JP2005258437A - 露光装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】露光装置は、光を提供する光学システムと、光の経路上に配置されたマスク本体、マスク本体の第１領域上に配置された第１光透過パターン及び第１領域と隣接するマスク本体の第２領域上に配置された第２光透過パターンを有し第１方向に移送されるマスクと、光学システムとマスクとの間に介在され、第１及び第２領域の境界にそれぞれ整列される第１側面及び第２側面にそれぞれ形成された乱反射防止部を有する光吸収部材と、第１及び第２光透過パターンを通過した光と反応する感光膜を有する基板が搭載されマスクと共に第１方向に移送される基板プレートと、を含む。これにより、基板により優秀なフォトレジストパターンを形成することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は露光装置及び露光方法に関し、より具体的には、本発明はエッチングマスクなどで使用されるフォトレジストパターンの品質を向上させた露光装置及び方法に関する。

一般に、データを処理するために大部分の情報処理装置は電気的信号形態を有する結果データを視覚的に表示するための表示装置を有する。
表示装置は、例えば、液晶表示装置、有機電界発光表示装置及びプラズマ表示装置などが代表的である。
これらの表示装置は、例えば、共通的に基板に形成された薄膜トランジスタなどを用いて画像を表示する。
薄膜トランジスタは共通的にゲート電極、チャンネルパターン、ソース電極及びドレイン電極を含む。ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極は金属薄膜をパターニングして形成され、チャンネルパターンはアモルファスシリコン薄膜のような半導体薄膜をパターニングして形成される。

薄膜トランジスタのゲート電極、チャンネルパターン及びドレイン電極を製造するために、金属薄膜または半導体薄膜はフォトリソグラフィ工程によってパターニングされる。
フォトリソグラフィ工程はフォトレジストフィルム塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程を含む。これらのうち、フォトレジストフィルムに局部的に光を提供する露光工程は露光装置によって実施される。
露光装置はスキャン方式露光装置とステッパー方式露光装置が代表的である。スキャン方式露光装置は光学システム、マスク及び基板が搭載される基板プレートを含む。
基板プレートの上部にはマスクが配置され、マスクの上部には光学システムが配置される。反対に、光学システムから発生された光はマスクを通じて基板に照射される。
基板に形成されたフォトレジストフィルムに局部的に光を提供するために、整列された基板及びマスクは共に移送され、移送されるマスクには光学システムから発生された光が照射される。

一方、マスクは、例えば、薄膜トランジスタを形成するためのアクティブパターン及びアクティブパターンを基板の指定された位置に整列させるための整列キーパターンを含む。
スキャン方式露光装置の場合、整列キーパターン及びアクティブパターンが光によって干渉されないようにするために、マスクの上部または下部にはマスクブラインドが配置される。マスクブラインドは整列キーパターンに光が照射される途中でアクティブパターンに光が照射されないようにする。また、マスクブラインドはアクティブパターンに光が照射される途中に整列キーパターンで光が照射されないようにする。

しかし、従来のマスクブラインドを使用したスキャン方式露光装置は、マスクブラインドのエッジで光が乱反射されフォトレジスト薄膜の露光不良が深刻に発生し、多量のパーティクルを発生させるという問題点を有する。
従って、本発明はこのような従来の問題点を勘案したもので、本発明の第１目的は露光不良を減少させた露光装置を提供することにある。
本発明の第２目的は前記露光装置による露光方法を提供することにある。

このような本発明の第１目的を具現するために、本発明による露光装置は光学システム、マスク、光吸収部材及び基板プレートを含む。光学システムはフォトレジスト薄膜を露光するに必要な光を発生する。マスクは、光の経路上に配置されたマスク本体、マスク本体の第１領域上に配置された第１光透過パターン及び第１領域と隣接したマスク本体の第２領域上に配置された第２光透過パターンを有し第１方向に移送される。光吸収部材は、光学システムとマスクとの間に介在され、第１及び第２領域の境界にそれぞれ整列される第１側面及び第２側面にそれぞれ形成された乱反射防止部を有する。基板プレートは、第１及び第２光透過パターンを通過した光と反応する感光膜を有する基板が搭載されマスクと共に第１方向に移送される基板プレートを含む。

