 구조체의 서로에 대한 이동이 인접한 배플들 사이의 거리보다 큰 경우, 인접한 배플들은 서로 접촉할 것이고, 추가 이동을 막을 수 있다.

일부 실시예들에 따르면, 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)은 입자들을 정지시키거나 적어도 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따라 갭(714)을 통과할 수 있는 입자들의 양을 감소시키는 방벽으로서 작용한다. 맞물린 구성으로 인해, 돌출 배플들(799A 및 799B)은 스캔 방향을 가로지르는 방향(예를 들어, X-축)을 따라 갭(714)의 시선을 막는다. 입자들은 갭(414/514)을 통해 명확한 시선을 따라 제 1 챔버(403)로부터 제 2 챔버(405)로 이동할 수 있다. 일부 예시들에 따르면, Y-축과 평행하게 진행하는 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)은 구역들(504A)을 넘어가는 시선을 완전히 가릴 수 있고, 구역들(504B)을 넘어가는 시선에 대해 Y-축과 거의 평행하지 않은 시선을 가릴 수 있다. 시선의 억제는 대략 L/W 인자이다. 여기서, W는 동일한 표면으로부터 돌출하는 2 개의 인접한 돌출 배플들 사이(예를 들어, 인접한 배플들 799A 사이)의 거리이며, L은 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따르는 배플들(799A 및 799B)을 갖는 대향 표면들(715 및 717)의 길이(798)이다.

일부 실시예들에 따르면, 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)은 입자들을 정지시키거나 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따라 갭(714)을 통과할 수 있는 입자들의 양을 감소시키는 방벽으로서 작용할 수도 있다. 즉, 배플들(799A 및 799B)이 스캔 방향을 따르는 인접한 배플들(799A 및 799B)의 평행한 구성으로 인해 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따르는 시선을 차단하지는 않지만, 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)은 여전히 스캔 방향(예를 들어, Y-축)을 따라 갭(714)을 통과할 수 있는 오염 입자들을 감소시키거나 정지시키는 데 도움이 될 수 있다. 오염 입자들이 스캔 방향을 따라 갭(714)을 통과할 때, 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)은 입자가 바운싱하는 횟수를 증가시키고, 이에 따라 오염 입자가 패터닝 디바이스를 갖는 챔버에 도달하기 전에 갭(714)에서 정지할 가능성을 증가시킨다.

일부 실시예들에서, 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)은 갭(714)을 통과하는 입자들을 더 억제하기 위해 맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)로부터 연장되는 마이크로-배플들 또는 범프들(도 7에 도시되지 않음)을 가질 수 있다. 이 마이크로-배플들은 갭(714)을 통과하는 오염 입자들의 바운스를 더 랜덤화할 수 있으며, 이는 패터닝 디바이스를 포함한 챔버로 갭(714)을 빠져나가기 전에 필요한 바운스의 수를 증가시키고, 차례로 입자들이 갭(714)을 나가기 전에 정지할 가능성을 증가시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 마이크로-배플들의 높이[즉, 돌출 배플들(799A 및 799B)의 주된 표면으로부터 마이크로-배플들의 가장 먼 지점까지의 거리]는 갭(714) 내에 있을 것으로 예상되는 오염 입자들의 최대 직경보다 크지만, 갭(714)의 갭 높이(H)보다는 작다. 예를 들어, 마이크로-배플들의 높이는 약 50 ㎛일 수 있다.

도 9는 고정된 제 1 구조체(902) 또는 이동가능한 제 2 구조체(904)에 사용될 수 있는 예시적인 마이크로-배플들을 개시한다. 일부 예시들에서, 마이크로-배플 구조체들(982)은 도 5를 참조하여 앞서 논의된 구역들(504A)에 대응하는 영역들에서 갭(914)에 배치된다. 예를 들어, 구역들(504A)에 대응하는 실질적으로 전체 영역들 또는 그 일부가 마이크로-배플 구조체들(982)을 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-배플 구조체들(982)은 도 5를 참조하여 앞서 논의된 구역들(504B)에 대응하는 영역들에서 갭(914)에 배치된다. 예를 들어, 구역들(504B)에 대응하는 실질적으로 전체 영역들 또는 그 일부가 마이크로-배플 구조체들(982)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마이크로-배플 구조체들(982)은 예를 들어 Z-축을 따르는 방향으로 제 1 구조체(902) 또는 제 2 구조체(904)로부터 연장될 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 각각의 마이크로-배플 구조체들(982)의 크기는 제 1 구조체(902)와 제 2 구조체(904) 사이의 갭(914)을 통과할 것으로 예상되는 최대 입자 크기보다 클 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 마이크로-배플 구조체들(982)의 돌출부들 각각의 크기는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭 높이보다 작다. 예를 들어, 각각의 마이크로-배플 구조체(982)의 크기는 약 1 ㎛ 내지 약 60 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 각각의 마이크로-배플 구조체(982)의 크기는 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 각각의 마이크로-배플 구조체(982)의 크기는 약 10 ㎛ 내지 약 20 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 각각의 마이크로-배플 구조체(982)의 크기는 약 20 ㎛ 내지 약 40 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 각각의 마이크로-배플 구조체(982)의 크기는 약 40 ㎛ 내지 약 60 ㎛일 수 있다. 하지만, 다른 치수들이 사용될 수 있다. 마이크로-배플 구조체들(982)의 수, 크기, 형상, 구성, 및 분포는 상이한 파라미터들 및 디자인 요건들에 기초하여 변할 수 있다. 마이크로-배플 구조체들(982)은 상이한 토포그래피들을 가질 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 마이크로-배플 구조체들(982)은 주기적이 아니며 평행한 리지들이 아니다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-배플 구조체들(982)은 표면들 내의 딤플(dimple)들일 수 있다.

앞서 논의된 바와 같이, 마이크로-배플 구조체들(982)은 제 1 구조체(902) 또는 제 2 구조체(904)에서 사용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-배플 구조체들(982)은 일부 실시예들에서 배플들(799A 또는 799B) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 각각의 배플(799A 또는 799B)이 배플(799A 또는 799B)의 1 이상의 표면 상에 배치되는 복수의 마이크로-배플 구조체들(982)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마이크로-배플 구조체들(982)은 각각의 배플(799A 또는 799B)로부터 연장될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-배플 구조체들(982)은 배플들(799A 또는 799B) 사이의 표면들에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 7을 참조하면, 마이크로-배플 구조체들(982)은 배플들(799B) 사이의 제 2 구조체(704)의 표면(717) 상에 배치될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-배플 구조체들(982)은 배플들(799A) 사이의 제 1 구조체(702)의 표면(715) 상에 배치될 수 있다.

복수의 마이크로-배플 구조체들(982)의 예시적인 기능이 도 9를 참조하여 아래에 설명된다. 갭(914)을 통해 이동하는 오염물 입자들은 마이크로-배플 구조체들(982)과 충돌할 것이다. 예를 들어, 도 9에 나타낸 바와 같이, 마이크로-배플 구조체들(982)은 입자가 마이크로-배플 구조체들(982)과 여러 번 충돌하도록 오염물 입자의 궤적(981)의 방향을 여러 번 변화시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 마이크로-배플 구조체들(982)은 가파른 범프들을 포함할 수 있다. 각각의 충돌로, 입자는 운동 에너지를 잃는다. 그리고 충분히 낮은 속도 또는 운동 에너지로, 입자는 반데르발스 상호작용으로 인해 마이크로-배플 구조체들(982)의 표면에 달라붙을 것이다. 일 실시예에서, 마이크로-배플 구조체들(982)은 오염물 입자들과 마이크로-배플 구조체들(982)의 표면들 사이의 반데르발스 힘을 증가시키기 위해 높은 하마커 상수를 갖는 재료들로 만들어질 수 있으며, 이는 오염물 입자가 마이크로-배플 구조체들(982)의 표면들에 달라붙을 가능성이 더 높다. 마이크로-배플 구조체들(982)과 입자들의 충돌들은 입자들이 마이크로-배플 구조체들(982)에 포획될 수 있도록 오염물 입자의 운동 에너지를 상당히 감소시킨다. 추가적으로 또는 대안적으로, 도 9의 마이크로-배플 구조체들(982)은 일부 예시들에서 마이크로-배플 구조체들(982) 상의 오염물 입자의 입사 속도 벡터와 구조체(982)로부터의 그 반사 속도 벡터 사이의 상관관계를 최소화할 수 있다. 다시 말하면, 도 9의 마이크로-배플 구조체들(982)은 일부 예시들에서 오염물 입자가 마이크로-배플 구조체들(982)로부터 반사된 후 오염물 입자의 속도 벡터를 랜덤화할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-배플 구조체들(982)은 평행한 홈들을 갖는 홈이 있는 표면을 포함할 수 있다.