また、本発明の第２目的を具現するために、本発明による露光方法は第１領域上に配置された第１光透過パターン及び第１領域と隣接する第２領域上に配置された第２光透過パターンを有するマスクで基板に形成された感光膜を露光するために、第２領域がカバーできるように光吸収部材の第１乱反射防止部を第１及び第２領域の境界に整列する。続いて、第１光透過パターンと通じて第１領域に選択的に光を照射する。次に、第１領域がカバーできるように光吸収部材の第２側面に形成された第２乱反射防止部を境界に整列する。第２光透過パターンを通じて第２領域に選択的に光を照射する。
本発明によると、基板に形成されたフォトレジスト薄膜上に互いに異なる２つのフォトレジストパターンを形成するとき使用される光吸収部材の側面を乱反射防止処置するか光吸収部材の側面に乱反射防止部材を形成してフォトレジスト薄膜に乱反射された光が照射されパターン不良が発生することを防止する。

以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
（露光装置）
図１は本発明の一実施形態による露光装置を示す斜視図である。図２は図１に示された露光装置の概略図である。
図１に示すように、露光装置６００は光学システム１００、マスク２００、光吸収部材３００及び基板プレート４００を含む。
図２に示すように、マスク２００及び基板プレート４００に向かう光を発生させるための光学システム１００は光源１１０を含む。光源１１０はランプ１１２を含むことができ、ランプ１１２から発生した光は集光ミラー１１４によって集光される。集光ミラー１１４はランプ１１２から発生した光を集光するために楕円鏡形状を有する。

集光ミラー１１４で集光された光は反射ミラー１２０によって指定された方向に反射される。反射ミラー１２０に反射された光は露光に適合した波長をフィルタリングするフィルタ１２５を通過する。フィルタ１２５を通過した光は光分割装置１３０に入射され、光分割装置１３０によって光は互いに異なる経路、例えば、５〜７個の互いに異なる経路に出射される。本実施形態においては、光分割装置１３０で分割された光のうちいずれか一つが示されている。

光分割装置１３０で分割された光は、露光量制御フィルタ１３５にそれぞれ印加される。露光量制御フィルタ１３５は光分割装置１３０から分割された光の露光量をそれぞれ制御する。参照符号１４０は露光量制御フィルタ１３５を駆動する駆動モジュールである。
露光量制御フィルタ１３５から分割された各光は光分割装置１３０と露光量制御フィルタ１３５との間に配置された光シャッター領域１４５ａを通過する。光シャッター領域１４５ａには光シャッター１４５が配置され、分割された各光は光シャッター１４５によって光シャッター１４５ａを通過するか遮断される。
露光量制御フィルタ１３５及び光シャッター領域１４５ａを通過した光はリレーレンズ１５０及びフライアイレンズ１５５及び集光レンズ１６０を順序に通過する。フライアイレンズ１５５は露光量制御フィルタ１３５を通過した光の照度を均一に調節する。

図２の参照符号１３５ａは露光量制御フィルタ１３５を通過した光をモニタリングするための光の一部をサンプリングするハフミラーであり、参照符号１３５ｂはサンプリングされた光を検出する検出器である。参照符号１６５は露光量制御装置を制御するための制御装置である。
光学システム１００で出射された複数個の光は、例えば、平面から見たとき梯形形状にマスク２００に投影される。梯形形状を有する複数個の光がマスク２００に相互にジグザグ形態に形成される。このとき、マスク２００に投影された光の斜面は相互に向き合うように配置され、斜面は平面上で相互に向き合うように配置される。

これに加えて、光学システム１００は各光に対応する投影モジュール１７０をさらに含み、投影モジュール１７０はマスク２００と基板プレート４００との間に介在される。投影モジュール１７０はマスク２００を通過した光の位置を精密に調整する。
図３は図１に示されたマスク及び光吸収部材を示す平面図である。
図２及び図３に示すように、マスク２００は基板プレート４００に配置された基板４１０と実質的に同一の形状を有する。例えば、基板４１０が長方体形状を有する場合、マスク２００も長方体形状を有する。
マスク２００はマスク本体２１０、第１光透過パターン２２０及び第２光透過パターン２３０を有する。
マスク本体２１０は第１領域２０１及び第２領域２０２を含む。第１領域２０１及び第２領域２０２は図３に示された第１方向（マスク２００の長手方向に延びる方向を言う）と平行に配置される。望ましくは、第２領域２０２は第１領域２０１の両側に配置されることができる。