또한, 도 9의 마이크로-배플 구조체들(982)은 고정된 제 1 구조체(402)의 표면들 및 이동가능한 제 2 구조체(404)의 표면들과 같은 다른 표면들 상에 제공될 수 있다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 일부 실시예들에서 (Z-축 및 X-축에 수직인 평면을 따라) 돌출 배플들(799A 및 799B)의 단면 형상은 직사각형일 수 있다.

맞물린 돌출 배플들(799A 및 799B)의 수, 크기, 형상, 구성, 및 분포는 상이한 파라미터들 및 디자인 요건들에 기초하여 변할 수 있다. 추가적인 비-제한적 예시들이 도 8 및 도 10a 내지 도 10d에 제공된다. 예를 들어, 돌출 배플들(799A 및 799B)은 여하한의 적절한 단면 형상, 예를 들어 직사각형, 삼각형, 장사방형(rhomboid), 또는 여하한의 다른 적절한 단면 형상을 가질 수도 있다. 이 구성들의 예시들은 도 8 및 도 10a 내지 도 10d에 도시되어 있다.

예를 들어, 도 8은 (Z-축 및 X-축에 수직인 평면을 따라) 삼각형 단면을 갖는 맞물린 돌출 배플들 및 복수의 마이크로-배플 구조체들(882)을 갖는 장치(800)의 부분적인 사시도를 예시한다. 장치(800)는 일부 실시예들에서 도 4, 도 5, 도 6, 및 도 7의 레티클 스테이지들(400, 500, 600, 및 700)과 같은 레티클 스테이지일 수 있다. 따라서, 레티클 스테이지들(400, 500, 600, 및 700)의 특징들과 유사한 도 8의 실시예의 특징들은 도 4, 도 5, 도 6, 및 도 7에서와 유사한 참조 번호로 표시되지만, 4, 5, 6, 또는 7 대신에 8로 시작되며, 더 설명되지는 않는다.

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 예시적인 맞물린 돌출 배플들의 단면도를 개략적으로 도시한다. 레티클 스테이지들(400, 500, 600, 700, 및 800)의 특징들과 유사한 도 10의 실시예의 특징들은 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 및 도 8에서와 유사한 참조 번호로 표시되지만, 4, 5, 6, 7, 또는 8 대신에 10으로 시작된다.

도 10a는 고정된 제 1 구조체(1002)의 표면(1015) 상에 제공된 돌출 배플들(1099A), 및 이동가능한 구조체(1004)의 표면(1017) 상에 제공된 돌출 배플들(1099B)을 예시한다. 도 10a에 나타낸 바와 같이, 배플들(1099A) 및 배플들(1099B)은 서로 맞물린다. 일부 예시들에 따르면, 맞물린 돌출 배플들(1099A 및 1099B)은 나타낸 바와 같이 직사각형 단면들을 가질 수 있으며, 각각의 돌출 배플(1099A 및 1099B)은 배플 높이(도 10a의 h - g) 및 폭(t)을 갖는다. 인접한 돌출 배플들(1099A 및 1099B)의 폭(t)은 높이(h-g)와 같거나 상이할 수 있다. 일부 실시예들에서, 돌출 배플들(1099A) 및/또는 돌출 배플들(1099B)은 각각의 표면들(1015 및 1017)에서 동일하게 이격되지 않는다. 또 다른 실시예에서, 돌출 배플들(1099A) 및/또는 돌출 배플들(1099B)은 각각의 표면들(1015 및 1017)에서 동일하게 이격된다. 배플 높이[이는 표면(1015)과 표면(1017) 사이의 거리(h)에서, 각각의 배플(1099A 및 1099B)의 상부 표면(1070)과 마주하는 표면(예를 들어, 표면(1015 또는 1017)) 사이의 거리(g)를 뺀 것과 같을 수 있음], 배플 폭(t), 및 인접한 돌출 배플들(1099A 및 1099B) 사이의 거리(p)는 타겟된 오염물 입자들의 속성들에 기초하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 돌출 배플들(1099A 및 1099B)의 구성은 구체적으로 오염물 입자들의 예상 속도, 입사각, 치수, 재료, 또는 중량에 기초하여 구성될 수 있다.

일부 예시들에 따르면, 거리(p)는 예를 들어 X-축을 따른 제 1 및 제 2 구조체들(1002 및 1004)의 상대 이동 및 Z-축을 중심으로 한 제 1 및 제 2 구조체들(1002 및 1004)의 상대 회전에 기초하여 디자인될 수 있다.

배플 방벽의 또 다른 예시가 도 10b에 예시된다.

도 10c는 고정된 제 1 구조체(1002)의 표면(1015) 상에 제공된 돌출 배플들(1099A) 및 이동가능한 제 2 구조체(1004)의 표면(1017) 상에 제공된 맞물린 돌출 배플들(1099B)의 또 다른 예시를 나타낸다. 일부 예시들에 따르면, 맞물린 돌출 배플들(1099A 및 1099B)은 도 10c에 나타낸 바와 같이 사다리꼴 단면 형상들을 가질 수 있다.

일부 실시예들에 따르면, 돌출 배플들(1099A 및 1099B)의 구성은 구체적으로 오염물 입자들의 예상 속도, 입사각, 치수, 재료, 또는 중량에 기초하여 구성될 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 거리(p)[2 개의 인접한 배플들(1099A 및 1099B)의 인접한 벽들 사이의 거리]는 예를 들어 X-축을 따른 제 1 및 제 2 구조체들(1002 및 1004)의 상대 이동 및 Z-축을 중심으로 한 제 1 및 제 2 구조체들(1002 및 1004)의 상대 회전에 기초하여 디자인될 수 있다.

도 10d는 맞물린 돌출 배플들의 또 다른 예시를 나타낸다. 도 10d에 나타낸 바와 같이, 배플들(1099A)은 고정된 제 1 구조체(1002)의 표면(1015) 상에 제공되고, 배플들(1099B)은 이동가능한 제 2 구조체(1004)의 표면(1017) 상에 제공된다. 일부 예시들에 따르면, 맞물린 돌출 배플들(1099A 및 1099B)은 삼각형 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 배플들(1099A 및 1099B)의 각각의 배플은 각각의 표면(1015 또는 1017)에 대해 각도(θ₁)만큼 경사진 제 1 표면(1076), 및 각각의 표면(1015 또는 1017)에 대해 각도(θ₂)만큼 경사진 표면(1077)을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 동일하다. 일부 실시예들에서, 일부 실시예들에 따르면, 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 동일하지 않다.

일부 실시예들에서, 도 10a 내지 도 10d에 나타낸 바와 같이, 배플들(1099A)은 측벽 표면들(1076 및 1077)을 포함하고, 배플들(1099B)은 측벽 표면들(1076 및 1077)을 포함한다. 일부 예시들에 따르면, 배플들(1099A)의 측벽 표면(1076)은 배플들(1099B)의 인접한 측벽 표면(1076)과 평행하다. 일부 예시들에 따르면, 배플들(1099A)의 측벽 표면(1077)은 배플들(1099B)의 인접한 측벽 표면(1077)과 평행하다.