第１領域２０１には第１光透過パターン２２０が配置され、第２領域２０２には第２光透過パターン２３０がそれぞれ配置される。
本実施形態において、第１領域２０１に配置された第１光透過パターン２２０は画像を表示するためのアクティブパターンである。例えば、第１光透過パターン２２０は液晶表示装置の薄膜トランジスタ、透明な画素電極、ブラックマトリックス、カラーフィルターパターンなどを形成するためのパターンを有する。
本実施形態において、第２領域２０２に配置された第２光透過パターン２３０は第１光透過パターン２２０を整列するための整列パターンである。例えば、第２光透過パターン２３０は液晶表示装置の薄膜トランジスタを形成するための整列キー、画素電極を形成するための整列キー、ブラックマトリックスを形成するための整列キー、カラーフィルターパターンを形成するための整列キーを含むことができる。
第１光透過パターン２２０は第１平面積を有し、第２光透過パターン２３０は第２平面積を有する。第１光透過パターン２２０の第１平面積は第２光透過パターン２３０の第２平面積と同じであるかそれよりも広い。本実施形態において、第１平面積は第２平面積より広い。

図４は図１に示されたマスク及び光吸収部材の他の実施形態を示す平面図である。
図４に示すように、第１領域２０１に形成された第１光透過パターン２２０ａは画像を表示するための第１アクティブパターンである。例えば、第１光透過パターン２２０ａは液晶表示装置の薄膜トランジスタ、透明な画素電極、ブラックマトリックス、カラーフィルターパターンなどを形成するためのパターンを有する。
本実施形態において、第２領域２０２に形成された第２光透過パターン２３０ａは画像を表示するための第２アクティブパターンである。例えば、第２光透過パターン２３０ａは液晶表示装置の薄膜トランジスタ、透明な画素電極、ブラックマトリックス、カラーフィルターパターンなどを形成するためのパターンを有する。
第１光透過パターン２２０ａは第１平面積を有し、第２光透過パターン２３０ａは第２平面積を有する。第１平面積は第２平面積と同じであるか広い。本実施形態において、第１光透過パターン２３０ａの第１平面積は第２光透過パターン２２０ａの第２平面積より広い。

図１に示すように、このようなマスク２００はマスク２００及び基板プレート４００を平行に調節するマスクレベリングユニット（ｍａｓｋ−ｌｅｖｅｌｉｎｇ ｕｎｉｔ）２４０をさらに含むことができる。
図５は本発明の一実施形態による光吸収部材の斜視図である。図６は図５に示されたＡ_１〜Ａ_２線に沿って切断した断面図である。
図３、図５及び図６に示すように、光吸収部材３００は光学システム１００とマスク２００との間に介在される。光吸収部材３００はマスク２００の第１領域２０１及び第２領域２０２の境界２０２ａに配置される。光吸収部材３００は第１方向に対して実質的に垂直な第２方向と平行に配置される。
本実施形態において、第２領域２０２が１個の場合、第１領域２０１と第２領域２０２との間には１個の境界２０２ａが形成されるので光吸収部材３００は１個である。これとは異なり、第２領域が２個の場合、第１領域２０１と第２領域２０２との間には２個の境界２０２ａ、２０２ｂが形成されるので、光吸収部材３００は２個である。

光吸収部材３００は厚さの薄い長方体プレート形状を有する。従って、光吸収部材３００は、相互向き合う２個の面３１２、３１４及び２つの面を連結する４個の側面を有する。これらの４個の側面のうち第１領域２０１及び第２領域２０２の境界２０２ａと平行な側面を第１側面３１６及び第２側面３１８に定義する。
本実施形態において、光吸収部材３００は光反射率が低いクロムＣｒまたは酸化クロムＣｒＯ_２などを含み、光吸収部材３００の幅は望ましくは約６６ｍｍである。
光吸収部材３００の第１側面３１６または第２側面３１８は、第１領域２０１及び第２領域２０２の境界２０２ａに配置されることができる。
第１側面３１６または第２側面３１８は、第１領域２０１または第２領域２０２に向かう光を選択的に吸収する役割をする。反面、光学システム１００から出射された光のうち吸収されていない光は第１側面３１６または第２側面３１８で乱反射する可能性がある。光が第１側面３１６または第２側面３１８で乱反射される場合、乱反射された光によって露光不良が発生する可能性がある。