일부 실시예들에서, 배플들(1099A 및 1099B)은 도 5를 참조하여 앞서 논의된 구역들(504A)에 대응하는 영역들에 배치된다. 일부 예시들에서, 구역들(504A)에 대응하는 실질적으로 전체 영역들은 맞물린 돌출 배플들(1099A 및 1099B)을 포함한다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예시들에서, 배플들(1099A 및 1099B)은 도 5를 참조하여 앞서 논의된 구역들(504B)에 대응하는 영역들에 배치된다. 일부 예시들에서, 구역들(504B)에 대응하는 실질적으로 전체 영역들은 맞물린 배플들(1099A 및 1099B)을 포함한다.

도 10a 내지 도 10d는 맞물린 돌출 배플들의 예시들로서 제공된다. 하지만, 본 발명의 실시예들은 이 예시들로 제한되지 않는다. 일 예시로서, 맞물린 돌출 배플들은 사인곡선 단면 형상들을 가질 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 맞물린 돌출 배플들은 도 12a 내지 도 12h에서 논의되는 배플들을 포함하고, 및/또는 이와 유사하게 디자인될 수 있다.

도 7 내지 도 9 및 도 10a 내지 도 10d는 입자들의 이동 속도 및 방향에 기초하여 디자인될 수 있다. 예를 들어, 입자들이 (예를 들어, 도 10a 내지 도 10d에 나타낸 바와 같이) X-축의 방향으로 더 높은 속도를 갖는 경우, 맞물린 돌출 배플들은 동일한 방향으로 더 수직인 구조들을 갖도록 디자인된다. 또 다른 예시에서, 입자들이 (예를 들어, 도 10a 내지 도 10d에 나타낸 바와 같이) Z-축의 방향으로 더 높은 속도를 갖는 경우, 맞물린 돌출 배플들은 덜 수직인 구조들을 갖도록 디자인되고, (예를 들어, 도 10a 및 도 10c에 나타낸 바와 같은) 갭(h)은 더 작을 것이다.

일부 예시들에 따르면, 맞물린 돌출 배플들은 장치들(700 및 800)의 통합 구성요소들일 수 있다. 또한, 일부 실시예들에 따르면, 맞물린 돌출 배플들은 필요에 따라 제 1 및 제 2 구조체들 상에 장착될 수 있는 부착가능한 구성요소들일 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 부착가능한 맞물린 돌출 배플들은 처분가능(disposable)할 수 있다.

본 명세서에서는 예시적인 디자인들이 논의되지만, 본 발명의 실시예들은 이 예시들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 논의된 예시적인 디자인들의 여하한의 조합을 포함한다.

입자 억제를 위한 예시적인 트랩

도 11a 및 도 11b는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 입자 억제를 위한 1 이상의 트랩을 갖는 다양한 구성의 장치들(1100 및 1100')의 단면도를 개략적으로 도시한다. 장치들(1100 및 1100')은 일부 실시예들에서 도 4, 도 5, 도 6a 내지 도 6d의 레티클 스테이지들(400, 500, 및 600)과 같은 레티클 스테이지일 수 있다. 따라서, 레티클 스테이지들(400, 500, 및 600)의 특징들과 유사한 장치들(1100 및 1100')의 특징들은 도 4, 도 5, 및 도 6에서와 유사한 참조 번호로 표시되지만, 4, 5, 또는 6 대신에 11로 시작된다. 하지만, 도 11a 및 도 11b의 실시예들은 리소그래피 장치[예를 들어, 본 발명에서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치들(100 및 100')]의 다른 적절한 구성요소들, 메트롤로지 시스템, 튜브, 가스 흐름 덕트, 또는 가스 덕트/파이프 박스와 같은 다른 입자 민감성 장치, 및/또는 바람직하지 않은 오염물 입자들의 수를 감소시키는 여하한의 입자 민감성 장치에 적용될 수 있다.

도 11a 및 도 11b에 나타낸 바와 같이, 장치들(1100 및 1100')은 고정된 제 1 구조체(1102) 및 이동가능한 제 2 구조체(1104)를 포함할 수 있다. 다시, 고정된 및 이동가능한이라는 용어는 상호교환가능하며, 구조체들(1102 및 1104) 간의 상대 이동을 설명하기 위해서만 사용된다. 예를 들어, 고정된 제 1 구조체(1102)는 이동가능할 수 있고, 이동가능한 제 2 구조체(1104)는 고정될 수 있다. 또는 구조체들은 둘 다 필요에 따라 이동가능하거나 고정될 수 있다.

도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 제 1 챔버(1103)는 고정된 제 1 구조체(1102) 및 이동가능한 제 2 구조체(1104)에 의해 적어도 부분적으로 정의된다. 장치들(1100 및 1100')은, 제 1 챔버(1103)를 떠나 제 1 및 제 2 구조체들(1102 및 1104) 사이의 갭(1114)을 통과할 수 있는 입자들의 양을 감소시키거나 정지시키는 1 이상의 트랩을 제 1 챔버(1103)에 포함할 수 있다.

도 11a에 나타낸 바와 같이, 1 이상의 입자 트랩(1190)은 제 1 챔버(1103) 내에 배치되어 다양한 속도, 입사각 또는 다른 입자 속성들을 갖는 오염물 입자를 포획할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에 따라, 1 이상의 입자 트랩(1190)은 적어도 부분적으로 제 1 챔버(1103)를 정의하는 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 1 이상의 표면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 11a에 나타낸 바와 같이, 1 이상의 입자 트랩(1190)은 제 1 챔버(1103)의 저부를 정의하는 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 표면(1159) 상에 배치될 수 있고, 1 이상의 입자 트랩(1190)은 제 1 챔버(1103)의 측면 부분을 정의하는 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 표면(1161) 상에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 표면(1161) 상에 배치된 1 이상의 입자 트랩(1190)은 표면(1161)을 부분적으로 또는 실질적으로 완전히 덮을 수 있다. 일부 실시예들에서, 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 표면(1159) 상에 배치된 1 이상의 입자 트랩(1190)은 표면(1159)을 부분적으로 또는 실질적으로 완전히 덮을 수 있다.

일부 실시예들에서, 1 이상의 입자 트랩(1190)은 제 1 챔버(1103) 내의 고정된 제 1 구조체(1102)의 1 이상의 표면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 11a에 나타낸 바와 같이, 입자 트랩(1190)은 적어도 부분적으로 제 1 챔버(1103)를 정의하는 고정된 제 1 구조체(1102)의 표면(1115) 상에 배치될 수 있다. 표면(1115)은 일부 실시예들에서 이동가능한 제 2 구조체(1104)와 마주한다. 또 다른 예시로서, 도 11a에 나타낸 바와 같이, 입자 트랩(1190)은 고정된 제 1 구조체(1102)의 표면(1120) 상에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 고정된 제 1 구조체(1102)의 표면들(1115 및 1120) 상에 배치된 1 이상의 입자 트랩(1190)은 표면들(1115 및 1120)을 부분적으로 또는 실질적으로 완전히 덮을 수 있다. 입자 트랩들(1190)은 제 1 챔버(1103)[및 도 4의 제 1 챔버(403)] 내에서 고정된 제 1 구조체(1102) 및 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 표면들 상에 배치될 수 있다.

또한, 다양한 실시예들에 따라, 입자 트랩들(1190)은 제 1 챔버(1103) 내에 있는 고정된 제 1 구조체(1102) 및 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 다른 표면들 상에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 입자 트랩들(1190)은 안쪽으로[예를 들어, 제 1 챔버(1103)의 중심을 향해] 돌출하고 제 2 구조체(1104)의 표면(1159)과 마주하는 제 2 구조체(1104)의 표면(1157) 상에 배치될 수 있다. 또한, 입자 트랩들(1190)은 제 1 챔버(1103) 내에 있는 고정된 제 1 구조체(1102) 또는 이동가능한 제 2 구조체(1104) 상의 여하한의 구조체의 표면들 상에 배치될 수 있다.