本実施形態においては、これを防止するために第１側面３１６及び第２側面３１８には乱反射防止部３１６ａ、３１８ａがそれぞれ形成される。第１側面３１６及び第２側面３１８を精密に表面処理して乱反射防止部３１６ａ、３１８ａが形成される。乱反射防止部３１６ａ、３１８ａは第１側面３１６及び第２側面２１８から反射された光が乱反射されることを防止する。
図７は本発明の他の実施形態による光吸収部材を示す斜視図である。図８は図７に示されたＢ_１〜Ｂ_２線に沿って切断した断面図である。
図３、図７及び図８に示すように、第１側面３１６及び第２側面３１８には乱反射防止部材３１６ｂ、３１８ｂがそれぞれ配置される。乱反射防止部材３１６ｂ、３１８ｂは第１側面３１６または第２側面３１８から光学システム１００で発生した光が乱反射されることを防止する。これを具現するために、乱反射防止部材３１６ｂ、３１８ｂは光の乱反射を防止するためにスムースな鏡面を有するように処理される。

これとは異なり、乱反射防止部材３１６ｂ、３１８ｂは、光学システム１００から発生した光を吸収するための光吸収物質をさらに含むことができる。
図９は本発明の他の実施形態によるマスク及び光吸収部材を示す平面図である。
図９に示すように、マスク２００の上面に相互に離隔され配置された一対の光吸収部材３００は光吸収部材３００の間の間隔を調節するために間隔調節装置３６０を含む。
間隔調節装置３６０は、第１ガイドレール３６２、第１移送ユニット３６３、第２ガイドレール３６４、及び第２移送ユニット３６５を含む。第１ガイドレール３６２及び第２ガイドレール３６４は第１方向と平行に配置される。マスク２００は平面上で第１及び第２ガイドレール３６２、３６４の間に配置される。

第１移送ユニット３６３の個数は、光吸収部材３００の個数と同一である。例えば、光吸収部材３００が２個の場合、第１ガイドレール３６２には２個の第１移送ユニット３６３が配置される。
第２移送ユニット３６５の個数は光吸収部材３００の個数と同一である。例えば、光吸収部材３００が２個の場合、第２ガイドレール３６４には２個の第２移送ユニット３６５が配置される。
光吸収部材３００は第１移送ユニット３６３及び第２移送ユニット３６５にそれぞれ結合される。

図１及び図２に示すように、基板プレート４００はマスク２００を通過した光の経路上に配置される。基板プレート４００には基板４１０が搭載される。基板４１０は光と反応するフォトレジスト薄膜を含む。基板プレート４００は基板４１０のレベルを調節するための第２レベリングユニット４３０を含む。
一方、マスク２００及び基板プレート４００は共に移送される。これを具現するために、マスク２００及び基板プレート４００はキャリヤ（ｃａｒｒｉｅｒ）５００に機械的に連結される。光学システム１００から発生した光はキャリヤ５００によって移送されるマスク２００に照射される。これにより、マスク２００を通過した光は基板プレート４００に形成されたフォトレジスト薄膜に照射され、フォトレジスト薄膜は光によって露光される。
（露光方法）

以下、説明される露光方法のうち、前記図１で説明された露光装置の説明と同一の部材については同一の名称及び参照符号を付与する。
図１０は本発明の一実施形態による露光方法を示す順序図である。
図１ないし図３及び図１０に示すように、望ましくは、基板プレート４００には光と反応するフォトレジスト薄膜が形成された基板４１０がローディングされる。ローディングされた基板４１０は基板プレート４００の第２レベリングユニット４３０によって精密にレベルが調節される。
基板プレート４００のレベルが精密に調節される途中にマスク２００のレベルも第１レベリングユニット２４０によって精密に調節される。