일부 예시들에 따르면, 장치들(1100 및 1100')의 제조 동안, 장치들(1100 및 1100')의 다양한 부분들의 표면들이 입자 트랩들(1190)의 기계적 구조를 형성할 수 있고, 이에 따라 입자 트랩들(1190)은 장치들(1100 및 1100')의 통합 구성요소들일 수 있다. 또한, 일부 실시예들에 따라, 입자 트랩들(1190)은 필요에 따라 고정된 제 1 구조체(1102) 또는 이동가능한 제 2 구조체(1104) 상에 장착될 수 있는 부착가능한 구성요소들일 수 있다. 또한, 부착가능한 입자 트랩들(1190)은 일부 실시예들에서 처분가능할 수 있다. 일부 실시예들에서, 예를 들어 주기적 유지보수 동안의 입자 트랩들(1190)의 검사 시 및/또는 일부 시간 제한의 만료 시, 입자 트랩들(1190)이 제거될 수 있고, 새로운 부착가능한 입자 트랩들(1190)이 고정된 제 1 구조체(1102) 및/또는 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 1 이상의 표면에 부착될 수 있다.

간단함을 위해, 입자 트랩들(1190)의 예시적인 구조적 세부사항은 도 11a 및 도 11b에 도시되지 않으며, 아래에서 논의되는 도 12a 내지 도 12e에 도시된다.

도 12a 내지 도 12l은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 입자 트랩(1290)을 개략적으로 도시한다. 입자 트랩들(1290)은 일부 실시예들에서 도 11a 및 도 11b의 입자 트랩(1190)일 수 있다. 하지만, 도 12a 내지 도 12l의 실시예들은 리소그래피 장치[예를 들어, 본 발명에서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치들(100 및 100')]의 다른 적절한 구성요소들, 메트롤로지 시스템, 튜브, 가스 흐름 덕트, 또는 가스 덕트/파이프 박스와 같은 다른 입자 민감성 장치, 및/또는 바람직하지 않은 오염물 입자들의 수를 감소시키는 여하한의 입자 민감성 장치에 적용될 수 있다.

예를 들어, 도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입자 트랩(1290)의 단면도를 개략적으로 도시한다. 입자 트랩(1290)은 복수의 돌출 배플들(1292)을 포함한다. 돌출 배플들(1292)은 도 11a 및 도 11b의 제 1 챔버(1103) 내에서 오염물 입자들을 저지하도록 구성되어, 이들이 도 11a 및 도 11b의 갭(1114)에 도달하는 것을 방지한다. 또한, 돌출 배플들(1292)은 여하한의 적절한 단면 형상, 예를 들어 거의 직사각형, 삼각형, 거의 삼각형, 장사방형, 또는 거의 장사방형을 가질 수도 있다. 이 구성들의 또 다른 예시들은 도 12b 내지 도 12h에 도시되어 있다.

도 12a에 나타낸 바와 같이, 돌출 배플들(1292)은 직사각형 단면들을 가질 수 있으며, 각각의 돌출 배플(1292)은 높이 H 및 폭 W를 갖고 인접한 배플로부터 거리 P만큼 이격되어 있다. 돌출 배플(1292)의 폭(W)은 높이(H)와 같거나 상이할 수 있다. 일부 실시예들(도 12a에 도시되지 않음)에서, 배플들은 변동하는 거리(P)만큼 이격되어 있다 - 돌출 배플들(1292)은 동일하게 이격되지 않는다. 또 다른 실시예에서, 돌출 배플들(1292)은 동일하게 이격된다 - 거리(P)가 일정하다. 예를 들어, 인접한 돌출 배플들(1292)의 마주하는 측벽들 사이의 거리(P)는 약 500 ㎛이다. 돌출 배플들(1292)의 높이(H), 폭(W) 및 거리(P)는 타겟된 오염물 입자들의 속성들에 기초하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 돌출 배플들(1292)의 구성은 오염물 입자들의 속도, 입사각, 치수, 재료, 또는 중량에 기초하여 변동될 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 돌출 배플들(1292)의 폭(W)은 약 1 ㎛ 내지 약 20 mm일 수 있다. 예를 들어, 돌출 배플들(1292)의 폭(W)은 약 1 ㎛ 내지 약 1 mm일 수 있다. 예를 들어, 돌출 배플들(1292)의 폭(W)은 약 1 mm 내지 약 20 mm일 수 있다. 예를 들어, 돌출 배플들(1292)의 폭(W)은 약 1 mm 내지 약 5 mm일 수 있다. 예를 들어, 폭(W)은 약 1.5 mm 내지 약 4.5 mm일 수 있다. 예를 들어, 폭(W)은 약 1.5 mm 내지 약 2.5 mm일 수 있다. 또 다른 예시로서, 폭(W)은 약 3.5 mm 내지 약 4.5 mm일 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 도 12a의 돌출 배플들(1292)의 높이(H)는 약 1 ㎛ 내지 약 20 mm일 수 있다. 예를 들어, 도 12a의 돌출 배플들(1292)의 높이(H)는 약 1 ㎛ 내지 약 1 mm일 수 있다. 예를 들어, 도 12a의 돌출 배플들(1292)의 높이(H)는 약 1 mm 내지 약 20 mm일 수 있다. 예를 들어, 도 12a의 돌출 배플들(1292)의 높이(H)는 약 1 mm 내지 약 6 mm일 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 넓은 범위의 크기, 재료, 이동 속도 및 입사각을 갖는 입자들이 도 4의 패터닝 디바이스(412)에 도달할 가능성을 감소시킬 것으로 예상된다.

입자 트랩(1290)의 예시적인 작동이 도 11a, 도 11b 및 도 12a를 참조하여 아래에서 설명된다. 제 1 챔버(1103) 내의 오염물 입자들은 입자 트랩(1290)의 복수의 배플들(1292)과 여러 번 충돌할 것이다. 각각의 충돌로, 입자는 운동 에너지 및 속도를 잃고, 충분히 낮은 속도 또는 운동 에너지로, 입자는 반데르발스 상호작용으로 인해 입자 트랩(1290)의 표면에 달라붙을 것이다. 입자가 갭(1114)에 들어가기에 충분한 잔류 에너지를 갖더라도, 입자의 속도는 적어도 감소될 것이고, 이에 따라 입자는 챔버(1105)로부터 챔버(1103)로의 퍼지 가스 흐름에 의해 더 제어가능하다. 그리고 입자의 속도의 방향은 입자 트랩(1290)의 배플들(1292)과의 충돌로 인해 다시 챔버(1103)를 향해 변화될 수도 있다. 일 실시예에서, 돌출 배플들(1292)은 오염물 입자들과 입자 트랩(1290)의 표면들 사이의 반데르발스 힘을 증가시키기 위해 높은 하마커 상수를 갖는 재료들로 만들어질 수 있으며, 이는 오염물 입자들이 트랩(1290)의 표면들에 달라붙을 가능성을 증가시킨다. 추가적으로, 입자 트랩(1290)의 복수의 배플들은 표면 영역을 증가시킬 수 있고, 이는 차례로 오염물 입자들이 입자 트랩(1290)에 의해 포획될 가능성을 증가시킨다.

도 12b 및 도 12e 내지 도 12h에 나타낸 바와 같이, 돌출 배플들(1292)은 삼각형 단면 영역을 가질 수 있고, 각각의 돌출 배플(1292)은 일 실시예에 따른 높이(H) 및 폭(W)을 갖는다. 예시를 위해, 각각의 돌출 배플(1292)은 삼각형 단면 영역들의 각각 가장 높은 지점 및 가장 낮은 지점인 피크(peak: 1278) 및 트로프(trough: 1279)를 갖는다. 또한, 돌출 배플들(1292)은 도 12c에 나타낸 바와 같이 삼각형에 가까운 단면 영역을 가질 수 있고, 이는 예를 들어 패터닝 디바이스(412)를 하우징하는 제 2 챔버(405)로부터 입자들을 원하는 이동 방향으로 반사시키도록 구성된다. 또는 예를 들어, 돌출 배플들(1292)은 도 12d에 나타낸 바와 같은 사다리꼴 단면을 가질 수 있다.