続いて、マスク２００と光学システムとの間に介在された光吸収部材３００の第１乱反射防止部３１６ａは第１領域２０１または第２領域２０２がカバーできるように第１及び第２領域２０１、２０２の境界に整列される（段階１００）。
本実施形態において、光吸収部材３００は第１領域２０１の一部をカバーするために第１領域２０１に配置され、第１乱反射防止部３１６ａは第１領域２０１及び第２領域２０２の境界２０２ａに配置される。
続いて、光学システム１００のランプ１１２から光が発生され、輝度及び光量の調節された光はマスク２００に照射される（段階２００）。
これと同時に基板プレート４００及びマスク２００は、キャリヤ５００によって指定された方向に移送され、マスク２００は光によってスキャンされる。
光はマスク２００の第１光透過パターン２２０を通過して第２領域２０２に照射され、光は第１及び第２領域２０１、２０２の境界２０２ａまで照射される。このとき、第１及び第２領域２０１、２０２の境界２０２ａに照射された光は光吸収部材３００の第１乱反射防止部３１６ａに到達されるが、第１乱反射防止部３１６ａによって光は散乱されない。

基板４１０に形成されたフォトレジスト薄膜は、マスク２００の第２領域２０２を通過した光によって露光されフォトレジストパターンが形成される。第２領域２０２に形成されたフォトレジストパターンは基板４１０を整列するに必要な整列キーなどを形成する。
第２領域２０２に光が全部照射された後、光吸収部材３００は第２領域２０２を覆い、光吸収部材３００の第２乱反射防止部３１８ａは第１領域２０１及び第２領域２０２の境界２０２ａに整列される（段階３００）。
続いて、光学システム１００では再度光を発生して第１領域２０１と第２領域２０２の境界２０２ａとの間に光を供給する（段階４００）。
このとき、光学システム１００で発生した光は、光吸収部材３００の第２乱反射防止部材３１８ａに照射されるが、第２乱反射防止部材３１８ａでは光が乱反射されないので第１領域２０１での露光不良を発生させない。

このような過程を反復して基板４１０に形成されたフォトレジストフィルムは、全部露光されフォトレジストパターンが形成される。
本実施形態において、光吸収部材３００の第１乱反射防止部３１６ａ及び第２乱反射防止部３１８ａは、直六面体プレート形状を有する光吸収部材３００の向き合う側面３１６、３１８にそれぞれ形成され、光の乱反射を防止するためにスムースに鏡面処理される。
これとは違って、光吸収部材３００は第１乱反射防止部材及び第２乱反射防止部材をさらに含むことができる。第１乱反射防止部材及び第２乱反射防止部材は、光吸収部材３００の向き合う側面にそれぞれ配置され、第１及び第２乱反射防止部材は光の乱反射を防止する。

以上詳細に説明したように、露光装置によって基板に形成されたフォトレジスト薄膜の指定された位置に光を照射するために基板の一部をカバーする光吸収部材の鏡面から光が乱反射されることを防止して基板に形成されたフォトレジストパターンの不良を防止する。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。

本発明の一実施形態による露光装置を示す斜視図である。 図１に示された露光装置の概略図である。 図１に示されたマスク及び吸収部材を示す平面図である。 図１に示されたマスク及び光吸収部材の他の実施形態を示す平面図である。 本発明の一実施形態による光吸収部材の斜視図である。 図５に示されたＡ_１〜Ａ_２線に沿って切断した断面図である。 本発明の他の実施形態による光吸収部材を示す斜視図である。 図７に示されたＢ_１〜Ｂ_２線に沿って切断した断面図である。 本発明の他の実施形態によるマスク及び光吸収部材を示す平面図である。 本発明の一実施形態による露光方法を示す順序図である。

符号の説明

１００ 光学システム
１１２ ランプ
１１４ 集光ミラー
１３０ 光分割装置
１３５ 露光量制御フィルタ
１４５ａ 光シャッター領域
１５０ リレーレンズ
１５５ フライアイレンズ
１６０ 集光レンズ
１７０ 投影モジュール
２００ マスク
２１０ マスク本体
２２０ 第１光透過パターン
２３０ 第２光透過パターン
３００ 光吸収部材
３６０ 間隔調節装置
４００ 基板プレート
６００ 露光装置

Claims (17)

1. 光を提供する光学システムと、
   前記光の経路上に配置されたマスク本体と、前記マスク本体の第１領域上に配置された第１光透過パターンと、前記第１領域と隣接する前記マスク本体の第２領域上に配置された第２光透過パターンとを有し第１方向に移送されるマスクと、
   前記光学システムと前記マスクとの間に介在され、前記第１及び第２領域の境界にそれぞれ整列される第１側面及び第２側面にそれぞれ形成された乱反射防止部を有する光吸収部材と、
   前記第１及び第２光透過パターンを通過した光と反応する感光膜を有する基板が搭載され前記マスクと共に前記第１方向に移送される基板プレートと、
   を含むことを特徴とする露光装置。
2. 前記第１光透過パターンは、前記マスクの中央部分に配置され、前記第２光透過パターンは前記第１光透過パターンの両側に配置されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
3. 前記第１光透過パターンは、画像を表示するための薄膜パターンを含み、前記第２光透過パターンは前記第１光透過パターンを整列するための整列パターンをパターン含むことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
4. 前記第１光透過パターンを含む前記第１領域の平面積は前記第２光透過パターンを含む前記第２領域の平面積より広いことを特徴とする請求項３記載の露光装置。
5. 前記第１光透過パターンは画像を表示するための第１薄膜パターンを含み、前記第２光透過パターンは画像を表示するための第２薄膜パターンを含むことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
6. 前記第１光透過パターンを含む前記第１領域の平面積は、前記第２光透過パターンを含む前記第２領域の平面積より大きいことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
7. 前記光吸収部材は、矩形プレート形状を有し、前記第１方向と実質的に直交する第２方向と平行に配置されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
8. 前記第１側面及び前記第２側面に形成された前記乱反射防止部は、前記光が前記第１及び第２側面で乱反射されることを防止するためにスムースに処理された鏡面を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
9. 前記光吸収部材は、相互に所定間隔離隔された第１及び第２光吸収部材を含むことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
10. 前記第１及び第２光吸収部材は、前記第１及び第２吸収部材の間に形成された間隔を調節するための間隔調節装置をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の露光装置。
11. 前記マスクは、マスクサポーターによって支持され、前記マスクサポーターは前記マスクレベルを調節する第１レベリング部材をさらに含み、前記基板プレートは前記基板のレベルを調節する第２レベリング部材をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
12. 前記マスクサポーター及び前記基板プレートは前記マスクサポーター及び前記基板プレートを前記第１方向に移送するキャリヤに連結されたことを特徴とする請求項１１記載の露光装置。
13. 光を提供する光学システムと、
    前記光の経路上に配置されたマスク本体と、前記マスク本体の第１領域上に配置された第１光透過パターンと、前記第１領域と隣接する前記マスク本体の第２領域上に配置された第２光透過パターンとを有し第１方向に移送されるマスクと、
    前記光学システムと前記マスクとの間に介在され、前記第１及び第２領域の境界にそれぞれ整列される第１側面及び第２側面にそれぞれ取り付けられた乱反射防止部材を含む光吸収部材と、
    前記第１及び第２光透過パターンを通過した光と反応する感光膜を有する基板が搭載され前記マスクと共に前記第１方向に移送される基板プレートと、
    を含むことを特徴とする露光装置。
14. 第１領域上に配置された第１光透過パターン及び前記第１領域と隣接する第２領域上に配置された第２光透過パターンを有するマスク基板に形成された感光膜を露光する方法において、
    前記第２領域がカバーできるように光吸収部材の乱反射防止部を前記第１及び第２領域の境界に整列する段階と、
    前記第１光透過パターンを通じて前記第１領域に選択的に光を照射する段階と、
    前記第１領域がカバーできるように前記光吸収部材の第２側面に形成された第２乱反射防止部を前記境界に整列する段階と、
    前記第２光透過パターンを通じて前記第２領域に選択的に前記光を照射する段階と、
    を含むことを特徴とする露光方法。
15. 前記第１乱反射防止部及び第２乱反射防止部は、スムースに処理された第１及び第２鏡面をそれぞれ含むことを特徴とする請求項１４記載の露光方法。
16. 前記光吸収部材は、相互所定間隔に離隔された第１乱反射防止部材及び第２乱反射防止部材を含むことを特徴とする請求項１４記載の露光方法。
17. 前記マスク及び前記基板は、同一の方向に移送されることを特徴とする請求項１４記載の露光方法。

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