다시 도 12b로 돌아가면, 돌출 배플들(1292)은 높이(H) 및 폭(W)을 가질 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 돌출 배플들(1292)의 폭(W)은 약 1 mm 내지 약 5 mm일 수 있다. 예를 들어, 폭(W)은 약 1.5 mm 내지 약 4.5 mm일 수 있다. 예를 들어, 폭(W)은 약 2 mm일 수 있다. 또 다른 예시로서, 폭(W)은 약 4 mm일 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 도 12b의 돌출 배플들(1292)의 높이(H)는 약 1 mm 내지 약 6 mm일 수 있다. 예를 들어, 높이(H)는 약 2 mm 내지 약 5 mm일 수 있다. 예를 들어, 높이(H)는 약 2.4 mm 내지 약 4.5 mm일 수 있다. 이 치수들은 예시들로서 제공되며, 다른 치수들이 사용될 수 있다.

또한, 배플들(1292)은 인접한 트로프들 사이의 가상 라인과 배플들(1292)의 돌출 표면에 의해 정의되는 각도들(θ₁ 및 θ₂)을 가질 수 있다. 일 예시에서, 도 12b에 나타낸 바와 같이, 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 동일하다. 또 다른 예시에서, 도 12e 내지 도 12h에 나타낸 바와 같이, 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 동일하지 않다. 예를 들어, 도 12e에서, 각도(θ₁)는 약 90°일 수 있는 한편, 각도(θ₂)는 약 90°보다 작다. 예를 들어, 도 12f에서, 각도(θ₂)는 약 90°일 수 있는 한편, 각도(θ₁)는 약 90°보다 작다. 예를 들어, 도 12g 및 도 12h에서, 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 동일하지 않은 예각들이다.

일부 실시예들에서, 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 돌출 배플들(1292) 사이에서 변동할 수 있다. 예를 들어, 도 12g에 나타낸 바와 같이, 제 1 돌출 배플(1292)에 대한 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 인접한 제 2 돌출 배플(1292')에 대한 대응하는 각도들(θ₁ 및 θ₂)과 상이할 수 있다.

도 12h에서, 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 상이한 각도들이지만, 돌출 배플들(1292) 각각은 실질적으로 동일하다. 일부 예시들에 따르면, 도 12h의 돌출 배플(1292)의 각도(θ₁)는 약 60 도일 수 있고, 도 12h의 돌출 배플(1292)의 각도(θ₂)는 약 30 도일 수 있다. 이 예시에서, 도 12h의 돌출 배플들(1292)의 폭(W)은 약 1.5 mm 내지 약 4.5 mm일 수 있다. 예를 들어, 도 12h의 돌출 배플들(1292)의 폭(W)은 약 2 mm일 수 있다. 또 다른 예시로서, 도 12h의 돌출 배플들(1292)의 폭(W)은 약 4 mm일 수 있다. 하지만, 이들은 예시적인 값들이며, 각도들(θ₁ 및 θ₂)은 다른 값들을 취할 수 있다.

일부 실시예들에 따르면, 피치[예를 들어, 인접한 배플들의 피크들(1278) 사이의 거리]는 고정될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 피치는 가변적일 수 있다. 예를 들어, 도 12g의 입자 트랩(1290)은 인접한 배플들의 피크들(1278) 사이의 거리들(d₁, d₂ 및 d₃)이 상이한 예시를 나타낸다. 또 다른 예시로서, 도 12h의 입자 트랩(1290)은 피치(d)가 배플들 사이에서 실질적으로 유사한 예시를 나타낸다.

도 12i 및 도 12j는 입자 트랩들(1290)의 다양한 실시예들의 평면도를 개략적으로 도시한다. 도 12i는 도 12b에서 설명된 입자 트랩(1290)의 평면도일 수 있다. 도 12i에 나타낸 바와 같이, 돌출 배플들(1292)의 열(row)은 서로 평행하며, 인접한 피크들 또는 트로프들 사이의 간격이 동일하다. 대안적으로, 돌출 배플들(1292)의 각각의 열이 특정 형상들을 형성하도록 배치될 수도 있다. 도 12j에 나타낸 바와 같이, 각각의 열은 V 형상으로 형성되고, 돌출 배플들(1292)의 열들은 서로 평행한 한편, 인접한 피크들 또는 트로프들 사이의 간격은 상이할 수 있다. 예시적인 구성들이 제공되지만, 입자 트랩들(1290)(및 이들의 평면도)은 각진 또는 다수갈래(multipronged) 구성들과 같은, 그러나 이에 제한되지는 않는 여하한의 다른 구성들을 포함할 수 있다.

도 12k는 다양한 실시예들에 따른 또 다른 입자 트랩(1290)을 개략적으로 도시한다. 도 12k의 입자 트랩(1290)은 마이크로-구조체들(예를 들어, 마이크로-배플들)(1297)을 포함하는 마이크로-구조 테이프(1295)일 수 있다. 마이크로-구조체들(1297)은 도 12a 내지 도 12h에서 논의된 디자인들 및 구성들과 같은, 그러나 이에 제한되지는 않는 다른 디자인들 및 구성들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마이크로-구조체들(1297)은 여하한의 적절한 단면 형상, 예를 들어 거의 직사각형, 삼각형, 거의 삼각형, 장사방형, 또는 거의 장사방형을 가질 수 있다. 예를 들어, 마이크로-구조체들(1297)은 원뿔형, 구형, 피라미드형, 또는 여하한의 다른 적절한 형상을 가질 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-구조체들(1297)은 예를 들어 입자들을 포획하는 표면 영역을 증가시키기 위해 프랙탈 구조체들을 포함할 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 마이크로-구조 테이프(1295)는 금속으로 만들어질 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-구조 테이프(1295)는 폴리머로 만들어질 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 마이크로-구조 테이프(1295)는 실리콘 고무로 만들어질 수 있다. 일부 예시들에서, 마이크로-구조 테이프(1295)는 마이크로-구조 테이프(1295)가 진공 호환가능하도록 니켈(Ni)로 코팅될 수 있다. 일부 예시들에 따르면, 마이크로-구조 테이프(1295)는 Gottlieb Binder GmbH에 의해 제조된 Gecko^® Nanoplast^®를 포함할 수 있다. 하지만, 도 12k의 입자 트랩(1290)은 여하한의 다른 마이크로-구조체 또는 나노구조체를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 마이크로-구조 테이프(1295)는 앞서 설명된 바와 같이 제거가능한 및 부착가능한 입자 트랩일 수 있다. 또 다른 예시로서, 도 12k의 입자 트랩(1290)은 타겟 표면들에 볼트 고정 및 볼트 해제될 수 있는 마이크로-구조체를 포함할 수 있다.

추가적으로 또는 대안적으로, 도 12l에 예시된 바와 같이, 입자 트랩(1290)은 오염 입자들로 하여금 입자 트랩(1290)에 부착되게 하도록 구성되는 마이크로-구조체 또는 나노구조체의 표면 상의 재료(1291)를 갖는 마이크로-구조체 또는 나노구조체(예를 들어, 마이크로-배플들 또는 나노-배플들)(1292)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 재료(1291)는 입자 트랩(1290)의 스티킹 효과(sticking effect)를 증가시킬 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 재료(1291)는 액체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 입자 트랩은 그 표면에 액체가 고정된 마이크로-구조체를 포함할 수 있으며, 이는 입자 트랩(1290)의 스티킹 효과를 증가시킬 수 있다. 일부 예시들에서, 마이크로-구조체 또는 나노구조체(1292)는 액체가 스며들어 있는 복수의 배플들을 포함한다. 일부 예시들에서, 마이크로-구조체의 표면 상에 제공된 액체는 물 또는 오일을 포함할 수 있다. 하지만, 다른 액체도 사용될 수 있다. 일부 예시들에서, 액체 분자의 한 말단이 마이크로-구조체에 달라붙고, 분자의 다른 말단은 입자 트랩(1290)에 입자들에 대한 트랩의 일부를 제공한다. 도 12l의 입자 트랩(1290)은 액체를 갖는 마이크로-구조체 또는 나노구조체의 예시적인 일 실시예이며, 다른 디자인들이 사용될 수도 있다.

도 12a 내지 도 12j의 돌출 배플들(1292) 각각 및/또는 도 12k 및 도 12l의 마이크로-구조체 또는 나노구조체(1297 및 1292)는 입자 트랩(1290)의 표면으로부터 돌출된 개별 돌출부들일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 도 12a 내지 도 12j의 돌출 배플들(1292) 각각 및/또는 도 12k 및 도 12l의 마이크로-구조체 또는 나노구조체(1297 및 1292)는 도 12a 내지 도 12l의 표면에 수직인 방향을 따라 연장될 수 있다.

도 12a 내지 도 12l은 앞서 설명된 바와 같이 이동가능한 구조체(1204) 상에 배치되는 입자 트랩(1290)을 예시하지만, 입자 트랩(1290)은 제 1 챔버(1103) 내에 있는 고정된 제 1 구조체(1102) 또는 이동가능한 제 2 구조체(1104)의 표면들 상에 배치될 수 있다. 또한, 입자 트랩들(1190 및 1290)은 제 1 챔버(1103) 내에 있는 고정된 제 1 구조체(1102) 또는 이동가능한 제 2 구조체(1104) 상의 여하한의 구조체의 표면들 상에 배치될 수 있다.

추가적으로, 본 발명에서 논의된 입자 트랩들의 예시들은 갭(414) 내에서 제 1 구조체(402)의 표면(415) 상에, 갭(414) 내에서 제 2 구조체(404)의 표면(417) 상에, 또는 이들의 조합으로 배치될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명에서 논의된 입자 트랩들의 예시들은 제 2 챔버(405)에 위치된 제 1 구조체(402)의 표면들 및/또는 제 2 구조체(404)의 표면들 상에 배치될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명에서 논의된 입자 트랩들의 예시들은 제 2 챔버(405)와 마주하는 하우징(401)의 표면들 상에 배치될 수 있다.

본 실시예들은 다음 항목들을 이용하여 더 설명될 수 있다:

1. 대상물 스테이지에 있어서,

제 1 챔버;

제 2 챔버;

제 1 표면을 갖는 제 1 구조체;

제 2 챔버 내에 대상물을 지지하도록 구성되고, 제 1 구조체에 대해 이동가능하며,

제 1 구조체의 제 1 표면에 마주하는 제 2 표면 -이에 의해 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의함- ; 및

제 1 챔버 내의 제 3 표면

을 포함하는 제 2 구조체; 및

제 3 표면의 적어도 일부분 상에 배치되는 제 1 트랩

을 포함하고, 제 1 트랩은 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 복수의 배플들을 포함하는 대상물 스테이지.

2. 1 항에 있어서, 제 1 표면의 적어도 일부분에 배치되는 제 2 트랩을 더 포함하는 대상물 스테이지.

3. 1 항에 있어서, 제 1 배플과 제 1 배플에 인접한 제 2 배플 사이의 제 1 거리는 제 2 배플과 제 2 배플에 인접한 제 3 배플 사이의 제 2 거리와 상이한 대상물 스테이지.

4. 1 항에 있어서, 복수의 배플들의 각각의 배플은 삼각형 단면의 인접한 트로프들 사이의 가상 라인과 배플의 제 1 돌출 표면 사이에 정의된 제 1 각도 및 삼각형 단면의 인접한 트로프들 사이의 가상 라인과 배플의 제 2 돌출 표면 사이에 정의된 제 2 각도를 포함하는 삼각형 단면을 갖는 대상물 스테이지.

5. 4 항에 있어서,

삼각형 단면은 삼각형 단면의 인접한 트로프들 사이의 가상 라인과 배플의 제 1 돌출 표면 사이에 정의된 제 1 각도 및 삼각형 단면의 인접한 트로프들 사이의 가상 라인과 배플의 제 2 돌출 표면 사이에 정의된 제 2 각도를 포함하고,

복수의 배플들의 제 1 배플의 제 1 각도는 복수의 배플들의 제 2 배플의 제 1 각도와 상이한 대상물 스테이지.

6. 1 항에 있어서, 제 1 트랩은 제 3 표면에 부착가능하게 커플링되는 대상물 스테이지.

7. 1 항에 있어서, 제 1 트랩은 복수의 배플들이 돌출되어 있는 마이크로-구조 테이프를 포함하는 대상물 스테이지.

8. 1 항에 있어서, 복수의 배플들은 액체가 스며들어 있는 대상물 스테이지.

9. 1 항에 있어서,

제 2 구조체는 장행정 모듈 및 단행정 모듈을 포함하고,

제 2 표면은 장행정 모듈의 일부이며,

제 1 구조체는 고정되어 있는 대상물 스테이지.

10. 1 항에 있어서,

대상물은 레티클이고,

제 2 구조체는 레티클을 지지하도록 구성되는 척인 대상물 스테이지.

11. 1 항에 있어서, 제 1 챔버 및 제 2 챔버는 각각 진공 압력에 유지되도록 구성되는 대상물 스테이지.

12. 대상물 스테이지에 있어서,

제 1 챔버;

제 2 챔버;

제 1 표면을 갖는 제 1 구조체;

제 2 챔버 내에 대상물을 지지하도록 구성되고, 제 1 구조체에 대해 이동가능하며, 제 1 구조체의 제 1 표면에 마주하는 제 2 표면 -이에 의해 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의함- 을 포함하는 제 2 구조체; 및

갭에 배치되고, 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 방벽

을 포함하는 대상물 스테이지.

13. 12 항에 있어서, 방벽은:

제 1 표면으로부터 돌출하는 제 1 복수의 배플들; 및

제 2 표면으로부터 돌출하고 제 1 복수의 배플들과 맞물리는 제 2 복수의 배플들을 포함하는 대상물 스테이지.

14. 13 항에 있어서,

제 2 구조체는 스캔 방향으로 이동하도록 구성되고,

제 1 및 제 2 복수의 배플들의 각각의 배플은 스캔 방향을 따라 연장되는 대상물 스테이지.

15. 14 항에 있어서, 제 1 및 제 2 복수의 배플들은 집합적으로 스캔 방향에 수직인 방향을 따라 시선을 차단하는 대상물 스테이지.

16. 13 항에 있어서, 제 1 복수의 배플들의 각각의 배플은 제 2 복수의 배플들의 인접한 배플의 표면과 평행한 표면을 포함하는 대상물 스테이지.

17. 13 항에 있어서, 방벽은 제 1 및 제 2 복수의 배플들보다 작은 제 3 복수의 돌출 배플들을 더 포함하고, 제 3 복수의 돌출 배플들은 제 1 복수의 배플들, 제 2 복수의 배플들, 제 1 복수의 배플들 사이, 또는 제 2 복수의 배플들 사이에 배치되는 대상물 스테이지.

18. 12 항에 있어서, 방벽은:

제 1 및 제 2 구조체들의 제 1 측에서 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는 제 1 포일; 및

제 1 및 제 2 구조체들의 제 1 측의 맞은편인 제 2 측에서 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는 제 2 포일을 포함하는 대상물 스테이지.

19. 18 항에 있어서,

제 2 구조체는 스캔 방향으로 이동하도록 구성되고,

제 1 및 제 2 포일들은 스캔 방향에서 롤링되도록 구성되는 대상물 스테이지.

20. 18 항에 있어서, 방벽은:

제 1 및 제 2 구조체들의 제 1 측에서 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는, 제 1 포일로부터 분리된 제 3 포일; 및

제 2 측에서 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는, 제 2 포일로부터 분리된 제 4 포일을 더 포함하는 대상물 스테이지.

21. 20 항에 있어서,

제 3 포일의 일부분이 제 1 포일의 일부분과 겹치고,

제 4 포일의 일부분이 제 2 포일의 일부분과 겹치는 대상물 스테이지.

22. 20 항에 있어서,

갭이 제 3 포일과 제 1 포일 사이에 형성되고,

갭이 제 4 포일과 제 2 포일 사이에 형성되는 대상물 스테이지.

23. 18 항에 있어서, 제 1 및 제 2 포일들 각각은 금속 또는 폴리머를 포함하는 대상물 스테이지.

24. 12 항에 있어서,

제 2 구조체는 장행정 모듈 및 단행정 모듈을 포함하고,

제 2 표면은 장행정 모듈의 일부이며,

제 1 구조체는 고정되어 있는 대상물 스테이지.

25. 12 항에 있어서,

대상물은 레티클이고,

제 2 구조체는 레티클을 지지하도록 구성되는 척인 대상물 스테이지.

26. 12 항에 있어서, 제 1 챔버 및 제 2 챔버는 각각 진공 압력에 유지되도록 구성되는 대상물 스테이지.

27. 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 구성되는 리소그래피 장치에 있어서,

스캐닝 방향을 따라 기판을 유지 및 이동시키도록 구성되는 기판 테이블;

레티클을 유지 및 이동시키도록 구성되는 레티클 스테이지

를 포함하고, 레티클 스테이지는:

제 1 챔버;

제 2 챔버;

제 1 표면을 갖는 제 1 구조체;

제 2 챔버 내에 레티클을 지지하도록 구성되고, 제 1 구조체에 대해 이동가능하며,

제 1 구조체의 제 1 표면에 마주하는 제 2 표면 -이에 의해 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의함- ; 및

제 1 챔버 내의 제 3 표면

을 포함하는 제 2 구조체; 및

제 3 표면의 적어도 일부분 상에 배치되는 트랩을 포함하며, 트랩은 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 복수의 배플들을 포함하는 리소그래피 장치.

28. 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 구성되는 리소그래피 장치에 있어서,

스캐닝 방향을 따라 기판을 유지 및 이동시키도록 구성되는 기판 테이블;

레티클을 유지 및 이동시키도록 구성되는 레티클 스테이지

를 포함하고, 레티클 스테이지는:

제 1 챔버;

제 2 챔버;

제 1 표면을 갖는 제 1 구조체;

제 2 챔버 내에 레티클을 지지하도록 구성되고, 제 1 구조체에 대해 이동가능하며, 제 1 구조체의 제 1 표면에 마주하는 제 2 표면 -이에 의해 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 연장되는 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의함- 을 포함하는 제 2 구조체; 및

갭에 배치되고, 오염물 입자들이 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 방벽을 포함하는 리소그래피 장치.

29. 28 항에 있어서, 방벽은:

제 1 표면으로부터 돌출하는 제 1 복수의 배플들; 및

제 2 표면으로부터 돌출하고 제 1 복수의 배플들과 맞물리는 제 2 복수의 배플들을 포함하는 리소그래피 장치.

30. 29 항에 있어서,

제 2 구조체는 스캔 방향으로 이동하도록 구성되고,

제 1 및 제 2 복수의 배플들의 각각의 배플은 스캔 방향을 따라 연장되는 리소그래피 장치.

31. 30 항에 있어서, 제 1 및 제 2 복수의 배플들은 집합적으로 스캔 방향에 수직인 방향을 따라 시선을 차단하는 리소그래피 장치.

32. 28 항에 있어서, 방벽은:

제 1 및 제 2 구조체들의 제 1 측에서 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는 제 1 포일; 및

제 1 및 제 2 구조체들의 제 1 측의 맞은편인 제 2 측에서 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는 제 2 포일을 포함하는 리소그래피 장치.

33. 32 항에 있어서,

제 2 구조체는 스캔 방향으로 이동하도록 구성되고,

제 1 및 제 2 포일들은 스캔 방향에서 롤링되도록 구성되는 리소그래피 장치.

본 명세서에서는 예시적인 디자인들이 논의되지만, 본 발명의 실시예들은 이 예시들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 논의된 예시적인 디자인들의 여하한의 조합을 포함한다.

본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한 번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.

이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있으며, 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 경화된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 레지스트로부터 이동되어 그 안에 패턴을 남긴다.

본 명세서에서, 어구 또는 전문 용어는 설명을 위한 것이며 제한하려는 것이 아니므로, 당업자라면 본 명세서의 전문 용어 또는 어구가 본 명세서의 교시를 고려하여 해석되어야 한다는 것을 이해하여야 한다.

또한, 본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어들은 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장 λ을 갖는) 자외(UV) 방사선, (예를 들어, 13.5 nm와 같은 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV 또는 연질 X-선) 방사선, 또는 5 nm 미만에서 동작하는 경질 X-선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다. 일반적으로, 약 400 내지 약 700 nm의 파장들을 갖는 방사선이 가시 방사선으로 간주되고; 약 780 내지 3000 nm(또는 그 이상)의 파장들을 갖는 방사선이 IR 방사선으로 간주된다. UV는 약 100 내지 400 nm의 파장들을 갖는 방사선을 지칭한다. 리소그래피 내에서, "UV"라는 용어는 수은 방전 램프(mercury discharge lamp)에 의해 생성될 수 있는 파장들: G-라인 436 nm; H-라인 405 nm; 및/또는 I-라인 365 nm에도 적용된다. 진공 UV 또는 VUV(즉, 가스에 의해 흡수되는 UV)는 약 100 내지 200 nm의 파장을 갖는 방사선을 지칭한다. 심 UV(DUV)는 일반적으로 126 nm 내지 428 nm 범위의 파장들을 갖는 방사선을 지칭하고, 일 실시예에서 엑시머 레이저가 리소그래피 장치 내에서 사용되는 DUV 방사선을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 5 내지 20 nm의 범위 내의 파장을 갖는 방사선은 적어도 일부분이 5 내지 20 nm의 범위 내에 있는 소정 파장 대역을 갖는 방사선에 관련된다는 것을 이해하여야 한다.

본 명세서에서 사용된 바와 같은 "기판"이라는 용어는 일반적으로 후속한 재료 층들이 추가되는 재료를 설명한다. 실시예들에서, 기판 자체가 패터닝될 수 있고, 그 위에 추가되는 재료들이 패터닝될 수도 있거나, 또는 패터닝 없이 유지될 수 있다.

본 명세서에서 사용된 1 이상의 특정한 특징, 구조, 또는 특성 사이의 상대적 공간 설명들은 예시만을 위한 것이며, 본 명세서에 설명된 구조체들의 실제 구현들은 본 발명의 기술사상 및 범위를 벗어나지 않고 오정렬 공차들을 포함할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.

이상, 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 설명은 본 발명을 제한하도록 의도되지 않는다.

요약 및 초록 부분(Summary and Abstract sections)이 아닌, 발명의 상세한 설명 부분(Detailed Description section)이 청구항들을 해석하는 데 사용되도록 의도된다는 것을 이해하여야 한다. 요약 및 초록 부분은 1 이상을 설명할 수 있지만, 발명자(들)에 의해 의도된 본 발명의 모든 예시적인 실시예를 설명하지는 않으며, 이에 따라 어떠한 방식으로도 본 발명 및 첨부된 청구항들을 제한하도록 의도되지 않는다.

이상, 본 발명은 명시된 기능들 및 그 관계들의 구현을 예시하는 기능 구성 요소(functional building block)들의 도움으로 설명되었다. 이 기능 구성 요소들의 경계들은 설명의 편의를 위해 본 명세서에서 임의로 정의되었다. 명시된 기능들 및 그 관계들이 적절히 수행되는 한, 대안적인 경계들이 정의될 수 있다.

특정 실시예들의 앞선 설명은, 당업계의 지식을 적용함으로써, 다양한 적용들에 대해 본 발명의 일반적인 개념을 벗어나지 않고 지나친 실험 없이 이러한 특정 실시예들을 쉽게 변형하고, 및/또는 응용할 수 있도록 본 발명의 일반적인 성질을 전부 드러낼 것이다. 그러므로, 이러한 응용예 및 변형예들은 본 명세서에 나타낸 교시 및 안내에 기초하여, 개시된 실시예들의 균등물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다.

본 발명의 범위와 폭은 상술된 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않아야 하며, 다음의 청구항 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.

Claims (26)

1. 대상물 스테이지(object stage)에 있어서,
   제 1 챔버;
   제 2 챔버;
   제 1 표면을 갖는 제 1 구조체;
   상기 제 2 챔버 내에 대상물을 지지하도록 구성되고, 상기 제 1 구조체에 대해 이동가능하며,
   상기 제 1 구조체의 제 1 표면에 마주하는 제 2 표면 -이에 의해 상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버 사이에서 연장되는 상기 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의함- ; 및
   상기 제 1 챔버 내의 제 1, 2 표면과 다른 제 3 표면
   을 포함하는 제 2 구조체; 및
   상기 제 3 표면의 적어도 일부분 상에 배치되는 제 1 트랩(trap)
   을 포함하고, 상기 제 1 트랩은 오염물 입자들이 상기 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 복수의 배플(baffle)들을 포함하는 대상물 스테이지.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 표면의 적어도 일부분에 배치되는 제 2 트랩을 더 포함하는 대상물 스테이지.
3. 제 1 항에 있어서,
   제 1 배플과 상기 제 1 배플에 인접한 제 2 배플 사이의 제 1 거리는 상기 제 2 배플과 상기 제 2 배플에 인접한 제 3 배플 사이의 제 2 거리와 상이한 대상물 스테이지.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 복수의 배플들의 각각의 배플은 삼각형 단면의 인접한 트로프(trough)들 사이의 가상 라인과 상기 배플의 제 1 돌출 표면 사이에 정의된 제 1 각도 및 상기 삼각형 단면의 인접한 트로프들 사이의 가상 라인과 상기 배플의 제 2 돌출 표면 사이에 정의된 제 2 각도를 포함하는 삼각형 단면을 갖는 대상물 스테이지.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 삼각형 단면은 상기 삼각형 단면의 인접한 트로프들 사이의 가상 라인과 상기 배플의 제 1 돌출 표면 사이에 정의된 제 1 각도 및 상기 삼각형 단면의 인접한 트로프들 사이의 가상 라인과 상기 배플의 제 2 돌출 표면 사이에 정의된 제 2 각도를 포함하고,
   상기 복수의 배플들의 제 1 배플의 제 1 각도는 상기 복수의 배플들의 제 2 배플의 제 1 각도와 상이한 대상물 스테이지.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 트랩은 상기 제 3 표면에 부착가능하게 커플링(attachably couple)되는 대상물 스테이지.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 트랩은 상기 복수의 배플들이 돌출되어 있는 마이크로-구조 테이프(micro-structural tape)를 포함하는 대상물 스테이지.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 복수의 배플들은 액체가 스며들어 있는 대상물 스테이지.
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 2 구조체는 장행정 모듈(long stroke module) 및 단행정 모듈(short stroke module)을 포함하고,
   상기 제 2 표면은 상기 장행정 모듈의 일부이며,
   상기 제 1 구조체는 고정(stationary)되는 대상물 스테이지.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 대상물은 레티클이고,
    상기 제 2 구조체는 상기 레티클을 지지하도록 구성되는 척(chuck)인 대상물 스테이지.
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 챔버 및 상기 제 2 챔버는 각각 진공 압력에 유지되도록 구성되는 대상물 스테이지.
12. 대상물 스테이지에 있어서,
    제 1 챔버;
    제 2 챔버;
    제 1 표면을 갖는 제 1 구조체;
    상기 제 2 챔버 내에 대상물을 지지하도록 구성되고, 상기 제 1 구조체에 대해 이동가능하며, 상기 제 1 구조체의 제 1 표면에 마주하는 제 2 표면 -이에 의해 상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버 사이에서 연장되는 상기 제 1 구조체와 제 2 구조체 사이의 갭을 정의함- 을 포함하는 제 2 구조체; 및
    상기 제 1 챔버에 배치되고, 오염물 입자들이 상기 갭을 통과하는 것을 저지하도록 구성되는 방벽(barrier)
    을 포함하는 대상물 스테이지.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 방벽은:
    상기 제 1 표면으로부터 돌출하는 제 1 복수의 배플들; 및
    상기 제 2 표면으로부터 돌출하고 상기 제 1 복수의 배플들과 맞물리는(interdigitated) 제 2 복수의 배플들을 포함하는 대상물 스테이지.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 구조체는 스캔 방향으로 이동하도록 구성되고,
    상기 제 1 및 제 2 복수의 배플들의 각각의 배플은 상기 스캔 방향을 따라 연장되는 대상물 스테이지.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 복수의 배플들은 집합적으로 상기 스캔 방향에 수직인 방향을 따라 시선(line of sight)을 차단하는 대상물 스테이지.
16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 배플들의 각각의 배플은 상기 제 2 복수의 배플들의 인접한 배플의 표면과 평행한 표면을 포함하는 대상물 스테이지.
17. 제 13 항에 있어서,
    상기 방벽은 상기 제 1 및 제 2 복수의 배플들보다 작은 제 3 복수의 돌출 배플들을 더 포함하고, 상기 제 3 복수의 돌출 배플들은 상기 제 1 복수의 배플들 상에, 상기 제 2 복수의 배플들 상에, 상기 제 1 복수의 배플들 사이에, 또는 상기 제 2 복수의 배플들 사이에 배치되는 대상물 스테이지.
18. 제 12 항에 있어서,
    상기 방벽은:
    상기 제 1 및 제 2 구조체들의 제 1 측에서 상기 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는 제 1 포일(foil); 및
    상기 제 1 및 제 2 구조체들의, 상기 제 1 측의 맞은편인 제 2 측에서 상기 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는 제 2 포일을 포함하는 대상물 스테이지.
19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 2 구조체는 스캔 방향으로 이동하도록 구성되고,
    상기 제 1 및 제 2 포일들은 상기 스캔 방향에서 롤링(roll)되도록 구성되는 대상물 스테이지.
20. 제 18 항에 있어서,
    상기 방벽은:
    상기 제 1 및 제 2 구조체들의 제 1 측에서 상기 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는, 상기 제 1 포일로부터 분리된 제 3 포일; 및
    상기 제 2 측에서 상기 제 1 및 제 2 표면들에 커플링되는, 상기 제 2 포일로부터 분리된 제 4 포일을 더 포함하는 대상물 스테이지.
21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 3 포일의 일부분은 상기 제 1 포일의 일부분과 겹치고,
    상기 제 4 포일의 일부분은 상기 제 2 포일의 일부분과 겹치는 대상물 스테이지.
22. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 3 포일과 상기 제 1 포일 사이에 갭이 형성되고,
    상기 제 4 포일과 상기 제 2 포일 사이에 갭이 형성되는 대상물 스테이지.
23. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 포일들 각각은 금속 또는 폴리머를 포함하는 대상물 스테이지.
24. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 구조체는 장행정 모듈 및 단행정 모듈을 포함하고,
    상기 제 2 표면은 장행정 모듈의 일부이며,
    상기 제 1 구조체는 고정되는 대상물 스테이지.
25. 제 12 항에 있어서,
    상기 대상물은 레티클이고,
    상기 제 2 구조체는 상기 레티클을 지지하도록 구성되는 척인 대상물 스테이지.
26. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 챔버 및 상기 제 2 챔버는 각각 진공 압력에 유지되도록 구성되는 대상물 스테이지.

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